CN109713079A - 一种单晶perc镀膜返工片的清洗方法 - Google Patents

一种单晶perc镀膜返工片的清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109713079A
CN109713079A CN201811514403.2A CN201811514403A CN109713079A CN 109713079 A CN109713079 A CN 109713079A CN 201811514403 A CN201811514403 A CN 201811514403A CN 109713079 A CN109713079 A CN 109713079A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
piece
over again
plated film
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811514403.2A
Other languages
English (en)
Inventor
李学峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUZHOU RUNYANG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SUZHOU RUNYANG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU RUNYANG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SUZHOU RUNYANG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201811514403.2A priority Critical patent/CN109713079A/zh
Publication of CN109713079A publication Critical patent/CN109713079A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明属于单晶PERC镀膜领域，尤其涉及一种单晶PERC镀膜返工片的清洗方法，由于背钝化工艺的存在，还需要HF和HCL混合溶液做拔膜处理。本发明采用适当比例的HF和HCL溶液，可以清洗干净钝化膜，H2O2和K0H的混合溶液可以氧化腐蚀硅片，由于其反应性质为各向异性反应，可适当增加表面粗糙度，使硅片获得较好的绒面形貌。另外在H2O2和K0H的混合溶液中加入少量表面活性剂有助于降低溶液表面张力，提高反应的均匀性。采用本发明可去除钝化膜外观不良和硅片表面残留的颗粒，优化返工片制备电池的外观及性能，提高了生产效率和质量效率。解决了返工片花片和电池性能差的问题，节约了生产成本。而且本发明清洗流程简单、清洗效果好，具有广阔的应用前景。

Description

一种单晶PERC镀膜返工片的清洗方法
技术领域
本发明属于单晶PERC镀膜领域，尤其涉及一种单晶PERC镀膜返工片的清洗方法。
背景技术
目前，PERC电池是直接实现光电转换的装置，但是正常生产作业中，会造成大量的降级片，此时如果下传会影响生产效率与良率。故及时返工处理，重新作为A级片下传，才能尽可能使生产企业减小生产成本损失。
晶体硅太阳能电池在生产过程中采用PECVD（等离子增强化学气相沉积）沉积SiNx减反膜，由于现有镀膜设备的限制和制程控制问题，导致生产作业中均存在一定比例的镀膜返工片（色差、折射率异常或者外观不良等）。
与常规电池返工工艺不同之处在于：PERC电池在电池的背表面沉积ALO（氧化铝）+SiNx（氮化硅）作为减反射膜，常规电池的HF清洗配方并不能将之清洗干净。究其原因，若是单纯采用传统HF溶液清洗，硅片背表面的ALO（氧化铝）膜层并不能完全清洗干净，此时若是重新制绒，会形成复合中心，影响电池性能。
发明内容
本发明的目的是解决上述现有技术的不足，提供一种清洗流程简单、清洗效果好、可去除钝化膜和硅片表面残留的颗粒、优化返工片制备电池的外观及性能且提高生产效率和质量的单晶PERC镀膜返工片的清洗方法。
本发明解决上述现有技术的不足所采用的技术方案是：
一种单晶PERC镀膜返工片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将单晶PERC镀膜返工片放入HF和HCL的溶液中，浸泡600s～900s；
（2）将硅片放入55℃～65℃的去离子水中，鼓泡清洗150s～200s；
（3）将硅片放入H2O2和KOH的混合溶液，控制温度在65℃～85℃，反应时间350s～450s；去除硅片表面附着的离子和颗粒，并改善绒面形貌；
（4）将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200s～300s；
（5）将硅片放入常温的浓度5%的HF溶液中，常温反应200s；去除氧化层，使硅片表面呈疏水性；
（6）将硅片放入常温的去离子水槽（Ⅰ）中，溢流清洗200s～300s；
（7）慢提拉槽中脱水处理；
（8）进入烘干槽，温度控制在85℃～90℃，时间400s～450s烘干。
优选的，本发明中所述步骤如下：
（1）将单晶PERC镀膜返工片放入HF和HCL溶液中，浸泡600s～900s；
（2）将硅片放入60℃的去离子水中，鼓泡清洗150s～200s；
（3）将硅片放入H2O2和KOH的混合溶液，控制温度在65℃～85℃，反应时间400s；去除硅片表面附着的离子和颗粒，并改善绒面形貌；
（4）将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200s～300s；
（5）将硅片放入常温的浓度5%的HF溶液中，常温反应200s；去除氧化层，使硅片表面呈疏水性；
（6）将硅片放入常温的去离子水槽（Ⅰ）中，溢流清洗200s～300s；
（7）慢提拉槽中脱水处理；
（8）进入烘干槽，温度控制在88℃，时间420s烘干。
优选的，本发明中所述步骤（1）中，HF与HCL的浓度均为25%。
本发明的有益效果是，由于背钝化工艺的存在，还需要HF和HCL混合溶液做拔膜处理。本发明采用适当比例的HF和HCL溶液，可以清洗干净钝化膜，H2O2和K0H的混合溶液可以氧化腐蚀硅片，由于其反应性质为各向异性反应，可适当增加表面粗糙度，使硅片获得较好的绒面形貌。另外在H2O2和K0H的混合溶液中加入少量表面活性剂有助于降低溶液表面张力，提高反应的均匀性。采用本发明可去除钝化膜外观不良和硅片表面残留的颗粒，优化返工片制备电池的外观及性能，提高了生产效率和质量效率。解决了返工片花片和电池性能差的问题，节约了生产成本。而且本发明清洗流程简单、清洗效果好，具有广阔的应用前景。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
实施例一
本实施例所述的单晶PERC镀膜返工片的清洗方法，包括如下步骤：
步骤一、将单晶PERC镀膜返工片放入HF和HCL的溶液中，浸泡600s～900s；
步骤二、将硅片放入55℃～65℃的去离子水中，鼓泡清洗150s～200s；
步骤三、将硅片放入H2O2和KOH的混合溶液，控制温度在65℃～85℃，反应时间350s～450s；本步骤可以去除硅片表面附着的离子和颗粒，并改善绒面形貌；
步骤四、将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200s～300s；
步骤五、将硅片放入常温的浓度5%的HF溶液中，常温反应200s；本步骤可以去除氧化层，使硅片表面呈疏水性；
步骤六、将硅片放入常温的去离子水槽（Ⅰ）中，溢流清洗200s～300s；
步骤七、慢提拉槽中脱水处理；
步骤八、进入烘干槽，温度控制在85℃～90℃，时间400s～450s烘干。
实施例二
本实施例所述的单晶PERC镀膜返工片的清洗方法，包括如下步骤：
（1）将单晶PERC镀膜返工片放入HF和HCL溶液中，浸泡600s～900s；
（2）将硅片放入60℃的去离子水中，鼓泡清洗150s～200s；
（3）将硅片放入H2O2和KOH的混合溶液，控制温度在65℃～85℃，反应时间400s；本步骤可以去除硅片表面附着的离子和颗粒，并改善绒面形貌；
（4）将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200s～300s；
（5）将硅片放入常温的浓度5%的HF溶液中，常温反应200s；本步骤可以去除氧化层，使硅片表面呈疏水性；
（6）将硅片放入常温的去离子水槽（Ⅰ）中，溢流清洗200s～300s；
（7）慢提拉槽中脱水处理；
（8）进入烘干槽，温度控制在88℃，时间420s烘干。
作为优选实施方式，本实施例中所述步骤（1）中，HF与HCL的浓度均为25%。
值得一提的是，在实施例一与实施例二中所提到的常温，可以为室温，如20℃～30℃。
采用本发明可去除钝化膜外观不良和硅片表面残留的颗粒，优化返工片制备电池的外观及性能，提高了生产效率和质量效率。解决了返工片花片和电池性能差的问题，节约了生产成本。而且本发明清洗流程简单、清洗效果好，具有广阔的应用前景。
本领域的技术人员应理解，上述描述中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (3)

1.一种单晶PERC镀膜返工片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将单晶PERC镀膜返工片放入HF和HCL的溶液中，浸泡600s～900s；
（2）将硅片放入55℃～65℃的去离子水中，鼓泡清洗150s～200s；
（3）将硅片放入H2O2和KOH的混合溶液，控制温度在65℃～85℃，反应时间350s～450s；
（4）将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200s～300s；
（5）将硅片放入常温的浓度5%的HF溶液中，常温反应200s；（6）将硅片放入常温的去离子水槽（Ⅰ）中，溢流清洗200s～300s；
（7）慢提拉槽中脱水处理；
（8）进入烘干槽，温度控制在85℃～90℃，时间400s～450s烘干。
2.根据权利要求1所述的单晶PERC镀膜返工片的清洗方法，其特征在于，所述步骤如下：
（1）将单晶PERC镀膜返工片放入HF和HCL溶液中，浸泡600s～900s；
（2）将硅片放入60℃的去离子水中，鼓泡清洗150s～200s；
（3）将硅片放入H2O2和KOH的混合溶液，控制温度在65℃～85℃，反应时间400s；
（4）将硅片放入常温的去离子水中，溢流清洗200s～300s；
（5）将硅片放入常温的浓度5%的HF溶液中，常温反应200s；
（6）将硅片放入常温的去离子水槽（Ⅰ）中，溢流清洗200s～300s；
（7）慢提拉槽中脱水处理；
（8）进入烘干槽，温度控制在88℃，时间420s烘干。
3.根据权利要求1或2所述的单晶PERC镀膜返工片的清洗方法，其特征在于，HF与HCL的浓度均为25%。
CN201811514403.2A 2018-12-12 2018-12-12 一种单晶perc镀膜返工片的清洗方法 Pending CN109713079A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811514403.2A CN109713079A (zh) 2018-12-12 2018-12-12 一种单晶perc镀膜返工片的清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811514403.2A CN109713079A (zh) 2018-12-12 2018-12-12 一种单晶perc镀膜返工片的清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109713079A true CN109713079A (zh) 2019-05-03

Family

ID=66255597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811514403.2A Pending CN109713079A (zh) 2018-12-12 2018-12-12 一种单晶perc镀膜返工片的清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109713079A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103894362A (zh) * 2014-01-10 2014-07-02 浙江晶科能源有限公司 一种镀膜返工片的清洗方法
CN107275445A (zh) * 2017-08-04 2017-10-20 常州天合光能有限公司 一种多晶硅太阳能电池片隔离返工工艺
CN108054243A (zh) * 2017-12-16 2018-05-18 广东爱旭科技股份有限公司 一种单晶perc太阳能电池镀膜不良片的返工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103894362A (zh) * 2014-01-10 2014-07-02 浙江晶科能源有限公司 一种镀膜返工片的清洗方法
CN107275445A (zh) * 2017-08-04 2017-10-20 常州天合光能有限公司 一种多晶硅太阳能电池片隔离返工工艺
CN108054243A (zh) * 2017-12-16 2018-05-18 广东爱旭科技股份有限公司 一种单晶perc太阳能电池镀膜不良片的返工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102938431B (zh) 一种太阳电池的硅片清洗制绒方法
Kim et al. Texturing of large area multi-crystalline silicon wafers through different chemical approaches for solar cell fabrication
Liu et al. Improvement of conversion efficiency of multicrystalline silicon solar cells by incorporating reactive ion etching texturing
CN104944794B (zh) 一种制备石墨烯‑SiO2增透薄膜的方法
CN102593268B (zh) 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法
CN109378357B (zh) 一种perc双面太阳电池湿法刻蚀工艺
CN105195469B (zh) 一种超声波清洗石墨舟及工艺卡点的方法
CN102130205A (zh) 一种多晶硅太阳能电池的表面催化制绒方法
CN104201252A (zh) 一种perc太阳能电池的制备方法
CN110299420A (zh) 晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法
CN105140343B (zh) 一种多晶黑硅结构及其液相制备方法
CN105895714A (zh) 平滑修饰液及平滑修饰方法及异质结太阳能电池硅片及异质结太阳能电池
CN105133038B (zh) 具有高效纳米绒面结构的多晶硅的制备方法及其应用
CN103594302B (zh) 一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法
CN103894362A (zh) 一种镀膜返工片的清洗方法
CN103789839B (zh) 一种弱氧化单晶硅片的制绒方法
CN108417669A (zh) 一种用于金刚线切割多晶硅片太阳能电池的制绒方法
CN104009125A (zh) 多晶硅片的制绒工艺
CN106684174A (zh) 一种多晶硅片的表面制绒方法
CN103904157A (zh) 一种硅片制绒方法
CN102185032B (zh) 一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法
WO2022110613A1 (zh) 一种perc电池制备方法
CN109713079A (zh) 一种单晶perc镀膜返工片的清洗方法
CN104393094A (zh) 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法
CN104157739B (zh) 对不合格硅片的处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Room 101, building 1, 58 Xiangjiang Road, Yancheng Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province 224000

Applicant after: Jiangsu Runyang New Energy Technology Co.,Ltd.

Address before: Room 101, building 1, 58 Xiangjiang Road, Yancheng Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province 224000

Applicant before: Jiangsu Runyang New Energy Technology Co.,Ltd.

Address after: Room 101, building 1, 58 Xiangjiang Road, Yancheng Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province 224000

Applicant after: Jiangsu Runyang New Energy Technology Co.,Ltd.

Address before: 215300 20th floor, Dibao financial building, East Qianjin Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant before: SUZHOU RUNYANG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190503

RJ01 Rejection of invention patent application after publication