CN109617535A - 一种smd2016晶片的谐振器制造工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种SMD2016晶片的谐振器制造工艺，包括以下步骤：制作基座和上盖→切割晶片→前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库，该SMD2016晶片的谐振器制造工艺中，采用四点点胶工艺，提高了谐振器的稳定性和可靠性；同时结合电极面积越大阻抗越小的特性，又增加了电极尺寸设计以改善阻抗增大的问题，本发明设计合理，适合推广使用。
Description
技术领域
本发明涉及电力电子元器件领域，具体涉及一种SMD2016晶片的谐振器制造工艺。
背景技术
目前行业水平对于SMD2016封装产品多运用长度1.40mm的晶片尺寸，由于晶片越小阻抗越大的产品特性，决定了晶片尺寸设计越小工艺难度越大，因此长期以来长度尺寸1.4mm的晶片是生产SMD2016晶体谐振器的主打设计；
但该尺寸的晶片在晶体谐振器的制造工艺上一直存在隐患，主要因匹配SMD2016的产品基座腔体小、晶片尺寸偏大，在点胶工艺作业时取消了上胶点两点点胶，只能点两点下胶点，正是这项工艺的改变使目前市场上的产品推力与跌落的可靠性能不稳定，因此国内生产的SMD2016晶体谐振器市场占有量小，大部分还是依靠日本进口。
发明内容
本发明为了克服上述的不足，提供一种SMD2016晶片的谐振器制造工艺。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的：
一种SMD2016晶片的谐振器制造工艺，包括以下步骤：
制作基座和上盖→切割晶片→前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；
制作基座和上盖的步骤中，基座由基板和焊环通过银铜焊料结合而成，焊环和基板之间的空腔为内腔体；
切割晶片的步骤中，对石英水晶棒进行高精度切割，切割成晶片，晶片的长度为1.28～1.36mm，宽度为0.885～0.985mm；
镀膜的步骤中，进入镀膜机中进行镀膜，其中，电极的尺寸为0.85*0.82mm；
点胶的步骤中，在基座的内腔体底部设置两个下胶点，晶片设置在两个下胶点上，晶片的边缘与两个下胶点的中心的连接线重合，在对应下胶点的位置处，且晶片的上方设置上胶点，上胶点和下胶点的直径为0.06～0.60mm；
封焊的步骤中，上盖密封在基座上。
作为优选，前洗→排片→后洗的步骤中，通过超声波清洗机对晶片进行第一次清洗，接着通过排片机对晶片进行排片，再对排片过后的晶片进行第二次清洗。
作为优选，第一次清洗的时间为2～3h，二次清洗的时间为1～2h。
作为优选，点胶的步骤中，晶片与基座之间通过环氧树脂胶进行连接导通。
作为优选，固化的步骤中，通过固化炉加热进行固化，微调的步骤中，通过刮银或镀银的方式对晶体的频率进行调节。
作为优选，封焊的步骤中，上盖与已装晶片的基座之间通过电极热熔平行焊接密封。
作为优选，老化的步骤中，将封焊以后的晶片放入老化箱中进行老化，老化箱的容积为230L。
作为优选，回流焊的步骤中，回流焊的设备为氮气无铅回流焊机。
作为优选，制作基座和上盖的步骤中，采用陶瓷片制作基板，采用金属制作焊环，采用金属制作上盖。
本发明的有益效果是：该SMD2016晶片的谐振器制造工艺中，采用四点点胶工艺，提高了谐振器的稳定性和可靠性；同时结合电极面积越大阻抗越小的特性，又增加了电极尺寸设计以改善阻抗增大的问题。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
图1是本发明的结构示意图；
图2是长1.4mm晶片/两点点胶和长1.35mm晶片/四点点胶的推力对比图；
图3是长1.4mm晶片/两点点胶的跌落对比图；
图4是长1.35mm晶片/四点点胶的跌落对比图。
图中：1.基座，2.上盖，3.晶片，4.下胶点，5.上胶点。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
实施例1：
如图1所示，一种SMD2016晶片的谐振器制造工艺，包括以下步骤：
制作基座和上盖→切割晶片→前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；
制作基座和上盖的步骤中，基座1由基板和焊环通过银铜焊料结合而成，焊环和基板之间的空腔为内腔体；
切割晶片的步骤中，对石英水晶棒进行高精度切割，切割成晶片3，晶片3 的长度为1.28～1.36mm，宽度为0.885～0.985mm；
镀膜的步骤中，进入镀膜机中进行镀膜，其中，电极的尺寸为0.85*0.82mm；
点胶的步骤中，在基座1的内腔体底部设置两个下胶点4，晶片3设置在两个下胶点4上，晶片3的边缘与两个下胶点4的中心的连接线重合，在对应下胶点4的位置处，且晶片3的上方设置上胶点5，上胶点5和下胶点4的直径为 0.06～0.60mm；
封焊的步骤中，上盖2密封在基座1上。
该实施例中：前洗→排片→后洗的步骤中，通过超声波清洗机对晶片3进行第一次清洗，接着通过排片机对晶片3进行排片，再对排片过后的晶片3进行第二次清洗。
该实施例中：第一次清洗的时间为2～3h，二次清洗的时间为1～2h。
该实施例中：点胶的步骤中，晶片3与基座1之间通过环氧树脂胶进行连接导通。
该实施例中：固化的步骤中，通过固化炉加热进行固化，微调的步骤中，通过刮银或镀银的方式对晶体的频率进行调节。
该实施例中：封焊的步骤中，上盖2与已装晶片3的基座1之间通过电极热熔平行焊接密封。
该实施例中：老化的步骤中，将封焊以后的晶片3放入老化箱中进行老化，老化箱的容积为230L。
该实施例中：回流焊的步骤中，回流焊的设备为氮气无铅回流焊机。
该实施例中：制作基座1和上盖2的步骤中，采用陶瓷片制作基板，采用金属制作焊环，采用金属制作上盖2。
以下对SMD2016不同晶片尺寸可靠性对比：
一种是由本发明采用的1.28～1.36mm长度晶片，并且配合本发明中的工艺生产的产品，
另一种是市面上1.4mm长度晶片，在推力和跌落特性两方面进行对比：
一：推力对比
测试方法：取2016/26.000MHz/9pF/晶片尺寸1.3*0.9mm/10pcs谐振器和2016/26.000MHz/9pF/晶片尺寸1.4*1.0mm/10pcs谐振器点胶固化后产品做推力。
可靠性判定标准：≥25g。
实际测试推力值：
结论：
如图2所示，SMD2016长度1.4mm晶片采用两点点胶工艺方式推力可靠性存在边缘不良；SMD2016长度1.3mm晶片采用四点点胶工艺方式推力可靠性均合格，长度1.3mm晶片采用四点点胶工艺的推力可靠性更好。
二：跌落特性对比
测试方法：取2016/16.000MHz/9pF/晶片尺寸1.35*0.985mm/10pcs谐振器成品和取2016/26.000MHz/9pF/晶片尺寸1.4*1.0mm/10pcs谐振器均带治具跌落，高度1.5m，6面跌各3次。
可靠性判定标准：△FL<3ppm；△RR＜3Ω。
实际跌落对比值：
结论：
如图3和图4所示，SMD2016长度1.4mm晶片采用两点点胶工艺的跌落特性对比：FL变化量均＜5ppm、RR变化量均＜5Ω；SMD2016长度1.35mm晶片采用四点点胶工艺的跌落特性对比：FL变化量均＜1ppm、RR变化量均＜1Ω，长度 1.35mm晶片采用四点点胶工艺的跌落稳定性、可靠性更好。
上述依据本发明为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (9)
1.一种SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：
制作基座和上盖→切割晶片→前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；
制作基座和上盖的步骤中，基座由基板和焊环通过银铜焊料结合而成，焊环和基板之间的空腔为内腔体；
切割晶片的步骤中，对石英水晶棒进行高精度切割，切割成晶片，晶片的长度为1.28～1.36mm，宽度为0.885～0.985mm；
镀膜的步骤中，进入镀膜机中进行镀膜，其中，电极的尺寸为0.85*0.82mm；
点胶的步骤中，在基座的内腔体底部设置两个下胶点，晶片设置在两个下胶点上，晶片的边缘与两个下胶点的中心的连接线重合，在对应下胶点的位置处，且晶片的上方设置上胶点，上胶点和下胶点的直径为0.06～0.60mm；
封焊的步骤中，上盖密封在基座上。
2.根据权利要求1所述的SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：前洗→排片→后洗的步骤中，通过超声波清洗机对晶片进行第一次清洗，接着通过排片机对晶片进行排片，再对排片过后的晶片进行第二次清洗。
3.根据权利要求2所述的SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：第一次清洗的时间为2～3h，二次清洗的时间为1～2h。
4.根据权利要求1所述的SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：点胶的步骤中，晶片与基座之间通过环氧树脂胶进行连接导通。
5.根据权利要求1所述的SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：固化的步骤中，通过固化炉加热进行固化，微调的步骤中，通过刮银或镀银的方式对晶体的频率进行调节。
6.根据权利要求1所述的SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：封焊的步骤中，上盖与已装晶片的基座之间通过电极热熔平行焊接密封。
7.根据权利要求1所述的SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：老化的步骤中，将封焊以后的晶片放入老化箱中进行老化，老化箱的容积为230L。
8.根据权利要求1所述的SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：回流焊的步骤中，回流焊的设备为氮气无铅回流焊机。
9.根据权利要求1所述的SMD2016晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：制作基座和上盖的步骤中，采用陶瓷片制作基板，采用金属制作焊环，采用金属制作上盖。
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