CN109585505B - 发光器件显示基板及其制造方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光器件显示基板及其制造方法和显示装置。该发光器件显示基板包括衬底基板和多个像素结构，每个所述像素结构包括由外至内依次设置于所述衬底基板之上的多个像素材料层。本发明提供的发光器件显示基板的技术方案中，每个像素结构包括由外至内依次设置于衬底基板之上的多个像素材料层，本发明中的像素结构立于衬底基板上，减小了单个像素结构在衬底基板上的占位面积，极大地提高了单位面积中像素结构的数量，从而极大的提高了显示装置的分辨率。

Description

发光器件显示基板及其制造方法和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种发光器件显示基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)和量子发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)因具有自发光、高色域等优点，已成为显示行业的重点发展方向。

同时，用户一直以来追求清晰细腻的画面，需要不断提高分辨率(Pixels PerInch，简称PPI)来实现。通常，OLED/QLED显示装置设计为自衬底基板向上，一层层地“平铺堆积”排列，每层结构均平行于衬底基板。

根据当前产品设计，OLED/QLED显示装置分辨率较低，难以满足当前一些产品，例如增强现实(Augmented Reality，简称AR)显示装置或者虚拟现实(Virtual Reality，简称VR)显示装置的高PPI需求。

发明内容

本发明提供一种发光器件显示基板及其制造方法和显示装置，用于提高显示装置的PPI。

为实现上述目的，本发明提供了一种发光器件显示基板，包括衬底基板和多个像素结构，每个所述像素结构包括由外至内依次设置于所述衬底基板之上的多个像素材料层。

可选地，所述像素材料层为连续闭合结构。

可选地，每个所述像素材料层的沿所述衬底基板所在平面的截面的形状为环形。

可选地，多个像素材料层包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极层。

可选地，多个像素材料层还包括空穴阻挡层和电子阻挡层；

所述空穴阻挡层位于所述电子传输层和所述发光层之间；

所述电子阻挡层位于所述空穴传输层和所述发光层之间。

可选地，每个所述像素结构包括多个子像素；

多个所述子像素之间共用部分像素材料层，每个子像素均包括其余部分像素材料层。

可选地，每个所述像素结构包括多个子像素，每个子像素均包括全部像素材料层。

可选地，不同的子像素中的相同的像素材料层位于同一圆周上且相互不连接。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，包括：上述发光器件显示基板。

为实现上述目的，本发明提供了一种发光器件显示基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成多个像素结构，每个所述像素结构包括由外至内依次设置于所述衬底基板之上的多个像素材料层。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种发光器件显示基板的结构示意图；

图2为图1中像素结构的俯视图；

图3a为实施例一中像素结构的一种示意图；

图3b为实施例一中像素结构的另一种示意图；

图3c为实施例一中像素结构的另一种示意图；

图3d为实施例一中像素结构的另一种示意图；

图3e为实施例一中像素结构的另一种示意图；

图3f为实施例一中像素结构的另一种示意图；

图3g为实施例一中像素结构的另一种示意图；

图3h为实施例一中像素结构的另一种示意图；

图4为本发明实施例二提供的一种发光器件显示基板的结构示意图；

图5为本发明实施例三提供的一种发光器件显示基板的结构示意图；

图6a为本发明实施例四提供的一种发光器件显示基板的结构示意图；

图6b为图6a中发光器件显示基板的俯视图；

图7a为本发明实施例五提供的一种发光器件显示基板的结构示意图；

图7b为实施例五中像素结构的一种示意图；

图7c为实施例五中像素结构的另一种示意图；

图8为本发明实施例六提供的一种发光器件显示基板的结构示意图；

图9a为本发明实施例七提供的一种发光器件显示基板的结构示意图；

图9b为实施例七中像素结构的一种示意图；

图10为本发明实施例八提供的一种发光器件显示基板的结构示意图；

图11为本发明实施例十提供的一种发光器件显示基板的制造方法的流程图；

图12a为实施例十中形成中心轴材料层的示意图；

图12b为实施例十中形成沉积中心轴的示意图；

图12c为实施例十中形成黑矩阵材料层的示意图；

图12d为实施例十中形成黑矩阵的示意图；

图12e为实施例十中形成第二电极材料层的示意图；

图12f为实施例十中形成第二电极层的示意图；

图12g为实施例十中形成反射膜层的示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的发光器件显示基板及其制造方法和显示装置进行详细描述。

图1为本发明实施例一提供的一种发光器件显示基板的结构示意图，图2为图1中像素结构的俯视图，如图1和图2所示，该发光器件显示基板包括衬底基板10和多个像素结构20，每个像素结构20包括由外至内依次设置于衬底基板10之上的多个像素材料层。

发光器件显示基板可包括多个像素结构20。本实施例中以一个像素结构20为例进行描述。像素结构20可包括一个子像素，例如像素结构包括一个红色子像素、绿色子像素或者蓝色子像素。

多个像素材料层可包括第一电极层1、电子注入层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7。如图1和图2所示，本实施例中，第一电极层1、电子注入层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7由外至内依次设置，其中，第一电极层1为阴极、第二电极层7为阳极。多个像素材料层的设置顺序并不局限于此，在实际应用中，多个像素材料层还可按照第二电极层7、空穴注入层6、空穴传输层5、发光层4、电子传输层3、电子注入层2和第一电极层1由外至内依次设置，此种情况不再具体画出。在阴极和阳极分别施加电压，电子和空穴会向发光层4迁移，结合成激子，激发发光分子发光。

本实施例中，每个像素材料层为连续闭合结构。如图1和图2所示，位于最内层的像素材料层的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为圆形，例如，第二电极层7的形状为圆柱形，则第二电极层7的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为圆形；最内层之外的像素材料层的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形，例如，第一电极层1、电子注入层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6的沿衬底基板10所在平面的截面的形状均为圆形。如图1和图2所示，多个像素材料层自内而外层层包裹，多个像素材料层均“立于”衬底基板10上，呈立体结构，优选地，多个像素材料层呈同心圆设置。

在实际应用中，像素材料层的形状还可以为其它形状。位于最内层的像素材料层的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为椭圆形(如图3a所示)三角形(如图3b所示)、五边形(如图3c所示)、六边形(如图3d)、菱形(如图3e所示)、平行四边形(如图3f)、方形(如图3g)、圆形(如图3h)，最内层之外的像素材料层的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为椭圆形环形(如图3a所示)、三角形环形(如图3b所示)、五边形环形(如图3c所示)、六边形环形(如图3d)、菱形环形(如图3e所示)、平行四边形环形(如图3f)或者方环形(如图3g或者图3h)。或者，全部像素材料层的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形，此种情况不再具体画出。

本实施例中，阴极的材料可包括金属或者合金，例如金属可以为Al或Mg；电子注入材料的材料可包括金属，例如金属可以为Al或Mg；电子传输层5的材料可包括香豆类衍生物或者金属螯合物；空穴传输层5的材料可包括咔唑或者芳香胺；空穴注入层6的材料可包括CuPc或者TiOPC；阳极的材料可包括Cu或者ITO。

本实施例中，发光器件可包括OLED或者QLED，则发光器件显示基板可包括OLED显示基板或者QLED显示基板。二者的发光层不同。当发光器件显示基板包括OLED显示基板时，发光层4的材料可包括荧光或磷光材料，例如DCM、DPP、C54T或者TPBe；当发光器件显示基板包括QLED显示基板时，发光层4包括小于10nm的量子点，发光层4根据材料和量子尺寸不同，发光颜色不同。

进一步地，该发光器件显示基板还包括位于衬底基板10与像素结构20之间的第一导电件，第一导电件与第一电极层1连接。第一导电件用于向第一电极层1输出第一电极电压。具体地，第一电极层1通过第一导电件与第一信号线连接，第一信号线通过第一导电件向第一电极层1输出第一电极电压。需要说明的是：第一导电件在图中未具体画出。

进一步地，该发光器件显示基板还包括位于衬底基板10与像素结构20之间的第二导电件9，第二导电件9与第二电极层7连接。第二导电件9用于向第二电极层7输出第二电极电压。具体地，第二电极层7通过第二导电件9与第二信号线连接，第二信号线通过第二导电件9向第二电极层7输出第二电极电压。

本实施例中的像素结构20为“闭合环形”结构。

在本领域中，通常发光器件(例如OLED或QLED)由若干层有机膜组成，发光器件的总厚度可以为0.1um至0.15um，而一个包括发光器件的像素结构采用从下向上的堆叠方式形成，一个像素结构在衬底基板上的占位面积可以为25um×75um＝1875um²。本实施例中的像素结构采用“立于”衬底基板上的设计，一个像素结构在衬底基板上的占位面积的理论值为0.07um²，考虑到发光层、第一电极层、第二电极层等结构需加大尺寸等因素，可将一个像素结构在衬底基板上的占位面积调整为1um²，按照一个像素结构在衬底基板上的占位面积为1um²进行设计，则传统的像素结构在衬底基板上的占位面积(25um×75um)可设计本实施例的像素结构的个数为1875个，减小了单个像素结构在衬底基板上的占位面积，极大地提高了单位面积中像素结构的数量，从而极大的提高了分辨率，使得本实施例的发光器件显示基板适用于高分辨率的显示装置。

本实施例提供的发光器件显示基板的技术方案中，每个像素结构包括由外至内依次设置于衬底基板之上的多个像素材料层，本实施例中的像素结构立于衬底基板上，减小了单个像素结构在衬底基板上的占位面积，极大地提高了单位面积中像素结构的数量，从而极大的提高了显示装置的分辨率。

图4为本发明实施例二提供的一种发光器件显示基板的结构示意图，如图4所示，本实施例中的发光器件显示基板在上述实施例一的基础上还包括空穴阻挡层11，空穴阻挡层11位于电子传输层3和发光层4之间。空穴阻挡层11用于阻挡空穴以防止空穴进入电子传输层3。

进一步地，该发光器件显示基板还包括电子阻挡层12，电子阻挡层12位于空穴传输层5和发光层4之间。电子阻挡层12用于阻挡空穴以防止电子进入空穴传输层5。

图5为本发明实施例三提供的一种发光器件显示基板的结构示意图，如图5所示，本实施例中的发光器件显示基板在上述实施例一的基础上还包括反射膜层13，反射膜层13包括连接的第一子反射结构131和第二子反射结构132，第一子反射结构131位于像素结构20的靠近衬底基板10的一侧，第二子反射结构132围绕像素结构20的侧面设置，其中，侧面可以为像素结构20的与衬底基板10垂直的面。

OLED/QLED的发光原理是电子和空穴在电场作用下向发光层4迁移，并在发光层4碰撞，将能量传输给有机发光分子，有机发光分子结构中的电子从激发态跃迁回到基态，实现发光。由于光向各个方向发射，光的出射率较低，因此为了提高光出射率，本实施例设置了上述反射膜层13，反射膜层13用于对发光层4进行反射。由于发光层4发出的光为发散状的光，部分光经反射膜层13后再次射出，从而提高了发光亮度。

图6a为本发明实施例四提供的一种发光器件显示基板的结构示意图，图6b为图6a中发光器件显示基板的俯视图，如图6a和图6b所示，本实施例中的发光器件显示基板在上述实施例一的基础上还包括黑矩阵14。黑矩阵14围绕像素结构20设置。

黑矩阵14的材料可包括芳香族树脂基材料、染料、颜料或者炭黑颗粒。

如图6b所示，像素结构20呈矩阵排列。在实际应用中，像素结构20还可以采用其它排列方式，例如，像素结构20可以采用交错方式排列。

本实施例中，黑矩阵14将各个像素结构20分隔开来，从而避免了漏光和串色现象。

图7a为本发明实施例五提供的一种发光器件显示基板的结构示意图，如图7a所示，本实施例与上述实施例一的区别在于，每个像素结构20包括多个子像素，多个子像素之间共用部分像素材料层，每个子像素均包括其余部分像素材料层。

不同的子像素可发出不同颜色的光，例如，子像素包括但不限于发红光的红色子像素、发绿光的绿色子像素或者发蓝光的蓝色子像素。

本实施例中，每个像素结构20包括三个子像素，三个子像素之间共用第一电极层1、电子注入层2和电子传输层3，每个子像素均包括发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7。

其中，在一个像素结构20中，第一电极层1、电子注入层2和电子传输层3的数量为一个，第一电极层1和电子注入层2的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形，电子传输层3填充于电子注入层2和发光层4之间。

其中，在一个像素结构20中，由于每个子像素均包括发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7，因此，发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7的数量均为三个。发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7均位于电子传输层3的内部。每个子像素中，发光层4、空穴传输层5和空穴注入层6的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形，而第二电极层7的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为圆形。

在实际应用中，像素材料层的形状还可以为其它形状。例如：如图7b所示，第一电极层1和电子注入层2电子传输层3的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形；每个子像素中，发光层4、空穴传输层5和空穴注入层6的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为六边形环形，而第二电极层7的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为六边形。例如：如图7c所示，第一电极层1和电子注入层2的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形；在其中的两个子像素中，发光层4、空穴传输层5和空穴注入层6的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形，第二电极层7的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为圆形；在其余的一个子像素中，发光层4、空穴传输层5和空穴注入层6的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为三角形环形，第二电极层7的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为三角形。

本实施例的像素结构增加了电子传输层3与发光层4之间的接触面积，从而提高了电子和空穴的结合概率，进而实现了更高的发光效率。

本实施例中，多个子像素之间共用部分像素材料层，减小了子像素在衬底基板上的占位面积，从而降低了成本，且进一步提高了分辨率。

图8为本发明实施例六提供的一种发光器件显示基板的结构示意图，如图8所示，本实施例与上述实施例一的区别在于，每个像素结构20包括多个子像素结构，多个子像素结构之间共用部分像素材料层，每个子像素均包括其余部分像素材料层。

如图8所示，每个像素结构20包括六个子像素，六个子像素之间共用第一电极层1和电子注入层2，每个子像素均包括电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7。

其中，在一个像素结构20中，第一电极层1和电子注入层2的数量为一个，共用的第一电极层1和电子注入层2的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形，电子传输层3填充于电子注入层2和发光层4之间。

其中，在一个像素结构20中，由于每个子像素均包括电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7，因此，电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7的数量均为六个。电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7均位于电子注入层2的内部。每个子像素中，发光层4、空穴传输层5和空穴注入层6的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形，而第二电极层7的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为圆形。

进一步地，该像素结构20还包括阻隔层15，阻隔层15位于相邻的子像素中的电子传输层3之间。本实施例中，通过设置阻隔层15将像素结构20分割为多个子像素，阻隔层15可阻挡一个子像素的电子或者空穴进入相邻的子像素。

本实施例的像素结构增加了电子传输层3与发光层4之间的接触面积，从而提高了电子和空穴的结合概率，进而实现了更高的发光效率。

本实施例中，多个子像素之间共用部分像素材料层，减小了子像素在衬底基板上的占位面积，从而降低了成本，且进一步提高了分辨率。

图9a为本发明实施例七提供的一种发光器件显示基板的结构示意图，如图9a所示，本实施例与上述实施例一的区别在于，每个像素结构包括多个子像素，每个子像素均包括全部像素材料层。

本实施例中，每个像素结构20包括三个子像素，每个子像素均包括第一电极层1、电子注入层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7。

其中，在一个像素结构20中，第一电极层1、电子注入层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7的数量均为三个。电子传输层3、发光层4、空穴传输层5、空穴注入层6和第二电极层7均位于电子注入层2的内部。每个子像素中，发光层4、空穴传输层5和空穴注入层6的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为环形，第二电极层7的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为圆形，第一电极层1和电子注入层2的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为扇环形。

进一步地，该像素结构20还包括阻隔层15，阻隔层15位于相邻的子像素中的电子传输层3之间。在一个子像素中，电子传输层3填充于电子注入层2、发光层4和阻隔层15之间。

在实际应用中，像素结构20还可以采用其它结构。例如：如图9b所示，图9b中的像素结构20与图9a中的像素结构20的区别在于，每个像素结构20包括六个子像素。

图10为本发明实施例八提供的一种发光器件显示基板的结构示意图，如图10所示，本实施例与上述实施例一的区别在于，每个像素结构20包括多个子像素，多个子像素之间共用部分像素材料层，每个子像素均包括其余部分像素材料层。

本实施例中，每个像素结构20包括三个子像素，三个子像素之间共用第二电极层7。每个子像素均包括第一电极层1、电子注入层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5和空穴注入层6。

其中，在一个像素结构20中，第二电极层7的数量为一个，第二电极层7的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为圆形。

其中，在一个像素结构20中，三个子像素中的第一电极层1位于同一圆周上且相互不连接，三个子像素中的电子注入层2位于同一圆周上且相互不连接，三个子像素中的电子传输层3位于同一圆周上且相互不连接，三个子像素中的发光层4位于同一圆周上且相互不连接，三个子像素中的空穴传输层5位于同一圆周上且相互不连接，三个子像素中的空穴注入层6位于同一圆周上且相互不连接。每个子像素中第一电极层1、电子注入层2、电子传输层3、发光层4、空穴传输层5和空穴注入层6的沿衬底基板10所在平面的截面的形状为扇环形。

本实施例中的像素结构20为“非闭合环形”结构。

本发明实施例九提供了一种显示装置，该显示装置包括发光器件显示基板。该发光器件显示基板可采用上述实施例一至实施例八中任一实施例所述的发光器件显示基板。

本实施例中，显示装置还包括封装结构，该封装结构可以为盖板或者保护膜。封装结构与发光器件显示基板相对设置。

本发明实施例十提供了一种发光器件显示基板的制造方法，该方法包括：在衬底基板上形成多个像素结构，每个像素结构包括由外至内依次设置于衬底基板之上的多个像素材料层。

下面对本实施例提供的发光器件显示基板的制造方法进行详细描述。

图11为本发明实施例十提供的一种发光器件显示基板的制造方法的流程图，如图11所示，该方法包括：

步骤101、在衬底基板上形成沉积中心轴。

具体地，本步骤包括：

步骤1011、在衬底基板上沉积中心轴材料层。

图12a为实施例十中形成中心轴材料层的示意图，如图12a所示，在衬底基板10上沉积中心轴材料层160。本实施例中，沉积中心轴材料层160的材料包括非晶硅、氧化物、多晶硅、与第一电极层相同的材料或者与第二电极层相同的材料。优选地，沉积中心轴材料层160的材料为非晶硅。

步骤1012、对中心轴材料层进行刻蚀形成沉积中心轴。

图12b为实施例十中形成沉积中心轴的示意图，如图12b所示，通过鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，简称FinFET)工艺对中心轴材料层160进行刻蚀得到沉积中心轴16。优选地，沉积中心轴的直径大于20nm。在后续的制作流程中，多个像素材料层可依次包裹于沉积中心轴16上。

步骤102、在完成步骤101的衬底基板上形成黑矩阵。

具体地，本步骤包括：

步骤1021、在衬底基板上沉积黑矩阵材料层。

图12c为实施例十中形成黑矩阵材料层的示意图，如图12c所示，在衬底基板10上沉积黑矩阵材料层140，黑矩阵材料层140覆盖整个衬底基板10。

步骤1022、对黑矩阵材料层进行构图工艺形成黑矩阵。

图12d为实施例十中形成黑矩阵的示意图，如图12d所示，对黑矩阵材料层140进行曝光和显影，形成黑矩阵14。在曝光过程中可调整曝光参数，以使黑矩阵14的纵截面的形状为梯形，其中，纵截面为垂直于衬底基板10的朝向黑矩阵的平面的面。其中，构图工艺可包括曝光、显影和刻蚀。

步骤103、在完成步骤102的衬底基板上形成多个像素材料层。

以形成第二电极层为例进行描述。图12e为实施例十中形成第二电极材料层的示意图，图12f为实施例十中形成第二电极层的示意图。

具体地，如图12e所示，可在完成步骤102的衬底基板上形成第二电极材料层70，第二电极层70覆盖整个衬底基板10；如图12f所示，对第二电极材料层进行构图工艺形成第二电极层7。第二电极层7包裹于沉积中心轴16外部。其中，构图工艺可包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

进而，依次形成空穴注入层6、空穴传输层5、发光层4、电子传输层3、电子注入层2和第一电极层1，附图中也不再具体画出。其中，可通过蒸镀工艺形成空穴注入层6、空穴传输层5、发光层4、电子传输层3和电子注入层2；可采用与形成第二电极层7相同的工艺形成第一电极层1。

步骤104、在完成步骤103的衬底基板上形成反射膜层。

图12g为实施例十中形成反射膜层的示意图。

本步骤具体包括：在完成步骤103的衬底基板10上形成反射材料层，反射材料层覆盖整个衬底基板10；如图12g所示，对反射材料层进行构图工艺形成反射膜层，反射膜层可包括第二子反射结构132。其中，第二子反射结构132位于黑矩阵14的斜面上，则进行构图工艺时可仅保留位于黑矩阵14的斜面上的反射材料层以形成第二子反射结构132。可选地，在实际应用中，反射膜层还包括第一子反射结构131，第一子反射结构131位于像素结构20的靠近衬底基板10的一侧，此种情况下可在步骤101之前形成第一子反射结构131，具体地可采用与形成第二子反射结构132的工艺相同的工艺形成第一子反射结构131，此种情况不再具体画出。其中，构图工艺可包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

步骤105、对完成步骤104的衬底基板进行封装处理，以在衬底基板上形成封装层。

本实施例提供的发光器件显示基板的制造方法可用于制造上述实施例一至实施例十中任一所述的发光器件显示基板。

本实施例提供的发光器件显示基板的制造方法的技术方案中，每个像素结构包括由外至内依次设置于衬底基板之上的多个像素材料层，本实施例中的像素结构立于衬底基板上，减小了单个像素结构在衬底基板上的占位面积，极大地提高了单位面积中像素结构的数量，从而极大的提高了显示装置的分辨率。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种发光器件显示基板，其特征在于，包括衬底基板和多个像素结构，每个所述像素结构包括由外至内依次设置于所述衬底基板之上的多个像素材料层；

每个所述像素材料层的沿所述衬底基板所在平面的截面的形状为环形；多个像素材料层包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极层；

多个像素材料层由环外至环内层层包裹；

每个所述像素结构包括多个子像素；

多个所述子像素之间共用部分像素材料层，每个子像素均包括其余部分像素材料层。

2.根据权利要求1所述的发光器件显示基板，其特征在于，所述像素材料层为连续闭合结构。

3.根据权利要求1所述的发光器件显示基板，其特征在于，多个像素材料层还包括空穴阻挡层和电子阻挡层；

所述空穴阻挡层位于所述电子传输层和所述发光层之间；

所述电子阻挡层位于所述空穴传输层和所述发光层之间。

4.根据权利要求1所述的发光器件显示基板，其特征在于，不同的子像素的所述其余部分像素材料层中相同的像素材料层位于同一圆周上且相互不连接。

5.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至4任一所述的发光器件显示基板。

6.一种发光器件显示基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成多个像素结构，每个所述像素结构包括由外至内依次设置于所述衬底基板之上的多个像素材料层；

每个所述像素材料层的沿所述衬底基板所在平面的截面的形状为环形；多个像素材料层包括第一电极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极层；

多个像素材料层由环外至环内层层包裹；

形成多个所述像素结构包括形成多个子像素；

多个所述子像素之间共用部分像素材料层，每个子像素均包括其余部分像素材料层。

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