CN109643853A - 天线装置以及包括该天线装置的电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及天线装置和包括该天线装置的电子设备。根据本发明的一个实施例的天线装置包括在电子设备的金属壳体上形成的阵列天线,其中,该阵列天线包括至少两个天线元,该至少两个天线元可以在相同的频带中工作。根据本发明的一个实施例,可以提供一种能够减少发热并提高天线的辐射效率的天线装置。
Description
技术领域
本发明涉及天线装置以及包括该天线装置的电子设备,更具体地,涉及阵列天线与电子设备的金属壳体一体形成的天线装置。
背景技术
为了满足在4G通信系统商用化之后对无线电数据业务的不断增长的需求,已经努力开发先进的5G通信系统或pre-5G(预5G)通信系统。为此,5G通信系统或pre-5G通信系统也称为超4G网络通信系统或后LTE系统。
为了实现更高的数据传送速率,正在考虑在超高频(毫米波)频带(例如,大约28GHz频带)中实现5G通信系统。而且,为了消除在超高频带中的无线电波的传播损耗并增加无线电波的传送距离,对于5G通信系统正在讨论各种技术,诸如波束形成、大规模MIMO、全维度MIMO(FD-MIMO)、阵列天线、模拟波束成形和大规模天线。
同时,在使用超高频(毫米波)频带的天线的情况下,可以使用阵列天线来增加天线装置的总增益。此外,可以进一步使用包括功率放大器(PA)的外部前端模块(FEM)来放大天线的功率。这样的阵列天线和外部前端模块的性能可能与整个通信系统的性能直接相关。
在天线装置的发射模式下,发送信号在射频集成电路(RFIC)中被生成并被输入到前端模块(或功率放大器)。然后,该信号被放大并通过阵列天线被发送到其他网络实体。
为此,第一馈线可以连接在RFIC和功率放大器之间,第二馈线可以连接在功率放大器和天线之间。然而,当功率放大器布置在阵列天线附近而RFIC位于阵列天线下方时,第一馈线和第二馈线的连接结构可能是无效的。
此外,在使用28GHz的谐振频率的超高频带天线的情况下,天线的尺寸非常小,大约为10mm,并且可能导致难以调谐。此外,在高频时,在连接在天线元和RFIC之间的馈线中引起高插入损耗,因此S21是重要的。
此外,应用了多输入多输出(MIMO)的天线装置需要更多馈线连接到天线,这可能导致基板(例如,PCB)的叠层增加。此外,由于基板的高度与天线的带宽之间存在相关性,因此在有限的基板叠层中设计的天线可能会导致性能降低。
发明内容
技术问题
为了解决上述问题,本发明的一个目的是提供一种能够减少发热并提高天线辐射效率的天线装置。
此外,本发明的一个目的是提供一种能够通过与外部组件交错布置来改善传输插入损耗的天线装置。
此外,本发明的一个目的是克服由包括天线装置的电子设备的金属壳体对天线辐射的限制。
本发明不限于上述目的,本领域技术人员从下面的描述中可以很好地理解任何其他目的(即使这里没有提到)。
问题的解决方案
为了实现上述目的,根据本发明的实施例的天线装置可以包括在电子设备的金属壳体中形成的阵列天线,其中所述阵列天线可以包括至少两个天线元,并且其中所述至少两个天线元可以在相同的频带中工作。
此外,所述至少两个天线元中的每一个可以包括辐射部件,所述辐射部件具有穿过所述金属壳体的槽的形状。
此外,所述至少两个天线元中的每一个可以是具有圆形、方形或三角形形状的贴片天线。
此外,所述辐射部件可以由彼此面对的两个半圆形槽构成。
此外,所述辐射部件可以是圆形槽,并且氧化膜或聚碳酸酯膜可以被形成在所述金属壳体的上表面上。
此外,所述天线装置还可以包括:布置在所述金属壳体下方的射频(RF)模块;以及连接所述RF模块和所述金属壳体并消散所述天线元的热量的金属壳体连接构件。
此外,所述天线装置还可以包括在所述RF模块的上表面上在所述阵列天线附近形成的至少一个功率放大器。
此外,所述天线装置还可以包括布置在所述RF模块的上表面与所述阵列天线的下表面之间的至少一个功率放大器。
此外,所述RF模块还可以包括位于其中的馈线,所述馈线可以通过孔径馈送连接到所述阵列天线,并且可以通过耦合向所述天线元提供信号。
此外,所述RF模块可以包括:位于其上表面上的上馈线;以及位于所述RF模块中并直接连接到所述上馈线的馈线。
此外,所述RF模块可以包括在其中形成的至少一个散热通路。
此外,为了实现上述目的,根据本发明的实施例的电子设备可以包括:金属壳体;以及形成在所述金属壳体中的阵列天线,其中所述阵列天线可以包括至少两个天线元,并且其中所述至少两个天线元可以在相同的频带中工作。
发明的有益效果
根据本发明的实施例,可以提供一种能够减少发热并提高天线辐射效率的天线装置。
此外,本发明可以提供一种能够通过与外部组件交错布置来改善传输插入损耗的天线装置。
此外,本发明可以克服由包括天线装置的电子设备的金属壳体对天线辐射的限制。
通过本发明获得的效果不限于上述效果,本领域技术人员从以下描述中可以很好地理解其他效果(即使这里没有提到)。
附图说明
图1是示出了根据本发明的实施例的天线装置的框图。
图2是示出了根据本发明的实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的截面图。
图3是示出了根据本发明的实施例的具有阵列天线的电子设备的背面的图。
图4是示出了根据本发明的实施例的电子设备的散热过程的示意图。
图5是示出了根据本发明的实施例的天线元和RF模块彼此组合的截面图。
图6是示出了根据本发明的实施例的天线元和RF模块的透视图。
图7是示出了根据本发明的实施例的天线装置的天线频带性能的S11曲线图。
图8是示出了根据本发明的实施例的天线装置的辐射方向图的图。
图9是示出了根据本发明的实施例的阵列天线的示例的图。
图10是示出了根据本发明的实施例的阵列天线的天线频带性能的S11曲线图。
图11a和图11b是示出了根据本发明的实施例的阵列天线的辐射方向图的图。
图12是示出了根据本发明的另一实施例的天线元和RF模块彼此组合的截面图。
图13是示出了根据本发明的另一实施例的天线元和RF模块的组合状态的透视图。
图14是示出了根据本发明的另一实施例的天线元和RF模块彼此组合时的辐射效率的图。
图15是示出了根据本发明的另一实施例的天线元和RF模块彼此组合时的天线频带性能的S11曲线图。
图16是示出了根据本发明的另一实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的截面图。
图17是示出了根据本发明的实施例的阵列天线和功率放大器之间的组合关系的示例的图。
图18是示出了根据本发明的实施例的阵列天线和功率放大器之间的组合关系的另一示例的图。
图19是示出了根据本发明的又一实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的截面图。
图20是示出了根据本发明的又一实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的透视图。
图21是示出了根据本发明的又一实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的分解图。
图22是示出了根据本发明的实施例的天线元的放大图。
图23是示出了根据本发明的实施例的馈线连接方法的示例的图。
图24是示出了根据本发明的实施例的天线元、功率放大器和RFIC之间的连接关系的图。
图25和图26是示出了根据本发明的实施例的布置在电子设备中的功率放大器的位置的图。
具体实施方式
现在,将参考附图详细描述本发明的实施例。在以下对实施例的描述中,省略了对本领域公知并且与本发明不直接相关的技术的描述。这是为了通过省略任何不必要的解释来清楚地传达本发明的主题。
当陈述某个元件“耦合到”或“连接到”另一个元件时,该元件可能直接耦合或连接到该另一个元件,或者在这两个元件之间可能存在新元件。此外,术语“包括”、“包含”和“具有”及其衍生词意指包括但不限于。
在本发明的实施例中,元件被独立地示出以指示不同的特征功能,但是这并不意味着每个元件由单独的硬件或一个软件单元形成。也就是说,各个元件仅仅是为了便于说明,并且至少两个元件可以形成一个元件,或者一个元件可以被分成多个元件以执行功能。在任何情况下,相关实施例也被包括在本发明的范围内。
此外,一些元件并不总是为执行本发明中的必要功能而必需的,而可以是仅用于改善性能的可选元件。因此,本发明可以仅用为实现本发明的主题而必要的元件来实现,而无需用于性能增强的组件,并且能够仅用这些必要元件来实现,而无需用于性能改善的可选元件。
本文使用的术语不应被解释为限于普通或字典定义术语,而应基于发明人能够适当地将他自己的发明定义为术语的概念以便以最佳方式描述该发明的原则,按照与本发明的主题一致的含义和概念来解释。因此,应理解,本文公开的实施例仅是示例性的,其各种等同形式或修改是可能的。
应当理解,流程图图示中的每个块以及流程图图示中的块的组合可以由计算机程序指令来实现。这些计算机程序指令可以被提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器以产生机器,使得通过该计算机或其他可编程数据处理装置的处理器执行的这些指令生成用于实现在流程图的块中指定的功能的装置。这些计算机程序指令还可以存储在计算机可用或计算机可读存储器中,其可以指导计算机或其他可编程数据处理装置以特定方式起作用,使得存储在计算机可用或计算机可读存储器中的指令产生包含实现在流程图的块中指定的功能的指令装置的制品。这些计算机程序指令还可以加载到计算机或其他可编程数据处理装置上,使得在计算机或其他可编程装置上执行一系列操作步骤,以产生计算机实现的过程,使得在计算机或其他可编程装置上执行的指令提供用于实现在流程图的块中指定的功能的步骤。
如本文所使用的术语“单元”是指执行某些任务的软件或硬件组件或设备,诸如现场可编程门阵列(FPGA)或专用集成电路(ASIC)。单元可以被配置为驻留在可寻址的存储介质上并且被配置为在一个或更多个处理器上执行。因此,作为示例,模块或单元可以包括组件(诸如软件组件、面向对象的软件组件、类组件和任务组件)、进程、功能、属性、过程、子例程、程序代码段、驱动器、固件、微码、电路、数据、数据库、数据结构、表、数组和变量。在多个组件和单元中提供的功能可以被组合成更少的组件和单元,或者进一步分成附加的组件和模块。此外,组件和单元可以被实现为操作设备或安全多媒体卡中的一个或更多个中央处理单元(CPU)。
图1是示出了根据本发明的实施例的天线装置的框图。
参照图1,根据本发明的实施例的天线装置可以包括天线110、外部前端模块(FEM)120和射频集成电路(RFIC)130。
天线110可以是包括至少两个天线元的阵列天线,并且可以工作于预定的谐振频率。例如,阵列天线110可以包括16个天线元,当没有单独的RF开关时,该16个天线元可以被分为8个发射天线元和8个接收天线元。
外部前端模块120可以包括功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、开关等。前端模块120可以放大天线110的功率,降低噪声,并执行发射/接收(Tx/Rx)模式的切换。外部前端模块120可以位于天线110的外部,以便增大天线装置的通信距离。由于功率放大器执行外部前端模块120的功率放大功能,因此外部前端模块和外部功率放大器将在下文中可互换使用。
在天线装置的发射模式的情况下,例如,发送信号可以在RFIC 130中被生成,被输入到前端模块(或功率放大器)120,在前端模块120中被放大,并通过天线110被发送给其他网络实体。
同时,取决于连接RFIC 130和天线110的馈线(未示出)的长度,可能产生连接损耗。例如,在工作于30GHz的谐振频率的天线装置中,每约1mm馈线长度可能产生约0.25dB的连接损耗。因此,随着RFIC 130和天线110之间的馈线的长度增大,连接损耗也增大。这对总体通信性能产生不利影响。此外,由于当前商用化的功率放大器(PA)的效率低,所以在连接损耗为4dB或更多的情况下,大约85%至95%的功耗可能被用来发热。
因此,需要提供能够减少连接损耗并且具有减少发热的高效率的结构的天线装置。
图2是示出了根据本发明的实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的截面图。图3是示出了根据本发明的实施例的具有阵列天线的电子设备的背面的图。
参照图2和图3,根据本发明的实施例的电子设备可以包括阵列天线210、射频(RF)模块220和主基板240。该电子设备可以是用户设备(UE)。例如,该电子设备可以与诸如移动电话机、智能手机、PDA、笔记本式计算机等的其他网络实体通信。
阵列天线210可以形成在电子设备的金属壳体213中,并且可以包括至少两个天线元215。至少两个天线元215可以在相同的频带中工作。在一些实施例中,阵列天线210可以形成在电子设备的金属壳体213的后表面的一部分中。尽管图2中仅示出了一个天线元215,但是这仅仅是为了便于图示,多个天线元215可以形成在金属壳体213的后表面上。金属壳体213可以由导电材料和可传热的材料制成。例如,金属壳体213可以由包括铝的金属制成。
此外,每个天线元215可以包括用于将天线信号辐射到电子设备的外部的辐射部件211。辐射部件211可以形成在金属壳体213的后表面上,使得从天线元215辐射的信号可以辐射到电子设备的外部。辐射部件211可以具有穿过金属壳体213的槽的形状,或者可以具有圆形、方形、三角形等。
如图3所示,阵列天线210可以形成在金属壳体213的后表面上,并且可以包括多个天线元215。在实施例中,阵列天线210可以包括布置成4行4列的16个天线元215。天线元215可以形成为像具有穿过金属壳体213的槽211的贴片。取决于实施例,每个天线元215的形状可以是圆形、方形或矩形。当辐射部件211具有圆形槽形状时,辐射部件211可以由彼此面对的两个半圆形槽形成。这可以实现集成阵列天线结构,其中天线元215与金属壳体213集成在一起而不与金属壳体213分离。而且,在包括彼此面对的两个半圆形槽的辐射部件211时,天线元215可以由圆形、方形或三角形的堆叠耦合贴片形成,并且可以部分地与金属壳体213短路或开路。
同时,当天线位于金属壳体213内时,信号可能不穿过金属壳体213。因此,为了使天线发射或接收信号,金属壳体213应具有开口部分。与之相比,当如本发明中一样阵列天线210一体形成在电子设备的金属壳体213的后表面上时,即使金属壳体213不具有任何单独的开口,阵列天线210也能够发射和接收信号。
此外,因为阵列天线210一体形成在金属壳体213的后表面上,所以在阵列天线210处产生的热量可以直接散到金属壳体213的外部。
金属壳体213可包括至少一个金属壳体连接构件217,其组合金属壳体213和RF模块220。金属壳体连接构件217可以是螺钉、销或任何其他类型的连接桥。
金属壳体连接构件217可以由能够传导热量的导热材料制成。阵列天线210处产生的热量可以通过金属壳体连接构件217传到RF模块220。然后,传到RF模块220的热量可以通过散热通路270以及后面将描述的散热部件(未示出)散到电子设备的外部。因此,金属壳体连接构件217可以执行散热功能,因此可以被称为阵列天线散热构件。
此外,在金属壳体213和RF模块220之间可能存在空腔。因此,阵列天线210处产生的热量可以通过该空腔消散,这可以产生减热效果。
如上所述,因为阵列天线210与电子设备的金属壳体213一体形成,所以阵列天线210处产生的热量可以通过金属壳体213直接散到电子设备的外部,还可以经由金属壳体连接构件217通过散热部件(未示出)散到电子设备的外部。即,在根据本发明的实施例阵列天线210与电子设备的金属壳体213一体形成的情况下,阵列天线210处产生的热量沿两个方向被消除。因此,这可以产生优良的减热效果。
在某个实施例中,金属壳体213中还可以包括内壳体219。内壳体219可以由塑料、金属等制成,以保护电子设备的内部组件。
RF模块220通过执行发送/接收射频信号的操作并且还执行放大和转换该信号的操作,执行与其他电子设备的无线电通信。RF模块220可以包括控制上述操作的处理器(未示出)。可以由外部电源(未示出)给RF模块220供电。此外,RF模块220可以包括RF模块基板221,其可以是印刷电路板(PCB)。RF模块基板221中可以形成有多个接地层227。而且,上层225可以形成在RF模块基板221的上表面上,同时与电子设备的金属壳体213接触。上层225可以由绝缘材料形成,以使RF模块220与金属壳体213绝缘。可以通过使用表面安装技术(SMT)、螺钉、弹簧销块等,将阵列天线210安装在RF模块220的RF模块基板221上。
在RF模块220的RF模块基板221中,可以形成多个散热通路270。散热通路270可以执行使在RF模块220处产生的热量和在位于RF模块220上方的阵列天线210处产生的热量消散的功能。在某个实施例中,散热通路270可以在RF模块基板221的上表面和下表面之间竖直地形成。在RF模块220或位于RF模块220上方的阵列天线210处产生的热量可以通过散热通路270传到RF模块220的下表面。然后,传到RF模块220的下表面的热量可以通过位于RF模块220下方的散热部件(未示出)消散。该散热部件(未示出)可以是热界面材料(TIM)。因此,可以减少由阵列天线210和RF模块220的发热引起的性能降低(例如,增益减小、速度降低等)。
在RF模块220的RF模块基板221的下表面上,可以包括用于向阵列天线210供电的RFIC 230。RFIC 230可以通过在RF模块基板221中形成的馈线250向阵列天线210供电。
在一个实施例中,如图2所示,馈线250和阵列天线210之间的连接可以通过孔径馈送来实现。即,RFIC 230可以向馈线250供电,并且提供给馈线250的电力可以通过馈线250和天线元215之间的耦合而被提供给在阵列天线210中包括的天线元215。为了这样的耦合,上层225可以在与天线元215相对应的位置形成有上开口226,如图所示。如果没有上开口,则提供给馈线250的信号可能不穿过在RF模块基板221的上表面上形成的绝缘上层225,因此可能不发生与天线元215的耦合。当在上层225中形成有上开口226时,提供给馈线250的信号可以通过上开口226传输到天线元215。
在另一个实施例中,上馈线可以形成在RF模块基板221的上表面上并且直接连接到馈线250(即,直接馈送)。在这种情况下,在上馈线和阵列天线210的天线元215之间发生耦合,从而可以将信号提供给天线元215。稍后将描述其细节。
同时,主基板240可以控制电子设备的总体操作。尽管未示出,处理器可以位于主基板240上以控制这样的操作。外部电源(未示出)可以向主基板240供电。主基板240可以是PCB。
此外,主基板连接构件260可以形成在主基板240和RF模块220之间,以便连接主基板240和RF模块220。在某个实施例中,粘附构件265可以形成在主基板连接构件260和RF模块220之间。例如,主基板连接构件260可以是球栅阵列(BGA)。或者,主基板连接构件260可以是导电膜或导电带或任何其他等同物。在某个实施例中,RFIC 230和天线210都可以集成到主基板240中。
图4是示出了根据本发明的实施例的电子设备的散热过程的示意图。
参照图4,根据本发明的实施例的电子设备可包括一体形成在金属壳体213的后表面上的阵列天线210。阵列天线210可包括可在相同的频带中工作的至少两个天线元215。此外,天线元215可以具有用于将天线信号辐射到电子设备的外部的辐射部件211。而且,内壳体219可以被包括在金属壳体213中。
阵列天线210可以连接到包括RFIC 230的RF模块220,并且RF模块220可以连接到主基板240。电子设备的控制单元410可以布置在主基板240的与安装RF模块220的表面相对的表面上。控制单元410可以包括用于控制电子设备的至少一个处理器420,处理器420可以是例如芯片。在某个实施例中,控制单元410可以连接到用于消散在电子设备中产生的热量的散热部件430。散热部件430可以是例如TIM。
在实施例中,支撑构件440可以在与主基板240的方向相对的方向上连接到控制单元410,以便支撑控制单元410和主基板240。
此外,散热片450和显示单元460可以朝向电子设备的正面布置。显示单元460可以是面板,其中大量像素布置成矩阵形式。例如,显示单元460可以是液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)、无源矩阵OLED(PMOLED)、有源矩阵OLED(AMOLED)等。
参照图3和图4,在控制单元410处产生的热量可以沿散热部件430的方向和沿主基板240的方向以热传导的形式传递。传到散热部件430的热量通过支撑构件440以热传导或热辐射的形式传递到散热片450,再以热传导或热辐射的形式传递到显示单元460。然后,显示单元460可以以热对流或热辐射的形式将该热量散到电子设备的外部。另一方面,从控制单元410传到主基板240的热量可以通过散热通路270以热传导或热辐射的形式传递到RF模块220。然后,RF模块220可以通过金属壳体连接构件217以热传导或热辐射的形式将该热量传递到金属壳体213,并且最终该热量可以以热对流或热辐射的形式散到电子设备的外部。
在阵列天线210处产生的热量可以以热对流或热辐射的形式直接散到金属壳体213的外部。此外,阵列天线210处产生的热量可以以热传导或热辐射的形式顺序地传到RF模块220、主基板240和散热部件430。然后,该热量可以以热传导或热辐射的形式通过散热片450传递到显示单元460,并最终以热对流或热辐射的形式散到电子设备的外部。
这样,在阵列天线210产生的热量可以直接通过金属壳体213散到电子设备的外部,还可以通过金属壳体连接构件217和电子设备内部的散热部件430消散。
图5是示出了根据本发明的实施例的天线元和RF模块彼此组合的截面图。图6是示出了根据本发明的实施例的天线元和RF模块的透视图。图7是示出了根据本发明的实施例的天线装置的天线频带性能的S11曲线图。图8是示出了根据本发明的实施例的天线装置的辐射方向图的图。
参照图5和图6中的(a),在根据本发明的实施例的电子设备中,包括天线元215的阵列天线210可以形成在电子设备的金属壳体213中。天线元215可以包括辐射部件211,辐射部件211可以具有穿过金属壳体213的槽形。在某个实施例中,每个天线元215可以包括由彼此面对的两个半圆形槽211形成的辐射部件211。
此外,RF模块220可以与金属壳体213组合。如上面参照图2至图4所述,RF模块220可以包括在RF模块基板221中形成的馈线250,以向阵列天线210供电。此外,还可以包括散热通路270以消散在RF模块220处产生的热量。
此外,上层225可以形成在RF模块基板221的上表面上,并且上层225可以在与天线元215对应的位置具有上开口226。上开口226可以如图6中的(b)所示具有直线形状,或可以如图6中的(c)所示具有与天线元215相同的圆形形状。
此外,如图5所示,馈线250可以通过孔径馈送连接到天线元215。具体地,馈线250可以从RF模块基板221的下表面延伸到RF模块基板221的中间层。例如,当RF模块基板221由四层构成时,馈线250可以在RF模块基板221中从第四层竖向延伸到第二层的上面。此外,馈线250可以在第一层和第二层之间朝着上开口226横向延伸。因为上开口226是在上层225中在与天线元215对应的位置形成的,所以提供给馈线250的信号可以通过馈线250和天线元215之间的耦合而被传输到在阵列天线210中包括的天线元215。
这样,根据本发明的实施例的天线元215和RF模块220的组合结构可以是IC、基板(例如,PCB)和金属腔组合的结构。此外,通过以孔径耦合馈送方案来连接馈线250和天线元215,RF模块220可以以最小数量的层来实现所需的阻抗。
图7所示的S11曲线图指示了在天线元215与金属壳体213组合的天线结构中的天线频带性能。如该曲线图所示,由S11表示的-10dB或更低的频率可以是约26GHz至30GHz,其带宽可以为约4GHz。因此,与典型贴片天线的0.8GHz的带宽相比,能够获得大约3GHz的带宽改善效果。
此外,图8示出了根据本发明的实施例的天线装置的辐射方向图。在28GHz的频率下,频率增益可以是大约6.03dBi,方向性可以是大约7.43dBi。这样,效率为约72.4%。因此,与增益为4.46dBi、方向性为6.99dBi、效率为59.8%的典型贴片天线相比,能够提高增益和效率。
图9是示出了根据本发明的实施例的阵列天线的示例的图。图10是示出了根据本发明的实施例的阵列天线的天线频带性能的S11曲线图。图11a和图11b是示出了根据本发明的实施例的阵列天线的辐射方向图的图。
参照图9,根据本发明的实施例的阵列天线210可以包括至少两个天线元215。此外,天线元215可以形成在电子设备的金属壳体213中。
在某个实施例中,如图9所示,阵列天线210可以包括布置成4行4列的16个天线元215。而且,如上面参考图2到图8所述,每个天线元215可以具有形状像穿过金属壳体213的槽的辐射部件211。在这种情况下,在16个天线元215中,8个可以是发射天线元,而其他的可以用作接收天线元。
槽形的辐射部件211可以由彼此面对的两个半圆形槽构成。这允许天线元215与金属壳体213一体地组合。
同时,尽管未示出,但是天线元215的形状可以不同于圆形贴片形状。例如,天线元215可以具有椭圆形、方形、矩形或三角形贴片形状。而且,天线元215的辐射部件211可以是椭圆形、方形、矩形或三角形槽。
此外,阵列天线210可以使用金属处理技术来设计。例如,使用CNC加工技术,阵列天线210的天线元215可以形成在金属壳体213中。或者,阵列天线210可以通过以3D打印技术处理金属壳体213而形成。或者,可以通过以二次PCB(高端或通用FR4)技术处理金属壳体213来制造阵列天线210。
在该阵列天线包括具有圆形槽211的辐射部件的贴片形天线元215的情况下,如图10所示,-10dB或更低的频率为约27.3GHz至29.5GHz,,使得带宽可以为约2.2GHz。而且,参照示出了在28GHz的辐射方向图的图11a和图11b,增益为约17.85dBi,方向性是18.3dBi。这样,效率为约90%。因此,与典型贴片天线的性能相比,增益提高了约2dB,带宽提高了约1GHz。
图12是示出了根据本发明的另一实施例的天线元和RF模块彼此组合的截面图。图13是示出了根据本发明的另一实施例的天线元和RF模块的组合状态的透视图。图14是示出了根据本发明的另一实施例的天线元和RF模块彼此组合时的辐射效率的图。图15是示出了根据本发明的另一实施例的天线元和RF模块彼此组合时的天线频带性能的S11曲线图。
参照图12中的(a),根据本发明的实施例的电子设备可以包括在金属壳体213中形成的天线元215。天线元215可以具有未穿透金属壳体213的槽形薄金属膜1220。即,如1220所指示,天线元215可以在金属壳体213中形成为像包括留有薄金属膜的槽的贴片。
此外,金属壳体213的上表面可以通过阳极化技术而被氧化。即,当应用阳极化技术时,金属壳体213的上表面可以被氧化以形成氧化膜1210。
当应用阳极化技术时,在形成天线元215的过程中未穿过金属壳体213而保留的薄金属膜1220可能被氧化从而消失。也就是说,形成为未穿透金属壳体213的槽形的薄金属膜1220在阳极化金属壳体213的上表面的过程中被氧化并消失。因此,当阳极化过程完成时,天线元215可以包括穿过金属壳体213的槽形辐射部件211。结果,包括穿过金属壳体213的圆形槽211的天线元215可以一体地形成在金属壳体213中。
如上所述的阳极化金属壳体213可用来保护产品免受外部影响。此外,形成在金属壳体213的表面上的氧化膜1210可以改善穿过金属壳体213而形成的天线元215的外观。
此外,代替包括如图3、图6和图9所示的两个面对的半圆形槽211,天线元215可以包括开放结构的辐射部件,如图13所示。即,穿过金属壳体213的单个圆形槽形的辐射部件1310可以与金属壳体213一体组合并被包括在天线元215中。具体地,在制造天线元215的过程中,天线元215首先被形成为具有圆形槽的贴片形状,该圆形槽不穿透金属壳体213的上表面。然后,通过对第二金属壳体213的上表面进行阳极化处理,薄金属膜1220消失,从而留下穿过金属壳体213的圆形槽。结果,可以形成包括圆形槽辐射部件1310的天线元215。因为被圆形槽1310分开的圆形金属板1320附着到氧化膜1210,所以天线元215可以与金属壳体213一体地形成。
接下来,参照图12中的(b),根据本发明的实施例的电子设备可以包括在金属壳体213中形成的天线元215。天线元215可以通过压铸和注射技术形成。
具体地,如图12中的(b)所示,天线元215可以通过压铸技术而在金属壳体213中形成,以包括被形成为穿过金属壳体213的圆形槽1240的辐射部件。然后,添加剂材料(例如包含聚碳酸酯的聚碳酸酯膜1230)可以被涂覆在金属壳体213的上表面上。结果,被圆形槽1240分开的圆形金属板1320附着到聚碳酸酯膜1230,使得天线元215可以与金属壳体213一体地形成。因此,如图12中的(a)和图13所示,天线元215可以包括具有开放结构的辐射部件1240或1310。
在包括具有开放结构的辐射部件1240或1310的天线元215的天线装置中,如图14所示,效率可以是90%,增益可以是8.2dBi。而且,如图15所示,-10dB或更低的频率可以在约22GHz或更高的频带中具有宽带特性。
图16是示出了根据本发明的另一实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的截面图。图17是示出了根据本发明的实施例的阵列天线和功率放大器之间的组合关系的示例的图。图18是示出了根据本发明的实施例的阵列天线和功率放大器之间的组合关系的另一示例的图。
参照图16,根据本发明的实施例的电子设备可以包括阵列天线210、RF模块220和主基板240。在这种情况下,该电子设备可以是基站(节点B、演进型节点B(eNB)等)。在下文中,将不详细描述图16所示的元件中与图2所示的元件相同的元件。
阵列天线210可以在电子设备的金属壳体213中形成,并且可以包括至少两个天线元215。至少两个天线元215可以在相同的频带中工作。此外,天线元215可以包括用于将天线信号辐射到电子设备的外部的辐射部件211。由于已经参考图2至图15描述了阵列天线210,将省略对它的详细描述。
金属壳体213可以包括用于组合金属壳体213和RF模块220的至少一个金属壳体连接构件217。金属壳体连接构件217可以由能够传导热量的导热材料制成。
RF模块220可以通过上层225连接到阵列天线210。在RF模块220内部,散热通路270可以竖直地形成在RF模块基板221的上表面和下表面之间。虽然在图16中未示出馈线250,但是这将在后面参考图17和图18进行描述。
RFIC 230可以布置在RF模块基板221下方并且连接到散热部件430。RF模块220可以通过主基板连接构件260连接到主基板240,并且散热部件430可以位于主基板240下方。
尽管RFIC 230被示为直接连接到散热部件430,但这仅是示例性的。或者,如图2和图3所示,主基板240可以位于RF模块220下方,并位于RFIC 230上方。此外,散热部件430可以布置在主基板240下方,并且RFIC 230可以不直接连接到散热部件430。
同时,如图16所示,功率放大器(PA)290可以位于RF模块220的RF模块基板221的上表面上。而且,包括功率放大器290的前端模块(FEM)可以位于RF模块基板221的上表面上。然而,为了清楚起见,示出了功率放大器290位于RF模块基板221的上表面上。
在这种情况下,功率放大器290可以通过馈线连接到阵列天线210的天线元215。而且,功率放大器290可以连接到RFIC 230。
为此,如图17所示,功率放大器290和阵列天线210可以是共面的。也就是说,围绕阵列天线210的功率放大器290可以与阵列天线210布置在相同的平面上。而且,每个天线元215可以通过馈线连接到相应的功率放大器290。
或者,如图18和图16所示,功率放大器290可以位于RF模块基板221的上表面上,阵列天线210可以位于功率放大器290上。也就是说,功率放大器290和阵列天线210可以具有堆叠结构。在这种情况下,如图18所示,每个功率放大器290可以布置在最靠近相应的天线元215的位置。这种布置可以使功率放大器290和天线元215之间的馈线的长度最小化,还减小天线装置的尺寸。
图19是示出了根据本发明的又一实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的截面图。图20是示出了根据本发明的又一实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的透视图。图21是示出了根据本发明的又一实施例的天线装置和包括该天线装置的电子设备的分解图。图22是示出了根据本发明的实施例的天线元的放大图。
参见图19至图22,主基板240可以位于散热部件430上。此外,RFIC 230可以安装在主基板240的中心区域上。为了将RFIC 230与主基板240布置在相同的平面上,可以在主基板240的中心区域中形成用于RFIC的空间。主基板240可以通过连接构件260连接到RF模块基板221。
多个功率放大器290可以布置在RF模块基板221上。此外,散热通路270可以形成在RF模块基板221中,以将功率放大器290处产生的热量散到散热部件280。在这种情况下,散热通路270可以沿RF模块基板221的高度方向在与功率放大器290相对应的位置形成。
连接构件295(诸如导电带)可以布置在每个功率放大器290上,以便将功率放大器290连接到金属壳体213。
与各个功率放大器290分别对应的天线元215可以一体地形成在金属壳体213中,使得每个天线元215在最靠近相应的功率放大器290的位置形成。
参照图22,相邻天线元215之间的距离d可以是大约0.5λ到1λ。天线元215可以以短路销的形式与金属壳体213集成在一起。
因为天线元215在金属壳体213中一体地形成,所以在天线元215处产生的热量可以通过金属壳体213直接散到电子设备的外部。而且,在天线元215上发射和接收信号直接通过金属壳体213进行。因此,可以提高辐射效率。此外,通过与外部组件交错布置,插入损耗可以被改善大约2dB。
图23是示出了根据本发明的实施例的馈线连接方法的示例的图。
在图23中,第一例子和第二例子是孔径馈送的示例。在图23中的第一例子的情况下,馈线250可以布置在RF模块基板221内部,并且可以不直接连接到位于RF模块基板221的上表面上的上馈线255。在这种情况下,提供给馈线250的信号可以通过馈线250和上馈线255之间的耦合而被传送到上馈线255。然后,提供给上馈线255的信号可以通过上馈线255和天线元215之间的另一耦合而被传送到天线元215。
在图23中的第二例子的情况下,馈线250可以布置在RF模块基板221内,并通过耦合向天线元215提供信号。在这种情况下,如果上层225插在RF模块基板221和金属壳体213之间(尽管该图中未示出上层225),上层225可以在与天线元215相应的位置具有上开口226,如图2所示。
接下来,图23中的第三例子和第四例子是直接馈送的示例。在第三例子和第四例子中,布置在RF模块基板221内部的馈线250可以直接连接到位于RF模块基板221的上表面上的上馈线255。因此,提供给馈线250的信号可以直接传送到上馈线255。然后,提供给上馈线255的信号可以通过上馈线255和天线元215之间的耦合而被传送到天线元215。在这种情况下,上馈线255和天线元215之间的距离可以根据实施例而变化。例如,如图23中的第三例子和第四例子所示,上馈线255和天线元215之间的距离可以根据所提供信号的强度、工作频率等而变化。
图24是示出了根据本发明的实施例的天线元、功率放大器和RFIC之间的连接关系的图。图25和图26是示出了根据本发明的实施例的布置在电子设备中的功率放大器的位置的图。
参照图24和图25,天线元215可以与金属壳体213一体形成。RF模块基板221可以布置在金属壳体213下方,RFIC 230可以布置在RF模块基板221下方。
此外,功率放大器290可以布置在RF模块基板221下方并且与RFIC 230在相同的平面上。RFIC 230和功率放大器290可以通过第二馈线257彼此连接,并且在RFIC 230处产生的信号可以由功率放大器290放大。而且,功率放大器290和上馈线255可以通过第一馈线250以孔径馈送而彼此耦合连接。在某个实施例中,功率放大器290和上馈线255可以通过第一馈线250直接连接。
此外,散热通路270可以形成在RF模块基板221内部,以便连接功率放大器290和金属壳体213。功率放大器290处产生的热量可以通过散热通路270传递到金属壳体213,然后散到金属壳体213的外部。此外,尽管未示出,散热部件430可以位于功率放大器290下方,以便将功率放大器290处产生的热量散到电子设备的外部。
接下来,参照图24和图26,与图25不同,功率放大器290可以位于RF模块基板221上方。为了容纳功率放大器290,金属壳体213可以具有用于功率放大器290的空间。
在这种情况下,RFIC 230和功率放大器290可以通过第二馈线257彼此连接,并且在RFIC 230处产生的信号可以由功率放大器290放大。而且,功率放大器290和上馈线255可以通过第一馈线250以孔径馈送而彼此耦合连接。在某个实施例中,功率放大器290和上馈线255可以通过第一馈线250直接连接。
此外,散热通路270可以形成在RF模块基板221内部,以便连接功率放大器290和位于RF模块基板221下方的散热部件430。在功率放大器290处产生的热量可以通过散热通路270传送到散热部件430,然后散到电子设备的外部。此外,功率放大器290处产生的热量可以以热辐射或热对流的形式传递到位于功率放大器290上方的金属壳体213。然后,传递到金属壳体213的热量可以散到金属壳体213的外部。
本说明书和附图中公开的实施例仅是对特定示例的说明以便于描述和理解技术内容,而不旨在限制本发明的范围。本领域技术人员应理解,除了本文公开的实施例之外,基于本发明的技术构思的其他变型也是可能的。
虽然本公开包含许多特定实现细节,但是这些细节不应被解释为对本发明的范围或可能要求保护的范围的限制,而是作为对可能对于具体发明的具体实施例特定的特征的描述。
Claims (15)
1.一种天线装置,包括:
阵列天线,所述阵列天线形成在电子设备的金属壳体中,
其中,所述阵列天线包括至少两个天线元,以及
其中,所述至少两个天线元在相同的频带中工作。
2.根据权利要求1所述的天线装置,其中,所述至少两个天线元中的每一个包括辐射部件,所述辐射部件具有穿过所述金属壳体的槽的形状,以及
其中,所述至少两个天线元中的每一个是具有圆形、方形或三角形形状的贴片天线。
3.根据权利要求2所述的天线装置,其中,所述辐射部件由彼此面对的两个半圆形槽构成。
4.根据权利要求2所述的天线装置,其中,所述辐射部件是圆形槽,以及
其中,氧化膜或聚碳酸酯膜被形成在所述金属壳体的上表面上。
5.根据权利要求1所述的天线装置,还包括:
射频RF模块,其布置在所述金属壳体下方;以及
金属壳体连接构件,其连接所述RF模块和所述金属壳体,并消散所述天线元的热量。
6.根据权利要求5所述的天线装置,还包括:
至少一个功率放大器,其被形成在所述RF模块的上表面上并在所述阵列天线附近,或者被布置在所述RF模块的上表面与所述阵列天线的下表面之间。
7.根据权利要求5所述的天线装置,其中,所述RF模块还包括位于其内的馈线,以及
其中,所述馈线通过孔径馈送连接到所述阵列天线,并通过耦合将信号提供给所述天线元,或者所述馈线连接到位于所述RF模块的上表面上的上馈线,并通过所述上馈线将信号提供给所述天线元。
8.根据权利要求5所述的天线装置,其中,所述RF模块包括在其内形成的至少一个散热通路。
9.一种电子设备,包括:
金属壳体;以及
形成在所述金属壳体中的阵列天线,
其中,所述阵列天线包括至少两个天线元,以及
其中,所述至少两个天线元在相同的频带中工作。
10.根据权利要求9所述的电子设备,其中,所述至少两个天线元中的每一个包括辐射部件,所述辐射部件具有穿过所述金属壳体的槽的形状,以及
其中,所述至少两个天线元中的每一个是具有圆形、方形或三角形形状的贴片天线。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其中,所述辐射部件由彼此面对的两个半圆形槽构成。
12.根据权利要求10所述的电子设备,其中,所述辐射部件是圆形槽,以及
其中,氧化膜或聚碳酸酯膜被形成在所述金属壳体的上表面上。
13.根据权利要求9所述的电子设备,还包括:
射频RF模块,其布置在所述金属壳体下方;以及
金属壳体连接构件,其连接所述RF模块和所述金属壳体,并消散所述天线元的热量,
其中,所述RF模块包括在其内形成的至少一个散热通路。
14.根据权利要求13所述的电子设备,还包括:
至少一个功率放大器,其被形成在所述RF模块的上表面上并在所述阵列天线附近,或者被布置在所述RF模块的上表面与所述阵列天线的下表面之间。
15.根据权利要求13所述的电子设备,其中,所述RF模块还包括位于其内的馈线,以及
其中,所述馈线通过孔径馈送连接到所述阵列天线,并通过耦合将信号提供给所述天线元,或者所述馈线连接到位于所述RF模块的上表面上的上馈线,并通过所述上馈线将信号提供给所述天线元。
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