CN109557732A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板中第一存储电极与像素电极电连接;同一像素单元内,第一存储电极在第一基板上的垂直投影和第二存储电极在第一基板上的垂直投影至少部分重合,以形成第一存储电容;第二存储电极在第一基板上的垂直投影和像素电极在第一基板上的垂直投影至少部分重合,以形成第二存储电容;第一存储电容在第一基板上的垂直投影和第二存储电容在第一基板上的垂直投影均位于像素单元的畴线区域内,以提高显示面板的开口率,进而提高显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
目前,随着科技的发展,显示面板被广泛应用于手机、平板电脑、公共场所大厅的信息查询机等各种显示产品中,成为人们生活中必不可少的一部分。
在现有的液晶显示面板中,为了维持输入像素电极的电荷直至下一次扫描,通常在液晶显示面板的像素单元中增设存储电极,以增加电容量。
但是现有的液晶显示面板中存储电极的设置方案不合理,进而使得液晶显示面板的开口率低,影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置,以提高显示面板的开口率,进而提高显示面板的显示效果。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板包括依次层叠设置的第一基板、第一导电层、第二导电层和第三导电层;
所述显示面板还包括多个阵列排布的像素单元,所述像素单元包括畴线区域;
所述像素单元还包括位于所述第一导电层的第一存储电极、位于所述第二导电层的第二存储电极和位于所述第三导电层的像素电极;
所述第一存储电极与所述像素电极电连接;
同一所述像素单元内,所述第一存储电极在所述第一基板上的垂直投影和所述第二存储电极在所述第一基板上的垂直投影至少部分重合,以形成第一存储电容;所述第二存储电极在所述第一基板上的垂直投影和所述像素电极在所述第一基板上的垂直投影至少部分重合,以形成第二存储电容;
所述第一存储电容在所述第一基板上的垂直投影和所述第二存储电容在所述第一基板上的垂直投影均位于所述像素单元的所述畴线区域内。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的任意一种所述的显示面板。
本发明实施例通过设置同一所述像素单元内,所述第一存储电极在所述第一基板上的垂直投影和所述第二存储电极在所述第一基板上的垂直投影至少部分重合,以形成第一存储电容;所述第二存储电极在所述第一基板上的垂直投影和所述像素电极在所述第一基板上的垂直投影至少部分重合,以形成第二存储电容;所述第一存储电容在所述第一基板上的垂直投影和所述第二存储电容在所述第一基板上的垂直投影均位于所述像素单元的畴线区域内,解决了现有的显示面板开口率低,影响显示面板的显示效果的问题,实现了提高显示面板的开口率,进而提高显示面板的显示效果的目的。
附图说明
图1为现有的一种显示面板的结构示意图;
图2为沿图1中A1-A2的剖面结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图4为沿图3中B1-B2的剖面结构示意图;
图5为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图6为沿图5中E1-E2的剖面结构示意图;
图7为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图8为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图9为沿图8中F1-F2的剖面结构示意图;
图10为图8中第一导电层的结构示意图;
图11为图8中第二导电层的结构示意图;
图12为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图13为沿图12中G1-G2的剖面结构示意图;
图14为图12中第一导电层的结构示意图;
图15为图12中第二导电层的结构示意图;
图16为沿图12中H1-H2的剖面结构示意图;
图17为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图18为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为现有的一种显示面板的结构示意图。图2为沿图1中A1-A2的剖面结构示意图。参见图1和图2,该显示面板包括背光模组(图1和图2中未示出)和显示模组。背光模组位于显示模组的一侧表面,且背光模组的出光侧与显示模组的入光侧相对。显示模组包括第一基板01、与第一基板01对置的第二基板(图1和图2中未示出)、以及夹设于第一基板01和第二基板之间的液晶层(图1和图2中未示出)。第一基板01上设置有多条扫描线011和多条数据线012,该多条扫描线沿第一方向延伸,沿第二方向排列,该多条数据线沿第二方向延伸,沿第一防线排列,其中第一方向与第一方向相交。相邻的两条扫描线011和相邻的两条数据线012绝缘交叉限定出一个像素单元013(示例性地,图1中仅示出一个像素单元013)。每个像素单元013包括薄膜晶体管、像素电极0131和存储电极0132。其中薄膜晶体管与对应的一条扫描线和一条数据线连接,且连接到该像素单元中的像素电极,像素电极0131在第一基板01上的垂直投影与存储电极0132在第一基板01上的垂直投影至少部分重合,使得像素电极0131和存储电极0132之间形成存储电容。
在现有的显示面板中,为了减小显示面板的厚度,简化制作工艺,多利用用于制作数据线012的金属层或者用于制作扫描线011的金属层制作形成存储电极0132。并且为了增加存储电容的电容量,通常将存储电极0132的面积做得很大。在显示图像时,从背光出射的光线,依次经过第一基板01、液晶层和第二基板后从显示面板出射并进入到人眼。由于金属层会遮挡从背光模组出射的光线,进而使得该光线无法透过液晶层,更无法进入人眼,这使得现有的显示面板中像素单元的开口率较小,影响显示面板的显示效果。
有鉴于此,本申请实施例提供一种显示面板以解决上述问题。图3为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。图4为沿图3中B1-B2的剖面结构示意图。参见图3和图4,该显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板(图中未示出),其中,该阵列基板包括依次层叠设置的第一基板10、第一导电层11、第二导电层12和第三导电层13;显示面板还包括多个阵列排布的像素单元14(示例性地,图3中仅示出一个像素单元14),该像素单元包括畴线区域D,像素单元14还包括位于第一导电层11的第一存储电极141、位于第二导电层12的第二存储电极142和位于第三导电层13的像素电极143;第一存储电极141与像素电极143电连接(图中未示出);同一像素单元14内,第一存储电极141在第一基板10上的垂直投影和第二存储电极142在第一基板10上的垂直投影至少部分重合,以形成第一存储电容C1;第二存储电极142在第一基板10上的垂直投影和像素电极143在第一基板10上的垂直投影至少部分重合,以形成第二存储电容C2;第一存储电容C1在第一基板10上的垂直投影和第二存储电容C2在第一基板10上的垂直投影均位于像素单元14的畴线区域D内。
其中,畴线区域D是指液晶出现紊乱配向的区域。由于在该区域内,液晶紊乱配向,当从显示面板的显示侧进行观察时,该区域呈现黑色。
在上述技术方案中,通过设置第一存储电极141与像素电极143电连接;同一像素单元14内,第一存储电极141在第一基板10上的垂直投影和第二存储电极142在第一基板10上的垂直投影至少部分重合,以形成第一存储电容C1;第二存储电极142在第一基板10上的垂直投影和像素电极143在第一基板10上的垂直投影至少部分重合,以形成第二存储电容C2;实质上是在同一像素单元14中同时制作第一存储电容C1和第二存储电容C2,并且设置这两个存储电容并联,这样同一像素单元14中存储电容的总电容量等于第一存储电容C1的电容量和第二存储电容C2的电容量之和。如果保持同一像素单元14中存储电容的总电容量与现有技术(如图1所示)中存储电容的电容量相等,需要减小第一存储电极141和第二存储电极142的面积,显然这可以增大显示面板的开口率,进而提高显示面板的显示效果。
进一步地,通过设置第一存储电容C1在第一基板10上的垂直投影和第二存储电容C2在第一基板10上的垂直投影均位于像素单元14的畴线区域内,不会对显示面板的开口率造成影响,相比于现有技术(如图1所示),可以进一步提高显示面板的开口率,进而提高显示面板的显示效果。
需要说明的是,在实际中,畴线区域D出现的原因有多种。例如,由于显示面板中配向膜的配向方向不同而出现。下面示例性对该种情况进行详细说明,但不构成对本申请的限制。
图5为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。图6为沿图5中E1-E2的剖面结构示意图。参见图5和图6,该显示面板还包括与第一基板10对置的第二基板20;第二基板20靠近第一基板10的一侧设置有配向膜21;像素单元在第二基板20上的垂直投影为像素区23;同一像素区23包括至少两个子区域22(示例性地,图5和图6中仅包括两个子区域22);同一像素区23中,相邻两个子区域22内配向膜21的配向方向不同;第一存储电容C1在第二基板20上的垂直投影和第二存储电容C2在第二基板20上的垂直投影均位于相邻两个子区域22之间。为了清楚地展示显示面板的具体结构,在图5中未示出第二基板20。
由于相邻两个子区域22内配向膜21的配向方向不同,液晶的初始配向角度不同。由于液晶存在多米诺效应,一个液晶向某一方向倾倒,就会拉拽附近的液晶向相同的方向倾倒。两个子区域22之间的液晶受两边的向两个方向倾倒的液晶的拉拽,就存在一种不平衡,进而使得相邻两个子区域22之间液晶进入一种紊乱状态,形成黑线,即畴线区域D。通过设置第一存储电容C1在第二基板20上的垂直投影和第二存储电容C2在第二基板20上的垂直投影均位于相邻两个子区域22之间,不会对显示面板的开口率造成影响,相比于现有技术(如图1所示),可以进一步提高显示面板的开口率,进而提高显示面板的显示效果。
图7为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。为了清楚地展示显示面板的具体结构,在图7中同样未示出第二基板。参见图7,对于大尺寸的显示面板,尤其是VA模式的显示面板中,为了使得显示面板具有较佳的视角,通常设置同一像素区包括四个子区域,四个子区域排列形成2行2列的阵列结构;同一像素区中,各子区域内配向膜的配向方向不同。因此,在图7中,畴线区域D的形状为十字形。对此,可选地,第一存储电容C1在第二基板20上的垂直投影的形状和第二存储电容C2在第二基板上的垂直投影的形状均为十字形。上述技术方案不会对显示面板的开口率造成影响,相比于现有技术(如图1所示),可以进一步提高显示面板的开口率,进而提高显示面板的显示效果。
图8为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。图9为沿图8中F1-F2的剖面结构示意图。图10为图8中第一导电层的结构示意图。图11为图8中第二导电层的结构示意图。继续参见图8-图11,可选地,第一基板10还包括位于第二导电层12的多条数据线15和位于第一导电层11的多条扫描线16;数据线15位于相邻两列像素单元14之间,扫描线16位于相邻两行像素单元14之间;像素单元14与与其对应的扫描线16和数据线15电连接。
需要说明的是,在实际设置时,还可以设置数据线15位于第一导电层11,扫描线16位于第二导电层12中。本申请对此不作限制。
下面以数据线15位于第二导电层12,扫描线16位于第一导电层11为例进行说明。
继续参见图8-图11,可选地,第一基板10还包括多条存储信号线140;存储信号线140与第二存储电极142电连接;存储信号线140位于第一导电层11中,且与扫描线16沿同一方向延伸。这样设置可以利用存储信号线140为第二存储电极142提供驱动电压,进而使得在进行图像显示时,第一存储电容C1和第二存储电容C2正常运行。此外设置存储信号线140位于第一导电层11中,且与扫描线16沿同一方向延伸可以,不需要额外增加其他用于制作存储信号线140的导电膜层,可以进一步减小显示面板的厚度,在制作过程中只需一次刻蚀工艺就可以同时形成存储信号线140和位于第一导电层11中的其他结构(包括扫描线16以及第一存储电极141),可以减少掩膜板的需求数量,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。
图12为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。图13为沿图12中G1-G2的剖面结构示意图。图14为图12中第一导电层的结构示意图。图15为图12中第二导电层的结构示意图。与图8相比,图12中存储信号线140的设置方法不同。具体地,参见图12-15,存储信号线140还位于第二导电层12中,且与数据线15沿同一方向延伸,以将同一列像素单元中各第二存储电极142连接为一体。这样设置不需要额外增加其他用于制作存储信号线140的导电膜层,可以进一步减小显示面板的厚度,在制作过程中只需一次刻蚀工艺就可以同时形成与数据线15沿同一方向延伸的存储信号线140和位于第二导电层中的其他结构(包括数据线15以及第二存储电极142),可以减少掩膜板的需求数量,节省了成本,减少了制程数量,提高了生产效率。此外,这样设置可以使得第二存储电极142和与数据线15沿同一方向延伸的存储信号线140位于同一膜层中,不需要设置过孔和跨桥结构,就可以实现同一列像素单元中各第二存储电极142之间的电连接,可以简化同一列像素单元中各第二存储电极142之间的连接工艺。
继续参见图12,可选地,该显示面板中,像素单元14还包括控制开关18;控制开关18包括控制端181、信号输入端182以及信号输出端183;控制端181与扫描线16电连接,信号输入端182与数据线15电连接,信号输出端183与像素电极143电连接。这样设置可以利用控制开关18控制各像素单元14处于不同的工作状态,进而实现图像显示。可选地,控制开关18为薄膜晶体管。
从上述技术方案可以得到,像素电极143需要与信号输出端183和第一存储电极141均电连接。具体用于实现像素电极143与信号输出端183和第一存储电极141均电连接的方法有多种,下面就典型示例进行详细说明,但不构成对本申请的限制。
图16为沿图13中H1-H2的剖面结构示意图。参见图16,可选地,该显示面板还包括位于第一导电层11和第二导电层12之间的第一绝缘层31;位于第二导电层12和第三导电层13之间的第二绝缘层32;第一通孔M1和第二通孔M2,其中第一通孔M1贯穿第一绝缘层31和第二绝缘层32,第二通孔M2贯穿第二绝缘层32,且第一通孔M1和第二通孔M2互不连通;信号输入端(图16中未示出)和信号输出端183位于第二导电层12;第一通孔M1露出部分第一存储电极141,像素电极143通过第一通孔M1与第一存储电极141电连接;第二通孔M2露出所述信号输出端183,像素电极143通过第二通孔M2与信号输出端电183连接。
图17为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参见图17,可选地,该显示面板还包括位于第一导电层11和第二导电层12之间的第一绝缘层31;位于第二导电层12和第三导电层13之间的第二绝缘层32;第三通孔M3和第四通孔M4,其中,第三通孔M3贯穿第一绝缘层31,第四通孔M4贯穿第二绝缘层32,且第四通孔M4的孔径大于第三通孔M3的孔径;信号输入端(图17中未示出)和信号输出端183位于所述第二导电层12;第三通孔M3露出部分第一存储电极141,第四通孔M4露出部分信号输出端183和第三通孔M3,像素电极143通过第三通孔M3和第四通孔M4同时与第一存储电极141和信号输出端183电连接。这样设置有利于缩小用于实现像素电极143与第一存储电极141和信号输出端183电连接的区域,减小因设置像素电极143与第一存储电极141和信号输出端183电连接的区域而造成对像素单元开口率的影响,进而提高显示面板的显示效果。
由于在面内转换模式(IPS mode)的显示面板或边缘场模式(FFS mode)的显示面板中,用于控制液晶翻转的公共电极和像素电极均位于液晶层的同一侧,公共电极和像素电极之间的电容本身已经很大,对存储电容的电容量要求不高。而垂直取向模式(VA mode)的显示面板或扭曲向列模式(TN mode)的显示面板中,用于控制液晶翻转的公共电极和像素电极均位于液晶层相对的两侧,公共电极和像素电极之间的电容很小,对存储电容的电容量要求低,可选地,在上述技术方案中,显示面板为垂直取向模式的显示面板或扭曲向列模式的显示面板。
基于相同的发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置。图18为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图,参见图18,该显示装置101包括本发明实施例提供的任意一种显示面板201。
由于该显示装置包括本发明实施例提供的任意一种显示面板,其具有与其所包括的显示面板相同或相应的有益效果,此处不再赘述。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种显示面板,包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,其特征在于,所述阵列基板包括依次层叠设置的第一基板、第一导电层、第二导电层和第三导电层;
所述显示面板还包括多个阵列排布的像素单元,所述像素单元包括畴线区域;
所述像素单元还包括位于所述第一导电层的第一存储电极、位于所述第二导电层的第二存储电极和位于所述第三导电层的像素电极;
所述第一存储电极与所述像素电极电连接;
同一所述像素单元内,所述第一存储电极在所述第一基板上的垂直投影和所述第二存储电极在所述第一基板上的垂直投影至少部分重合,以形成第一存储电容;所述第二存储电极在所述第一基板上的垂直投影和所述像素电极在所述第一基板上的垂直投影至少部分重合,以形成第二存储电容;
所述第一存储电容在所述第一基板上的垂直投影和所述第二存储电容在所述第一基板上的垂直投影均位于所述像素单元的所述畴线区域内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括与所述第一基板对置的第二基板;
所述第二基板靠近所述第一基板的一侧设置有配向膜;
所述像素单元在所述第二基板上的垂直投影为像素区;
同一所述像素区包括至少两个子区域;
同一所述像素区中,相邻两个所述子区域内所述配向膜的配向方向不同;
所述第一存储电容在所述第二基板上的垂直投影和所述第二存储电容在所述第二基板上的垂直投影均位于相邻两个所述子区域之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
同一所述像素区包括四个子区域,所述四个子区域排列形成2行2列的阵列结构;
同一所述像素区中,各所述子区域内所述配向膜的配向方向不同;
所述第一存储电容在所述第二基板上的垂直投影的形状和所述第二存储电容在所述第二基板上的垂直投影的形状均为十字形。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括位于所述第二导电层的多条数据线和位于所述第一导电层的多条扫描线;
所述数据线位于相邻两列所述像素单元之间,所述扫描线位于相邻两行所述像素单元之间;
所述像素单元与与其对应的所述扫描线和所述数据线电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括多条存储信号线;
所述存储信号线与所述第二存储电极电连接;
所述存储信号线位于所述第一导电层中,且与所述扫描线沿同一方向延伸;或者
所述存储信号线位于所述第二导电层中,且与所述数据线沿同一方向延伸。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元还包括控制开关;
所述控制开关包括控制端、信号输入端以及信号输出端;
所述控制端与所述扫描线电连接,所述信号输入端与所述数据线电连接,所述信号输出端与所述像素电极电连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,还包括:
位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层;
位于所述第二导电层和所述第三导电层之间的第二绝缘层;
第一通孔和第二通孔,其中所述第一通孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层,所述第二通孔贯穿所述第二绝缘层,且所述第一通孔和所述第二通孔互不连通;
所述信号输入端和所述信号输出端位于所述第二导电层;
所述第一通孔露出部分所述第一存储电极,所述像素电极通过所述第一通孔与所述第一存储电极电连接;
所述第二通孔露出部分所述信号输出端,所述像素电极通过所述述第二通孔与所述信号输出端电连接。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,还包括:
位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层;
位于所述第二导电层和所述第三导电层之间的第二绝缘层;
第三通孔和第四通孔,其中,所述第三通孔贯穿所述第一绝缘层,所述第四通孔贯穿所述第二绝缘层,且所述第四通孔的孔径大于所述第三通孔的孔径;
所述信号输入端和所述信号输出端位于所述第二导电层;
所述第三通孔露出部分所述第一存储电极,所述第四通孔露出部分所述信号输出端和所述第三通孔,所述像素电极通过所述第三通孔和所述第四通孔同时与所述第一存储电极和所述信号输出端电连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板为垂直取向模式的显示面板或扭曲向列模式的显示面板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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- 2018-12-28 CN CN201811627643.3A patent/CN109557732A/zh active Pending
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