CN109688759A - 开关装置及具有其的电动工具 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种开关装置及具有其的电动工具。其中，开关装置包括：电路板；MOS管，与电路板连接，MOS管包括散热体和与散热体连接的D极，且散热体和MOS管的D极电连通；D极连接结构，D极连接结构与散热体和电路板均连接，以将MOS管的D极与电路板连接。本发明能够解决现有技术中开关装置的结构复杂，装配工艺复杂，成本较高的问题。

Description

开关装置及具有其的电动工具

技术领域

本发明涉及工具领域，具体而言，涉及一种开关装置及具有其的电动工具。

背景技术

目前，市场上包括两种常用电动工具无刷开关装置，一种为分离式开关装置，另一种为一体式开关装置。对于分离式开关装置来说电机的控制模块设置在开关装置外部，安装较为麻烦，安装效率低，而一体式开关装置将电机的控制模块设置在开关装置内部。一体式开关装置虽然能够解决安装效率低的问题，但是由于安装空间有限，需要设置额外的散热片对MOS管进行散热，导致开关装置的结构复杂，装配工艺复杂，成本较高。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种开关装置及具有其的电动工具，以解决现有技术中开关装置的结构复杂，装配工艺复杂，成本较高的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种开关装置，开关装置包括：电路板；MOS管，与电路板连接，MOS管包括散热体和与散热体连接的D极，且散热体和MOS管的D极电连通；D极连接结构，D极连接结构与散热体和电路板均连接，以将MOS管的D极与电路板连接。

进一步地，MOS管为多个，多个MOS管分为两组，两组MOS管的数量相同，MOS管还包括与散热体连接的S极和G极，MOS管的S极和G极与散热体电隔离，各MOS管的G极均与电路板连接，D极连接结构包括：B+连接部，与第一组的多个MOS管的散热体连接，且B+连接部与电路板连接；多个S-D连接部，多个S-D连接部间隔设置，各S-D连接部与第二组的各MOS管的散热体一一对应连接，各S-D连接部与第一组的各MOS管的S极一一对应连接，且S-D连接部与电路板连接；开关装置还包括S极连接结构，S极连接结构与第二组的多个MOS管的S极连接，且S极连接结构与电路板连接。

进一步地，B+连接部和/或S-D连接部为连接片。

进一步地，B+连接部的表面和/或S-D连接部的表面与散热体通过回流焊工艺连接。

进一步地，B+连接部与散热体相对设置的表面上设有一个或者多个第一凹槽和/或S-D连接部的与散热体相对设置的表面上设有一个或者多个第二凹槽。

进一步地，MOS管为六个，六个MOS管分为两组，每组包括三个MOS管。

进一步地，多个MOS管呈矩形阵列排布。

进一步地，B+连接部、S-D连接部和S极连接结构沿由第一组的MOS管至第二组的MOS管的方向依次间隔排列。

进一步地，开关装置还包括支架结构，支架结构包括：本体，本体具有周向侧壁和与周向侧壁的一端连接的底壁，周向侧壁与底壁围成第一容纳槽；多个第一定位结构，间隔设置在底壁上；MOS管上设有第一定位孔，MOS管通过第一定位结构和第一定位孔固定在第一容纳槽内；B+连接部上设有第二定位孔，B+连接部通过第二定位孔和第一定位孔固定在第一容纳槽内，B+连接部的至少一部分位于MOS管和底壁之间；S-D连接部上设有第三定位孔，S-D连接部通过第三定位孔和第一定位孔固定在第一容纳槽内，S-D连接部的至少一部分位于MOS管和底壁之间。

进一步地，第一定位结构包括定位柱，第一定位孔、第二定位孔和第三定位孔均与定位柱相适配。

进一步地，第一定位结构还包括：第三凹槽，第三凹槽设置在定位柱的远离底壁的表面上，且第三凹槽沿定位柱的径向贯通定位柱；至少一个第一凸出部，设置在定位柱的周向侧壁上，第一凸出部与MOS管的远离底壁的表面抵接。

进一步地，第一凸出部的高度由远离底壁的一端至靠近底壁的一端逐渐增大。

进一步地，第一定位结构为螺纹孔，开关装置还包括多个锁紧件，锁紧件依次穿过第一定位孔和第二定位孔与对应的螺纹孔连接以将MOS管和B+连接部固定在第一容纳槽内，锁紧件依次穿过第一定位孔和第三定位孔与对应的螺纹孔连接以将MOS管和S-D连接部固定在第一容纳槽内。

进一步地，开关装置还包括壳体，壳体具有第二容纳槽，电路板设置在第二容纳槽内，支架结构与壳体卡接配合，且第一容纳槽与第二容纳槽连通。

根据本发明的另一个方面，提供了一种电动工具，包括开关装置，开关装置为前述的开关装置。

应用本发明的技术方案，开关装置包括电路板、MOS管和D极连接结构，MOS管与电路板连接，MOS管包括D极和与MOS管的D极连接的散热体，D极连接结构与散热体和电路板均连接以将MOS管的D极与电路板连接。这样，D极连接结构不但可以载流导通电路，而且散热体发出的热量可以通过D极连接结构传递出去，从而通过D极连接结构直接给MOS管散热，简化了开关装置的结构和装配工艺，降低了开关装置的生产成本。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明的开关装置的实施例的局部结构爆炸图(仅示出MOS管和D极连接结构)；

图2示出了根据本发明的开关装置的实施例的局部结构爆炸图(未示出电路板、支架结构和壳体)；

图3示出了图2的装配图；

图4示出了图3装配至支架结构中的立体结构示意图；

图5示出了图4的另一个角度的立体结构示意图；

图6示出了根据本发明的开关装置的支架结构的立体结构示意图；

图7示出了根据本发明的开关装置的实施例的爆炸图；

图8示出了图7的另一个角度的示意图；以及

图9示出了根据本发明的开关装置的实施例的装配图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、电路板；20、MOS管；21、散热体；22、第一定位孔；30、D极连接结构；31、B+连接部；32、S-D连接部；311、第一凹槽；312、第一接触部；313、第一插接部；314、第一连接部；315、第二定位孔；316、第一接线部；321、第二凹槽；322、第二接触部；323、第二连接部；324、第二插接部；325、第三定位孔；326、第二接线部；40、S极连接结构；41、第三接触部；42、第三连接部；43、第三插接部；50、支架结构；51、本体；52、第一定位结构；53、隔板；511、周向侧壁；512、底壁；513、第二凸出部；514、第一避让孔；515、第二避让孔；521、定位柱；522、第三凹槽；523、第一凸出部；60、壳体；70、B-端子。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种开关装置和具有其的电动工具。

本发明及本发明的实施例中，为了解决现有技术中开关装置的结构复杂，装配工艺复杂，成本较高的问题，对开关装置的结构进行了改进，下面进行具体说明：

如图1和图2所示，本发明的实施例中，开关装置包括MOS管20和D极连接结构30。如图8所示，开关装置还包括电路板10，MOS管20与电路板10连接。MOS管20包括散热体21和与散热体21连接的D极，且散热体21和MOS管20的D极电连通。D极连接结构30与散热体21和电路板10均连接，以将MOS管20的D极与电路板10连接。其中，D极连接结构30由导电材料制成，当D极连接结构30与MOS管20的散热体21连接时，D极连接结构30与MOS管20的D极电连通，进而使MOS管20的D极与电路板10上的相应电路连通。

通过上述设置，MOS管20的散热体21与MOS管20的D极电连通，D极连接结构30与散热体21和电路板10均连接，这样，D极连接结构30不但可以载流导通电路，而且在MOS管工作过程中所产生的热量能够通过散热体21和与其连接的D极连接结构30传递出去，从而通过D极连接结构30直接给MOS管20散热，不需要额外设置仅用于给MOS管散热的散热片，简化了开关装置的结构和装配工艺，降低了开关装置的生产成本。

MOS管20为TO-220封装的MOS管20。

现有技术中，一体式的开关装置由于空间较小仅能采用贴片式封装的MOS管，导致散热性能差，输出功率较低，成本相对较高。与贴片式封装的MOS管相比，TO-220封装的MOS管20体积较小，输出功率高，成本低，从而解决了现有技术中的开关装置的输出功率低、成本高的问题。

本发明的实施例中，MOS管20为多个，多个MOS管20分为两组，两组MOS管20的数量相同。如图2所示，MOS管20还包括与散热体21连接的S极和G极，MOS管20的S极和G极与散热体21电隔离。各MOS管20的G极均与电路板10连接。如图1和图2所示，D极连接结构30包括B+连接部31和多个S-D连接部32。B+连接部31与第一组的多个MOS管20的散热体21连接，且B+连接部31与电路板10连接。多个S-D连接部32间隔设置，各S-D连接部32与第二组的各MOS管20的散热体21一一对应连接。各S-D连接部32与第一组的各MOS管20的S极一一对应连接，且S-D连接部32与电路板10连接。如图2至图4所示，开关装置还包括S极连接结构40，S极连接结构40与第二组的多个MOS管20的S极连接，且S极连接结构40与电路板10连接。

通过上述设置，每组MOS管20都能通过D极连接结构30散热。具体地，B+连接部31将第一组的MOS管20的D极与电路板10连通，并对第一组的MOS管20散热；S-D连接部32将第一组的MOS管20的S极与第二组的MOS管20的D极一一对应连通，并对第二组的MOS管20散热。各MOS管20的G极均与电路板10连接，S极连接结构40与第二组的多个MOS管20的S极连接，且S极连接结构40与电路板10连接，从而形成完整回路。

具体地，本发明的实施例中，B+连接部31与输入电源的正极导通。如图2至图4所示，开关装置还包括B-端子70，B-端子70与输入电源的负极导通，且B-端子70与S极连接结构40连接。

这样，B+连接部31可以同时将第一组的多个MOS管20的D极与输入电源的正极导通。B-端子70可以同时将第二组的多个MOS管20的S极与输入电源的负极导通。

如图1和图2所示，B+连接部31包括第一接线部316，第一接线部316用于连接输入电源的正极。

可选地，如图1所示，B+连接部31还包括多个第一接触部312、第一插接部313和多个第一连接部314。各第一接触部312与第一组的相应的MOS管20的散热体21连接以实现热传导。第一插接部313用于将B+连接部31插接在电路板10上，以使B+连接部31与电路板10上的相应电路连通。第一连接部314用于连接相邻两个第一接触部312以及连接第一接触部312和第一插接部313，同时，第一连接部314还可以增大B+连接部31的散热表面积。

优选地，第一接触部312、第一插接部313、第一连接部314和第一接线部316为一体成型结构。这样可以简化装配工艺，节省安装空间。

当然，在附图未示出的替代实施例中，B+连接部31也可以包括间隔设置的多个B+连接件，多个B+连接件与第一组的多个MOS管20的散热体21一一对应连接，且各B+连接件均与电路板10连接。

可选地，如图2所示，S-D连接部32包括第二接触部322、第二连接部323和第二插接部324。第二接触部322与第二组的相应的MOS管20的散热体21连接以实现热传导。第二连接部323用于连通第一组的MOS管20的D极和第二组的对应MOS管20的S极，第二连接部323与第二接触部322连接，且第二连接部323与第一组的MOS管20的S极连接。第二插接部324用于将S-D连接部32插接在电路板10上，以使S-D连接部32与电路板10上的相应电路连通。

具体地，如图1至图4所述，本发明的实施例中，开关装置为一体式的直流无刷开关装置。MOS管20为六个，六个MOS管20分为两组，每组包括三个MOS管20。相应地，开关装置包括三个S-D连接部32。

如图1和图2所示，S-D连接部32还包括第二接线部326，三个S-D连接部32的第二接线部326用于连接电机的U、V、W三相。

可选地，B+连接部31和/或S-D连接部32为连接片。

通过上述设置，开关装置结构紧凑，连接片表面与MOS管的散热体21表面充分接触，能够增大散热表面积大，能够提高载流能力和散热效果。

优选地，B+连接部31的表面和/或S-D连接部32的表面与散热体21通过回流焊工艺连接。

回流焊使得锡膏均匀填充在B+连接部31与散热体21之间，和/或S-D连接部32与散热体21之间，使B+连接部31和/或S-D连接部32与散热体21紧密贴合，接触面积大，能够提高载流能力和散热效果。

可选地，B+连接部31与散热体21相对设置的表面上设有一个或者多个第一凹槽311。S-D连接部32的与散热体21相对设置的表面上设有一个或者多个第二凹槽321。

上述设置中，第一凹槽311和第二凹槽321可以用来在进行回流焊前充填锡膏，便于进行回流焊加工。当MOS管20与填充有锡膏的B+连接部31或者S-D连接部32通过治具紧密贴合完成回流焊后，MOS管20与B+连接部31或者S-D连接部32通过锡连成一体。若采用点焊工艺，也可以将锡膏填充在第一凹槽311和第二凹槽321内，使B+连接部31或者S-D连接部32的表面与散热体21的表面贴合，使二者具有更大的接触面积，大大提高了开关装置的载流和散热能力。

第一凹槽311的数量可以为任意值。第二凹槽321的数量也可以为任意值。

第一凹槽311和第二凹槽321均可以设置为任意形状。

当然，在附图未示出的替代实施例中，B+连接部31与散热体21相对设置的表面也可以是平面。S-D连接部32的与散热体21相对设置的表面也可以是平面。也可以仅在B+连接部31与散热体21相对设置的表面上设置一个或者多个第一凹槽311，或者仅在S-D连接部32的与散热体21相对设置的表面上设置一个或者多个第二凹槽321。

如图4所示，本发明的实施例中，多个MOS管20呈矩形阵列排布。相应地，如图3所示，B+连接部31、S-D连接部32和S极连接结构40沿由第一组的MOS管20至第二组的MOS管20的方向依次间隔排列。

这样，开关装置的结构紧凑，工艺简单。

优选地，如图3所示，B+连接部31、S-D连接部32和S极连接结构40与多个MOS管20的散热体21的同一侧表面连接。

如图5至图9所示，本发明的实施例中，开关装置还包括支架结构50。支架结构50包括本体51和多个第一定位结构52。如图6所示，本体51具有周向侧壁511和与周向侧壁511的一端连接的底壁512，周向侧壁511与底壁512围成第一容纳槽。多个第一定位结构52间隔设置在底壁512上。MOS管20上设有第一定位孔22，MOS管20通过第一定位结构52和第一定位孔22固定在第一容纳槽内。B+连接部31上设有第二定位孔315，B+连接部31通过第二定位孔315和第一定位孔22固定在第一容纳槽内，B+连接部31的至少一部分位于MOS管20和底壁512之间。S-D连接部32上设有第三定位孔325，S-D连接部32通过第三定位孔325和第一定位孔22固定在第一容纳槽内，S-D连接部32的至少一部分位于MOS管20和底壁512之间。

通过上述设置，MOS管20、B+连接部31、S-D连接部32可以先安装到支架结构50上，再与电路板10连接，便于安装。

如图4所示，第一定位结构52包括定位柱521。第一定位孔22、第二定位孔315和第三定位孔325均与定位柱521相适配。

这样，MOS管20能够通过第一定位孔22固定在定位柱521上，B+连接部31能够通过第二定位孔315固定在定位柱521上，S-D连接部32能够通过第三定位孔325固定在定位柱521上，结构简单，安装方便。

如图4所示，第一定位结构52还包括第三凹槽522和至少一个第一凸出部523。第三凹槽522设置在定位柱521的远离底壁512的表面上，且第三凹槽522沿定位柱521的径向贯通定位柱521。至少一个第一凸出部523设置在定位柱521的周向侧壁上，第一凸出部523与MOS管20的远离底壁512的表面抵接。

通过上述设置，第三凹槽522设置在定位柱521的远离底壁512的表面上，这样定位柱521的远离底壁512的一段具有一定的弹性，MOS管20、B+连接部31和S-D连接部32易于安装至定位柱521上。至少一个第一凸出部523设置在定位柱521的周向侧壁上，第一凸出部523与MOS管20的远离底壁512的表面抵接，这样，可以将MOS管20、B+连接部31和S-D连接部32可靠固定，使得开关装置结构简单，装配更为方便。

优选地，如图4所示，第一凸出部523的高度由远离底壁512的一端至靠近底壁512的一端逐渐增大。

这样，使得MOS管20、B+连接部31和S-D连接部32安装至定位柱521上的过程更加容易。

在附图未示出的替代实施例中，第一定位结构52为螺纹孔。开关装置还包括多个锁紧件，锁紧件依次穿过第一定位孔22和第二定位孔315与对应的螺纹孔连接以将MOS管20和B+连接部31固定在第一容纳槽内。锁紧件依次穿过第一定位孔22和第三定位孔325与对应的螺纹孔连接以将MOS管20和S-D连接部32固定在第一容纳槽内。

具体地，支架结构50的底壁512上还设置有与三个S-D连接部32的第二接线部326一一对应设置的三个第一避让孔514，第二接线部326穿过第一避让孔514伸出支架结构50外。支架结构50的底壁512上还设置有与第一接线部316和B-端子70对应设置的两个第二避让孔515，第一接线部316和B-端子70的一部分穿过第二避让孔515伸出支架结构50外。支架结构50内还设有隔板53以便于实现导电元件的电隔离。

通过上述设置，可以便于与输入电源和电机连接。

如图7和图8所示，开关装置还包括壳体60。壳体60具有第二容纳槽，电路板10设置在第二容纳槽内，支架结构50与壳体60卡接配合，且第一容纳槽与第二容纳槽连通。MOS管20、B+连接部31、S-D连接部32和S极连接结构40均位于壳体60和支架结构50之间。

具体地，支架结构50上还设有间隔设置的多个第二凸出部513，壳体60上设有与第二凸出部513一一对应设置的多个卡接孔，第二凸出部513与卡接孔卡接配合。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：开关装置包括电路板、MOS管和D极连接结构，MOS管与电路板连接，MOS管包括D极和与MOS管的D极连接的散热体，D极连接结构与散热体和电路板均连接以将MOS管的D极与电路板连接。这样，D极连接结构不但可以载流导通电路，而且散热体发出的热量可以通过D极连接结构传递出去，从而通过D极连接结构直接给MOS管散热，简化了开关装置的结构和装配工艺，降低了开关装置的生产成本。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种开关装置，其特征在于，所述开关装置包括：

电路板(10)；

MOS管(20)，与所述电路板(10)连接，所述MOS管(20)包括散热体(21)和与所述散热体(21)连接的D极，且所述散热体(21)和所述MOS管(20)的D极电连通；

D极连接结构(30)，所述D极连接结构(30)与所述散热体(21)和所述电路板(10)均连接，以将所述MOS管(20)的D极与所述电路板(10)连接。

2.根据权利要求1所述的开关装置，其特征在于，所述MOS管(20)为多个，多个所述MOS管(20)分为两组，两组所述MOS管(20)的数量相同，所述MOS管(20)还包括与所述散热体(21)连接的S极和G极，所述MOS管(20)的S极和G极与所述散热体(21)电隔离，各所述MOS管(20)的G极均与所述电路板(10)连接，所述D极连接结构(30)包括：

B+连接部(31)，与第一组的多个所述MOS管(20)的所述散热体(21)连接，且所述B+连接部(31)与所述电路板(10)连接；

多个S-D连接部(32)，多个所述S-D连接部(32)间隔设置，各所述S-D连接部(32)与第二组的各所述MOS管(20)的所述散热体(21)一一对应连接，各所述S-D连接部(32)与所述第一组的各所述MOS管(20)的S极一一对应连接，且所述S-D连接部(32)与所述电路板(10)连接；

所述开关装置还包括S极连接结构(40)，所述S极连接结构(40)与所述第二组的多个所述MOS管(20)的S极连接，且所述S极连接结构(40)与所述电路板(10)连接。

3.根据权利要求2所述的开关装置，其特征在于，所述B+连接部(31)和/或所述S-D连接部(32)为连接片。

4.根据权利要求2所述的开关装置，其特征在于，所述B+连接部(31)的表面和/或所述S-D连接部(32)的表面与所述散热体(21)通过回流焊工艺连接。

5.根据权利要求2所述的开关装置，其特征在于，所述B+连接部(31)与所述散热体(21)相对设置的表面上设有一个或者多个第一凹槽(311)和/或所述S-D连接部(32)的与所述散热体(21)相对设置的表面上设有一个或者多个第二凹槽(321)。

6.根据权利要求2所述的开关装置，其特征在于，所述MOS管(20)为六个，六个所述MOS管(20)分为两组，每组包括三个所述MOS管(20)。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的开关装置，其特征在于，多个所述MOS管(20)呈矩形阵列排布。

8.根据权利要求7所述的开关装置，其特征在于，所述B+连接部(31)、所述S-D连接部(32)和所述S极连接结构(40)沿由所述第一组的所述MOS管(20)至所述第二组的所述MOS管(20)的方向依次间隔排列。

9.根据权利要求2至6中任一项所述的开关装置，其特征在于，所述开关装置还包括支架结构(50)，所述支架结构(50)包括：

本体(51)，所述本体(51)具有周向侧壁(511)和与所述周向侧壁(511)的一端连接的底壁(512)，所述周向侧壁(511)与所述底壁(512)围成第一容纳槽；

多个第一定位结构(52)，间隔设置在所述底壁(512)上；

所述MOS管(20)上设有第一定位孔(22)，所述MOS管(20)通过所述第一定位结构(52)和所述第一定位孔(22)固定在所述第一容纳槽内；

所述B+连接部(31)上设有第二定位孔(315)，所述B+连接部(31)通过所述第二定位孔(315)和所述第一定位孔(22)固定在所述第一容纳槽内，所述B+连接部(31)的至少一部分位于所述MOS管(20)和所述底壁(512)之间；

所述S-D连接部(32)上设有第三定位孔(325)，所述S-D连接部(32)通过所述第三定位孔(325)和所述第一定位孔(22)固定在所述第一容纳槽内，所述S-D连接部(32)的至少一部分位于所述MOS管(20)和所述底壁(512)之间。

10.根据权利要求9所述的开关装置，其特征在于，所述第一定位结构(52)包括定位柱(521)，所述第一定位孔(22)、所述第二定位孔(315)和所述第三定位孔(325)均与所述定位柱(521)相适配。

11.根据权利要求10所述的开关装置，其特征在于，所述第一定位结构(52)还包括：

第三凹槽(522)，所述第三凹槽(522)设置在所述定位柱(521)的远离所述底壁(512)的表面上，且所述第三凹槽(522)沿所述定位柱(521)的径向贯通所述定位柱(521)；

至少一个第一凸出部(523)，设置在所述定位柱(521)的周向侧壁上，所述第一凸出部(523)与所述MOS管(20)的远离所述底壁(512)的表面抵接。

12.根据权利要求11所述的开关装置，其特征在于，所述第一凸出部(523)的高度由远离所述底壁(512)的一端至靠近所述底壁(512)的一端逐渐增大。

13.根据权利要求9所述的开关装置，其特征在于，所述第一定位结构(52)为螺纹孔，所述开关装置还包括多个锁紧件，所述锁紧件依次穿过第一定位孔(22)和第二定位孔(315)与对应的所述螺纹孔连接以将所述MOS管(20)和所述B+连接部(31)固定在所述第一容纳槽内，所述锁紧件依次穿过第一定位孔(22)和第三定位孔(325)与对应的所述螺纹孔连接以将所述MOS管(20)和所述S-D连接部(32)固定在所述第一容纳槽内。

14.根据权利要求9所述的开关装置，其特征在于，所述开关装置还包括壳体(60)，所述壳体(60)具有第二容纳槽，所述电路板(10)设置在所述第二容纳槽内，所述支架结构(50)与所述壳体(60)卡接配合，且所述第一容纳槽与所述第二容纳槽连通。

15.一种电动工具，包括开关装置，其特征在于，所述开关装置为权利要求1至14中任一项所述的开关装置。