CN109743838B - 一种rf电路层的生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多层RF电路板生产工艺及其使用方法，提供了一种既可满足产品高低差结构揭板工艺，并解决隐藏式断板信赖性质量风险,降低人工揭板成本的多层RF电路板生产工艺及其使用方法。
Description
技术领域
本发明涉及多层RF电路层制作技术领域，尤其涉及一种RF电路层的生产方法。
背景技术
业界普遍使用激光揭层工艺，需有稳定控深能力,当激光介质厚度不均时易造成激光过深伤其内层层材导致隐藏式断层信赖性质量风险,且需后续人工揭层。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种技术方案既可满足产品高低差结构揭层工艺，并解决隐藏式断层信赖性质量风险,降低人工揭层成本的多层RF电路层生产工艺及其使用方法。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种RF电路层的生产方法，RF电路层包括一耐高温胶层，耐高温胶层上端面和下端面对称依次设有第一铜层、电镀铜层、覆盖膜层、环氧树脂层、芯层、第二铜层、第二电镀铜层及阴焊层，RF电路层的生产方法包括如下步骤：
步骤1：制作双面带铜芯层；
步骤2：在双面带铜芯层外侧壁蚀刻出预揭路径，并对双面带铜芯层一端面的第二铜层进行裁切；
步骤3：通过激光装置对双面带铜芯层在步骤2中未被切割的第二铜层进行切割；
步骤4：通过激光装置对完成步骤3的双面带铜芯层的芯层进行切割；
步骤5：通过PIN钉将完成步骤4的双面带铜芯层与第一铜层、电镀铜层、覆盖膜层、环氧树脂层、第二电镀铜层及阴焊层进行固定连接形成RF电路层，并通过铹型成型机对固定连接后的芯层开设一凹槽；
步骤6,：通过激光对完成步骤5的RF电路层进行切割并去除废料。
步骤1具体为：在芯层上端面和下端面分别叠合一层第二铜层，使所述芯层与第二铜层之间组合成双面带铜芯层，双面带铜芯层包括设于耐高温胶层上端面上的第一双面带铜芯层和设于耐高温胶层下端面上的第二双面带铜芯层，第一双面带铜芯层和第二双面带铜芯层对称设于芯层上下端面上。
步骤2具体为：在第一双面带铜芯层和第二双面带铜芯层的外侧壁竖直方向分别蚀刻出预揭路径，并将第一双面带铜芯层的芯层下端面的第二铜层左侧切割至预定位置，将第二双面带铜芯层的芯层上端面的第二铜层左侧切割至预定位置。
步骤3具体为：使用定深激光镭射切割装置对完成步骤2的第一双面带铜芯层上端面的第二铜层进行沿预揭路径切割，直至将第一双面带铜芯层上端面第二铜层切断，对第二双面带铜芯层下端面的第二铜层进行沿预揭路径切割，直至将第二双面带铜芯层下端面第二铜层切断。
步骤4具体为：使用定深激光镭射切割装置对完成步骤3的第一双面带铜芯层的芯层下端面进行沿预揭路径切割至芯层厚度的1/2处，对第二双面带铜芯层的芯层上端面进行沿预揭路径切割至芯层厚度的1/2处。
步骤5中使用铹型成型机对RF电路层进行开设凹槽具体为：通过铹型成型机对完成步骤4的RF电路层的第一双面带铜芯层的芯层上端面沿预揭路径开设第一凹槽，对第二双面带铜芯层的芯层下端面沿预揭路径开设第二凹槽。
步骤6具体为：对完成步骤5的第一双面带铜芯层自上而下进行沿预揭路径对芯层进行对半切割，对第二双面带铜芯层自下而上进行沿预揭路径对芯层进行对半切割，并去除设有第二凹槽一部分的芯层。
步骤2更具体为：在第一双面带铜芯层和第二双面带铜芯层的外侧壁竖直方向分别蚀刻出预揭路径，并对第一双面带铜芯层的芯层下端面的第二铜层左侧切割缩短至超过预揭路径0.1mm处，将第二双面带铜芯层的芯层上端面的第二铜层左侧切割缩短至超过预揭路径0.1mm处。
将完成步骤4后的多层RF电路层平整固定于铹型成型机工作台面上，使用铹型成型机的深度传感器定位多层RF电路层层材的厚度及其位置，精准计算深度和误差数据后，选择铹针尺寸，并将铹针沿着双面带铜芯层外侧壁的预揭路径定深铹型，该定深铹型的定深距离为芯层厚度的1/2。
附图说明
图1是本发明一种RF电路层的生产方法的流程图。
图2是本发明一种RF电路层的生产方法的双面带铜芯层外侧壁蚀刻预揭路径后的侧视图。
图3是本发明一种RF电路层的生产方法的激光切割装置沿预揭路径切割芯层后的侧视图。
图4是本发明一种RF电路层的生产方法中用PIN钉固定后多层RF电路层的机构示意图。图5是本发明一种RF电路层的生产方法的最终被激光切割后去除废料部分的示意图。
图6是本发明一种RF电路层的生产方法的最终成型图。
图中，1、耐高温胶层，2、第一铜层，3、电镀铜层，4、覆盖膜层，5、环氧树脂层，6、芯层，7、第二铜层，8、第二电镀铜层，9、阴焊层，601、双面带铜芯层，602、第一双面带铜芯层，603、第二双面带铜芯层，604、预揭路径、605、PIN钉，606、第一凹槽，607、第二凹槽。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的一种具体实施方式做出说明。
实施例1：参见图1，本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种RF电路层的生产方法，RF电路层包括一耐高温胶层1，耐高温胶层1上端面和下端面对称依次设有第一铜层2、电镀铜层3、覆盖膜层4、环氧树脂层5、芯层6、第二铜层7、第二电镀铜层8及阴焊层9，RF电路层的生产方法包括如下步骤：
步骤1：制作双面带铜芯层601；
步骤2：在双面带铜芯层601外侧壁蚀刻出预揭路径604，并对双面带铜芯层601一端面的第二铜层7进行裁切；
步骤3：通过激光装置对双面带铜芯层601在步骤2中未被切割的第二铜层7进行切割；
步骤4：通过激光装置对完成步骤3的双面带铜芯层601的芯层6进行切割；
步骤5：通过PIN钉605将完成步骤4的双面带铜芯层与第一铜层2、电镀铜层3、覆盖膜层4、环氧树脂层5、第二电镀铜层8及阴焊层9进行固定连接形成RF电路层，并通过铹型成型机对固定连接后的芯层6开设一凹槽；
步骤6,：通过激光对完成步骤5的RF电路层进行切割并去除废料。
步骤1具体为：步骤1具体为：在芯层6上端面和下端面分别叠合一层第二铜层，使所述芯层6与第二铜层7之间组合成双面带铜芯层601，双面带铜芯层601包括设于耐高温胶层1上端面上的第一双面带铜芯层602和设于耐高温胶层1下端面上的第二双面带铜芯层603，第一双面带铜芯层602和第二双面带铜芯层603对称设于芯层6上下端面上。
步骤2具体为：在第一双面带铜芯层602和第二双面带铜芯层603的外侧壁竖直方向分别蚀刻出预揭路径604，并将第一双面带铜芯层602的芯层6下端面的第二铜层7左侧切割至预定位置a，将第二双面带铜芯层603的芯层6上端面的第二铜层7左侧切割至预定位置a，本技术方案中a的长度为第一双面带铜芯层602左侧至预揭路径的距离加0.1mm。
步骤3具体为：使用定深激光镭射切割装置对完成步骤2的第一双面带铜芯层602上端面的第二铜层7进行沿预揭路径604切割，直至将第一双面带铜芯层602上端面第二铜层7切断，对第二双面带铜芯层603下端面的第二铜层7进行沿预揭路径604切割，直至将第二双面带铜芯层603下端面第二铜层7切断。
步骤4具体为：使用定深激光镭射切割装置对完成步骤3的第一双面带铜芯层602的芯层6下端面进行沿预揭路径切割至芯层6厚度的1/2处，对第二双面带铜芯层603的芯层6上端面进行沿预揭路径604切割至芯层6厚度的1/2处。
步骤5中使用铹型成型机对RF电路层进行开设凹槽具体为：通过铹型成型机对完成步骤4的RF电路层的第一双面带铜芯层602的芯层6上端面沿预揭路径开设第一凹槽606，对第二双面带铜芯层603的芯层6下端面沿预揭路径开设第二凹槽607。
步骤6具体为：对完成步骤5的第一双面带铜芯层602自上而下进行沿预揭路径604对芯层6进行对半切割，对第二双面带铜芯层603自下而上进行沿预揭路径604对芯层6及进行对半切割，并去除设有第二凹槽607一部分的芯层6。
步骤2更具体为：在第一双面带铜芯层602和第二双面带铜芯层603的外侧壁竖直方向分别蚀刻出预揭路径604，并对第一双面带铜芯层602的芯层6下端面的第二铜层7左侧切割缩短至超过预揭路径604的0.1mm处，将第二双面带铜芯层603的芯层6上端面的第二铜层7左侧切割缩短至超过预揭路径604的0.1mm处。
将完成步骤4后的多层RF电路层平整固定于铹型成型机工作台面上，使用铹型成型机的深度传感器定位多层RF电路层层材的厚度及其位置，精准计算深度和误差数据后，选择铹针尺寸，并将铹针沿着双面带铜芯层6外侧壁的预揭路径定深铹型，该定深铹型的定深距离为芯层6厚度的1/2。
在本技术方案中，第一双面带铜芯层602于位于耐高温胶层1上方的环氧树脂层5上端面上，第二双面带铜芯层位603于耐高温胶层1下方的环氧树脂层5下端面上。
Claims (1)
1.一种RF电路层的生产方法，RF电路层包括一耐高温胶层(1)，所述耐高温胶层(1)上端面和下端面对称依次设有第一铜层(2)、电镀铜层(3)、覆盖膜层(4)、环氧树脂层(5)、芯层(6)、第二铜层(7)、第二电镀铜层(8)及阴焊层(9)，其特征在于：所述RF电路层的生产方法包括如下步骤：
步骤1：制作双面带铜芯层(601)；
步骤2：在双面带铜芯层(601)外侧壁蚀刻出预揭路径(604)，并对双面带铜芯层(601)一端面的第二铜层(7)进行裁切；
步骤3：通过激光装置对双面带铜芯层(601)在步骤2中未被切割的第二铜层(7)进行切割；
步骤4：通过激光装置对完成步骤3的双面带铜芯层(601)的芯层(6)进行切割；
步骤5：通过PIN钉将完成步骤4的双面带铜芯层与第一铜层(2)、电镀铜层(3)、覆盖膜层(4)、环氧树脂层(5)、第二电镀铜层(8)及阴焊层(9)进行固定连接形成RF电路层，并通过铹型成型机对固定连接后的芯层(6)开设一凹槽；
步骤6：通过激光对完成步骤5的RF电路层进行切割并去除废料；
所述步骤1具体为：在芯层(6)上端面和下端面分别叠合一层第二铜层，使所述芯层(6)与第二铜层(7)之间组合成双面带铜芯层(601)，所述双面带铜芯层(601)包括设于耐高温胶层(1)上端面上的第一双面带铜芯层(602)和设于耐高温胶层(1)下端面上的第二双面带铜芯层(603)；
所述步骤2具体为：在第一双面带铜芯层(602)和第二双面带铜芯层(603)的外侧壁竖直方向分别蚀刻出预揭路径(604)，并将第一双面带铜芯层(602)的芯层(6)下端面的第二铜层(7)左侧切割至预定位置(a)，将所述第二双面带铜芯层(603)的芯层(6)上端面的第二铜层(7)左侧切割至预定位置(a)；
所述步骤3具体为：使用定深激光镭射切割装置对完成步骤2的第一双面带铜芯层(602)上端面的第二铜层(7)进行沿预揭路径(604)切割，直至将第一双面带铜芯层(602)上端面第二铜层(7)切断，对所述第二双面带铜芯层(603)下端面的第二铜层(7)进行沿预揭路径(604)切割，直至将第二双面带铜芯层(603)下端面第二铜层(7)切断；
所述步骤4具体为：使用定深激光镭射切割装置对完成步骤3的第一双面带铜芯层(602)的芯层(6)下端面进行沿预揭路径切割至芯层(6)厚度的1/2处，对第二双面带铜芯层(603)的芯层(6)上端面进行沿预揭路径(604)切割至芯层(6)厚度的1/2处；
所述步骤5中使用铹型成型机对RF电路层进行开设凹槽具体为：通过铹型成型机对完成步骤4的RF电路层的第一双面带铜芯层(602)的芯层(6)上端面沿预揭路径开设第一凹槽(606)，对第二双面带铜芯层(603)的芯层(6)下端面沿预揭路径开设第二凹槽(607)；
所述步骤6具体为：对完成步骤5的第一双面带铜芯层(602)自上而下进行沿预揭路径(604)对芯层(6)进行对半切割，对第二双面带铜芯层(603)自下而上进行沿预揭路径(604)对芯层(6)进行对半切割，并去除设有第二凹槽(607)一部分的芯层(6)；
所述步骤2更具体为：在第一双面带铜芯层(602)和第二双面带铜芯层(603)的外侧壁竖直方向分别蚀刻出预揭路径(604)，并对第一双面带铜芯层(602)的芯层(6)下端面的第二铜层(7)左侧切割缩短至超过预揭路径(604)0.1mm处，将第二双面带铜芯层(603)的芯层(6)上端面的第二铜层(7)左侧切割缩短至超过预揭路径(604)0.1mm处；
将完成步骤4后的多层RF电路层平整固定于铹型成型机工作台面上，使用铹型成型机的深度传感器定位多层RF电路层层材的厚度及其位置，精准计算深度和误差数据后，选择铹针尺寸，并将铹针沿着双面带铜芯层(6)外侧壁的预揭路径定深铹型，该定深铹型的定深距离为芯层(6)厚度的1/2。
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