CN109713169A - 阵列基板及制作方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，提出一种阵列基板制作方法，该阵列基板制作方法包括：形成透明阴极层，所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。通过本公开方法制作的阵列基板可以减小发光元件透明阴极的电阻，增加显示的均匀性；此外，还可以防止外界水汽进入发光元件的膜层中，从而减小了发光元件失效概率，提升了产品质量。

Description

阵列基板及制作方法、显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制作方法。

背景技术

OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。

在顶发光型AMOLED显示器中，阴极对其性能有着至关重要的影响。阴极膜层应有较好的透光性和较强的导电性。传统的阴极材料只有在膜层很薄的情况下其透光性才会很好，但是膜层很薄时，往往会导致电阻大，功耗高、显示不均匀、容易出现断路或形成欧姆接触等现象。因此顶发光AMOLED的阴极需要同时考虑透光性和导电性的问题。

相关技术中，为了减少功耗，一般针对阴极的改进主要是采用高导电性能的金属材料做阴极，如金属银。在镀膜过程中均匀镀膜，通过调节金属膜层的厚度来平衡金属阴极的导电性和透光性。这种方法在满足透光性的前提下，阴极的导电性还是较差，导致功耗偏高。

需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及制作方法。该阵列基板可以解决相关技术中，阴极不能兼顾导电性和透明度的技术问题。本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本发明的一个方面，提供一种阵列基板制作方法，该方法包括：

形成透明阴极层，所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；

在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。

本发明的一种示例性实施例中，所述石墨烯层的镂空区域在每一所述发光元件上的投影面积相等。

本发明的一种示例性实施例中，所述石墨烯层的镂空区域包括阵列分布的多个预设图案。

本发明的一种示例性实施例中，所述预设图案为圆形、三角形、椭圆形、矩形中的一种或多种。

本发明的一种示例性实施例中，所述阵列基板包括用于形成发光元件的像素限定层，石墨烯层的镂空区域设置于所述像素限定层对应的位置。

本发明的一种示例性实施例中，在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层，包括：

在所述透明阴极层上形成氧化石墨烯材料层；

在所述氧化石墨烯材料层上形成光刻胶层；

通过曝光、显影工艺在所述光刻胶层上形成与待形成石墨烯层相同的镂空图案；

对所述光刻胶层镂空区域内的氧化石墨烯材料层进行还原处理，从而形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。

本发明的一种示例性实施例中，在所述透明阴极层上形成氧化石墨烯材料层，包括：

将氧化石墨烯溶液通过涂布工艺形成在所述透明阴极层上；

对所述氧化石墨烯溶液进行加热处理，从而在所述透明阴极层上形成氧化石墨烯材料层。

本发明的一种示例性实施例中，在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层，包括：

在所述透明阴极层上形成石墨烯材料层；

在所述石墨烯材料层上形成光刻胶层；

通过曝光、显影工艺在所述光刻胶层上形成与待形成氧化石墨烯层相同的图案；

对所述石墨烯材料层裸露于所述光刻胶层以外的部分进行氧化处理，从而形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。

根据本发明的一个方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括：

透明阴极层，所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；

石墨烯层，形成于所述透明阴极层上，且具有镂空结构；

氧化石墨烯层，形成于所述透明阴极层上，且位于所述石墨烯层的镂空区域。

本发明的一种示例性实施例中，所述阵列基板包括用于形成发光元件的像素限定层，所述石墨烯层的镂空区域设置于所述像素限定层对应的位置。

根据本发明的一个方面，提供一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。

本发明提供一种阵列基板及制作方法、显示面板，该阵列基板制作方法包括：形成透明阴极层，所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。一方面，本公开的阵列基板在透明阴极层上形成了透明且导电的石墨烯层，从而在不影响透明度的前提下，减小了透明阴极的电阻、减小阵列基板的功耗、增加显示的均匀性；另一方面，本公开的阵列基板在透明阴极上形成有透明的氧化石墨烯层，该氧化石墨烯层依靠其含氧官能团可以以氢键的方式与水分子结合，吸附外界侵入的水分子，从而可以防止外界水汽进入发光元件的膜层中，从而减小了发光元件失效概率，提升了产品质量。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中0LED阵列基板的结构示意图；

图2为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例的流程图；

图3-7为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例中制作流程的结构示意图；

图8为本公开阵列基板制作方法另一种示例性实施例制作流程的结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本发明将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

如图1所示，为相关技术中0LED阵列基板的结构示意图。图1示出了一种顶发光的0LED整列基板。在图1中，该阵列基板包括：基底1、栅极绝缘层2、刻蚀阻挡层(层间绝缘层)3、薄膜晶体管(TFT)4、钝化保护层5、平坦层6、0LED阳极7、像素限定层8、形成于像素限定层开口内的多个功能层9以及形成于多个功能层9上的透明阴极层10。其中，透明阴极层10为阵列基板上多个发光元件的公共阴极，OLED阳极7通过过孔电连接到薄膜晶体管(TFT)4的漏极40。然而，相关技术中，透明阴极层主要是采用高导电性能的金属材料做阴极，如金属银。在镀膜过程中均匀镀膜，通过调节金属膜层的厚度来平衡金属阴极的导电性和透光性。这种方法在满足透光性的前提下，阴极的导电性还是较差，导致功耗偏高。

基于此，本示例性实施例首先提供一种阵列基板制作方法，如图2所示，为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例的流程图，该方法包括：

步骤S1：形成透明阴极层，所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；

步骤S2：在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。

本示例性实施例提供一种阵列基板制作方法，该阵列基板制作方法包括：形成透明阴极层，所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。一方面，本公开制作的阵列基板在透明阴极层上形成了透明且导电的石墨烯层，该石墨烯层与透明阴极形成并联结构，在透明阴极的延展方向进行导电，从而在不影响透明度的前提下，减小了透明阴极的电阻、减小了阵列基板的功耗、增加了显示的均匀性；另一方面，本公开制作的阵列基板在透明阴极上形成有透明的氧化石墨烯层，该氧化石墨烯层依靠其含氧官能团可以以氢键的方式与水分子结合，吸附外界侵入的水分子，从而可以防止外界水汽进入发光元件的功能膜层中，从而减小了发光元件失效概率，提升了产品质量。

如图3-7所示，为本公开阵列基板制作方法一种示例性实施例中制作流程的结构示意图。本示例性实施例基于相关技术图1中的阵列基板进行继续制作。本示例性实施例中，在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层可以包括：在所述透明阴极层10上形成氧化石墨烯材料层11；在所述氧化石墨烯材料层11上形成光刻胶层12；通过曝光、显影工艺在所述光刻胶层上形成与待形成石墨烯层相同的镂空图案，其中，图5为图4中阵列基板的俯视图；对所述光刻胶层12镂空区域内的氧化石墨烯层进行还原处理，从而形成镂空的石墨烯层111，以及在所述石墨烯层111的镂空区域形成氧化石墨烯层112；最后，如图7所示，对氧化石墨烯材料层上的光刻胶层进行剥离，以便对阵列基板进行下一步制作。

本示例性实施例中，在所述透明阴极层10上形成氧化石墨烯材料层11的一种实现方式，可以包括：将氧化石墨烯溶液通过涂布工艺形成在所述透明阴极层上；对所述氧化石墨烯溶液进行加热处理，从而在所述透明阴极层上形成氧化石墨烯材料层。其中，氧化石墨烯溶液可以为以聚甲基丙烯酸甲酯和乙醇为溶剂的溶液。乙醇为易挥发液体，对所述氧化石墨烯溶液进行加热处理时，可以加快氧化石墨烯材料层的形成速度。聚甲基丙烯酸甲酯可以增加氧化石墨烯溶液的粘度，从而便于涂布工艺进行。

本示例性实施例中，对所述光刻胶层12镂空区域内的氧化石墨烯材料层进行还原处理的一种实现方式可以是，通过氢等还原性气体等离子体处理氧化石墨烯材料层，将光刻胶层12镂空区域内的氧化石墨烯材料层还原成石墨烯层111，而隐藏于光刻胶层12下的氧化石墨烯材料层在光刻胶层的保护下不被还原，从而形成氧化石墨烯层。应该理解的是，在其他示例性实施例中，对所述光刻胶层12镂空区域内的氧化石墨烯材料层进行还原处理还有更多的实现方式，这些都属于本公开的保护范围。

本示例性实施例中，如图5所示，所述石墨烯层的镂空区域可以包括阵列分布的多个预设图案，该预设图案可以为方形。应该理解的是，在其他示例性实施例中，所述预设图案还可以为其他形状，例如，圆形、三角形、椭圆形或多种图像的组合，这些都属于本公开的保护范围。

本示例性实施例中，所述石墨烯层的镂空区域在每一所述发光元件上的投影面积可以相等。如图6所示，石墨烯层的镂空区域在多个功能层9对应的发光元件上的投影区域为A、B、C的总和。将石墨烯层的镂空区域设置成在每一发光元件上的投影面积相等可以使得每一发光元件对应的透明阴极具有相同的电阻，从而使得发光元件发光更加均匀。

本示例性实施例中，如图6所示，石墨烯层的镂空区域有部分投影在发光元件上，由于石墨烯层的镂空区域内设置的是不导电的氧化石墨烯层，因而不能使得发光元件的透明阴极电阻最小化。在其他示例性实施例中。如图8所示，为本公开阵列基板制作方法另一种示例性实施例制作流程的结构示意图。所述阵列基板包括用于形成发光元件的像素限定层8，石墨烯层的镂空区域可以设置于所述像素限定层对应的位置。从而，该阵列基板可以在防止外界水汽进入发光元件的膜层的基础上，最大化的减小发光元件阴极的电阻。

本示例性实施例以相关技术图1中的阵列基板为例，对图1中的阵列基板进一步进行制作。在其他示例性实施例中，其他结构的阵列基板也会存在透明阴极电阻大的技术问题，应该理解的是，本示例性实施例提供的阵列基板制作方法还可以应用于其他结构的阵列基板的进一步制作，这些都属于本公开的保护范围。

应该理解的是，在其他示例性实施例中，在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层还可以有更多的形成方式，例如，在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层，可以包括：在所述透明阴极层上形成石墨烯材料层；在所述石墨烯材料层上形成光刻胶层；通过曝光、显影工艺在所述光刻胶层上形成与待形成氧化石墨烯层相同的图案；对所述石墨烯材料层裸露于所述光刻胶层以外的部分进行氧化处理，从而形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。这些都属于本公开的保护范围。

本示例性实施例还提供一种阵列基板，该阵列基板包括：透明阴极层、石墨烯层以及氧化石墨烯层。所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；石墨烯层形成于所述透明阴极层上，且具有镂空结构；氧化石墨烯层形成于所述透明阴极层上，且位于所述石墨烯层的镂空区域。

该阵列基板可以通过上述的阵列基板制作方法获得，该阵列基板与上述的阵列基板制作方法具有相同的技术特征和工作原理，上述内容已经做出详细说明，此处不再赘述。

本示例性实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。

Claims (10)

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

形成透明阴极层，所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；

在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层，包括：

在所述透明阴极层上形成氧化石墨烯材料层；

在所述氧化石墨烯材料层上形成光刻胶层；

通过曝光、显影工艺在所述光刻胶层上形成与待形成石墨烯层相同的镂空图案；

对所述光刻胶层镂空区域内的氧化石墨烯材料层进行还原处理，从而形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在所述透明阴极层上形成氧化石墨烯材料层，包括：

将氧化石墨烯溶液通过涂布工艺形成在所述透明阴极层上；

对所述氧化石墨烯溶液进行加热处理，从而在所述透明阴极层上形成氧化石墨烯材料层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在所述透明阴极层上形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层，包括：

在所述透明阴极层上形成石墨烯材料层；

在所述石墨烯材料层上形成光刻胶层；

通过曝光、显影工艺在所述光刻胶层上形成与待形成氧化石墨烯层相同的图案；

对所述石墨烯材料层裸露于所述光刻胶层以外的部分进行氧化处理，从而形成镂空的石墨烯层，以及在所述石墨烯层的镂空区域形成氧化石墨烯层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述石墨烯层的镂空区域在每一所述发光元件上的投影面积相等。

6.根据权利要求5所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述石墨烯层的镂空区域包括阵列分布的多个预设图案。

7.根据权利要求6所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述预设图案为圆形、三角形、椭圆形、矩形中的一种或多种。

8.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括用于形成发光元件的像素限定层，石墨烯层的镂空区域设置于所述像素限定层对应的位置。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括：

透明阴极层，所述透明阴极层为阵列基板上多个发光元件的公共阴极；

石墨烯层，形成于所述透明阴极层上，且具有镂空结构；

氧化石墨烯层，形成于所述透明阴极层上，且位于所述石墨烯层的镂空区域。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。