CN109576680A - 一种复合材料的制备方法及其产品和应用 - Google Patents

一种复合材料的制备方法及其产品和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN109576680A
CN109576680A CN201811398391.1A CN201811398391A CN109576680A CN 109576680 A CN109576680 A CN 109576680A CN 201811398391 A CN201811398391 A CN 201811398391A CN 109576680 A CN109576680 A CN 109576680A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sno
sns
layer
composite material
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811398391.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109576680B (zh
Inventor
何丹农
葛美英
徐磊
尹桂林
孙健武
卢静
张芳
金彩虹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd
Original Assignee
Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd filed Critical Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd
Priority to CN201811398391.1A priority Critical patent/CN109576680B/zh
Publication of CN109576680A publication Critical patent/CN109576680A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109576680B publication Critical patent/CN109576680B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

本发明公开了一种复合材料的制备方法及其产品和应用，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结，可提升材料的气敏性能；采用冷冻干燥技术处理样品，可防止SnS2干燥过程中被氧化并可保持较高的比表面积，用ALD在样品表面生长SnO2层可以防止使用过程中SnS2的氧化，并且形成多层异质结结构，有助于进一步提升材料的长期稳定性及灵敏度。该方法制备的复合结构可有效改善单一材料灵敏度和稳定性不足的缺点，并可降低材料的工作温度。本发明制备的SnO2/SnS2/SnO2纳米材料可用于有毒气体检测、光催化降解污染物等领域。

Description

一种复合材料的制备方法及其产品和应用
技术领域
本发明涉及纳米材料制备领域，涉及一种复合材料的制备方法及其产品和应用，具体是指一种SnO2/SnS2/SnO2复合材料的制备方法及其产品和应用。
背景技术
金属氧化物如ZnO、SnO2、WO3等由于具有性能优异、环境友善、资源丰富、价格低廉等优点，是研究较为广泛的气敏材料。通过金属氧化物表面修饰、构建异质结、金属/贵金属修饰等工艺可提升材料的气敏性能，在气敏传感器领域有非常广泛的应用。
在各项提升材料气敏性能的方法中，通过构建异质结，利用两种材料之间特定界面的组合，可利用材料之间独特的协同效应提升敏感材料的气敏性能。如SnO2/SnS2可降低材料的工作温度，并提升灵敏度。通过构建多层异质结，其气敏特性可进一步提升。
本发明提供一种简单的制备多层异质结气敏材料的方法，可大幅提高纳米材料的灵敏度和长期稳定性，且制备工艺简单，制备的成本低，对进一步推进半导体气敏器件的发展具有实际应用价值。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明目的在于提供一种复合材料的制备方法。
本发明的再一目的在于：提供一种上述方法制备的复合材料产品。
本发明的又一目的在于：提供一种上述产品的应用。
本发明目的通过下述方案实现：一种复合材料的制备方法，所述复合材料为SnO2/SnS2/SnO2复合材料，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结，采用冷冻干燥技术处理样品，防止SnS2干燥过程中被氧化并可保持较高的比表面积，用ALD在样品表面生长SnO2层防止使用过程中SnS2的氧化，并且形成多层异质结结构，它包括如下步骤：
步骤一，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结
取1 g的SnO2纳米材料置于100mL的去离子水中，取0.4~0.6g的SnCl4·5H2O、表面稳定剂和还原剂置于上述溶液中，表面稳定剂与SnCl4·5H2O的质量比为（0.8~1.2）:1；还原剂与SnCl4·5H2O的摩尔比为（5~10）:1，室温下搅拌30min后加入适量硫盐后，将溶液置于反应釜中，硫盐与SnCl4·5H2O的摩尔比为8~12:1，于120~180 ℃反应5~8小时；待温度降至室温，将样品离心，将样品离心沉淀，用去离子水和无水乙醇反复洗涤2~3次后，与去离子水混合，得到在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结材料，冷冻干燥后，得到冷冻干燥后的样品；
步骤二：将冷冻干燥后的样品研磨，表面用原子层沉积技术生长SnO2，得到SnO2/SnS2/SnO2复合材料。
步骤一所说的表面稳定剂为水溶性淀粉、聚乙二醇中的一种或任意组合。
步骤一所说的还原剂为葡萄糖、三乙醇胺、次亚磷酸钠、乙二醇中的一种或任意组合。
步骤一所说的硫盐为硫代硫酸钠，硫代硫酸铵，亚硫酸钠，亚硫酸钾，过二硫酸钾中的一种或任意组合。
步骤二所说的用原子层沉积技术生长SnO2，腔体内压强在25hPa以下，反应环境为高纯氮，生长温度为200~230℃，锡源和氧源分别采用无水四氯化锡和臭氧，将无水四氯化锡通过反应腔体，脉冲时间为0.05~0.4秒，之后通入高纯氮清洗未反应的前驱体，脉冲时间在1s至60s之间，然后通入臭氧，脉冲时间在0.05s至0.4s之间；之后用高纯氮清洗未反应的臭氧，完成一个沉积SnO2的循环；如此重复，在粉末表面生长200~500个循环的SnO2薄膜层。
本发明提供一种复合材料，所述复合材料为SnO2/SnS2/SnO2复合材料，根据上述任一所述方法制备得到。
本发明提供一种复合材料在丙酮气体检测中的应用。
本发明提供一种简单可行的制备SnO2/SnS2/SnO2复合结构异质结的方法，该方法制备的复合结构可有效改善单一材料灵敏度和稳定性不足的缺点，并可降低材料的工作温度。
该方法在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结，可提升材料的气敏性能；采用冷冻干燥技术处理样品，可防止SnS2干燥过程中被氧化并可保持较高的比表面积，用ALD在样品表面生长SnO2层可以防止使用过程中SnS2的氧化，并且形成多层异质结结构，有助于进一步提升材料的长期稳定性及灵敏度。本发明制备的SnO2/SnS2/SnO2纳米材料可用于有毒气体检测、光催化降解污染物等领域。
附图说明
图1为SnO2纳米材料与SnO2/SnS2/SnO2异质结复合结构气体灵敏度和稳定性对比图。
具体实施方式
实施例1
一种复合材料的制备方法，所述复合材料为SnO2/SnS2/SnO2复合材料，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结，采用冷冻干燥技术处理样品，防止SnS2干燥过程中被氧化并可保持较高的比表面积，用ALD在样品表面生长SnO2层防止使用过程中SnS2的氧化，并且形成多层异质结结构，按如下步骤：
步骤一，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结
取1 g的SnO2纳米材料置于100mL的去离子水中，取0.4g的SnCl4·5H2O、0.4g的水溶性淀粉和6mmol的三乙醇胺置于上述溶液中，室温下搅拌30min后加入9mmol的硫代硫酸钠；将所得溶液置于反应釜中，于160 ℃反应6小时；待温度降至室温，将样品离心，将样品离心沉淀，用去离子水和无水乙醇反复洗涤2~3次后，将样品与去离子水混合得到在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结材料，冷冻干燥后，得到冷冻干燥后的样品；
步骤二：将冷冻干燥后的样品研磨，至于原子层沉积系统腔体内，腔体内压强在25hPa以下，反应环境为高纯氮，生长温度为200℃，将无水四氯化锡通过反应腔体，脉冲时间为0.05秒，之后通入高纯氮清洗未反应的前驱体，脉冲时间为6s，然后通入臭氧，脉冲时间为0.1s；之后用高纯氮清洗未反应的臭氧，完成一个沉积SnO2的循环；如此重复，在粉末表面生长200个循环的SnO2薄膜层。
本实施例所得样品采用WS-30A 型气敏元件测试系统测试对丙酮气体的响应，工作温度为180 ℃，对100ppm丙酮气体的灵敏度为40.5；图1为原SnO2纳米材料与本实施例制备的SnO2/SnS2/SnO2异质结复合结构气体灵敏度和稳定性对比图，由图可以看出，多层异质结结构可极大提升纳米材料的灵敏度。
实施例2
一种复合材料的制备方法，与实施例1近似，按如下步骤：
步骤一，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结
取1 g的SnO2纳米材料置于100mL的去离子水中，取0.6g的SnCl4·5H2O、0.7g的水溶性淀粉和6mmol的三乙醇胺置于上述溶液中，室温下搅拌30min后加入10mmol的硫代硫酸钠；将所得溶液置于反应釜中，于180 ℃反应6小时；待温度降至室温，将样品离心，将样品离心沉淀，用去离子水和无水乙醇反复洗涤2~3次后，将样品与去离子水混合，得到在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结材料，冷冻干燥后，得到冷冻干燥后的样品；
步骤二，将冷冻干燥后的样品研磨，至于原子层沉积系统腔体内，腔体内压强在25hPa以下，反应环境为高纯氮，生长温度为200℃，将无水四氯化锡通过反应腔体，脉冲时间为0.05秒，之后通入高纯氮清洗未反应的前驱体，脉冲时间为6s，然后通入臭氧，脉冲时间为0.1s；之后用高纯氮清洗未反应的臭氧，完成一个沉积SnO2的循环；如此重复，在粉末表面生长300个循环的SnO2薄膜层。
本实施例所得样品采用WS-30A 型气敏元件测试系统测试对丙酮气体的响应，工作温度为180 ℃，对100ppm丙酮气体的灵敏度为45.3。
实施例3
一种复合材料的制备方法，与实施例1近似，按如下步骤：
步骤一，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结
取1 g的SnO2纳米材料置于100mL的去离子水中，取0.5g的SnCl4·5H2O、0.4g的水溶性淀粉和10mmol的乙二醇置于上述溶液中，室温下搅拌30min后加入10mmol的硫代硫酸钠；将所得溶液置于反应釜中，于180 ℃反应6小时；待温度降至室温，将样品离心，将样品离心沉淀，用去离子水和无水乙醇反复洗涤2~3次后，将样品与去离子水混合，得到在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结材料，冷冻干燥后，得到冷冻干燥后的样品；
步骤二，将冷冻干燥后的样品研磨，至于原子层沉积系统腔体内，腔体内压强在25hPa以下，反应环境为高纯氮，生长温度为230℃，将无水四氯化锡通过反应腔体，脉冲时间为0.4秒，之后通入高纯氮清洗未反应的前驱体，脉冲时间为6s，然后通入臭氧，脉冲时间为0.4s；之后用高纯氮清洗未反应的臭氧，完成一个沉积SnO2的循环；如此重复，在粉末表面生长500个循环的SnO2薄膜层。
本实施例所得样品采用WS-30A 型气敏元件测试系统测试对丙酮气体的响应，工作温度为180 ℃，对100ppm丙酮气体的灵敏度为50.2。
实施例4：
一种复合材料的制备方法，与实施例1近似，按如下步骤：
步骤一，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结
取1 g的SnO2纳米材料置于100mL的去离子水中，取0.6g的SnCl4·5H2O、0.7g的聚乙二醇和6mmol的葡萄糖置于上述溶液中，室温下搅拌30min后加入10mmol的亚硫酸钠；将所得溶液置于反应釜中，于180 ℃反应6小时；待温度降至室温，将样品离心，将样品离心沉淀，用去离子水和无水乙醇反复洗涤2~3次后，将样品与去离子水混合，得到在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结材料，冷冻干燥后，得到冷冻干燥后的样品；
步骤二，将冷冻干燥后的样品研磨，至于原子层沉积系统腔体内，腔体内压强在25hPa以下，反应环境为高纯氮，生长温度为200℃，将无水四氯化锡通过反应腔体，脉冲时间为0.05秒，之后通入高纯氮清洗未反应的前驱体，脉冲时间为6s，然后通入臭氧，脉冲时间为0.1s；之后用高纯氮清洗未反应的臭氧，完成一个沉积SnO2的循环；如此重复，在粉末表面生长300个循环的SnO2薄膜层。
本实施例所得样品采用WS-30A 型气敏元件测试系统测试对丙酮气体的响应，工作温度为180 ℃，对100ppm丙酮气体的灵敏度为48.9。

Claims (7)

1.一种复合材料的制备方法，所述复合材料为SnO2/SnS2/SnO2复合材料，其特征在于，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结，采用冷冻干燥技术处理样品，防止SnS2干燥过程中被氧化并可保持较高的比表面积，用ALD在样品表面生长SnO2层防止使用过程中SnS2的氧化，并且形成多层异质结结构，包括如下步骤：
步骤一，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结
取1 g的SnO2纳米材料置于100mL的去离子水中，取0.4~0.6g的SnCl4·5H2O、表面稳定剂和还原剂置于上述溶液中，表面稳定剂与SnCl4·5H2O的质量比为（0.8~1.2）:1；还原剂与SnCl4·5H2O的摩尔比为（5~10）:1，室温下搅拌30min后加入适量硫盐后，将溶液置于反应釜中，硫盐与SnCl4·5H2O的摩尔比为8~12:1，于120~180 ℃反应5~8小时；待温度降至室温，将样品离心，将样品离心沉淀，用去离子水和无水乙醇反复洗涤2~3次后，与去离子水混合，得到在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结材料，冷冻干燥后得到冷冻干燥后的样品；
步骤二：将冷冻干燥后的样品研磨，表面用原子层沉积技术生长SnO2，得到SnO2/SnS2/SnO2复合材料。
2.根据权利要求1所述复合材料的制备方法，其特征在于：步骤一所述的表面稳定剂为水溶性淀粉、聚乙二醇中的一种或任意组合。
3.根据权利要求1所述复合材料的制备方法，其特征在于：步骤一所述的还原剂为葡萄糖、三乙醇胺、次亚磷酸钠、乙二醇中的一种或任意组合。
4.根据权利要求1所述复合材料的制备方法，其特征在于：步骤一所述的硫盐为硫代硫酸钠，硫代硫酸铵，亚硫酸钠，亚硫酸钾，过二硫酸钾中的一种或任意组合。
5.根据权利要求1所述复合材料的制备方法，其特征在于：步骤三所述的用原子层沉积技术生长SnO2，腔体内压强在25hPa以下，反应环境为高纯氮，生长温度为200~230℃，锡源和氧源分别采用无水四氯化锡和臭氧，将无水四氯化锡通过反应腔体，脉冲时间为0.05~0.4秒，之后通入高纯氮清洗未反应的前驱体，脉冲时间在1s至60s之间，然后通入臭氧，脉冲时间在0.05s至0.4s之间；之后用高纯氮清洗未反应的臭氧，完成一个沉积SnO2的循环；如此重复，在粉末表面生长200~500个循环的SnO2薄膜层。
6.一种复合材料，所述复合材料为SnO2/SnS2/SnO2复合材料，其特征在于根据权利要求1-5任一所述方法制备得到。
7.一种根据权利要求6所述复合材料在丙酮气体检测中的应用。
CN201811398391.1A 2018-11-22 2018-11-22 一种复合材料的制备方法及其产品和应用 Active CN109576680B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811398391.1A CN109576680B (zh) 2018-11-22 2018-11-22 一种复合材料的制备方法及其产品和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811398391.1A CN109576680B (zh) 2018-11-22 2018-11-22 一种复合材料的制备方法及其产品和应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109576680A true CN109576680A (zh) 2019-04-05
CN109576680B CN109576680B (zh) 2020-12-29

Family

ID=65923376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811398391.1A Active CN109576680B (zh) 2018-11-22 2018-11-22 一种复合材料的制备方法及其产品和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109576680B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110038548A (zh) * 2019-05-10 2019-07-23 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种n-p-n型三明治异质结纳米材料的制备方法及其产品和应用
CN110243879A (zh) * 2019-06-28 2019-09-17 东北大学 一种硫离子修饰的SnO2基低温SO2敏感材料及其制备方法
CN110361425A (zh) * 2019-07-17 2019-10-22 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 用于甲醛检测的Sn单原子掺杂α-三氧化二铁纳米材料的制备方法
CN110694639A (zh) * 2019-10-16 2020-01-17 天津大学 一种多界面磁性异质结的制备方法
WO2020223922A1 (zh) * 2019-05-08 2020-11-12 南方科技大学 一种异质结结构材料、及其制备方法和用途

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100309460A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 Sargent Edward H Photoconductive materials and devices with internal photoconductive gain
CN102773110A (zh) * 2012-08-17 2012-11-14 扬州大学 古币形中空结构SnS2/SnO2复合光催化剂材料的制备方法
CN104998660A (zh) * 2015-06-11 2015-10-28 岭南师范学院 一种二硫化锡纳米片负载二氧化锡纳米晶复合纳米材料的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100309460A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 Sargent Edward H Photoconductive materials and devices with internal photoconductive gain
CN102773110A (zh) * 2012-08-17 2012-11-14 扬州大学 古币形中空结构SnS2/SnO2复合光催化剂材料的制备方法
CN104998660A (zh) * 2015-06-11 2015-10-28 岭南师范学院 一种二硫化锡纳米片负载二氧化锡纳米晶复合纳米材料的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JING LI ETAL.: "Hydrothermal Synthesis of Visible Light Active SnO2-SnS2 Nanocomposite Photocatalyst for the Reduction of Cr(Ⅵ) in Water", 《ADVANCED MATERIALS RESEARCH》 *
胡蝶等: "SnS2纳米片负载SnO2纳米颗粒改性氨气气敏响应", 《科技创新与应用》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020223922A1 (zh) * 2019-05-08 2020-11-12 南方科技大学 一种异质结结构材料、及其制备方法和用途
CN110038548A (zh) * 2019-05-10 2019-07-23 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种n-p-n型三明治异质结纳米材料的制备方法及其产品和应用
CN110243879A (zh) * 2019-06-28 2019-09-17 东北大学 一种硫离子修饰的SnO2基低温SO2敏感材料及其制备方法
CN110243879B (zh) * 2019-06-28 2020-09-29 东北大学 一种硫离子修饰的SnO2基低温SO2敏感材料及其制备方法
CN110361425A (zh) * 2019-07-17 2019-10-22 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 用于甲醛检测的Sn单原子掺杂α-三氧化二铁纳米材料的制备方法
CN110361425B (zh) * 2019-07-17 2022-07-26 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 用于甲醛检测的Sn单原子掺杂α-三氧化二铁纳米材料的制备方法
CN110694639A (zh) * 2019-10-16 2020-01-17 天津大学 一种多界面磁性异质结的制备方法
CN110694639B (zh) * 2019-10-16 2022-07-29 天津大学 一种多界面磁性异质结的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109576680B (zh) 2020-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109576680A (zh) 一种复合材料的制备方法及其产品和应用
Ali et al. Selective determination of urea using urease immobilized on ZnO nanowires
SoYoon et al. Novel Cu/CuO/ZnO hybrid hierarchical nanostructures for non-enzymatic glucose sensor application
Israr et al. Chemically fashioned ZnO nanowalls and their potential application for potentiometric cholesterol biosensor
CN105628758B (zh) 一种基于二维纳米光敏材料的光电化学对硫磷传感器的制备方法及应用
Azevedo et al. Determination of sulfur dioxide in wines by gas-diffusion flow injection analysis utilizing modified electrodes with electrostatically assembled films of tetraruthenated porphyrin
CN106066351B (zh) 一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途
de Mattos et al. Evaluation of glucose biosensors based on Prussian Blue and lyophilised, crystalline and cross-linked glucose oxidases (CLEC®)
CN107867714A (zh) 纳米晶状SnO2/石墨烯复合气敏材料及其制备方法
CN109052453B (zh) 一种ZnCo2O4/ZnO异质结构复合气敏材料及制备方法
Buera et al. A study of acid-catalyzed sucrose hydrolysis in an amorphous polymeric matrix at reduced moisture contents
CN103508485B (zh) 一种纳米氧化锡负载偏钛酸气敏传感材料的制备方法
CN103941008A (zh) 一种检测毒死蜱的免疫传感器的制备方法
CN110261448A (zh) 一种基于锌钛复合材料的信号抑制型光电化学降钙素原传感器的制备方法及应用
CN105753040A (zh) 用于丙酮气敏传感器的纳米In2O3粉末的制备方法
CN103115949B (zh) 一种检测农药残留的酶生物传感器制备方法
CN104483314A (zh) 提高检测食用油过氧化值试纸热稳定性的方法
CN114441458B (zh) 一种zif材料在抑制模拟酶中的应用
CN104880497A (zh) 一种检测头孢氨苄的化学修饰电极以及头孢氨苄的电化学测定方法
CN109835945B (zh) 氧缺陷二氧化锡气敏材料的制备方法及其产品和应用
Thenrajan et al. Guar gum supported ZIF-8 as an effective catalyst for electrochemical sensing of gallic acid in liquid food samples
CN102735735B (zh) 功能化碘氧化铋纳米片状阵列光电有机磷农药生物传感器及制备
Weng et al. Enzymatic glucose biosensor based on TbYxOy electrolyte-insulator-semiconductor
CN104907085A (zh) 一种硫化铜-蒙脱土纳米复合材料的制备方法
Kondo et al. Analysis of mixtures of α-and β-cyclodextrins using fluorescent dyes

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant