CN109581823A - 用于最佳化微影曝光制程的系统和方法 - Google Patents

Abstract

用于最佳化微影曝光制程的系统和方法。提供一种用于校正未对准的方法。判定对于安装在基板上的装置群组的每一装置的对准。基于对于每个装置的各个对准，判定对于安装在基板上的装置群组的对准误差。基于对准误差，计算一个或多个校正因子。基于一个或多个校正因子，校正对准误差。

Description

用于最佳化微影曝光制程的系统和方法

相关申请的交叉引用

本专利申请案根据于2017年9月29日提出申请的美国临时申请号52/565,940主张优先权及权益，其通过引用将其全部并入本文。

技术领域

本发明是有关于用于最佳化微影曝光制程的系统和方法。

背景技术

本发明一般而言是有关于半导体装置，并且更具体的是有关于制造半导体装置的方法。

半导体装置是现代电子和计算装置的必须组件。半导体装置为利用半导体材料之电性的电子组件。半导体材料的导电性可由电场或磁场的引入来操纵。制造制程中的改善导致半导体装置的尺寸、速度和成本的指数级改善。然而，仍然需要更快、更可靠和更高性能的半导体装置。

在典型的半导体制造制程中，使用微影技术处理整个裸晶圆或面板，以在其上形成电路。这些具有电路的基板通常被分离为更小的部件，称为晶粒。这些晶粒形成一般电子装置的基础。然而，在半导体制造制程期间，可能在微影制程中发生未对准。这些未对准误差基本上可能是随机的，例如，环境因子(诸如温度或大气压力变化)的结果，或者可能是系统因子的结果，诸如与拾取和置放系统相关的一致定位误差。

在微影制程中的未对准误差可能导致制程产率(yield)的下降，也可能导致降低系统产量(throughput)。如果未能正确校正未对准误差，可能会导致电子装置发生故障，其中导致晶粒无法正常工作或过早故障。产率(定义为经历制程后的好品质晶粒的数目除以经历制程后的晶粒总数)直接影响制造商可期望获得的收益。较低的产率或反映较低品质的产率将减少可以为产品命令的收益量。

校正未对准误差往往会对微影制造制程的产量产生负面影响。产量与制程产生晶粒的速率有关。如果继续进行耗时的未对准校正，产量将下降。产量的降低减少了可销售产品的数量。结果，预期收益将下降。

本发明的目的是提供用于减少微影半导体处理中的对准误差的发生率和幅度的方法和机构。本发明的另一个目的是以有效的方式促进半导体微影制程中现有的未对准的校正。

发明内容

本文叙述了一种制造并且一般地改善集成电路装置的品质的方法。根据本发明的一个或更多实施例，这个方法开始于光学检查具有多个集成电路装置的基板。如果有的话，从基板的多个装置中识别出不一致的装置。根据光学检查的结果判定多个装置中的每一个相对于基板的对准。如果有的话，对准的判定省略至少一些被识别为不一致的装置。至少基于部分的检查、识别和判定步骤，产生用于曝光多个装置的配方。注意到，用语“配方”是半导体产业中的用语，其用来描述处理集成电路装置所需的指令集和相关或支持的资讯。配方包括关于一个或多个曝光投射区(exposure shot)、用于曝光所述曝光投射区的顺序以及用于在一个或多个曝光投射区中的至少两者之间移动的路径的资讯。配方系使用微影系统被实施以曝光多个装置的至少一部分。制程可使用相同或不同的微影图案被重复地执行，直到所期望的结构被令人满意地形成。

减少基板上集成电路装置之间的未对准，特别是重构的基板上，以及容许装置之间的残余未对准是本发明的主要目标。有利地，可以获得集成电路装置相对于它们的基板的对准的判定，作为缺陷检查制程中的一部分，其中评估集成电路的影像的差异和缺陷。用于对支撑基板的机械平台进行检查的成像装置的视场的仔细校准提供了对准目的所需的局部化资讯。

于一实施例中，可以根据多个装置中的每一个相对于基板的对准来判定存在于多个装置中的至少一些的位置中的系统和/或随机误差。修改用于在基板的形成期间定位多个装置的置放系统的配方。操作该置放系统，使得用于光学检查的后续基板减少了该后续基板的多个装置中的至少一些装置在对准中的系统误差。例如，系统误差可以通过将有关于系统误差的资讯反馈回用来形成基板的装置来校正。反馈环路减少在后续基板中的系统误差，并且改善制造制程中的产率和产量。

于一实施例中，基板的多个装置可以基于它们判定的对准(例如，用以建立类似对准的装置的多个群组)被分组。一个或多个曝光投射区被铺排在基板的装置的个别群组的每一个之上。于一范例中，为“投射区”的一部分的微影图案被铺排在装置的个别群组之上，使得微影图案与装置有良好的对准。微影图案可具有不同形状和阵列。平铺的特征在于基本上所有装置通过满足预定对准准则的曝光投射区进行曝光。然后在一个或多个曝光投射区之间定义一个或多个路径，从而建立用于执行装置的微影曝光的配方。

于一实施例中，基本上基板的全部装置通过曝光投射区曝光，使得个别装置和曝光投射区之间的对准满足预定的对准准则。铺排在群组之上的一个或多个曝光投射区可定址不同数目的装置和/或可具有不同形状。

于一实施例中，可以建立一组初始条件，其包括一组许可曝光投射区、基板上的装置群组及对准准则。针对初始条件中的连续扰动，迭代铺排和定义步骤。为铺排和定义步骤的每一迭代分配分数。分数可以考虑在由铺排定义的每个投射区之间移动所需的路径。对于任何给定的评估，多个路径是可能的，并且为每个铺排判定至少一路径。将基于产量、产率或一些其他组准则对铺排和路径的各种组合进行评分。基于具有最佳分数的铺排和定义步骤的迭代建立配方。于一实施例中，初始条件中的连续扰动可以是从由曝光投射区的尺寸修改、曝光投射区的深宽比的修改、曝光投射区的面积的修改、用于定义群组的可接受对准的预定范围的修改、初始选择的装置的选择、初始选择的装置群组的选择、初始选择的装置群组的尺寸的修改以及初始选择的装置群组的深宽比的修改所组成的群组中选择而被修改。

于一实施例中，可以选择一组装置和标称地将曝光所有所选装置组的曝光投射区。曝光投射区与基板的一组多个装置拟合/匹配。判定对于选择的装置组中的每一个是否满足用于曝光投射区与选择的多个装置组的对准的临限对准准则。选择的曝光投射区被建立作为配方的一部分，其中对于选择的装置组中的每一个满足用于曝光投射区与选择的多个装置组的对准的临限对准准则。选择的装置组被细分为一个或多个子集，其中临限对准准则不满足对于选择的装置组的预定数目，进行该细分使得预定的曝光投射区将标称地曝光在装置的子集中所有的装置。重复拟合、判定和细分步骤直到基本上所有基板的装置用曝光投射区铺排。

于一实施例中，产生用于曝光多个装置的配方包括选择具有最大面积的曝光投射区，曝光投射区可以应用于具有一组装置的基板区域。选择的曝光投射区与该组装置拟合。基于该组装置的对准针对选择的曝光投射区、区域和拟合的计算投影量。判定投影量是否满足对准准则。响应于判定投影量满足对准准则，建立选择的曝光投射区作为该配方的一部分。响应于判定投影量不满足对准准则，划分选择的曝光投射区，以及重复选择、拟合、计算和判定投影量是否满足对准准则的步骤直到投影量满足对准准则。

于一实施例中，对于曝光多个装置的配方使用动态编程技术产生。从多个预先存在的曝光投射区中选择预先存在的曝光投射区。多个预先存在的曝光投射区中的每一个具有预先解决的视场大小，形状和取向。将一组多个装置与选择的预先存在的曝光投射区进行比较。判定选择的预先存在的曝光投射区是否满足对于该组装置的对准准则。响应于判定选择的预先存在的曝光投射区满足该组装置的对准准则，选择的预先存在的曝光投射区被建立为配方的一部分。响应于判定选择的预先存在的曝光投射区不满足对于该组装置的对准准则，从多个预先存在的曝光投射区选择另一预先存在的曝光投射区，并且重复比较和判定选择的预先存在的曝光投射区是否满足对于该组装置的对准准则的步骤，直到该组装置满足于对准准则。

根据本发明的另一实施例中，判定多个集成电路装置相对于它们所属的基板的对准。基于该些装置的判定的对准分组该些装置，以建立多个装置群组。将微影图案的一个或多个阵列铺排于多个群组中的每一个。定义铺排的微影图案的阵列中每一个之间的路径，从而建立用于执行该些装置的微影曝光的配方。根据配方微影地曝光基板的装置，以形成在基板上的结构的至少一部分。

于一实施例中，基于对准判定多个装置中一个或多个的未对准。可校正整合装置之后续的基板的多个装置的未对准，以减少多个装置之间的未对准(例如，通过聚焦用于建立本发明基板的工具操作)。

于一实施例中，多个装置群组可被重复地铺排以产生多个不同铺排。针对每一个不同铺排定义路径。至少部分地基于覆盖多个装置所需的微影图案的阵列数目和沿着定义的路径行进所需的时间长度，产生对于每一个不同铺排和其个别路径的组合的分数。选择具有最佳分数的不同铺排。选择的铺排被用来建立配方。

于一实施例中，装置群组可被重复地铺排以产生多个不同铺排。针对每一个不同铺排定义多个路径。基于沿着定义的路径行进所需的时间长度，针对不同铺排的每一个选择路径。至少部分地基于覆盖多个装置所需的微影图案的阵列数目和沿着定义的路径行进所需的时间长度，产生对于每一个不同铺排和本身选择的路径的组合的分数。选择具有最佳分数的不同铺排和路径。选择的铺排被用来建立配方。

在本发明的另一实施例中，提供一种改善集成电路装置的品质的方法。判定多个装置相对于它们所属的基板的对准。选择的装置群组与微影图案阵列拟合。判定微影图案的阵列对于选择的装置群组是否满足预定的对准品质。在满足对准品质的情况下(例如，其中足够高的装置百分比被正确地对准的情况下)，微影图案的阵列被建立为用于曝光选择的装置群族的投射区。其中当不满足对准品质时，一个或多个更小的微影图案阵列与选择的装置群组的子集迭代地拟合，直到满足对准品质并建立用于曝光选择的装置群族的投射区为止。在每个建立的投射区之间定义路径，从而建立用于执行该些装置的微影曝光的配方。曝光基板的装置，以形成在基板上的结构的至少一部分。

如上所述，集成电路装置的对准测量可被用于判定多个装置中的一者或多者的未对准。未对准可包括在创建集成电路装置所属的基板期间出现对准误差。可以校正与装置整合之后续基板的多个装置的未对准(例如，通过聚焦用来建立当前基板的工具的操作)，以减少多个装置之间的未对准。

于一实施例中，用于微影曝光基板的配方或指令集的建立的最佳化可通过将装置与预定的投射区拟合或通过将投射区与基于对准定义的群组拟合接近。在任一情况下，最终目标都是相同的，即以有效方式在标线片(reticle)和装置之间得到良好品质的对准。在本发明的另一实施例中，判定多个装置相对于它们所属的基板的对准。这些装置接着基于判定的装置的对准分组。这建立了多个装置群组，群组的各个装置具有类似的对准。以数学意义，在多个装置群组之上铺排各种形状和尺寸的微影图案的投射区或阵列，用以定义用于以微影图案的一个或多个阵列铺排多个装置群组的投射区。在每一个铺排的图案之间定义路径。定义的投射区与路径一起建立用于执行装置的微影曝光的配方。一旦配方到手，根据配方曝光基板的装置，以形成在基板上的结构的至少一部分。判定装置的对准的一个好处是可以使用基板上的装置中的未对准来校正或减少后续正在基板上形成的装置的未对准。

于一实施例中，基于对准判定多个装置中一个或多个的未对准。可以校正与装置整合之后续基板的多个装置的未对准，以减少多个装置之间的未对准。

本发明的实施例可被用来形成半导体装置。用置放系统将第一群组或多个装置的装置安装在第一基板。判定第一群组或多个装置的每一装置的对准，以及从在第一多个装置的置放中识别的系统对准误差判定校正因子。系统对准误差是基于(至少部分的)对于第一多个装置的每一个的个别对准。来自一个或多个装置的校正因子被发送到用于校正系统对准误差的置放系统。然后使用校正因子将第二组或多个装置安装在第二基板上。理想地，第二基板的装置将具有比第一基板的装置更小的系统对准误差。

判定在第二基板上的第二群组或多个装置的装置的对准，并且基于对于第二多个装置的每一装置的个别对准将装置分组为一个或多个群组(即，具有相似对准的装置被分组在一起)。基于装置群组建立曝光系统(诸如，步进器)的视场并且判定用于曝光第二多个装置的运动路径。一般而言路径是基于一个或多个群组及视场。对路径进行评分及评估，以确保分数满足临限。如果路径不满足临限值，迭代地重复群组第二装置群组、判定视场、判定路径和判定分数，以形成连续的群组、视场和路径，直到评估分数超过临限为止。一旦满足这个准则，使用满足临限的视场和路径曝光第二多个装置。

提供了用于校正未对准的方法、电脑程序产品和通过方法制造的产品。判定对于安装在基板上的装置群组的每一装置的对准。基于对于每个装置的各个对准，判定对于安装在基板上的装置群组的对准误差。基于对准误差，计算一个或多个校正因子。发送一个或多个校正因子至用于校正对准误差的置放系统。

提供了用于判定最佳化曝光路径的方法、电脑程序产品和通过方法制造的产品。判定对于安装在基板上的多个装置的每一装置的对准。基于用于每个装置的个别对准，将多个装置分组为一个或多个群组。判定用于曝光装置的视场或投射区，其中装置在该一个或多个群组的每一个中。基于一个或多个群组及视场，判定用于曝光多个装置的步进器路径。判定所判定的步进器路径的分数，然后检查分数是否满足临限。响应于判定该分数不满足临限，迭代地重复群组多个装置、判定视场和/或判定该步进器路径，直到满足临限为止。针对这些操作的每一迭代计算分数。

提供了用于判定最佳化曝光路径的方法、电脑程序产品和通过方法制造的产品。通过置放系统将第一多个装置安装在第一基板上。判定对于该第一多个装置的每一个装置的对准。基于对于第一多个装置的个别对准，判定对于第一多个装置的对准误差。基于对准误差，计算一个或多个校正因子。发送一个或多个校正因子至用于校正对准误差的置放系统。使用校正因子通过置放系统将第二多个装置安装在第二基板上。判定对于安装在第二基板上的第二多个装置的每一个装置的对准。基于对于该第二多个装置的每一个装置的个别对准，将第二多个装置分组为一个或多个群组。判定用于曝光在一个或多个群组的每一个中的装置的视场。基于一个或多个群组及视场，判定用于曝光第二多个装置的步进器路径。计算所判定的步进器路径的分数，然后检查分数是否满足临限，并且响应于判定分数不满足临限，迭代地重复分组第二多个装置、判定视场、判定步进器路径及判定分数的步骤，直到满足临限的时间。响应于判定分数满足临限，根据判定的步进器路径曝光第二多个装置。

提供了用于进行微影曝光制程的方法、电脑程序产品和通过方法制造的产品。判定在重构的基板中的多个装置的对准。通过它们的对准将多个装置组织为一个或多个群组，每组相应于曝光系统可定址的视场。定义在使得该组中基本上所有的装置的对准与预定的未对准公差内相拟合的对准时将每一相应的视场序列和路径与其个别装置组定址。使用定义的序列和路径曝光每个装置组以修改装置。

根据本发明的一个方面，提供一种制造半导体装置的方法，包含：光学地检查具有多个装置的基板；如果所述基板的所述多个装置中存在不一致，识别所述基板的所述多个装置中哪些装置是不一致的；由该光学检查的结果判定所述多个装置中的每一个相对于所述基板的对准，该对准的判定省略所述多个装置中任何不一致中的至少一些；至少基于部分的所述检查、识别和判定步骤，产生用于曝光所述多个装置的配方，所述配方包括关于一个或多个曝光投射区的资讯、曝光所述曝光投射区的顺序以及用于在所述一个或多个曝光投射区中的至少两者之间移动的路径；以及使用微影系统实施所述配方，以曝光所述多个装置的至少一部分。

优选地，所述制造半导体装置的方法更包含：从所述多个装置的每一个相对于所述基板的所述对准，判定存在于所述多个装置中的至少一些的位置中的系统误差；修改用以在基板的形成期间定位所述多个装置的置放系统的配方；以及操作所述置放系统，使得用于光学检查的后续基板减少了所述后续基板的所述多个装置中的至少一些装置在所述对准中的系统误差。

优选地，所述制造半导体装置的方法更包含：通过对准将所述基板的所述多个装置分组；在所述基板的相应装置群组的每一个之上铺排一个或多个曝光投射区，该铺排的特征在于基本上全部的由曝光投射区曝光的装置满足预定的对准准则；以及在所述一个或多个曝光投射区之间定义一个或多个路径。

优选地，基本上基板上全部的装置通过曝光投射区曝光，使得相应装置和曝光投射区之间的对准满足预定的对准准则。

优选地，铺排在群组之上的所述一个或多个曝光投射区定址不同数目的装置。

优选地，铺排在群组之上的所述一个或多个曝光投射区具有不同形状。

优选地，所述制造半导体装置的方法更包含：建立一组初始条件，其包含一组许可曝光投射区、基板上的装置群组及对准准则；针对所述初始条件中的连续扰动，迭代所述铺排和定义步骤；为所述铺排和定义步骤的每一迭代分配分数；以及基于具有最佳分数的铺排和定义步骤的迭代建立所述配方。

优选地，在所述初始条件中的所述连续扰动是从由曝光投射区的尺寸修改、曝光投射区的深宽比的修改、曝光投射区的面积的修改、用于定义群组的可接受对准的预定范围的修改、初始选择的装置的选择、初始选择的装置群组的选择、初始选择的装置群组的尺寸的修改以及初始选择的装置群组的深宽比的修改所组成的群组中所选择的修改。

优选地，所述制造半导体装置的方法更包含：选择一组装置和标称地将曝光所有所选择的装置组的曝光投射区；拟合所述曝光投射区与所述基板的所述多个装置中的一组；判定对于所选择的装置组中的每一个是否满足用于所述曝光投射区与所选择的多个装置组的对准的临限对准准则；建立所选择的曝光投射区作为所述配方的一部分，其中对于所选择的装置组中的每一个满足用于所述曝光投射区与所选择的多个装置组的对准的所述临限对准准则；细分所选择的装置组为一个或多个子集，其中所述临限对准准则不满足对于所选择的装置组的预定数目，进行所述细分使得预定的曝光投射区将标称地曝光在所述装置的子集中所有的装置；以及重复所述拟合、判定和细分步骤直到基本上所述基板的所有装置用曝光投射区铺排为止。

根据本发明的另一个方面，提供一种改善集成电路装置的品质的方法，包含：判定多个装置相对于它们所属的基板的对准；基于所述装置的所判定的对准而将所述装置分组，以建立多个装置群组；将一个或多个微影图案阵列铺排于所述多个装置群组中的每一个；定义铺排后的微影图案阵列之间的路径，从而建立用于执行所述装置的微影曝光的配方；以及根据所述配方曝光所述基板的所述装置，以形成在所述装置上的结构的至少一部分。

优选地，所述改善集成电路装置的品质的方法更包含：基于所述对准判定所述多个装置中一个或多个的未对准；以及校正与所述装置整合的后续基板的多个装置的未对准，以减少所述多个装置之间的未对准。

优选地，所述改善集成电路装置的品质的方法更包含：重复地铺排所述多个装置群组，以产生多个不同铺排；至少部分地基于覆盖所述多个装置所需的微影图案的阵列数目，产生对于所述不同铺排的每一个的分数；选择具有最佳分数的不同铺排；以及使用所选择的铺排建立配方。

优选地，所述改善集成电路装置的品质的方法更包含：重复地铺排所述装置群组，以产生多个不同铺排；针对所述不同铺排的每一个定义路径；至少部分地基于覆盖所述多个装置所需的微影图案的阵列数目和沿着所定义的路径行进所需的时间长度，产生对于所述不同铺排的每一个和其相应路径的组合的分数；选择具有最佳分数的不同铺排和路径；以及使用所选择的铺排建立配方。

优选地，所述改善集成电路装置的品质的方法更包含：重复地铺排所述装置群组，以产生多个不同铺排；针对所述不同铺排的每一个定义多个路径；基于沿着所定义的路径行进所需的时间长度，针对所述不同铺排的每一个选择路径；至少部分地基于覆盖所述多个装置所需的微影图案的阵列数目和沿着所定义的路径行进所需的时间长度，产生对于所述不同铺排的每一个和其选择路径的组合的分数；选择具有最佳分数的不同铺排和路径；以及使用所选择的铺排建立配方。

根据本发明的另一个方面，提供一种改善集成电路装置的品质的方法，包含：判定多个装置相对于它们所属的基板的对准；将所选择的装置群组与微影图案的阵列拟合；判定所述微影图案的阵列与所选择的装置群组的对准是否满足预定的对准品质，以及其中当满足所述对准品质时，将所述微影图案的阵列建立为用于曝光所选择的装置群组的投射区，以及其中当不满足所述对准品质时，将微影图案的一个或多个更小的阵列与所选择的装置群组的子集迭代地拟合，直到满足对准品质，并且建立用于曝光所选择的装置群组的投射区为止；定义所建立的投射区的每一个之间的路径，从而建立用于执行所述装置的微影曝光的配方；以及曝光所述基板的所述装置，以形成在所述装置上的结构的至少一部分。

优选地，所述改善集成电路装置的品质的方法更包含：基于所述对准判定所述多个装置中一个或多个的未对准；以及校正与所述装置整合的后续基板的多个装置的未对准，以减少所述多个装置之间的未对准。

根据本发明的另一个方面，提供一种制造集成电路装置的方法，包含：判定多个装置相对于它们所属的基板的对准；基于所述装置的所判定的对准而将所述装置分组，以建立多个装置群组；将微影图案的一个或多个阵列铺排于所述多个装置群组中的每一个；定义所铺排的图案的每一个之间的路径，从而建立用于执行所述装置的微影曝光的配方；以及曝光所述基板的所述装置，以形成在所述装置上的结构的至少一部分。

优选地，所述制造集成电路装置的方法包含：基于所述对准判定所述多个装置中一个或多个的未对准；以及校正与所述装置整合的后续基板的所述多个装置的未对准，以减少所述多个装置之间的未对准。

根据本发明的另一个方面，提供一种通过制程制备的半导体装置，所述制程包含以下步骤：利用置放系统将第一多个装置安装在第一基板上；判定对于所述第一多个装置的每一个装置的对准；基于对于所述第一多个装置的每一个的相应对准，从所述第一多个装置的系统对准误差判定一个或多个校正因子；发送所述一个或多个校正因子至用于校正所述系统对准误差的所述置放系统；使用所述校正因子通过所述置放系统将第二多个装置安装在第二基板上；判定对于安装在所述第二基板上的所述第二多个装置的每一个装置的对准；基于对于所述第二多个装置的每一个装置的相应对准，将所述第二多个装置分组为一个或多个群组；判定用于曝光所述装置的视场，所述装置在所述一个或多个群组的每一个中；基于所述一个或多个群组及所述视场，判定用于曝光所述第二多个装置的步进器路径；判定所判定的步进器路径的分数；判定所述分数是否满足临限；响应于判定所述分数不满足所述临限，迭代地重复分组所述第二多个装置、判定所述视场、判定所述步进器路径及判定所述分数；以及响应于判定所述分数满足所述临限，根据所判定的步进器路径曝光所述第二多个装置。

优选地，产生用于曝光所述多个装置的配方包含：选择具有最大面积的曝光投射区，所述曝光投射区可以应用于具有一组所述多个装置的所述基板区域；拟合所选择的曝光投射区与该组装置；基于该组装置的对准，计算用于所选择的曝光投射区、所述区域和所述拟合的投影量；判定所述投影量是否满足对准准则；响应于判定所述投影量满足所述对准准则，建立所选择的曝光投射区作为所述配方的一部分；以及响应于判定所述投影量不满足所述对准准则：划分所选择的曝光投射区；以及重复所述选择、所述拟合、所述计算及判定所述投影量是否满足所述对准准则的步骤，直到所述投影量满足所述对准准则。

优选地，产生用于曝光所述多个装置的配方包含使用动态编程产生所述配方，通过：从多个预先存在的曝光投射区选择预先存在的曝光投射区，所述多个预先存在的曝光投射区的每一个具有预先解决的视场大小、形状和取向；将一组多个装置与所选择的预先存在的曝光投射区进行比较；基于所述比较，判定所选择的预先存在的曝光投射区是否满足该组装置的对准准则；响应于判定所选择的预先存在的曝光投射区满足该组装置的所述对准准则，建立所选择的预先存在的曝光投射区作为配方的一部分；以及响应于判定所选择的预先存在的曝光投射区不满足该组装置的所述对准准则：从所述多个预先存在的曝光投射区选择另一预先存在的曝光投射区，以及重复所述比较和判定所选择的预先存在的曝光投射区是否满足该组装置的所述对准准则的步骤，直到所述装置组满足于所述对准准则。

通过参考以下详细叙述和附图，本发明的这些和其它优点对于本领域普通技术人员将是显而易见的。

附图说明

图1a显示示例性半导体晶圆；

图1b显示示例性半导体面板；

图2a-2c显示具有不同对准程度的示例性半导体装置；

图3显示称为步进器的微影系统；

图4显示最佳化基板的微影曝光的示例性方法；

图5显示用于校正基板上装置的未对准的方法；

图6显示用于判定晶圆的最佳化曝光的方法；

图7显示部分半导体基板曝光铺排；以及

图8显示可被用来曝光基板的数个示例性投射区阵列；

图9显示在用于微影处理的基板之少铺排视场的方法；

图10显示用于产生用于微影处理的配方的方法；

图11a-11d显示将投射区对于基板的区域的应用；

图12示出用于进行本发明的云通讯配置。

具体实施方式

在许多不同类型的基板100上进行用以创建半导体或其它电子装置的微影处理。一种最常见的是诸如图1a所示的半导体晶圆W。晶圆W通常是直径不同的扁平圆盘状物体。晶圆W通常包括诸如所示之缺口的取向结构101。标记、平面和其它结构可以替代缺口。晶圆W通常由诸如硅、砷化镓等等的半导体材料形成，但在一些实例下，使用玻璃或诸如环氧树脂的复合材料。这些晶圆W常见的是直径为200mm或300mm，但是较大和较小的晶圆W是常见的。

图1b示出了使用微影制程共同定址的类型的通用面板P。与晶圆W一样，面板P可以由半导体材料或玻璃或复合材料形成。面板P通常为矩形或正方形。面板P可以是任何有用的尺寸，但通常在下表中定义的“产生”尺寸中遇到。

产生	尺寸(mm)
		Gen.1	300×400
Gen.2	360×465
		Gen.2.5	400×500
Gen.3	550×650
		Gen.3.5	620×750
Gen.4	730×920
		Gen.5	1100×1300
Gen.6	1500×1850
		Gen.7	1870×2200
Gen.7.5	1950×2200
		Gen.8	2200×2500

如本文中所使用，用语“基板”将统称为晶圆和面板。在某些分别与指明晶圆或面板的一些特定资讯有关的情况下，将使用这些特地用语。

在制造的各个阶段中，基板100可以是裸露的，不具有形成在其上的电路，或者可包括装置104，例如集成电路装置。一些基板100可具有在同一基板上整体形成的装置104。其它基板100可包括多个装置，其从分离或分开的基板100获取，然后使用粘着剂、模制或封装材料连接在一起，以形成复合或重构基板100。作为一般规则，重构基板100倾向于具有比其上本质形成的装置104的那些基板100更差的对准。

图2a-2c示出装置104中的未对准含意。在图2a中的装置104表示通常形成半导体装置封装的一部分的重新分配层(RDL)。装置104包括连接到轨线106的凸块105。在图2a中，对应的凸块105和轨线106彼此电性接触。凸块105和轨线106彼此分开形成，但是因为用于形成这些结构的微影图案在装置104上彼此适当地对准，所以凸块105和轨线106形成良好且品质可接受。

图2b示出其中装置104的凸块105由微影图案形成，该微影图案在轨线106的X和Y方向上偏移量为δX和δY的情况。注意，许多轨线106不与凸块105电性接触。图2c示出其中用于形成凸块105的微影图案相对于用于形成轨线106的微影图案旋转了角度θ的情况。同样，凸块105和轨线106之间的连接很差。出于本发明的目的，将仅关于装置104和基板100的XY平面中的平移和旋转来讨论对准。使用本发明的方法和装置也可以适应其他更高阶的像差，例如缩放、尖端、倾斜、XY平面外的未对准等，但是为了清楚起见省略了这种调节。上面所提的像差在J.D.Armitage Jr.,J.P.Kirk,“DistortionComponents,”Proc.SPIE 921,(1988)中更完整地叙述。

图3是可受益于本发明的应用的微影系统300的图。微影系统300包括基底302，基底302通常是位于隔离支撑件(未示出)上的大块成品花岗岩。基底302的大质量和隔离支撑件的设计的组合提供了微影系统300与地板振动的隔离。隔离支撑件还可防止机械力进入厂区并扰乱附近的机械。基底302和隔离支撑件可以由一般的商业部件和材料构成。

在基底302的顶部是大的网格马达平台304，诸如在美国专利号5,828,142，在此引入作为参考。大的网格马达平台304可包括约1平方毫米的软铁齿矩阵，在X和Y方向上分开约1毫米的间隙。所有齿之间的间隙都填充有非磁性材料，通常是环氧树脂。这个表面磨得非常平坦，公差为几微米，以提供空气轴承品质表面。平坦度对于控制主X、Y、θ平台306(以下称为主平台306)的尖端和倾斜也是有用的，这是平台干扰仪系统中阿贝偏移误差的可能来源。

由网格马达平台304覆盖的区域足够大以允许主平台306移动到所有需要的位置。行进区域允许移动到基板交换位置(在系统前端)和整曝光区域。文中所述的实施例的行进区域与平台306上承载的基板的尺寸相关。

平台306在其主体内具有多个压力马达(未示出)。这些马达被配置以驱动平台横过网格马达平台304。两个马达被定向成沿着X轴方向驱动主平台306。两个额外的马达以90°定向，以沿着Y轴方向驱动主平台306。可以不同地驱动一对或两对马达，以提供小的旋转运动(θ)。以这种方式，即使网格马达平台306中的齿图案可能不是直的，也可以控制主平台306以非常直线的方式移动。

在图3中，平台306被显示为具有夹具320安装其上。所示的夹具320具有适用于支撑做为面板P的基板100的形状因子。如美国专利号7,385,671中所述，夹具320可以替换不同数目或类型的夹具或顶板，适于保持不同的基板100，例如硅晶圆W。美国专利号7,385,671在此引入作为参考。

刚性桥结构308支撑主平台106之上的投影相机310。投影相机310具有安装在镜头外壳314中的约2X(即，两倍)缩小的投影镜头312。镜头外壳314安装在两个Z轴(垂直)空气轴承(未显示)上。这些空气轴承可以是商业上购买的并且较佳地是盒轴头样式，其非常硬。Z轴运动被用来在聚焦所需的小距离中上下移动镜头外壳314和投影镜头312。投影镜头312较佳地在其影像侧是远心(telecentric)的，使得焦点的微小变化不会导致影像尺寸或影像置放误差。注意，可以预期其他光学配置和放大率，并且这里描述的光学配置不应被视为限制性的。

投影镜头外壳314具有附接到其底部的单独、即时、自动聚焦感测器(未显示)。这些感测器使用简单的光学将激光二极管光源转换为在基板100处的聚焦光狭缝。来自这狭缝的一些光从基板100反射并被即时自动聚焦感测器的接收侧撷取。反射的狭缝光由接收光学成像到线性CCD阵列(未示出)上。影像处理软件被用来定位CCD阵列上的反射狭缝的影像。然后，使用反射狭缝的影像位置的任何偏移来控制投影相机310的Z轴驱动316，直到CCD阵列上的影像位置被恢复。以这种方式，投影相机310的“聚焦”保持在恒定间隙。在微影系统的建构期间，Z轴的微米运动被用来以像素单位判定CCD阵列上的影像的运动。这个校准允许将后续对焦偏移的转换实施为Z轴对焦控制系统中的像素偏移。

褶曲镜330附接到镜头外壳314的顶部。这个镜300将投影相机110的其余部分放在图中的左侧。在这实施例中，投影镜头312被设计成在其物件侧具有长的工作距离，以允许使用褶曲镜330。注意，通过省略来自投影相机310的褶曲镜，可以实现直的光路。具有不同取向的褶曲镜也可用于进一步形成投影相机310的光学路径，以满足存在的任何空间要求。

投影相机310具有本身拥有的6轴标线片夹具332，其保持包括被成像到基板100的个别装置104上的(微影)图案或遮罩的标线片334。标线片334可以被称为影像源。应理解到其它装置也可被作用为影像源，诸如动态产生遮罩的多镜光阀或LCD光阀(即，无光罩影像源)。

用于微影曝光的照明是由灯罩340提供，灯罩340包围汞灯，在一个实施例中，汞灯输出约3500瓦的功率。在灯罩340内的光被收集、聚焦和过滤，然后在光闸342附近离开灯罩340。注意到如图所示，灯罩340包括允许投影相机310的光学路径更紧密的褶曲镜331。图3中所示的投影相机310的折叠配置仅是许多可以或常用的一种组态。

当光闸342开启时，来自灯罩340的光穿过聚光镜片组件344、穿过标线片334、穿过投影镜片312，并且利用由标线片334施加的影像曝光基板100。众所皆知的，基板100涂覆有光敏抗蚀涂层。剂量感测器(未显示)可以为光闸342的一部分。其中由相机310投影的图案与装置良好地对准，其获得良好品质的产品，诸如图2a所示。

前面的叙述适用于微影系统的步进器类型组态。诸如扫描器和压印微影系统的其它组态是众所皆知的，并且可受益于本发明的应用。

图4根据一个或多个实施例显示用于在微影期间最佳化基板100的曝光的方法400。方法400也可应用于校正和/或解决半导体制造制程期间晶圆上的未对准。

在步骤402，形成基板100(晶圆W或面板P)。基板100可包括装置104或其它电路或通常使用微影制程形成的其它电路或结构。基板100可以原位与装置104一起形成或可以是重构的基板100，其中使用拾取和置放或类似系统将多个装置104单独地置放在阵列中，然后被模制或封装以形成重构的基板100。

在步骤404，判定基板100上的装置104的对准。可以使用检查系统来判定对准。可以使用任何合适的检查系统。一种合适的检查系统的范例为MA，Wilmington之Rudolph科技公司的半导体检查系统。检查系统有助于基板100上的每个装置或装置群组的未对准的识别及正确对准的计算。

注意，方法500可选择性地在连接器500处调用。下面将更详细地叙述方法500。在步骤405，使用基板100的装置104的对准误差(和其他缺陷)来判定可以应用于置放系统的校正因子，以修复从置放系统衍生的后续未对准。从实际的观点来看，校正因子用于产生偏移，该偏移修改置放系统的操作，特别是置放系统的拾取和置放头的运动。偏移减少了基板100的形成中的系统误差。例如，系统对准误差可以是重构基板100中每个装置104的置放中的一致偏差。校正因子可包括从置放系统的拾取和置放头的运动中增加或减去的特定距离或角度。例如，可以指示拾取和置放头移动到标称X、Y位置，由于在对准步骤404期间检查到的误差，该位置实际上是不正确的。由作为步骤500的输出的校正因子产生的偏移修改了拾取和置放头要移动到的标称X、Y位置。校正因子也可以是应用于由置放系统定址的基板100的对准的一组距离或角度，即，置放系统内的基板的全局对准是有误的，该对准可以通过应用校正因子来校正基板的X、Y、θ对准，从而减少或消除系统误差。这些校正因子可以固定为系统误差随时间变化一致，或者可以是基于一个或多个环境特征(诸如，温度或压力)的暂态。也可以以这种方式校正额外或累积的误差。可以基于在步骤500处识别的对准来识别对准误差。

相对于基板100识别对准误差，其中装置104是其他装置104的一部分和/或相对于其他装置104，即在一些实例下，装置104的对准是相对于基板100判定的，并且在其他情况下，获得选择的装置104之间的对准。撷取对准数据并将其记录在与每个基板100和/或装置104相关联的数据档案中，以供将来使用和参考。此种数据档案的范例为逗号分隔值(commaseparated value；CSV)或可延伸标示语言(extensible markup language；XML)文件。也可以使用其他档案类型。基于所识别的对准误差，计算校正因子并将其反馈到用于执行步骤402的机构和制程。例如，通过拾取和置放系统对重构基板100施加的系统对准误差可以通过修改拾取和置放系统的操作来校正，以减少后续基板100中的对准误差。下面将参考图5更详细地讨论步骤405。

在步骤406，判定包括基板100的曝光路径的最佳配方。每一装置104的对准(在步骤404判定)被用来找出将使值最大化的最佳曝光配方。于一实施例中，最佳化的输入包括判定的对准以及通量和产率，但最终最佳化制程的目标是使值最大化。如本领域技术人员所知，对准可以与产率直接相关。在半导体装置的层彼此良好对准的情况下，装置按设计运行的可能性很高。这种相关性有时被用作指明对准公差的简写，也就是说，通过为微影制程指明高产率输出，需要非常高的对准准确度。由于遮罩/标线片与装置104的对准具有与其相关的时间成本，因此更严格的对准要求将减慢基板100的处理。在光谱的一端，完美的产率会降低产量，因为过多的对准或低效的路径会占用制程时间。在光谱的另一端，当使用太少或太粗的比对时，产率受到影响。

本发明的一个益处是在步骤404获得的相同对准资讯可用于产生用于微影曝光的对准和用于产生校正因子，该校正因子可用于消除在基板100中装置的置放中的系统误差。这消除了对多个检查和对准制程的需要并节省了时间，从而增加了制造制程的产率。

最佳曝光配方将通过对准群组装置，并将这些群组分成多个块，这些块可通过现有的可用投射区大小和形状很容易地解决。可用的投射区尺寸和形状由在标线片夹具332中的标线片334上找到的遮罩或图案来定义、通过在可以用夹具332中的替代标线片的额外的标线片334上的遮罩或图案来定义以及通过可修改在操作中的标线片上的图案的遮蔽装置的使用来定义。选择投射区的数目和顺序以及投射区之间的行进路径以最小化产量的减少。于某些情况下，最好使用已知的蜿蜒曲折(boustrophedon)路径并改变投射区尺寸和形状。在其它情况下，使用复杂路径可能会更好，其中多个相同尺寸和形状的多个投射区在转换至另一尺寸和形状投射区之前曝光。随着时间的过去，在步骤404识别并反馈到步骤402的对准误差将减少未对准，这将降低对准/曝光制程的复杂性，从而有助于在步骤406的最佳路径的判定并增加值。

下面将参考图6更详细地讨论步骤406。

在步骤408，基于判定的最佳化曝光配方，使用诸如步进器系统300的合适微影系统来曝光基板100。基板100的处理继续在步骤410，直到完成所有的基板为止。

图5根据一个或多个实施例显示用于校正诸如重构的晶圆或面板的基板100上的装置未对准的方法500。方法500可以如图4的步骤405那样实施。

在步骤502，基于每一装置的对准判定对于基板100上的装置104的各个对准误差。每一装置的对准可使用在图4的步骤404处的检查系统。于一实施例中，将每一装置的测量的对准与装置的目标对准进行比较，以及接着基于比较为每个装置计算个别的对准误差或偏移。

通常通过撷取在基板上形成的足够宽间隔的基准标记的影像，判定整个基板100在全局水平上的对准。如上所述，这可以使用诸如半导体检查系统的光学检查系统来完成。基准标记的位置在基板100临时固定到的夹具或平台的坐标系统中指明。将基准的XY位置与这些标记之标称或指明的位置进行比较，以产生校正因子，诸如用于对准基板100的简单XY偏移。角度校正因子(例如，θ偏移)可以通过比较基准点之间绘制的线与标称指明的对准轴的角度来判定。这些校正因子类似于并在一些实例中可以与结合图4和5叙述的那些相同。一旦应用校正因子以使基板100的坐标系统与微影系统的坐标系统对准，可以移动和/或旋转支撑基板100的平台或夹具，以实现有关于选择的坐标系统的适当对准。

如本文中所使用的，用语“对准”叙述装置104或基板100的制程和关于装置104或基板100的物理取向的数据两者。并且因为必须相对于某物测量物理取向，所以对准还表明存在参考或坐标系统，其中装置104或基板100可以在其中定位。这些参考架构或坐标系统可单独地或一起使用一个或多个装置104，以建立坐标系统。类似地，基板100本身可以定义参考架构。还应理解，与基板100相互作用的各种工具或系统(诸如，置放系统、检查系统或微影系统)也可以定义坐标系统。上文提到的数据档案(例如，CSV、XML......)撷取关于基板100及其装置104的位置的资讯。然后，这个数据可用于建立一个或多个变换，即基板100和/或其装置104之取向与将作用在基板100上的系统和/或其组件的取向之间的数学关系。这样的一个例子是使用检查系统来判定存在于基板100上的装置104相对于由基板100上存在的基准所定义的坐标系统的对准。然后，涉及微影系统的后续制程步骤将仅需要微影系统判定基板100相对于微影系统的坐标系统的对准。然后，记录的对准数据将有助于直接了解(通过变换的手段)装置104相对于微影系统的对准。诸如那些所叙述的变换可通过诸如那些下文所述的对准机构的手段而被原位判定。这些变换也可以通过对应机构/系统的校准手段先前判定，即，装置104相对于微影系统的位置及其组件(诸如，标线片)可以在实际将基板100置放在微影系统中之前判定。

如上所述通过撷取各个装置104的影像来光学地进行各个装置104的对准，识别基准(其通常是装置104上的已知位置中的简单不同的特征)，并且相对于基板100本身的坐标系统识别它们的XY位置和θ取向。如上所述，可以使用影像来进行基板100和包含在其中的装置104的对准，但是也可以使用诸如激光三角测量、共焦感测、干涉测量等的非成像技术来进行。在这种非成像技术中，非成像感测器将能够定位装置的一些方面，诸如上述基准和/或特征。如将理解的，此对准步骤产生每个装置104相对于它们所属的基板100的对准资讯或变换。此数据被保存在数据库中或保留的档案中，并且无论何时以某种方式对基板100进行操作都可以查询该数据。结果是，利用这种保存的对准数据，通过将基板100简单地对准检查或处理系统(诸如，微影步进器300)的坐标系统，可以立即存取对准数据，该对准数据允许立即将系统300对准到装置104而不在微影步进器300上再次测量它们的对准。

留存前面所述的对准数据的数据库或数据档案通常以易于携带和可修改的方式维持，例如XML格式。这些数据档案还能够维持装置104结构的多个层的对准数据。此多层数据可用于帮助用以处理基板100的最佳配方或方案的判定。例如，虽然装置104相对于其基板的下层对准可能不随时间改变，但是制程步骤可能以未对准的方式形成装置104的层。只要未对准本身不会使装置104不可操作，就可以执行后续处理(更多层)。但是因为在装置104的最上层存在未对准，所以与装置的正确对准不一定与先前层正确对准的情况相同。将需要后续的制程步骤来适应前一层的未对准。可以理解，或其他检查或对准系统的使用使得通过层识别和记录未对准相对容易。

上述数据档案的一个用途是识别在基板100中的装置104的定位中的系统误差。虽然这种类型的误差最常见于更多变化的重构基板中，但是从头开始形成的晶片和面板也可能具有各种类型的系统误差。系统对准误差是在每个基板或装置中一致且可预测地存在的对准误差。此种系统对准误差可能是置放系统(例如，拾取和置放系统)或形成重构基板的模制制程的结果。对准误差是基于对于每个装置相对于基板和/或其它装置的个别对准误差来判定。于一实施例中，基板100上的装置104的平均对准被用作从其中测量对准误差的基线对准。于另一实施例中，对准误差是从标称对准测量，标称对准是基于由基板100本身定义的坐标系统。在两种情况下，判定并保持装置104相对于基板100的绝对位置和基板100的任何基准或其他对准标记。

在步骤504，基于判定的对准误差计算校正因子。如上所示，出于本发明的目的，对准误差是测量X、Y和θ偏移。在多个基板100之间识别和测量的系统和随机误差。虽然应该理解，对准差异或“误差”可表征在单个基板之内，但是制造装置104的制程会受到延伸横过多个基板100的误差的影响。识别和量化装置104的对准中的误差可以与在个别装置104和它们的理想对应物之间执行简单的数学比较一样简单。可以使用更多涉及的制程来量化此种对准误差并且判定此种误差是系统的还是随机的。注意用语“对准误差”和“校正因子”是相关的，因为两个资讯组在识别装置104和基板100的位置偏差并且确保处理系统300可以容易地与可变对准的装置104对准方面是有用的。校正因子可以具有作为对准资讯的额外含义，该对准资讯用于校正诸如引入系统对准误差的拾取和置放系统的机构的操作。

在步骤506，将校正因子发送(或反馈)到置放系统，以校正系统对准误差。因此，置放系统可以基于校正因子将另一装置组104安装在后续基板100上，以这种方式在另一组装置中校正或最小化对准误差。将校正因子向后馈送到置放的目的是抑制装置104的对准中的误差，使得本文叙述的制程的后续迭代更有效并因此产生更多值。

在讨论可以最佳化微影等制程的方法之前，重要的是要更详细地讨论最佳化所需的准则类型或品质因数(figures of merit)。用于判定合适路径和曝光配方的评分可以采用任何有用的形式。于一实施例中，基于制程准则和数据计算品质因数。品质因数可能是一种成本，在这种情况下，它应该被最小化。在其他情况下，品质因数可能是一种利润，在这种情况下，它应该被最大化。也可以考虑其中落在前述情况之间的最佳化的其他场景。在一些情况下，可以使用试探来代替更机械的品质因数方案来建立期望的路径和曝光配方。

可以应用一个或多个准则来测量对准的成功或品质，并且总体上，微影制程。此外，对准和微影品质的一些评估可以是随时间迁移的，即，可以在微影完成之后进行评估，作为微影制程完成的“回顾”，作为对系统的输入的函数，诸如对准品质、产量以及所得功能半导体装置的光学和电性测试结果。诸如对准的准则可以在一对一的基础上评估，其中图案将由标线片投影，或者在多对多的基础上评估，其中在一组装置和使用以曝光装置的相应的标线片图案之间判定对准。用于建立微影制程是否可接受的限制、范围或临限可以在基于期望结果进行制程之前建立。或者，可以基于已经分析的过去数据来建立这些限制、范围或临限以识别合适的值。举例来说，在一些实施例中，可接受的对准准则可以被建立为在一致性的0％和5％之间变化。取决于应用，该范围可以高或低，并且如本领域技术人员将理解的，通过修改该范围，可以改变微影制程的产率和产量。

判定用于处理基板100的最佳配方是非普通的问题。在非常高阶上，制程涉及以满足建立的对准和产量准则的方式识别合适的投射区或视场配置以覆盖基板100上的装置104。图6示出了用以识别用于基板100的微影曝光的合适配方的一种高阶方案600。

先前已在步骤404判定的装置104的对准，基板100上的装置104按其个别对准分组，如步骤602所示。接着，在步骤604，每个装置组104具有数个映射或铺排的投射区。全部或基本上全部的装置104都被覆盖。判定路径以确保每个群组的每个投射区被呈现给投影相机310以进行曝光，如步骤606。因为期望确保该制程以有效的方式进行，所以判定映射和路径查找步骤的分数，如步骤608。然后在步骤610评估这些分数以判定它们是否满足预定临限值。当不满足临限值或者希望最小化或最大化分数时，可以重复步骤602-608。有利地，制程可以离线执行而不占用微影系统300。

再次回到步骤602，将镜头配置到装置104的制程涉及将装置分组为一个或多个类似对准的群组中。于一实施例中，这是使用色斑分析或群集技术完成的，其中评估靠近初始选择的装置104的装置104以判定这些相邻装置的对准是否在可接受的对准的预定范围内。在所有的相邻装置104被分类为包括最初选择的装置104的群组的一部分之后，选择后续、未分组的装置104并且再次采用分析来识别相邻装置104是否是包括后续选择的装置104的群组的一部分。(逐一地)继续该制程，直到基板100的所有装置104被识别为群组的一部分，即使所讨论的群组仅包括单个装置104。

于一实施例中，分组是基于装置的对准偏离由用于微影曝光基板100的装置104的标线片334建立的网格来判定。如上所述，通过使每个装置104相对于基板100的对准数据储存在数据档案中来促进该制程。从最初选择的装置开始，标线片334的坐标系统与最初选择的装置对准。这种对准以及标线片上的图案的间隔和取向建立相邻装置应该位于的标称位置。然后将与初始选择的装置相邻的装置104的实际对准与标称位置进行比较，以判定它们是否在对准公差内。在相邻装置104确实在对准公差内时，相邻装置被认为是包括初始选择的装置104的群组的一部分。以这种方式评估与初始选择的装置相邻的所有装置104。此后，评估与新建立的群组相邻的装置以判定它们是否在对准公差内。继续此制程直到没有相邻装置在对准公差内。此后，选择新建立的群组之外的装置104，并继续分组制程。如人们所想象的，继续该制程直到基板100的所有装置104都是群组的一部分。或者，当群组超过预定尺寸时可以终止分组制程，通常是可以由微影系统曝光的最大投射区的尺寸。

分组装置104的准则可以变化。于另一实施例中，选择小的装置104组，并且将标线片的图案阵列与其匹配以建立网格。尽管在该实施例中最初选择装置104的数目是任意的，但是至少需要两个装置。期望确保初始选择的装置104可以使用标线片与装置104的共同对准而成功地曝光在一起，然而应当理解到，在一些情况下，并非所有装置104都可以成功对准。话虽如此，当初始选择的装置104不能对准在一起时，通常较佳地的是选择另一装置组来定义群组。如上，将评估与初始选择的装置104组相邻的装置104，以判定它们的对准是否将落在相对于由标线片建立的网格的对准公差内。相邻装置被添加到新建立的群组中，直到找不到满足对准公差的装置。此后，选择后续的装置104组以定义后续群组。选择一组装置来定义群组的一个好处是可以避免在一些装置104中基于高可变的对准来定义群组的问题。使用多个装置104来建立群组平顺对准的高可变性。

图7中示出了具有不同对准的装置104的重构晶圆W的简化表示。装置104的不同对准是由装置104群组的变化填充图案表示。注意图7中所示的群组仅为示例性，并且可以更复杂，如在具有较小装置104的不良对准的重构基板S的情况下或者在基板100与装置104从头开始形成的情况下复杂得多。

一旦识别出基板100上的所有群组，就转到步骤604，其中将曝光视场(以下称为“投射区”)映射到在步骤602识别的个别装置104群组上。图8示出了在曝光期间可以投影到基板100上的装置104上之可能的投射区80数目。每个投射区80包括要投影到装置104上的一个或多个图案。每个投射区80的图案形成阵列，其对准标称装置104对准。当装置104的对准非常好时，诸如阵列81的大投射区阵列同时曝光大量装置。较小的投射区80更好地匹配较小的装置104群组的对准。例如，阵列87包括用于曝光单个装置104的单个图案。

投射区80较佳地是规则的、直线的图案阵列。阵列81-90中的每一个可以完全形成在标线片上并且在与装置104对准之后按原样曝光。还可以通过使用遮蔽装置、刀片、空间光调制器等(未示出)减小较大阵列的尺寸来形成投射区阵列。例如，阵列82和83可以通过分别遮蔽阵列81的1/2和3/4来形成。诸如阵列88、89和90的更复杂形状可以形成为与包括阵列81的标线片相同或不同的标线片。在标线片上有效的阵列配置对于本领域技术人员来说是已知的。微影系统300包括用于对准、处里、改变和/或遮蔽一个或多个标线片的标线片夹具332。可以使用多个标线片来建立更多数目的投射区80。

用于将投射区80映射到基板100的装置上的制程的一个实施例可以被建模为铺排或2D封包问题。一种用于执行步骤604的合适方法的更详细范例在图9中以编号900标示。对于本发明的目的，应理解到“铺排”可以是名词和动词两者。在其动作意义上，平铺是指将投影相机310投影到各个装置104上的影像阵列(投射区80)拟合的制程，使得所有或基本上所有装置104同时或逐一地连接。这种铺排制程很简单，其中基板100上的所有装置104共享单个对准。但是在装置104的对准不同时，需要将投影从投影相机310铺排到具有匹配或至少足够相似的对准的装置104或装置104群组上。在其专有名词意义上，用语“铺排”是指在基板100的装置104上不同尺寸和/或对准的凸起或投射区的配置。

铺排可以由使用者手动形成，该使用者选择与所选择的装置104组或装置104群组有良好对准的投射区。然而，该手动制程很慢并且使用者不可能在任何合理的时间量内进行铺排的最佳化。在更多自动化系统无法达到解决方案或实际考虑因素表明应修改自动产生的平铺时，(完整或部分)手动铺排是非常有用。

通过识别要在步骤902平铺的第一装置群组，将投射区80铺排在步骤902处识别的群组上。在步骤904，从所有可用投射区的组(例如，投射区81-90)中选择第一投射区80。在步骤902和904选择的群组和投射区可以被认为是该制程的初始条件。通过改变或扰动这些初始条件，可以修改铺排制程本身的结果。扰动初始条件可以涉及任意选择要应用于任意选择的装置104群组的投影区80。而且，还可以如上所述修改在步骤602识别的分组。虽然可以任意选择第一投射区80，但是较佳的是按预定顺序对可用的投影区80进行分类。这可以基于任何期望的特性，但是按尺寸的降序排序是有用的。由于曝光操作的效率与投射区80的大小成正比，因此期望确保使用更大和更少的投射区80来铺排在步骤602识别的群组。因此，较佳地从所有可用投射区组中的最大投射区80开始。

通过尝试将所选择的投射区80拟合所选择的群组，在步骤906继续铺排制程。在步骤908判定投射区80是否拟合装置群组。这可以通过多种方式完成，包括将投射区80和群组中的装置104建模为四角系统(polyominoes)。可以旋转和/或平移四角建模的投射区80，直到识别出拟合于其余装置104的投射区80的取向和尺寸。只要投射区80将拟合装置群组，拟合或拟合制程就会继续。当投射区80不拟合装置104群组，步骤910判定装置群组是否已经完全覆盖。在投射区80没有完全覆盖群组时，制程返回到步骤904。在这种情况下，选择不同的投射区80，并且拟合制程进行到步骤906。注意，在已经按照尺寸对可用投影区80组进行分类的情况下，下一个投影区80将是下一个最小投射区80，但是如上所述，总是可以从可用的投射区80组中选择任意一个投射区。继续此制程，直到在所选群组中的所有或基本上所有的装置由投射区80覆盖。步骤910考虑该群组是否已被覆盖，并且在这种情况下，该制程移动到步骤912，其考虑是否已覆盖在步骤902识别的所有群组。在群族仍未覆盖时，步骤914将该制程移动到下一个装置群组上。在所有的群组已经覆盖时，在步骤916，制程900移动到后续基板(如果有的话)。更形式化铺排演算法也可用于产生装置104群组的铺排。

可以针对基板100上的装置群组上的投射区80的铺排来计算分数。这个分数可被用来判定是否达到对于铺排的临限值并且可通过比较制程900的结果的连续迭代来用于最佳化。可以使用的分数是仅计数用于覆盖基板100的装置的投射区80的数目。如将理解的，较大的投射区80往往更有效，因此在铺排中更少的投射区80将被认为是更有效的铺排。另一个分数可能涉及考虑与用于覆盖基板100的装置的每个投射区80相关的成本。例如，可以为每个投射区阵列大小分配权重，使得更低效的铺排将比更有效的铺排得分更高。于此范例中，与大小成反比的乘数可以应用于每个投射区阵列大小的计数。因此，较小的投射区阵列尺寸比较大的投射区阵列尺寸更快地增加分数。其他成本可以以类似的方式应用。例如，使用具有规则矩形形状的投射区80可以说更简单。更复杂的投射区阵列形状(诸如图8中的投射区88、89和90)可能需要复杂的遮蔽操作或者甚至需要更换的额外的标线片。在这种情况下，虽然在某些情况下使用这种复杂形状可以确保更精确地对准投射区，但是由于使用这些投射区阵列形状所需的额外时间，这些更复杂形状的使用可能是不受欢迎的。分数可能是：分数＝Σ(成本×每个投射区阵列大小的计数)。可以将分数与临限值进行比较，其中具有低于预定的设定临限值的分数的任何平铺是立即可接受的。或者，可以记录该分数并将其用于最佳化目的。

于一实施例中，建立等于曝光整个基板100所需的投射区80总数的分数。此后，从不同的初始选择的装置104组开始重新进行上述分组制程。投射区80拟合随后的群组并记录新的分数。这个制程继续预定的迭代数目或直到达到某个临限分数。在这实施例中，最低分数(最少投射区)识别最佳化解决方案。于另一实施例中，产生基于投射区的总数和每个投射区的复杂度的分数。这种类型的分数可以涉及对绑定每个投射区80所需的线段的总数进行求和。有鉴于具有正方形和矩形形状的规则阵列是更容易曝光的，更少的边界线段可指示更简单和更有效的解决方案。在又一个实施例中，每个投射区80的铺排分数可以由投射区数目、每个投射区中的装置数目以及限制每个投射区所需的线段数目的组合形成。这里的想法是，具有更简单、更规则形状的更少和更多的投射区优于更多的投射区、每次曝光更少的装置和更复杂的遮蔽需求。

于一实施例中，将铺排投射区80最佳化到基板100的装置104上可以表征为分支和边界最佳化问题。在这种制程900进行多次的情况下，在每种情况下起始条件的一些变化或如何选择投射区可被用于产生给定基板100的替代铺排解决方案。每一个替代铺排解决方案被评分和比较。可以针对任何给定的装置群组或针对任何期望的投射区阵列大小或配置进行这种类型的最佳化。继续进行最佳化，直到达到时间或迭代次数的任意限制，然后选择最佳解决方案。或者，继续最佳化，直到满足某些预定临限。这样的临限可以基于客观判定的分数，或者可以试探地基于系统300的使用者的体验。另一个最佳化限制可以是最小值(局部或全局)的识别。

制程600中的下一步骤是使用在步骤604判定的铺排来判定用于曝光基板100上的装置104的路径。路径寻找步骤606可以被表征为旅行推销员类型问题，但是优选地将使用一些简化来减少可以涉及识别最佳路径的计算负担。判定基板曝光路径的一种方法是使用贪食试探(greedy heuristic)。贪食试探涉及始终选择具有最低成本的片段作为下一个路径片段。与将投射区80铺排到基板100上的最佳化一样，成本可以包括客观距离测量以及与通过修改对准、改变标线片或遮蔽标线片上的投射区阵列所引起的负担相关的时间因子。此制程一直继续到产生所有投射区80将被访问和被曝光的配方。

可以使用分支定界方案再次进行用于曝光的路径的最佳化。注意，也可以使用其他最佳化技术。在实施分支定界方案时，贪食试探将被中断，从而导致在沿着发展路径的某个点处做出不太理想的选择。在扰动贪食试探中，可以识别不同的局部最小/最大路径。这可以通过简单地从许多不同的初始投射区80开始来实施。或者，在使用贪食试探开发路径期间的任何时刻，可以选择更昂贵的路径段，在扰动之后再次使用贪食试探。在每种情况下，如上所述判定用于比较和最佳化目的的分数。关于路径，要最小化的关键特性是时间。在这种情况下，分数可以采取从一投射区80到另一投射区80的旅行时间的概要形式，以及可能引起的额外时间的计算，诸如遮蔽或改变标线片或修改投射区80的对准以匹配装置104所需的时间。比较使用分支定界类型最佳化方案产生的路径的分数，并选择最佳化值。如上所讨论，可以选择满足预定时间临限值的第一路径、在设定时间或计算限制内获得的最佳得分路径或局部或全局最小值或最大值作为最佳路径。

进一步举例而言，建立用于曝光半导体基板100的配方是迭代制程。识别类似的对准装置104之群组的铺排制程可以进行很多次，每次迭代导致不同的装置104群组。可以针对每个不同的群组执行铺排，使得每个类似对准的装置群组具有与其配合的投射区80。同样，可以为每个相应的群组产生多个铺排。此外，可以为多个铺排中的每一个产生多个路径。为了识别最佳化的配方，对于铺排和路径产生分数。这些分数也可被产生为铺排和路径的个别分数的复合。可以理解，制程在计算能力方面可能是昂贵的。结果，通常希望在数值上(例如，不超过约500次迭代)或按时间顺序(例如，不超过约5分钟的计算)任意地限制迭代次数。还可以设定分数的临限值，一旦满足预期的配方，将终止建立制程。

以上识别的步骤604和606可以各自单独最佳化。也可以一起最佳化这些步骤，特别是在这些步骤连续进行的情况下。例如，可以针对新产生的投射区80的铺排配置判定路径，之后判定投射区80的第二铺排配置以及相关联的路径。因为给定铺排中的投射区80的数目与跟随访问这些投射区中的每一个的路径所需的时间直接相关，所以路径分数可用于识别用于微影配方的合适的铺排/路径。并且，如上所述，产率和产量也可用于产生基于收益的分数。

用于产生用于微影制程的配方的另一种方法在图10和11中示出。此方案的一般方法1000如图10所示。该方法省略了通过上述对准分组装置的概念，而是直接将投射区80铺排到基板100的装置104上。如在此方法学中所使用的，用语“区域”应用于将被投射区80覆盖的区域。区域通常与在其上对准的投射区80具有相同的尺寸，但由于区域可以被细分，因此该用语不应被视为与用语投射区或视场相同。方法1000以预备步骤1002开始，其中判定该区域是否已经铺排。可以理解，该步骤是用于确保铺排制程在完成时结束的逻辑步骤。在仍然要平铺的区域的情况下，在步骤1004选择第一个或可能是下一个区域。然后选择具有可以应用于所选区域的最大区域的照射量以获得最佳产量。然后在步骤1006将选择的投射区图形地置放在该区域上，并且在步骤1008判定所选投射区与其区域的最佳拟合。基于所判定的最佳拟合，在步骤1010计算区域、投射区和拟合的组合的投影量。投影量是对构成投射区的图案是否足够良好地对准，以合理地输出可接受品质的IC装置的评估。于一实施例中，投影量评估在整个投射区上逐个装置完成，并且计算满足预定的对准准则或要求的装置104的总数的百分比。使用此计算，判定一个投射区的累积投影量以及哪里是投影量可接受的，区域被认为是已经成功铺排/对准并且投射区被纪录以用作曝光配方的一部分。一旦识别出成功的投射区，建立投射区作为配方的一部分，并且制程将返回到步骤1002以判定基板100的所有区域是否已经铺排。在所有区域已经平铺时，在步骤1014，制程将进行到下一个基板(如果有的话)。图11a和11b示出了将投射区80应用于区域1020，其中对准/产率是可接受的。在图11a中的投射区80内，仅认为单个装置104’的对准不合规格，因此，产率相对较高，约为98％。结果，图11a中应用了投射区80的区域1020被认为已经成功地铺排并且该制程已经移动到后续区域1020，如图11b所示。

在给定的区域、投射区和对准的组合不满足预定的产率要求时，制程1000将从步骤1010至步骤1012，其中选择的区域被划分为一个或多个子区域。如图11b所示，相对较大数目的装置104’不在对准规格内。于此范例中，产率约为90％。假设产率值是不可接受的(例如，在已经预定产率临限值约为92％时)，区域1020将被划分更小的子区域，直到满足产率临限值。这是通过迭代步骤1004至1012完成，直到获得所需产率值。

步骤1012涉及将投射区80划分成覆盖区域1020的一个或多个小投射区80’。如上所述，期望使用可以应用于区域1020的最大镜头来开始制程1000。这是由于使用较大镜头的相对有效率。在图11c中，第一选择的投射区被两个较小投射区80’替换。注意，图8中所示的任一投射区81-90等等可被用作制程1000的一部分。

如图11c所示，覆盖子区域1022的上投射区80’具有大约84％的产率，其低于95％的示例性临限。覆盖另外的子区域1022的下投射区80’具有大约97％的产率。其结果，下子区域1022将被接受为已成功铺排，而上子区域1022将在步骤1012进一步细分。此制程如图11d所示继续，其中所有区域和子区域已经用选择的投射区铺排，使得每个投射区具有基于对准的产率，其大于预定的产率临限。

于一实施例中，应用试探以进一步增加系统300的产量。例如，图11d中的最右上子区域80’包括4×4的装置104阵列，当通过4×4投射区定址时，其中一个装置不能与装置的其余部分很好地对准。当产率临限值设定为95％，该子区域将被再次细分，直到区域/子区域、投射区、它们的对准和产率临限值达成一致。这可能导致多次额外的投射区，从而降低了产量。可以将单独的逻辑回路应用于图10的制程，以评估是否可以为了增加系统300的产量而注销一个或多个装置104’。例如，基板100的给定产率产量为95％，只要保持基板100的总产率，否则可能丢弃难以与周围装置104一致的好装置104’，以减少完全曝光基板100所需的投射区的数目。这将增加系统300的产量，同时保持产率要求。注意，每次将区域细分为子区域(在通过产率临限时停止)或者在整个基板已经用投射区80铺排之后全局地应用这种类型的试探。也可以应用其他这样的试探来修改产率或产量或两者的某种组合。这种类型的试探可以基于一些品质度量/期望的最终用途或甚至在基板100上包括多于一种类型的IC装置104的情况下结合各种装置104的相对值。

本领域技术人员将理解到每次提出问题时，从第一原理解决诸如在装置群组之间铺排视场或曝光投射区的困难问题是资源密集的。最终减少计算工作量的一种方法是在为每个基板产生解决方案，以保留视场铺排解决方案的解决方案。这种称为动态编程的技术允许人们使用先前产生的解决方案，而不是每次都计算新的解决方案。假设基板上的装置对准的系统误差与在许多基板中基板与基板之间是相似的，用于在第一基板的装置上配置视场的铺排解决方案应该提供用于在后续基板的装置上铺排视场的至少部分解决方案。连续基板上的装置对准中的随机误差可通过在对准问题的预先存在的解决方案不满足所建立的准则的那些区域中产生最佳视场或视场的对准解决方案而被适应。

在实践上，本发明的一实施例可以涉及使用预先存在的对准配方作为起始点。在此方案中，可以针对所分析的基板上装置的对准资讯来测试每个预先存在的视场尺寸、形状和取向。在预先存在的视场不满足所分析的基板的装置的预定对准准则的情况下，将那些装置放在一边并且该制程进行到下一个预先存在的视场。该制程如所述那样继续，直到已经针对所分析的基板的装置测试了所有预先存在的视场。在所有评估的视场满足预定准则时，包括视场尺寸、形状和对准资讯的预先存在的配方可用于曝光被评估的基板。在已经预留了装置时，如上所述的对准演算法用于判定其余装置的可接受的对准和对准。继续制程直到所有装置104都平铺有适当的对准视场。注意，在一些情况下，如上所述，可以完全从曝光制程中省略一个或多个装置，只要这样做对于整个基板满足预定的对准和产率准则即可。

除了使用第一基板的预先存在的对准配方来配置或可能预先解决连续基板的一些对准问题之外，可以使用已建立的对准库和视场配置解决方案。虽然很可能只有基本上相似的基质(例如，具有相同尺寸、间距和装置尺寸的类似或相同批次或产品系列的基板)可证明对于判定动态处理中的对准是有用的，甚至不同基板的对准可以为基板上的一些或甚至所有装置提供对准解决方案。

图12根据一实施例示出用于进行本发明的云通讯配置。在使用中，数据流入和流出用于形成基板的系统(或工具或机构)1200、用于进行检查和判定基板上的装置的对准的系统1204以及用于在执行基板上的微影的系统1202。虽然系统1200、1202和1204之间的直接连接是可能的，但是较佳地利用标准网络或云端通讯系统1206来促进通讯。此外，通过使用诸如所示的云端配置，系统1200、1202和1204可能在地理上彼此远离。鉴于基板100可以在地理上转移以在不同设施处进行处理，系统1200、1202和1204也可以以时间间隔的方式执行功能。如本申请中其他地方所述，数据可以以任何有用的格式记录，尽管XML通常是较佳的。

本文叙述的系统、装置和方法可以使用数字电路来实现，或者使用已知的电脑处理器、记忆体单元、储存装置，电脑软件和其他组件使用一个或多个电脑来实现。通常，电脑包括用于执行指令的处理器和用于储存指令和数据的一个或多个记忆体。电脑还可以包括或耦接到一个或多个大量储存装置，诸如一个或多个磁盘、内部硬盘和可移动硬盘、磁光盘、光盘等。

应当理解到用于在基板上形成IC装置的工具和设备在其处理中的至多所有点上主要是由电脑控制。并且，虽然这些设备可以各自独立地起作用，但通常情况是这些设备通过各种类型的网络手段连接。这样一来，可以远端控制和监控它们的操作。尽可能地手动输入这些装置的数据和指令，有利于使用自动配方创建方法，甚至从类似的预先存在的基板或产品中重新利用预先存在的配方。在更佳的实施例中，涉及测量在基板100上装置104的对准、将装置104置放到用于形成复合基板的模制中或者将装置104曝光作为微影制程的一部分的每个设备具有与之相关联的电脑，其处理设备本身的操作，并且还透过标准或将被实施的通讯系统处理与其它电脑、服务器、网络、数据库、储存媒体或基于云端的计算系统的通讯/数据转移。远端电脑或系统可以协调上述设备的操作，以产生有效的集成电路装置104。于一实施例中，连接至网络的服务器维持配方的储存库，如上所述，配方的储存库为用于单独地或彼此结合地操作设备的指令集。配方可以任何有用的格式电子地表示，但是已经发现XML和各种TXT格式是有用的。

除了通常用于指示处理多个基板100的设备的配方之外，以区域式或分布式方式与设备相关联的各种电脑可以建立、聚焦和保留与各个基板100的数据相关的结果档案。这些结果档案可以构成集中式数据库或个别电脑档案。在任一情况下，当基板100被处理时，更新数据库或个别电脑档案。这些数据库或电脑档案可包括关于每个基板100的诸如纹理、数字和/或影像数据的数据。数据可能是有关于作为整体的基板100、关于个别装置104或装置群组104、关于基板、设备或装置群组执行的个别制程。根据使用者的判断，结果档案可以包括从创建到完成有关于装置104已经完成的所有事情的完整记录。一如既往，可以使用此概念的其他变化。重要的是结果档案可用于记录基板100之各别装置104的对准。这些对准可以由作为系统的一部分或连接到系统的各种电脑使用，以执行任何前述的方法或制程。可以迭代地使用这些结果档案来记录基板100及其装置104在由设备重复处理时的进度。

形成系统的一部分或连接到系统的电脑可包括通用和专用微处理器两者或中央处理单元(CPU)，它们可以单独使用或以任何合适的线性或平行配置彼此组合使用。如本领域技术人员所理解的，诸如随机存取记忆体(RAM)、只读记忆体(ROM)、磁盘机、固态驱动器等各种类型和数量的数据储存装置在正常过程中连接和使用。诸如键盘、鼠标、平板、印表机、扫描器、显示荧幕等等的输入/输出装置类似地包括并且使用在它们已知的能力。

前面具体实施方式应被理解在每个方面都是说明性和示例性的，而不是限制性的，并且本文揭露的本发明范围不是由具体实施方式判定，而是由根据专利法所允许的全部范围解释的权利要求来判定。应当理解，这里示出和叙述的实施例仅说明了本发明的原理，并且本领域技术人员可以在不脱离本发明的范围和精神的情况下实现各种修改。在不脱离本发明的范围和精神的情况下，本领域技术人员可以实现各种其他特征组合。

附图标记说明

80、80’：投影区

81、82、83、84、85、86、87、88、89、90：阵列

100：基板

101：取向结构

104、104’：装置

105：凸块

106：轨线

300：微影系统

302：基底

304：网格马达平台

306：平台

308：刚性桥结构

310：投影相机

312：投影镜头

314：镜头外壳

316：Z轴驱动

320、332：夹具

330、331：褶曲镜

334：标线片

340：灯罩

342：光闸

344：聚光镜片组件

400、500、1000：方法

402、404、405、406、408、410、502、504、506、602、604、606、608、610、612、902、904、906、908、910、912、914、916、1002、1004、1006、1008、1008、1010、1012、1014：步骤

600、900：制程

1020：区域

1022：子区域

1200、1202、1204、1206：系统

W：晶圆

P：面板

θ：角度

Claims (21)

1.一种制造半导体装置的方法，包含：

光学地检查具有多个装置的基板；

如果所述基板的所述多个装置中存在不一致，识别所述基板的所述多个装置中哪些装置是不一致的；

由该光学检查的结果判定所述多个装置中的每一个相对于所述基板的对准，该对准的判定省略所述多个装置中任何不一致中的至少一些；

至少基于部分的所述检查、识别和判定步骤，产生用于曝光所述多个装置的配方，所述配方包括关于一个或多个曝光投射区的资讯、曝光所述曝光投射区的顺序以及用于在所述一个或多个曝光投射区中的至少两者之间移动的路径；以及

使用微影系统实施所述配方，以曝光所述多个装置的至少一部分。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，更包含：

从所述多个装置的每一个相对于所述基板的所述对准，判定存在于所述多个装置中的至少一些的位置中的系统误差；

修改用以在基板的形成期间定位所述多个装置的置放系统的配方；以及

操作所述置放系统，使得用于光学检查的后续基板减少了所述后续基板的所述多个装置中的至少一些装置在所述对准中的系统误差。

3.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，更包含：

通过对准将所述基板的所述多个装置分组；

在所述基板的相应装置群组的每一个之上铺排一个或多个曝光投射区，该铺排的特征在于基本上全部的由曝光投射区曝光的装置满足预定的对准准则；以及

在所述一个或多个曝光投射区之间定义一个或多个路径。

4.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法，其中基本上基板上全部的装置通过曝光投射区曝光，使得相应装置和曝光投射区之间的对准满足预定的对准准则。

5.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法，其中铺排在群组之上的所述一个或多个曝光投射区定址不同数目的装置。

6.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法，其中铺排在群组之上的所述一个或多个曝光投射区具有不同形状。

7.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法，更包含：

建立一组初始条件，其包含一组许可曝光投射区、基板上的装置群组及对准准则；

针对所述初始条件中的连续扰动，迭代所述铺排和定义步骤；

为所述铺排和定义步骤的每一迭代分配分数；以及

基于具有最佳分数的铺排和定义步骤的迭代建立所述配方。

8.如权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中在所述初始条件中的所述连续扰动是从由曝光投射区的尺寸修改、曝光投射区的深宽比的修改、曝光投射区的面积的修改、用于定义群组的可接受对准的预定范围的修改、初始选择的装置的选择、初始选择的装置群组的选择、初始选择的装置群组的尺寸的修改以及初始选择的装置群组的深宽比的修改所组成的群组中所选择的修改。

9.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，更包含：

选择一组装置和标称地将曝光所有所选择的装置组的曝光投射区；

拟合所述曝光投射区与所述基板的所述多个装置中的一组；

判定对于所选择的装置组中的每一个是否满足用于所述曝光投射区与所选择的多个装置组的对准的临限对准准则；

建立所选择的曝光投射区作为所述配方的一部分，其中对于所选择的装置组中的每一个满足用于所述曝光投射区与所选择的多个装置组的对准的所述临限对准准则；

细分所选择的装置组为一个或多个子集，其中所述临限对准准则不满足对于所选择的装置组的预定数目，进行所述细分使得预定的曝光投射区将标称地曝光在所述装置的子集中所有的装置；以及

重复所述拟合、判定和细分步骤直到基本上所述基板的所有装置用曝光投射区铺排为止。

10.一种改善集成电路装置的品质的方法，包含：

判定多个装置相对于它们所属的基板的对准；

基于所述装置的所判定的对准而将所述装置分组，以建立多个装置群组；

将一个或多个微影图案阵列铺排于所述多个装置群组中的每一个；

定义铺排后的微影图案阵列之间的路径，从而建立用于执行所述装置的微影曝光的配方；以及

根据所述配方曝光所述基板的所述装置，以形成在所述装置上的结构的至少一部分。

11.如权利要求10所述的改善集成电路装置的品质的方法，更包含：

基于所述对准判定所述多个装置中一个或多个的未对准；以及

校正与所述装置整合的后续基板的多个装置的未对准，以减少所述多个装置之间的未对准。

12.如权利要求10所述的改善集成电路装置的品质的方法，更包含：

重复地铺排所述多个装置群组，以产生多个不同铺排；

至少部分地基于覆盖所述多个装置所需的微影图案的阵列数目，产生对于所述不同铺排的每一个的分数；

选择具有最佳分数的不同铺排；以及

使用所选择的铺排建立配方。

13.如权利要求10所述的改善集成电路装置的品质的方法，更包含：

重复地铺排所述装置群组，以产生多个不同铺排；

针对所述不同铺排的每一个定义路径；

至少部分地基于覆盖所述多个装置所需的微影图案的阵列数目和沿着所定义的路径行进所需的时间长度，产生对于所述不同铺排的每一个和其相应路径的组合的分数；

选择具有最佳分数的不同铺排和路径；以及

使用所选择的铺排建立配方。

14.如权利要求10所述的改善集成电路装置的品质的方法，更包含：

重复地铺排所述装置群组，以产生多个不同铺排；

针对所述不同铺排的每一个定义多个路径；

基于沿着所定义的路径行进所需的时间长度，针对所述不同铺排的每一个选择路径；

至少部分地基于覆盖所述多个装置所需的微影图案的阵列数目和沿着所定义的路径行进所需的时间长度，产生对于所述不同铺排的每一个和其选择路径的组合的分数；

选择具有最佳分数的不同铺排和路径；以及

使用所选择的铺排建立配方。

15.一种改善集成电路装置的品质的方法，包含：

判定多个装置相对于它们所属的基板的对准；

将所选择的装置群组与微影图案的阵列拟合；

判定所述微影图案的阵列与所选择的装置群组的对准是否满足预定的对准品质，以及其中当满足所述对准品质时，将所述微影图案的阵列建立为用于曝光所选择的装置群组的投射区，以及其中当不满足所述对准品质时，将微影图案的一个或多个更小的阵列与所选择的装置群组的子集迭代地拟合，直到满足对准品质，并且建立用于曝光所选择的装置群组的投射区为止；

定义所建立的投射区的每一个之间的路径，从而建立用于执行所述装置的微影曝光的配方；以及

曝光所述基板的所述装置，以形成在所述装置上的结构的至少一部分。

16.如权利要求15所述的改善集成电路装置的品质的方法，更包含：

基于所述对准判定所述多个装置中一个或多个的未对准；以及

校正与所述装置整合的后续基板的多个装置的未对准，以减少所述多个装置之间的未对准。

17.一种制造集成电路装置的方法，包含：

判定多个装置相对于它们所属的基板的对准；

基于所述装置的所判定的对准而将所述装置分组，以建立多个装置群组；

将微影图案的一个或多个阵列铺排于所述多个装置群组中的每一个；

定义所铺排的图案的每一个之间的路径，从而建立用于执行所述装置的微影曝光的配方；以及

曝光所述基板的所述装置，以形成在所述装置上的结构的至少一部分。

18.如权利要求17所述的制造集成电路装置的方法，包含：

基于所述对准判定所述多个装置中一个或多个的未对准；以及

校正与所述装置整合的后续基板的所述多个装置的未对准，以减少所述多个装置之间的未对准。

19.一种通过制程制备的半导体装置，所述制程包含以下步骤：

利用置放系统将第一多个装置安装在第一基板上；

判定对于所述第一多个装置的每一个装置的对准；

基于对于所述第一多个装置的每一个的相应对准，从所述第一多个装置的系统对准误差判定一个或多个校正因子；

发送所述一个或多个校正因子至用于校正所述系统对准误差的所述置放系统；

使用所述校正因子通过所述置放系统将第二多个装置安装在第二基板上；

判定对于安装在所述第二基板上的所述第二多个装置的每一个装置的对准；

基于对于所述第二多个装置的每一个装置的相应对准，将所述第二多个装置分组为一个或多个群组；

判定用于曝光所述装置的视场，所述装置在所述一个或多个群组的每一个中；

基于所述一个或多个群组及所述视场，判定用于曝光所述第二多个装置的步进器路径；

判定所判定的步进器路径的分数；

判定所述分数是否满足临限；

响应于判定所述分数不满足所述临限，迭代地重复分组所述第二多个装置、判定所述视场、判定所述步进器路径及判定所述分数；以及

响应于判定所述分数满足所述临限，根据所判定的步进器路径曝光所述第二多个装置。

20.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中产生用于曝光所述多个装置的配方包含：

选择具有最大面积的曝光投射区，所述曝光投射区可以应用于具有一组所述多个装置的所述基板区域；

拟合所选择的曝光投射区与该组装置；

基于该组装置的对准，计算用于所选择的曝光投射区、所述区域和所述拟合的投影量；

判定所述投影量是否满足对准准则；

响应于判定所述投影量满足所述对准准则，建立所选择的曝光投射区作为所述配方的一部分；以及

响应于判定所述投影量不满足所述对准准则：

划分所选择的曝光投射区；以及

重复所述选择、所述拟合、所述计算及判定所述投影量是否满足所述对准准则的步骤，直到所述投影量满足所述对准准则。

21.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中产生用于曝光所述多个装置的配方包含使用动态编程产生所述配方，通过：

从多个预先存在的曝光投射区选择预先存在的曝光投射区，所述多个预先存在的曝光投射区的每一个具有预先解决的视场大小、形状和取向；

将一组多个装置与所选择的预先存在的曝光投射区进行比较；

基于所述比较，判定所选择的预先存在的曝光投射区是否满足该组装置的对准准则；

响应于判定所选择的预先存在的曝光投射区满足该组装置的所述对准准则，建立所选择的预先存在的曝光投射区作为配方的一部分；以及

响应于判定所选择的预先存在的曝光投射区不满足该组装置的所述对准准则：

从所述多个预先存在的曝光投射区选择另一预先存在的曝光投射区，以及

重复所述比较和判定所选择的预先存在的曝光投射区是否满足该组装置的所述对准准则的步骤，直到所述装置组满足于所述对准准则。