CN109584775B - 驱动控制电路及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种驱动控制电路及显示装置，该驱动控制电路包括：第一晶体管，第一晶体管的第一端与主回路的电源电压连接，第一晶体管的第二端与第一接地端连接；第一控制模块，第一控制模块与第一晶体管的控制端连接，用于当主回路的电源电压上电启动时，控制第一晶体管处于放大区不完全导通状态。本发明驱动控制电路及显示装置，在主回路的电源电压上电启动时，第一控制模块控制第一晶体管处于放大区不完全导通状态，以控制主回路电流，从而达到限流降压缓起的目的，保护器件及显示装置驱动IC，增加器件使用寿命。

Description

驱动控制电路及显示装置
技术领域
本发明涉及电器技术领域，尤其涉及一种驱动控制电路及显示装置。
背景技术
随着科技的进步，8K显示装置已成为各厂商研发的重点。
相关技术中，当8K显示装置主回路的电源电压上电启动时，由于负载较大且具有较强的感容性，上电瞬间电流较大，容易损害器件，降低器件使用寿命，并且容易对显示装置驱动集成电路(Integrated Circuit，简称IC)造成不可逆的损害。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明的第一个目的在于提出一种驱动控制电路，在主回路的电源电压上电启动时，第一控制模块控制第一晶体管处于放大区不完全导通状态，以控制主回路电流，从而达到限流降压缓起的目的，保护器件及显示装置驱动IC，增加器件使用寿命。
本发明的第二个目的在于提出一种显示装置。
为达上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种驱动控制电路，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与主回路的电源电压连接，所述第一晶体管的第二端与第一接地端连接；
第一控制模块，所述第一控制模块与所述第一晶体管的控制端连接，用于当所述主回路的电源电压上电启动时，控制所述第一晶体管处于放大区不完全导通状态。
根据本发明实施例提出的驱动控制电路，第一晶体管的第一端与主回路的电源电压连接，第一晶体管的第二端与第一接地端连接；第一控制模块与第一晶体管的控制端连接，当主回路的电源电压上电启动时，第一控制模块控制第一晶体管处于放大区不完全导通状态，以控制主回路电流，从而达到限流降压缓起的目的，保护器件及显示装置驱动IC，增加器件使用寿命。
根据本发明的一个实施例，所述第一控制模块具体用于：当所述主回路的电源电压上电启动时，根据所述主回路中的电流调节输出至所述第一晶体管的控制端的第一驱动电压，以控制所述第一晶体管处于放大区不完全导通状态。
根据本发明的一个实施例，所述第一控制模块包括：采样电路，所述采样电路的第一端与所述第一晶体管的第二端连接，用于采集所述主回路中的电流，并根据所述主回路中的电流生成采样电压；差分放大电路，所述差分放大电路分别与所述采样电路的第一端和所述采样电路的第二端连接，用于对所述采样电压进行差分放大处理，得到第一电压；隔离采样电路，所述隔离采样电路与所述差分放大电路连接，用于对所述第一电压进行隔离处理，得到第二电压；积分放大电路，所述积分放大电路分别与所述隔离采样电路和所述第一晶体管的控制端连接，用于计算预设的第三电压与所述第二电压的差值，得到差值电压，并对所述差值电压进行积分放大处理，得到所述第一驱动电压输出至所述第一晶体管的控制端。
根据本发明的一个实施例，所述第一控制模块还包括：第一二极管，所述积分放大电路通过所述第一二极管与所述第一晶体管的控制端连接，所述第一二极管的阳极与所述积分放大电路连接，所述第一二极管的阴极与所述第一晶体管的控制端连接。
根据本发明的一个实施例，该驱动控制电路还包括：第二控制模块，所述第二控制模块与所述第一晶体管的控制端连接，用于当所述主回路的电源电压上电启动完成后，控制所述第一晶体管处于饱和区完全导通状态。
根据本发明的一个实施例，所述第二控制模块具体用于：当所述主回路的电源电压上电启动完成后，根据输入的控制信号生成第二驱动电压输出至所述第一晶体管的控制端，所述第二驱动电压大于所述第一驱动电压，以控制所述第一晶体管处于饱和区完全导通状态。
根据本发明的一个实施例，所述第二控制模块包括：控制电路，用于根据所述控制信号生成第四电压；推挽电路，所述推挽电路分别与所述控制电路和所述第一晶体管的控制端连接，用于根据所述第四电压生成所述第二驱动电压。
根据本发明的一个实施例，所述控制电路包括：控制信号输入端，用于输入所述控制信号；光电耦合器，所述光电耦合器分别与所述控制信号输入端和所述推挽电路连接，用于在所述控制信号的控制下导通，生成所述第四电压。
根据本发明的一个实施例，所述推挽电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的控制端与所述控制电路连接，用于在所述第四电压的控制下导通，所述第二晶体管的第一端用于输入第一隔离电压，所述第二晶体管的第二端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二晶体管的第二端用于输出所述第二驱动电压；第三晶体管，所述第三晶体管的第一端与所述第二晶体管的第二端连接，所述第三晶体管的第二端与所述第一接地端连接，所述第三晶体管的控制端与所述控制电路连接，用于在所述第四电压的控制下导通。
根据本发明的一个实施例，该驱动控制电路还包括：隔离电源电路，所述隔离电源电路分别与所述主回路的电源电压、所述第一控制模块和所述第二控制模块连接，用于根据所述主回路的电源电压生成所述第一控制模块和所述第二控制模块所需的工作电压或隔离工作电压。
为达上述目的，本发明第二方面实施例提出了一种显示装置，包括：如本发明第一方面实施例所述的驱动控制电路。
附图说明
图1是根据本发明一个实施例的驱动控制电路的结构图；
图2是根据本发明一个实施例的驱动控制电路的电路图；
图3是根据本发明另一个实施例的驱动控制电路的结构图；
图4是根据本发明另一个实施例的驱动控制电路的电路图；
图5是根据本发明一个实施例的显示装置的结构图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面结合附图来描述本发明实施例的驱动控制电路及显示装置。
图1是根据本发明一个实施例的驱动控制电路的结构图，如图1所示，该驱动控制电路包括：
第一晶体管Q4，第一晶体管Q4的第一端与主回路的电源电压12VIN连接，第一晶体管Q4的第二端与第一接地端GND1连接；
第一控制模块11，第一控制模块11与第一晶体管Q4的控制端连接，用于当主回路的电源电压12VIN上电启动时，控制第一晶体管Q4处于放大区不完全导通状态。
本发明实施例中，第一晶体管Q4具体可为如图1所示的金属-氧化物-半导体晶体管(Metal Oxide Semiconductor，简称MOS管)，第一晶体管Q4的第一端具体可为MOS管的漏极，第一晶体管Q4的第二端具体可为MOS管的源极，第一晶体管Q4的控制端具体可为MOS管的栅极。第一晶体管Q4的第一端与主回路的电源电压12VIN连接，第一晶体管Q4的第二端与第一接地端GND1连接，第一控制模块11与第一晶体管Q4的控制端连接，当主回路的电源电压12VIN上电启动时，第一控制模块11控制第一晶体管Q4处于放大区不完全导通状态，以控制主回路电流，从而达到限流降压缓起的目的，保护器件及显示装置驱动IC，增加器件使用寿命。作为一种可行的实施方式，第一控制模块11可根据主回路中的电流I调节输出至第一晶体管Q4的控制端的第一驱动电压V4，以控制第一晶体管Q4处于放大区不完全导通状态。具体的，当I较小时，第一控制模块11可增大输出至第一晶体管Q4的控制端的第一驱动电压V4，控制第一晶体管Q4处于放大区不完全导通状态，增大I值，从而实现对主回流电流I的缓起控制；当I较大时，第一控制模块11可降低输出至第一晶体管Q4的控制端的第一驱动电压V4，控制第一晶体管Q4处于放大区不完全导通状态，降低I值，从而实现对主回流电流I的限流控制。
根据本发明实施例提出的驱动控制电路，第一晶体管的第一端与主回路的电源电压连接，第一晶体管的第二端与第一接地端连接；第一控制模块与第一晶体管的控制端连接，当主回路的电源电压上电启动时，第一控制模块控制第一晶体管处于放大区不完全导通状态，以控制主回路电流，从而达到限流降压缓起的目的，保护器件及显示装置驱动IC，增加器件使用寿命。
图2是根据本发明一个实施例的驱动控制电路的电路图，如图2所示，在图1所示实施例基础上，第一控制模块可包括：采样电路21、差分放大电路22、隔离采样电路23和积分放大电路24。
采样电路21，采样电路21的第一端与第一晶体管Q4的第二端连接，用于采集主回路中的电流I，并根据主回路中的电流I生成采样电压△V。
本发明实施例中，如图2所示，采样电路21具体可包括采样电阻R18和R19，当主回路的电源电压12VIN上电启动时，可通过R18和R19采集主回路的电流I，并根据采集的主回路的电流I生成采样电压△V＝I*(R18*R19)/(R18+R19)。
差分放大电路22，差分放大电路22分别与采样电路21的第一端和采样电路21的第二端连接，用于对采样电压△V进行差分放大处理，得到第一电压V1。
本发明实施例中，如图2所示，差分放大电路22具体可包括：主回路的电源电压12VIN；接地端GND；电阻R15、R16、R17、R20和R21；电容C17；差分放大器U3A。差分放大电路22分别与采样电路21的第一端和采样电路21的第二端连接，具体的，可如图2所示，差分放大电路22中U3A的3脚通过R16与采样电路21中R18和R19的第一端连接，U3A的2脚通过R20与采样电路21中R18和R19的第二端连接，采样电路21获取采样电压△V后，将△V输出至差分放大电路22中的U3A，U3A对△V进行差分放大处理，得到第一电压V1，并在U3A的1脚输出。
隔离采样电路23，隔离采样电路23与差分放大电路22连接，用于对第一电压V1进行隔离处理，得到第二电压V2。
本发明实施例中，如图2所示，隔离采样电路23具体可包括：隔离芯片L2；接地端GND，接地端GND与L2的GND1引脚连接；第一接地端GND1，第一接地端GND1与L2的GND2引脚连接；电源电压5V(即5V的非隔离电压)，电源电压5V与L2的输入引脚VDD1连接，用于为L2输入引脚VDD1提供5V电压，电源电压5V与主回路的电源电压12VIN共地，其电压参考地为GND；电源电压5V1(5V的隔离电压)，电源电压5V1与L2的输出引脚VDD2连接，用于为L2输出引脚VDD2提供5V1电压，电源电压5V1的电压参考地为GND1；电容C18、C19和C20。隔离采样电路23与差分放大电路22连接，具体的，可如图2所示，隔离采样电路23中L2的VIN引脚通过R17与差分放大电路22中U3A的1脚连接，U3A的1脚输出第一电压V1至L2的VIN引脚，L2对V1进行隔离处理，得到第二电压V2，并在VO+引脚输出。
积分放大电路24，积分放大电路24分别与隔离采样电路22和第一晶体管Q4的控制端连接，用于计算预设的第三电压V3与第二电压V2的差值，得到差值电压V3-V2，并对差值电压V3-V2进行积分放大处理，得到第一驱动电压V4输出至第一晶体管Q4的控制端。
本发明实施例中，如图2所示，积分放大电路24具体可包括：积分放大器U2A；电源电压5V1；电源电压12V1(即隔离的12V电压，其电压参考地为GND1)；第一接地端GND1；电阻R6、R7、R8、R9、R10、R11和R13，其中，R6与R11起分压作用，用于对电源电压5V1进行分压，得到预设的第三电压V3，R7、R8、R10、R13用于确定U2A的放大倍数P；电容C10、C11和C13，其中，C10起积分作用，用于使电压放大不会出现倍数突变。积分放大电路24与隔离采样电路22相连，具体的，可如图2所示，隔离采样电路22中L2的VO+引脚通过R10与U2A的2脚相连，隔离采样电路22得到第二电压V2后，输出至U2A的2脚，电源电压5V1经R6及R11分压后，生成预设的第三电压V3并输出至U2A的3脚，U2A计算预设的第三电压V3与第二电压V2的差值，得到差值电压V3-V2，并对差值电压V3-V2进行积分放大处理，得到第一驱动电压V4＝P*(V3-V2)，输出至第一晶体管Q4的控制端。
本发明实施例的驱动控制电路的限流降压缓起控制原理如下：
(1)当主回路的电源电压12VIN上电启动时，如果主回路的电流I偏大，则采样电路21生成采样电压△V偏大，差分放大电路22得到的第一电压V1偏大，隔离采样电路23得到的第二电压V2偏大，由于预设的第三电压V3为固定值，当V2偏大时，积分放大电路24得到第一驱动电压V4＝P*(V3-V2)偏小，则输出至第一晶体管Q4的控制端的电压降低，Q4处于放大区不完全导通状态，降低主回路电流I值，使得Q4可实现对主回路电流I的限流控制。
(2)当主回路的电源电压12VIN上电启动时，如果主回路的电流I偏小，则采样电路21生成采样电压△V偏小，差分放大电路22得到的第一电压V1偏小，隔离采样电路23得到的第二电压V2偏小，由于预设的第三电压V3为固定值，当V2偏小时，积分放大电路24得到第一驱动电压V4＝P*(V3-V2)偏大，则输出至第一晶体管Q4的控制端的电压增高，Q4处于放大区不完全导通状态，增大主回路电流I值，使得Q4可实现对主回路电流I的缓起控制。
进一步的，如图2所示，第一控制模块还可包括：
第一二极管D2，积分放大电路24通过第一二极管D2与第一晶体管Q4的控制端连接，第一二极管D2的阳极与积分放大电路24连接，第一二极管D2的阴极与第一晶体管Q4的控制端连接。
进一步的，该驱动控制电路还可包括：
第二控制模块，第二控制模块与第一晶体管Q4的控制端连接，用于当主回路的电源电压12VIN上电启动完成后，控制第一晶体管Q4处于饱和区完全导通状态。
本发明实施例中，当主回路的电源电压12VIN上电启动完成后，第二控制模块控制第一晶体管Q4处于饱和区完全导通状态，以降低Q4功耗，使主回路以正常电流输出。具体的，第二控制模块可根据输入的控制信号生成第二驱动电压输出至第一晶体管Q4的控制端，第二驱动电压大于第一驱动电压V4，以控制第一晶体管Q4处于饱和区完全导通状态。
进一步的，如图2所示，第二控制模块具体可包括：控制电路25和推挽电路26。
控制电路25，用于根据控制信号生成第四电压。
本发明实施例中，控制电路25具体可包括：控制信号输入端IOI，用于输入控制信号；光电耦合器E1，光电耦合器E1分别与控制信号输入端IOI和推挽电路26连接，用于在控制信号的控制下导通，生成第四电压，其中，控制信号具体可为高电平信号。进一步的，如图2所示，控制电路25还可包括：电阻R1和R2；接地端GND；电源电压5V1。
推挽电路26，推挽电路26分别与控制电路25和第一晶体管Q4的控制端连接，用于根据第四电压生成第二驱动电压。
本发明实施例中，推挽电路26具体可包括：第二晶体管Q1，第二晶体管Q1的控制端与控制电路25连接，用于在第四电压的控制下导通，第二晶体管Q1的第一端用于输入第一隔离电压12V1，第二晶体管Q1的第二端与第一晶体管Q4的控制端连接，第二晶体管Q1的第二端用于输出第二驱动电压；第三晶体管Q3，第三晶体管Q3的第一端与第二晶体管Q1的第二端连接，第三晶体管Q3的第二端与第一接地端GND1连接，第三晶体管Q3的控制端与控制电路25连接，用于在第四电压的控制下导通。其中，第二晶体管Q1和第三晶体管Q3具体可为如图2所示的三极管，Q1的控制端具体可为三极管的基极，Q1的第一端具体可为三极管的集电极，Q1的第二端具体可为三极管的发射极，Q3的控制端具体可为三极管的基极，Q3的第一端具体可为三极管的发射极，Q3的第二端具体可为三极管的集电极。进一步的，如图2所示，推挽电路26还可包括电阻R4。
本发明实施例的驱动控制电路的第二控制模块的工作原理如下：
当主回路的电源电压12VIN上电启动完成后，控制信号输入端IOI输入控制信号，光电耦合器E1接收到控制信号后，在控制信号的控制下导通，生成第四电压并将其输出至第二晶体管Q1和第三晶体管Q3的控制端，Q1、Q3在第四电压的控制下导通，第一隔离电压12V1与Q4之间的回路导通，第一隔离电压12V1输出至Q4的控制端(12V1与V4均与第一接地端GND1连接且12V1＞V4，此时D2反向截止)，控制第一晶体管Q4处于饱和区完全导通状态，降低Q4功耗，使主回路以正常电流输出。
进一步的，该驱动控制电路还可包括稳压二极管D3和电阻R12。
根据本发明实施例提出的驱动控制电路，第一晶体管的第一端与主回路的电源电压连接，第一晶体管的第二端与第一接地端连接；第一控制模块与第一晶体管的控制端连接，当主回路的电源电压上电启动时，第一控制模块控制第一晶体管处于放大区不完全导通状态，以控制主回路电流，从而达到限流降压缓起的目的，保护器件及显示装置驱动IC，增加器件使用寿命。
进一步的，如图3所示，图3是根据本发明另一个实施例的驱动控制电路的结构图，在图1所示实施例基础上，该驱动控制电路还可包括：
隔离电源电路13，隔离电源电路13分别与主回路的电源电压12VIN、第一控制模块11和第二控制模块12连接，用于根据主回路的电源电压12VIN生成第一控制模块11和第二控制模块12所需的工作电压或隔离工作电压。
本发明实施例中，隔离电源电路13可根据主回路的电源电压12VIN生成第一控制模块11和第二控制模块12所需的工作电压或隔离工作电压。
具体的，如图4所示，图4是根据本发明另一个实施例的驱动控制电路的电路图，隔离电源电路13可包括：主回路的电源电压12VIN；接地端GND；第一接地端GND1；电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C12、C14、C15和C16；第一隔离电源模块M1；第二隔离电源模块M2；电感L1；二极管D1；电阻R14；电源电压5V；电源电压5V1；电源电压12V1。主回路的电源电压12VIN经第一隔离电源模块M1隔离后转换成电源电压12V1和电源电压5V，其中，电源电压12V1可为第一控制模块11提供隔离工作电压，具体可为第一控制模块11中的积分放大电路24提供12V的隔离工作电压，电源电压12V1还可为第二控制模块12提供隔离工作电压，具体可为第二控制模块12中的推挽电路26提供隔离工作电压；电源电压5V经第二隔离电源模块M2隔离后转换成电源电压5V1，电源电压5V1可为第一控制模块11提供隔离工作电压，具体可为第一控制模块11中的隔离采样电路23提供隔离工作电压；电源电压5V1还可为第二控制模块12提供隔离工作电压，具体可为第二控制模块12中的控制电路25提供隔离工作电压。
根据本发明实施例提出的驱动控制电路，隔离电源电路可根据主回路的电源电压生成第一控制模块和第二控制模块所需的工作电压或隔离工作电压。
为了实现上述实施例，本发明实施例还提出一种显示装置30，如图5所示，包括：如上述实施例所示的驱动控制电路31。所述显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (3)

1.一种驱动控制电路，其特征在于，包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的第一端与主回路的电源电压连接，所述第一晶体管的第二端与第一接地端连接；
第一控制模块，用于当所述主回路的电源电压上电启动时，根据所述主回路中的电流调节输出至所述第一晶体管的控制端的第一驱动电压，以控制所述第一晶体管处于放大区不完全导通状态，其中，所述第一控制模块包括：
采样电路，所述采样电路的第一端与所述第一晶体管的第二端连接，所述采样电路包括并联的采样电阻R18和R19，用于采集所述主回路中的电流，并根据所述主回路中的电流生成采样电压；
差分放大电路，所述差分放大电路分别与所述采样电路的第一端和所述采样电路的第二端连接，所述差分放大电路包括电阻R15、R16、R17、R20和R21，电容C17，差分放大器U3A，差分放大器U3A的3脚通过电阻R16与采样电阻R18和R19的第一端连接，差分放大器U3A的2脚通过电阻R20与采样电阻R18和R19的第二端连接，所述差分放大电路用于对所述采样电压进行差分放大处理，得到第一电压；
隔离采样电路，所述隔离采样电路与所述差分放大电路连接，所述隔离采样电路包括隔离芯片L2、电容C18、C19和C20，所述隔离芯片L2的VIN引脚通过电阻R17与差分放大器U3A的1脚连接，所述隔离采样电路用于对所述第一电压进行隔离处理，得到第二电压；
积分放大电路，所述积分放大电路分别与所述隔离采样电路和所述第一晶体管的控制端连接，所述积分放大电路包括积分放大器U2A，电阻R6、R7、R8、R9、R10、R11和R13，电容C10、C11和C13，其中，隔离芯片L2的VO+引脚通过电阻R10与积分放大器U2A的2脚相连，所述积分放大电路用于计算预设的第三电压与所述第二电压的差值，得到差值电压，并对所述差值电压进行积分放大处理，得到所述第一驱动电压输出至所述第一晶体管的控制端；
第一二极管，所述积分放大电路通过所述第一二极管与所述第一晶体管的控制端连接，所述第一二极管的阳极与所述积分放大电路连接，所述第一二极管的阴极与所述第一晶体管的控制端连接；
第二控制模块，所述第二控制模块与所述第一晶体管的控制端连接，用于当所述主回路的电源电压上电启动完成后，根据输入的控制信号生成第二驱动电压输出至所述第一晶体管的控制端，所述第二驱动电压大于所述第一驱动电压，以控制所述第一晶体管处于饱和区完全导通状态，其中，所述第二控制模块包括：
控制电路，用于根据所述控制信号生成第四电压；
推挽电路，所述推挽电路分别与所述控制电路和所述第一晶体管的控制端连接，用于根据所述第四电压生成所述第二驱动电压；
所述控制电路包括：
控制信号输入端，用于输入所述控制信号；
光电耦合器，所述光电耦合器分别与所述控制信号输入端和所述推挽电路连接，用于在所述控制信号的控制下导通，生成所述第四电压；
所述推挽电路包括：
第二晶体管，所述第二晶体管的控制端与所述控制电路连接，用于在所述第四电压的控制下导通，所述第二晶体管的第一端用于输入第一隔离电压，所述第二晶体管的第二端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二晶体管的第二端用于输出所述第二驱动电压；
第三晶体管，所述第三晶体管的第一端与所述第二晶体管的第二端连接，所述第三晶体管的第二端与所述第一接地端连接，所述第三晶体管的控制端与所述控制电路连接，用于在所述第四电压的控制下导通。
2.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，还包括：
隔离电源电路，所述隔离电源电路分别与所述主回路的电源电压、所述第一控制模块和所述第二控制模块连接，用于根据所述主回路的电源电压生成所述第一控制模块和所述第二控制模块所需的工作电压或隔离工作电压。
3.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-2任一项所述的驱动控制电路。
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