CN109694537B - 含有量子点的储能复合薄膜材料及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及储能薄膜材料技术领域，具体涉及一种含有量子点的储能复合薄膜材料以及一种制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法，该薄膜材料包括：复合纳米填料，包括钙钛矿颗粒和位于所述钙钛矿颗粒表面的量子点；聚合物基体；其中，复合纳米填料均匀分布在聚合物基体中。本发明的薄膜材料的复合纳米填料具有量子点，改善了填料和聚合物基体之间的界面相容性，增加了填料和聚合物基体的结合力，同时，能够增加击穿场强，提高了薄膜材料的储能密度；本发明的制备方法可以调节复合纳米填料在聚合物基体中的分散程度，进而调节薄膜的机械强度，本发明的制备方法反应温和，工艺流程简单。

Description

含有量子点的储能复合薄膜材料及制备方法
技术领域
本发明涉及储能薄膜材料技术领域，具体涉及一种含有量子点的储能复合薄膜材料以及一种制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法。
背景技术
电容器原件的优良特性包括放电功率大，充放电速率快，性能稳定，重复利用效率高等，并已经广泛应用在电力系统，磁力系统，电子元件以及脉冲功率等电源方面，实际的应用包括混合动力汽车，电磁炮，智能手机元器件等现代化工业领域。然而，目前介电电容器原件还存在着诸多待优化和解决的问题：储能密度过低，放电电流小，损耗过大不可避免等，使其在器件智能化小型化的应用上收到了限制。为了实现高储能器件，满足工业化的进步需求，提高材料的储能密度势在必行。
材料的储能性质与材料的击穿电压介电常数，损耗密切相关，提高击穿电压与介电常数，降低介电损耗能够直接提升材料的储能性能。目前工业化使用的高介电铁电材料中，钛酸钡由于其高介电常数，优异的铁电性能，应用十分广泛。但是，钛酸钡耐击穿场强低，可加工性能差成为制约其向小型化轻型化应用的一大因素。因为，与聚合物材料，如PVDF,P(VDF-TrFE)等复合形成复合材料，被应用得更加广泛，由于聚合物具有良好的柔韧性，击穿场强高，质量轻易加工，通过材料的复合效应，复合材料将具有两者的特性。但是BT/PVDF复合材料，虽然在储能性能上有所提升，但同样不能满足大功率储能要求。由于功能填料为无机材料，而复合材料基体是有机高分子材料，二者在结构和性能上存在巨大差异，因而界面的相容性和结合力差，很难实现良好的界面结合，需要对填料表面进行修饰。
量子点是一种零维材料，尺寸在100nm一下，拥有丰富的边缘效应和量子限域效应，可以通过控制尺寸大小来调节边缘效应和量子限域效应，即调节量子点的物理特性。
鉴于此，克服以上现有技术中的缺陷，提供一种新的储能薄膜材料成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的上述缺陷，提供一种含有量子点的储能复合薄膜材料以及一种制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法。
本发明的目的可通过以下的技术措施来实现：
本发明提供了一种含有量子点的储能复合薄膜材料，该储能复合薄膜材料包括：
复合纳米填料，该纳米填料包括钙钛矿颗粒和位于所述钙钛矿颗粒表面的量子点；以及
聚合物基体；
其中，所述核-壳结构复合纳米填料均匀分布在所述聚合物基体中。
优选地，所述聚合物基体选自环氧树脂、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚丙烯、聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯共聚物、聚酰亚胺、双马来酰亚胺-三嗪树脂、和聚偏氟-三氟乙烯中的一种或多种。
优选地，所述量子点选自石墨烯量子点、氧化石墨烯量子点、CdSe量子点、Au量子点、Ag量子点、Cu量子点、Fe量子点、Pt量子点和Zn量子点中的一种或多种。
优选地，所述钙钛矿颗粒选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙和钛酸铜钙中的一种或多种。
优选地，所述聚合物基体的质量百分比为50％～99％，所述复合纳米填料的质量百分比为1％～50％。
优选地，所述聚合物基体的厚度为5～40μm。
优选地，所述量子点的粒径为1～40nm。
本发明还提供了一种制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法，该方法包括如下步骤：
步骤a，在溶剂中制备量子点和钙钛矿颗粒的混合悬浊液；
步骤b，于15℃～35℃下，搅拌所述混合悬浊液，量子点围绕钙钛矿颗粒形成复合纳米填料；
步骤c，将复合纳米填料与聚合物基体混合形成混合液；
步骤d，将混合液进行超声分散，将超声分散后的混合液形成薄膜并干燥。
优选地，在所述步骤a中，量子点与钙钛矿颗粒的质量比为0.1～10:100。
优选地，在步骤c中，首先，在有机溶剂中制备复合纳米填料的悬浮液；随后，在所述悬浮液中加入聚合物基体，搅拌分散所述聚合物基体，得到混合液。
优选地，在步骤a中，制备0.1～5mol/L的量子点溶液，将钙钛矿颗粒加入至量子点溶液中制备混合悬浊液。
本发明的薄膜材料的复合纳米填料具有量子点，改善了填料和聚合物基体之间的界面相容性，增加了填料和聚合物基体的结合力，同时，能够增加击穿场强，在外加场强下提高储能材料的极化程度，提高了薄膜材料的储能密度；本发明的制备方法可以调节复合纳米填料在聚合物基体中的分散程度，有利于调节薄膜的机械强度，本发明的制备方法无需在高温下进行，反应温和，工艺流程简单，经济成本低，有利于规模化生产。
附图说明
图1是本发明实施例的含有量子点的复合纳米填料的透射电镜图。
图2是本发明实施例的薄膜材料BT-GND/PVDF介电性能结果图。
图3是本发明实施例的薄膜材料BT-GND/PVDF储能密度结果图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对本发明的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。实施方式中涵盖了多个具体实施例的特征以及用以建构与操作这些具体实施例的方法步骤与其顺序。然而，亦可利用其它具体实施例来达成相同或均等的功能与步骤顺序。
含有量子点的储能复合薄膜材料
本发明实施例的储能复合薄膜材料包括复合纳米填料和聚合物基体，所述复合纳米填料均匀分布在所述聚合物基体中。图1显示了依照本发明一实施方式的纳米填料的透射电镜图，纳米填料包括钙钛矿颗粒和位于所述钙钛矿颗粒表面的量子点。
在一个优选实施方式中，所述量子点选自石墨烯量子点、氧化石墨烯量子点、CdSe量子点、Au量子点、Ag量子点、Cu量子点、Fe量子点、Pt量子点和Zn量子点中的一种或多种。
本发明实施例中所使用的填料为高介电低损耗型钙钛矿陶瓷颗粒，如钛酸钡、钛酸锶钡、锆钛酸钡、钛酸铅、铌镁酸铅、钛酸铜钙、钛酸锶等中的一种或多种。在一个优选实施方式中，所述钙钛矿颗粒选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙和钛酸铜钙中的一种或多种。
在本发明一个优选实施方式中，钙钛矿颗粒和量子点通过静电组装的方式形成复合纳米填料，钙钛矿颗粒为纳米级别，粒径为100～150nm，量子点的粒径为1～40nm。量子点与钙钛矿颗粒的质量比为0.1～10:100。
本发明实施例中所使用的聚合物基体材料化学性质稳定，具有一定热稳定性并在高温下能够熔融成液体。可用作本发明基底的聚合物材料有以下几类：氟树脂系列，包括聚偏二氟乙烯，聚四氟乙烯，聚全氟化乙丙烯，聚三氟氯乙烯等；聚酰亚胺类，包括均苯酐型聚酰亚胺，酮酐型聚酰亚胺，醚酐型聚酰亚胺，氟酐型聚酰亚胺，双马来亚胺树脂，PMR型聚酰亚胺树脂等；环氧树脂，丙烯酸酯，酚醛树脂，聚乙烯，聚丙烯，聚碳酸酯，聚苯乙烯等其中的一种或多种。
在一个优选实施方式中，所述聚合物基体选自环氧树脂(Epoxy，EP)、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚丙烯(PP)、聚偏氟乙烯(Polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚偏氟乙烯共聚物、聚酰亚胺(PI)、双马来酰亚胺-三嗪树脂和、聚偏氟-三氟乙烯(P(VDF-TrFE))中的一种或多种。进一步地，在本发明的薄膜材料中，所述聚合物基体的质量百分比为50％～99％，所述复合纳米填料的质量百分比为1％～50％。进一步地，所述聚合物基体的厚度为5～40μm。
薄膜材料的制备方法
本发明实施例还提供了上述的含有量子点的储能复合薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：
步骤a，在溶剂中制备量子点和钙钛矿颗粒的混合悬浊液；
步骤b，于15℃～35℃下，搅拌所述混合悬浊液，量子点围绕钙钛矿颗粒形成复合纳米填料；
步骤c，将复合纳米填料与聚合物基体混合形成混合液；
步骤d，将混合液进行超声分散，将超声分散后的混合液形成薄膜并干燥。
在一个优选实施方式中，聚合物基体为颗粒时，在步骤c中，首先，在有机溶剂中制备复合纳米填料的悬浮液；随后，在所述悬浮液中加入聚合物基体，搅拌分散所述聚合物基体，得到混合液。
在另一个优选实施方式中，聚合物基体为液体状态时，在步骤c中，将复合纳米填料置于液体聚合物基体中，超声分散。进一步地，根据液体聚合物基体的性质，超声分散后形成的混合液中需要加入固化剂或者引发剂，例如，聚合物基体为双酚A型环氧树脂时需要进入固化剂；聚合物基体为甲基丙烯酸甲酯时，需要加入引发剂。
作为一个优选实施方式，在所述步骤a中，量子点与钙钛矿颗粒的质量比为0.1～10:100。进一步地，在步骤a中，制备0.1～5mol/L的量子点溶液，将钙钛矿颗粒加入至量子点溶液中制备混合悬浊液；在步骤c中，所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺。
在一个优选实施方式中，所述量子点选自石墨烯量子点、氧化石墨烯量子点、CdSe量子点，Au量子点，Ag量子点、Cu量子点、Fe量子点、Pt量子点和Zn量子点中的一种或多种。
在一个优选实施方式中，所述钙钛矿颗粒选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙和钛酸铜钙中的一种或多种。
在一个优选实施方式中，钙钛矿颗粒的粒径为100～150nm，量子点的粒径为1～40nm。量子点与钙钛矿颗粒的质量比为0.1～10:100。
在一个优选实施方式中，所述聚合物基体选自环氧树脂(Epoxy，EP)、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚丙烯(PP)、聚偏氟乙烯(Polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚偏氟乙烯共聚物、聚酰亚胺(PI)、双马来酰亚胺-三嗪树脂和、聚偏氟-三氟乙烯(P(VDF-TrFE))中的一种或多种。进一步地，在本发明的薄膜材料中，所述聚合物基体的质量百分比为50％～99％，所述复合纳米填料的质量百分比为1％～50％。进一步地，所述聚合物基体的厚度为5～40μm。
将量子点与钙钛矿颗粒复合时，相对于纯钛酸钡陶瓷粉体，存在如下优点：首先，量子点只有几纳米到十几纳米的微小尺寸，并不会是复合材料中的缺陷增多，降低材料击穿场强。相反，作为量子尺寸的粒子，其量子尺寸效应和量子限制效应，使得量子点周围电子三维方向上运动受限，复合在钛酸钡中，可有效阻止高场强作用下产生空间电荷，防止击穿场强下降。同时能够增强界面极化，具体表现为在外加场强下，其极化程度相较于纯钛酸钡得到大幅增加，而介电损耗始终处于较低位置。其次，作为一种绿色无毒，环境友好的量子溶液，量子点可以运用在任何集成线路或者电子元器件中以提升它们的电性能而不会对人体或环境造成任何危害。添加不同类型的量子点可对复合材料的不同性能进行提升，如加入石墨烯量子点进行杂化改性的BT颗粒可大幅提升其介电性能，而加入氧化石墨烯量子点进行杂化改性的BT颗粒能够改善复合薄膜中填料的相容性，在一定程度上降低由于界面分散相容性不好引起的耐击穿电压的降低。
实施例1
本实施例提供了复合型陶瓷粉体/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为0.5mol/L的氧化石墨烯量子点溶液中，钛酸钡与量子点的质量比为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声10min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度至25℃，并于25℃搅拌4h，静止后置于80℃的鼓风干燥箱中干燥12～48h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于N,N-二甲基酰胺中，采用超声振荡分散至稳定悬浮液。
步骤4：向悬浮液中加入PVDF，加热搅拌使其完全溶解。
步骤5：将步骤4所得混合溶液经过超声分散后，通过浇铸成膜，70℃的温度下干燥12h烘干，得到PVDF复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与PVDF的质量比为1:99，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，PVDF复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
实施例2
本实施例提供了复合型陶瓷粉体/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为0.5mol/L的氧化石墨烯量子点溶液中，钛酸钡与量子点的质量比为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声10min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度至25℃，并于25℃搅拌4h，静止后置于80℃的鼓风干燥箱中干燥12～48h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于N,N-二甲基酰胺中，采用超声振荡分散至稳定悬浮液。
步骤4：向悬浮液中加入PVDF，加热搅拌使其完全溶解。
步骤5：将步骤4所得混合溶液经过超声分散后，通过浇铸成膜，70℃的温度下干燥12h烘干，得到PVDF复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与PVDF的质量比为3:97，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，PVDF复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
实施例3
本实施例提供了复合型陶瓷粉体/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为0.5mol/L的氧化石墨烯量子点溶液中，钛酸钡与量子点的质量比为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声10min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度至25℃，并于25℃搅拌4h，静止后置于80℃的鼓风干燥箱中干燥12～48h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于N,N-二甲基酰胺中，采用超声振荡分散至稳定悬浮液。
步骤4：向悬浮液中加入PVDF，加热搅拌使其完全溶解。
步骤5：将步骤4所得混合溶液经过超声分散后，通过浇铸成膜，70℃的温度下干燥12h烘干，得到PVDF复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与PVDF的质量比为5:95，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，PVDF复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
实施例4
本实施例提供了复合型陶瓷粉体/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为0.5mol/L的氧化石墨烯量子点溶液中，钛酸钡与量子点的质量比为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声10min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度至25℃，并于25℃搅拌4h，静止后置于80℃的鼓风干燥箱中干燥12～48h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于N,N-二甲基酰胺中，采用超声振荡分散至稳定悬浮液。
步骤4：向悬浮液中加入PVDF，加热搅拌使其完全溶解。
步骤5：将步骤4所得混合溶液经过超声分散后，通过浇铸成膜，70℃的温度下干燥12h烘干，得到PVDF复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与PVDF的质量比为7:93，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，PVDF复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
实施例5
本实施方式复合型陶瓷粉体/环氧树脂复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为1mol/L的氧化石墨烯量子点中，钛酸钡与量子点的比例为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声10min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度至15℃℃，并于15℃下搅拌4h，静止后置于80℃鼓风干燥箱中干燥24h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于双酚A型环氧树脂中，向悬浮液中加入固化剂，根据所需薄膜性能不同选择固化剂。
步骤4：采用行星混料4～20min分散至稳定悬浮液。
步骤5：将混合溶液超声分散后，通过涂布法，形成均匀薄膜。
步骤6：将涂布机处理后的聚合物薄膜放入固化箱内，在160℃～220℃温度下固化4～8h得到环氧复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与双酚A型环氧树脂的质量比为20:80，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，环氧复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
实施例6
本实施方式复合型陶瓷粉体/聚甲基丙烯酸甲酯树脂复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为2mol/L的石墨烯量子点中，钛酸钡与量子点的比例为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声30min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度至20℃，并于20℃下搅拌8h，静止后置于70℃鼓风干燥箱中干燥24h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于甲基丙烯酸甲酯中，采用超声振荡分散至稳定悬浮液，超声30min后间隔30min再超声30min并保持温度基本恒定。
步骤4：保持悬浮液温度在40～60℃下，向悬浮液中加入引发剂过氧化二苯甲酰(BPO)，并继续磁力搅拌。
步骤5：将即将固化的胶状溶液倒入模具并放入烘箱，在160～220℃下固化12-26h，最后得到聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与甲基丙烯酸甲酯的质量比为30:70，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
实施例7
本实施方式复合型陶瓷粉体/聚甲基丙烯酸甲酯树脂复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为4mol/L的石墨烯量子点中，钛酸钡与量子点的比例为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声30min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度为30℃，并于30℃下搅拌8h，静止后置于70℃鼓风干燥箱中干燥24h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于甲基丙烯酸甲酯中，采用超声振荡分散至稳定悬浮液，超声30min后间隔30min再超声30min并保持温度基本恒定。
步骤4：保持悬浮液温度在40～60℃下，向悬浮液中加入引发剂过氧化二苯甲酰(BPO)，并继续磁力搅拌。
步骤5：将即将固化的胶状溶液倒入模具并放入烘箱，在160～220℃下固化12-26h，最后得到聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与甲基丙烯酸甲酯的质量比为40:60，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
实施例8
本实施方式复合型陶瓷粉体/聚甲基丙烯酸甲酯树脂复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为3mol/L的石墨烯量子点中，钛酸钡与量子点的比例为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声30min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度为20℃，并于20℃下搅拌8h，静止后置于70℃鼓风干燥箱中干燥24h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于甲基丙烯酸甲酯中，采用超声振荡分散至稳定悬浮液，超声30min后间隔30min再超声30min并保持温度基本恒定。
步骤4：保持悬浮液温度在40～60℃下，向悬浮液中加入引发剂过氧化二苯甲酰(BPO)，并继续磁力搅拌。
步骤5：将即将固化的胶状溶液倒入模具并放入烘箱，在160～220℃下固化12-26h，最后得到聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与甲基丙烯酸甲酯的质量比为10:90，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
实施例9
本实施方式复合型陶瓷粉体/聚甲基丙烯酸甲酯树脂复合材料的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
步骤1：将纳米级钛酸钡加入到浓度为5mol/L的石墨烯量子点中，钛酸钡与量子点的比例为100：1，超声30min，间隔30min，再次超声30min，得到悬浊液。
步骤2：将悬浊液置于磁力搅拌器上，加热温度为35℃，并于35℃下搅拌8h，静止后置于70℃鼓风干燥箱中干燥24h。
步骤3：将干燥所得BT复合颗粒置于甲基丙烯酸甲酯中，采用超声振荡分散至稳定悬浮液，超声30min后间隔30min再超声30min并保持温度基本恒定。
步骤4：保持悬浮液温度在40～60℃下，向悬浮液中加入引发剂过氧化二苯甲酰(BPO)，并继续磁力搅拌。
步骤5：将即将固化的胶状溶液倒入模具并放入烘箱，在160～220℃下固化12-26h，最后得到聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜。
在本实施例中，BT复合颗粒与甲基丙烯酸甲酯的质量比为50:50，氧化石墨烯量子点的粒径为1nm～40nm，聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜的浇铸厚度为5～40μm。
将实施例1至实施例4所制备的薄膜材料进行介电性能和储能密度测试，结果分别如图2和图3所示。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种含有量子点的储能复合薄膜材料，其特征在于，该储能复合薄膜材料包括：
复合纳米填料，该纳米填料包括钙钛矿颗粒和位于所述钙钛矿颗粒表面的量子点；以及
聚合物基体；
其中，所述复合纳米填料均匀分布在所述聚合物基体中。
2.根据权利要求1所述的含有量子点的储能复合薄膜材料，其特征在于，所述聚合物基体选自环氧树脂、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚丙烯、聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯共聚物、聚酰亚胺、双马来酰亚胺-三嗪树脂、和聚偏氟-三氟乙烯中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的含有量子点的储能复合薄膜材料，其特征在于，所述量子点选自石墨烯量子点、氧化石墨烯量子点、CdSe量子点、Au量子点、Ag量子点、Cu量子点、Fe量子点、Pt量子点和Zn量子点中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的含有量子点的储能复合薄膜材料，其特征在于，所述钙钛矿颗粒选自钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙和钛酸铜钙中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的含有量子点的储能复合薄膜材料，其特征在于，所述聚合物基体的质量百分比为50％～99％，所述复合纳米填料的质量百分比为1％～50％。
6.根据权利要求1所述的含有量子点的储能复合薄膜材料，其特征在于，所述聚合物基体的厚度为5～40μm。
7.根据权利要求1所述的含有量子点的储能复合薄膜材料，其特征在于，所述量子点的粒径为1～40nm。
8.一种制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
步骤a，在溶剂中制备量子点和钙钛矿颗粒的混合悬浊液；
步骤b，于15℃～35℃下，搅拌所述混合悬浊液，量子点围绕钙钛矿颗粒形成复合纳米填料；
步骤c，将复合纳米填料与聚合物基体混合形成混合液；
步骤d，将混合液进行超声分散，将超声分散后的混合液形成薄膜并干燥。
9.根据权利要求8所述的制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法，其特征在于，在所述步骤a中，量子点与钙钛矿颗粒的质量比为0.1～10:100。
10.根据权利要求8所述的制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法，其特征在于，在步骤c中，首先，在有机溶剂中制备复合纳米填料的悬浮液；随后，在所述悬浮液中加入聚合物基体，搅拌分散所述聚合物基体，得到混合液。
11.根据权利要求8所述的制备含有量子点的储能复合薄膜材料的方法，其特征在于，在步骤a中，制备0.1～5mol/L的量子点溶液，将钙钛矿颗粒加入至量子点溶液中制备混合悬浊液。
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