CN109554678B - 柔性氮化铝薄膜及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种柔性氮化铝薄膜及其制作方法，包括铝基底及氮化铝膜层，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述铝基底上，所述第一氮化铝膜层为由铝基底的表面经过氮化处理而形成的膜层。该柔性氮化铝薄膜中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。

Description

柔性氮化铝薄膜及其制造方法
技术领域
本发明涉及柔性技术领域，尤其是一种柔性氮化铝薄膜及其制造方法。
背景技术
进入二十一世纪，信息、材料、能源成为科技发展的主题，如何制备出满足人们需求的、并具有优异性质的材料，引起了科学家的高度重视。压电材料作为一种功能材料，可以实现机械能与电能之间的转换。自从压电效应被发现以来，人们对压电材料的研究从未停止，并且压电材料已被广泛用于电子、通信、医疗卫生、国防等领域。近年来,随着微机电系统(MEMS)技术的发展，压电薄膜材料被广泛应用于传感器、执行器、换能器等器件，如压力传感器、声波谐振器件(Lamb波器件、声表面波器件、薄膜体声波谐振器、Love波器件等)、能量搜集器件、声光耦合器件等。尽管如此，制备高性能的压电薄膜材料，特别是性能稳定，能适应高温、高压等复杂环境，并且与MEMS(微机电系统)工艺兼容性良好的压电材料已成为研制MEMS压电薄膜器件迫切需要解决的问题。氮化铝压电薄膜的问世让人们看到了曙光。
氮化铝(AlN)是一种重要Ⅲ-Ⅴ族氮化物，具有稳定的纤锌矿结构。氮化铝薄膜被广泛用于制作紫外波段发光器件、封装基板、高频谐振器、滤波器等。现有工艺制备氮化铝薄膜的方法主要有反应磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和脉冲激光沉积(PLD)等。这些工艺产生的沉积离子能量较低，AlN薄膜与基材的结合力较小，在对可靠性比较高的柔性氮化铝薄膜器件中往往存在可靠性低的问题，导致器件性能恶化。同时，目前氮化铝薄膜衬底层主要为Si(100)、Si(111)、Pt(100)/SiO2/Si(100)单晶基片等硬板衬底层，其一般依靠减少硬板衬底层的厚度来使氮化铝薄膜具有柔性，但是，该方法做出的柔性材料仍然不能够满足对柔性的要求。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种柔性氮化铝薄膜及其制造方法，该柔性氮化铝薄膜中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
本发明提供了柔性氮化铝薄膜，包括铝基底及氮化铝膜层，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述铝基底上，所述第一氮化铝膜层为由铝基底的表面经过氮化处理而形成的膜层，所述氮化铝薄膜还包括衬底层，所述铝基底设置于所述衬底层上，所述衬底层为非铝金属箔，所述柔性氮化铝薄膜还包括第一过渡膜层及第二过渡膜层，所述第一过渡膜层设置于所述衬底层上，所述第二过渡膜层形成于所述第一过渡膜层上，所述第一过渡膜层为与衬底层同材质金属形成的膜层，所述第二过渡膜层为铝与衬底层同材质金属的合金的膜层。
进一步地，所述柔性氮化铝膜层还包括柔性高分子膜层，所述衬底层形成于所述柔性高分子膜层上。
本发明还提供了一种柔性氮化铝薄膜的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
提供铝基底；
对所述铝基底进行氮化处理，在所述铝基底的表面上形成第一氮化铝膜层；以及，
在所述第一氮化铝膜层上形成第二氮化铝膜层；
该方法包括提供衬底层，当所述衬底层为非铝材质金属时，该方法还包括：
提供非铝金属材质的衬底层；
通过沉积工艺在所述衬底层上形成第一过渡膜层，所述第一过渡膜层为与所述衬底层同材质金属形成的膜层；
通过磁过滤多弧离子镀在所述第一过渡膜层上沉积所述铝基底，同时在所述铝基底与所述第一过渡膜层之间形成第二过渡膜层，所述第二过渡膜层为与所述衬底层同材质金属及铝的合金形成的膜层。
进一步地，在所述第一氮化铝膜层上通过沉积工艺形成所述第二氮化铝膜层。进一步地，该方法还包括：
提供柔性高分子膜层；
将所述衬底层压合于所述柔性高分子膜层上。
综上所述，在本发明中，通过将柔性氮化铝薄膜设置为由第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层两层膜层在铝基底上形成，由于第一氮化铝膜层是由铝基底经过氮化处理而形成的，因此，第一氮化铝膜层与铝基地的结合力较强，由于第二氮化铝膜层通过沉积工艺形成于第一氮化铝膜层上，两层氮化铝膜层的结合同样会较为紧密，同时沉积工艺也可以的设置也可以使第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层的总厚度满足氮化铝薄膜对于氮化铝膜层厚度的要求，防止针孔的产生。因此，在本实施例中氮化铝膜层与铝基底之间具有较高的结合力。进一步地，通过不同材料衬底层的设置，能够使本发明提供的柔性氮化铝薄膜具备更广的使用空间。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例提供的柔性氮化铝薄膜的截面结构示意图。
图2所示为本发明第二实施例提供的柔性氮化铝薄膜的截面结构示意图。
图3所示为本发明第三实施例提供的柔性氮化铝薄膜的截面结构示意图。
图4所示为本发明第四实施例提供的柔性氮化铝薄膜的截面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，详细说明如下。
本发明提供了一种柔性氮化铝薄膜及其制造方法，该柔性氮化铝薄膜中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
图1所示为本发明第一实施例提供的柔性氮化铝薄膜的截面结构示意图，如图1所示，本发明第一实施例提供的柔性氮化铝薄膜包括铝基底10及氮化铝膜层20，该氮化铝膜层20包括第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22，第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22依次形成于铝基底10上，其中第一氮化铝膜层21由铝基底10的表面经过氮化处理而形成。
在本实施例中，柔性氮化铝薄膜为由第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22两层膜层在铝基底10上形成，由于第一氮化铝膜层21是由铝基底10的表面经过氮化处理而形成的，第一氮化铝膜层21与铝基底10之间是金属键和共价键结合，因此，第一氮化铝膜层21与铝基地的结合力较强，在第一氮化铝膜层21上形成第二氮化铝膜层22，由于第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22同样为氮化铝膜层，两层氮化铝之间通过离子键和共价键相互结合，因此，其结合力同样较强，这又可以使第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22的总厚度满足氮化铝薄膜对于氮化铝膜层20厚度的要求，防止针孔的产生。因此，在本实施例中氮化铝膜层20与铝基底10之间具有较高的结合力。
更为具体地，第二氮化铝膜层22通过沉积工艺形成，通过沉积工艺在第一氮化铝膜层21上形成第二氮化铝膜层22，由于第一氮化铝膜层21与第二氮化铝膜层22是同一种物质，两者在沉积过程中形成离子键和共价键，这能够保证第一氮化铝膜层21与第二氮化铝膜层22之间的结合力，增加整个氮化铝膜层20与铝基底10之间的结合力。
进一步地，在本实施例中，氮化铝膜层20的厚度为20nm-2μm，其中，第一氮化铝膜层21的厚度为5nm-10nm，第二氮化铝膜层22的厚度为15nm-1.99μm。
进一步地，柔性氮化铝薄膜还可以包括衬底层31，铝基底10设置于衬底层31上。在本实施例中，衬底层31可以为与铝基底10同材质的铝箔，此时铝基底10与衬底层31形成于一体，也即，直接在铝箔上进行氮化处理以形成第一氮化铝膜层21，以减少柔性氮化铝薄膜的厚度、减轻氮化铝薄膜的质量，以及减少工艺流程。为了满足衬底层31厚度的要求，此时的铝箔的厚度会较厚，其厚度可以达到12μm-18μm。
图2所示为本发明第二实施例提供的柔性氮化铝薄膜的截面结构示意图，如图2所示，本发明第二实施例提供的柔性氮化铝薄膜与第一实施例基本相同，其不同之处在于，在本实施例中，柔性氮化铝薄膜还可以包括柔性高分子膜层40，铝基底10形成于柔性高分子膜层40上，柔性高分子膜层40对整个柔性氮化铝薄膜进行保护，以及便于柔性氮化铝薄膜的制作。在本实施例中，柔性高分子膜层40的厚度小于200μm。
图3所示为本发明第三实施例提供的柔性氮化铝薄膜的截面结构示意图，本发明第三实施例提供的柔性氮化铝薄膜与第一实施例基本相同，其不同之处在于，在本实施例中，衬底层31为铝合金，铝基底10通过沉积工艺形成于铝合金上。由于衬底层31为铝合金，因此，可以提高氮化铝薄膜的耐腐蚀等性能，使得器件能够应用在腐蚀性较强的环境，如海中。
图4所示为本发明第四实施例提供的柔性氮化铝薄膜的截面结构示意图，如图4所示，本发明第四实施例提供的柔性氮化铝薄膜与第一实施例基本相同，其不同之处在于，在本实施例中，衬底层31的材质不为铝，其高导热性的Cu、Fe、Ti、Ag、Ni、Sn等非铝金属，以增加其导热性能，以及增加使用寿命，铝基底10形成于衬底层31上。
进一步地，在本实施例中，氮化铝薄膜还包括第一过渡膜层32及第二过渡膜层33，第一过渡膜层32设置于衬底层31上，第二过渡膜层33设置于第一过渡膜层32上，铝基底10设置于第二过渡膜层33上，其中第一过渡膜层32为与衬底层31同材质金属形成的膜层，第二过渡膜层33为铝与衬底层31同材质金属的合金的膜层。通过第一过渡膜层32及第二过渡膜层33的设置，能够增加铝基底10与衬底层31之间的结合力。
更为具体地，第一过渡膜层32由与衬底层31同材质的金属在衬底层31上通过沉积工艺形成，第二过渡膜层33由在第一过镀膜层上沉积铝基底10时同时形成。也即在向第一过渡膜层32沉积铝基底10时，由于沉积工艺中能量的影响，沉积的铝金属会先与接触的第一过渡膜层32形成一层合金层。
在本实施例中，衬底层31的厚度为12μm-18μm。第一过渡膜层32的厚度为20nm-50nm，第二过渡膜层33的厚度为5nm-10nm。由于在此实施例中，铝基底10不再承担衬底层31的作用，因此铝基底10可以较薄，其厚度为15nm-40nm。
可以理解地，在第三及第四实施例中，其都可以包括高分子膜层，衬底层31通过压合的方法形成于柔性高分子膜层40上。
综上所述，在本发明中，柔性氮化铝薄膜为由第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22两层膜层在铝基底10上形成，由于第一氮化铝膜层21是由铝基底10经过氮化处理而形成的，因此，第一氮化铝膜层21与铝基地的结合力较强，由于第二氮化铝膜层22通过沉积工艺形成于第一氮化铝膜层21上，两层氮化铝膜层20的结合同样会较为紧密，同时沉积工艺也可以使第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22的总厚度满足氮化铝薄膜对于氮化铝膜层20厚度的要求，防止针孔的产生。因此，在本实施例中氮化铝膜层20与铝基底10之间具有较高的结合力。进一步地，通过不同材料衬底层31的设置，能够使本发明提供的柔性氮化铝薄膜具备更广的使用空间。
本发明还提供了一种柔性氮化铝薄膜的制作方法，该制作方法包括如下步骤：
提供一铝基底10；
对铝基底10进行氮化处理，以在铝基底10的表面上形成第一氮化铝膜层21；以及
在第一氮化铝膜层21上形成第二氮化铝膜层22。
更为具体地，为了提高第一氮化铝薄膜与铝基底10的结合力强度，铝基底10表面的粗糙度为10nm-0.4μm。
在第一氮化铝膜层21上通过沉积工艺形成第二氮化铝膜层22。
在进行氮化处理时，可以以氮化铝陶瓷为靶材，将真空室抽真空至真空度高于3×10-3Pa，向真空腔充入流量为20-50sccm的氮气，使真空腔的真空度为2.0×10-2Pa～5.0～10-2Pa，打开霍尔离子源，调整电压至800-2000V，使霍尔离子源的电流为0.1-2A，对铝基底10进行等离子体氮化处理及表面清洗，其时间为10-20min，使铝基底10表面产生厚度为5nm-10nm的第一氮化铝膜层21。
在进行氮化处理后，可以关闭霍尔离子源，氮气流量关小至5-10sccm，并充入流量为40-100sccm的氩气，使得真空腔室的真空度为0.1-0.5Pa，打开磁控溅射，使磁控溅射功率为80w-200w，对附有氮化铝薄膜的铝基底10表现进行沉积，沉积时间为1-100min，使第一氮化铝膜层21上产生厚度为15nm-1.99μm后的第二氮化铝膜层22。
通过用百格法进行测试，该氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B，其最小弯折半径为2nm-10mm。
进一步地，在本实施例中，在提供铝基底10前，该方法还包括设置一衬底层31，并使铝基底10形成于衬底层31上。
在本发明的其中一个实施例中，该衬底层31的材料为铝箔，此时，铝基底10与衬底层31结合为一体，也即，该铝箔即作为铝基底10的存在，也作为衬底层31的存在，此时，铝箔的厚度较厚，其厚度为12-18μm。
进一步地，在本实施例中，该方法还包括：
提供一柔性高分子膜层40；
将衬底层31压合于柔性高分子膜层40上。
该柔性高分子层可以由PI(Polyimide；聚酰亚胺)，PET(Polyethyleneterephthalate；聚对苯二甲酸乙二醇酯)，LCP(Liquid Crystal Polymer；液晶聚合物)等材质制成，其厚度小于200μm。
在本发明的另一个实施例中，该衬底层31为其高导热性的Cu、Fe、Ti、Ag、Ni、Sn等非铝材质。在将铝基底10形成于衬底层31上时，该方法还包括如下步骤：
提供一非铝金属材质的金属箔作为衬底层31；
通过沉积工艺在衬底层31上形成第一过渡膜层32，第一过渡膜层32为与衬底层31同材质金属形成的膜层；
通过磁过滤多弧离子镀在第一过渡膜层32上沉积铝基底10，同时在铝基底10与第一过渡膜层32之间形成第二过渡膜层33，第二过渡膜层33为与衬底层31同材质金属及铝形成的合金膜层。
更为具体地，在进行沉积工艺时，提供一非铝材质的金属箔作为衬底层31，以A金属、铝金属和氮化铝陶瓷作为靶材，初始真空度高于3×10-3Pa。其中，非铝材质的金属箔的表面粗糙度为10nm～0.4μm，厚度为12μm～18μm。
向真空腔充入流量为15-30sccm的氩气，使真空腔室的真空度为1.5×10-2Pa～3.0×10-2Pa，打开第一磁过滤多弧离子镀电源，调整电弧电流为55-65A，沉积时间为2min-5min，使第一过渡膜层32的厚度达到20nm-50nm。
关闭第一磁过滤多弧离子镀电源，打开第二磁过滤多弧离子镀电源，调整电弧电流至55-65A，沉积时间为2min-5min，在第一过渡膜层32上沉积铝基底10至一定厚度，由于磁过滤多弧离子镀的能量是溅射能量的几十倍，因此，在沉积过程中，铝基底10与第一过渡膜层32之间可以形成作为第二过渡膜层33，第二过渡膜层33为衬底层31同材质金属与铝的合金层。此时，铝基底10的厚度为15-40nm，第二过渡膜层33的厚度为5-10nm。
在本发明的又一实施例中，该衬底层31为铝合金，在将铝基底10形成于铝合金材质的衬底层31上时，该方法还包括如下步骤：
提供一铝合金材质的衬底层31；
通过沉积工艺将铝基底10沉积于该衬底层31上。
更为具体地，在进行沉积工艺时，提供铝合金的金属箔作为衬底层31，以铝合金和氮化铝陶瓷作为靶材，初始真空度高于3×10-3Pa。其中，铝合金的表面粗糙度为10nm～0.4μm，厚度为12μm～18μm；
向真空腔室通入流量为15-30sccm的氩气，使真空腔室的真空度为1.5×10-2Pa～3.0×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源，调整电弧电流为55-65A，沉积时间为2min-5min，以在铝合金衬底层31上形成厚度为20nm-50nm的铝基底10。
以下以具体的实施例对本发明提供的柔性氮化铝薄膜进行说明：
实施例1：以柔性金属铝箔作为衬底层31，表面粗糙度10nm，厚度12μm，氮化铝陶瓷为靶材，抽真空至3×10-3Pa，打开氮气阀门，调整氮气流量为20sccm，真空度为2×10-2Pa，打开霍尔离子源，调整电压为800V，电流为0.1A，处理时间为10min，获得的第一氮化铝膜层21厚度为5nm。
将氮气流量关小至5sccm，氩气流量为40sccm，使得真空腔室的真空度为0.1Pa。磁控溅射功率为80w，薄膜沉积时间为1min，获得的第二氮化铝膜层22厚度为15nm。
经测试，氮化铝膜层20的厚度为20nm，纯度≥99％，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B，最小弯折半径为2mm。经过1000次弯折之后，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B。
实施例2：以柔性金属铝箔作为衬底层31，表面粗糙度0.4μm，厚度18μm，氮化铝陶瓷为靶材，抽真空至3×10-3Pa，打开氮气阀门，调整氮气流量为50sccm，真空度为5.0×10- 2Pa，打开霍尔离子源，调整电压为2000V，电流为2A，处理时间为20min，获得的第一氮化铝膜层21厚度为10nm。
氮气流量关小至10sccm，氩气流量为100sccm，使得真空腔室的真空度为0.5Pa。磁控溅射功率为200w，薄膜沉积时间为10min，获得的第二氮化铝膜层22厚度为1.99μm。
经测试，氮化铝膜层20的厚度为2μm，纯度≥99％，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B，最小弯折半径为10mm。经过1000次弯折之后，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B。
实施例3：以柔性铜箔作为衬底层31，表面粗糙度10nm，厚度12μm，铜、铝金属和氮化铝陶瓷作为靶材，抽真空至3×10-3Pa，打开氩气阀门，调节氩气流量为15sccm，使得真空度为1.5×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源(铜)，调节电弧电流为55A，沉积2min，以形成第一过渡膜层32。关闭磁过滤多弧离子镀电源(铜)，打开磁过滤多弧离子镀电源(铝)，调节电弧电流至55A,沉积2min，以形成第二过渡膜层33及铝基底10。获得的第一过渡膜层32的厚度为20nm，第二过渡膜层33的厚度为5nm，铝基底10的厚度为15nm。
关闭氩气阀门和磁过滤多弧离子镀电源(铝)，打开氮气阀门，调节氮气流量为20sccm，使得腔室的真空度为2.0×10-2Pa，打开霍尔离子源，调节电压为800V，电流为0.1A，处理时间为10min，获得的第一氮化铝膜层21的厚度为5nm。
关闭霍尔离子源，关小氮气流量至5sccm，打开氩气阀门，调节氩气流量至40sccm，使得真空度为0.1Pa，打开磁控溅射电源，调节功率至80W，沉积时间1min，获得的第二氮化铝膜层22的厚度为15nm。
经测试，氮化铝膜层20的厚度为20nm，纯度≥99％，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B，最小弯折半径为2mm。经过1000次弯折之后，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B。
实施例4：以柔性铜箔作为衬底层31，表面粗糙度0.4μm，厚度18μm，铜、铝金属和氮化铝陶瓷作为靶材，抽真空至3×10-3Pa，打开氩气阀门，调节氩气流量为30sccm，使得真空度为3.0×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源(铜)，调节电弧电流为65A，沉积5min，以形成第一过渡膜层32。关闭磁过滤多弧离子镀电源(铜)，打开磁过滤多弧离子镀电源(铝)，调节电弧电流至65A，沉积5min，以形成第二过渡膜层33及铝基底10。获得的第一过渡膜层32的厚度为50nm，第二过渡膜层33的厚度为10nm，铝基底10的厚度为40nm。
关闭氩气阀门和磁过滤多弧离子镀电源(铝)，打开氮气阀门，调节氮气流量为50sccm，使得腔室的真空度为5.0×10-2Pa，打开霍尔离子源，调节电压为2000V，电流为2A，处理时间为20min，获得的第一氮化铝膜层21的厚度为10nm。
关闭霍尔离子源，关小氮气流量至10sccm，打开氩气阀门，调节氩气流量至100sccm，使得真空度为0.5Pa，打开磁控溅射电源，调节功率至200W，沉积时间100min，获得的第二氮化铝膜层22的厚度为1.99μm。
经测试，氮化铝膜层20的厚度为2μm，纯度≥99％，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B，最小弯折半径为10mm。经过1000次弯折之后，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B。
实施例5：以柔性铜铝合金作为衬底层31材料，表面粗糙度10nm，厚度12μm，铝金属和氮化铝陶瓷作为靶材，抽真空至3×10-3Pa。打开氩气阀门，调节氩气流量为15sccm，使得真空度为1.5×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源，调节电弧电流为55A，沉积2min，获得的铝基底10的厚度为20nm。
关闭氩气阀门和磁过滤多弧离子镀电源，打开氮气阀门，调节氮气流量为20sccm，使得腔室的真空度为2.0×10-2Pa，打开霍尔离子源，调节电压为800V，电流为0.1A，处理时间为10min，获得的第一氮化铝膜层21的厚度为5nm。
关闭霍尔离子源，关小氮气流量至5sccm，打开氩气阀门，调节氩气流量至40sccm，使得真空度为0.1Pa，打开磁控溅射电源，调节功率至80W，沉积时间1min，获得的第二氮化铝膜层22的厚度为15nm。
经测试，氮化铝膜层20的厚度为20nm，纯度≥99％，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B，最小弯折半径为2mm。经过1000次弯折之后，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B。
实施例6：以柔性铜铝合金作为衬底层31材料，表面粗糙度0.4μm，厚度18μm，铝金属和氮化铝陶瓷作为靶材，抽真空至3×10-3Pa。打开氩气阀门，调节氩气流量为30sccm，使得真空度为3.0×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源，调节电弧电流为65A，沉积5min，获得的铝基底10的厚度为50nm。
关闭氩气阀门和磁过滤多弧离子镀电源，打开氮气阀门，调节氮气流量为50sccm，使得腔室的真空度为5.0×10-2Pa，打开霍尔离子源，调节电压为2000V，电流为2A，处理时间为20min，获得的第一氮化铝膜层21的厚度为10nm。
关闭霍尔离子源，关小氮气流量至10sccm，打开氩气阀门，调节氩气流量至100sccm，使得真空度为0.5Pa，打开磁控溅射电源，调节功率至200W，沉积时间100min，获得的第二氮化铝膜层22的厚度为1.99μm。
经测试，氮化铝膜层20的厚度为2μm，纯度≥99％，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B，最小弯折半径为2mm。经过1000次弯折之后，氮化铝膜层20与铝基底10的结合力为5B。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (6)

1.柔性氮化铝薄膜，其特征在于：包括铝基底及氮化铝膜层，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述铝基底上，所述第一氮化铝膜层为由铝基底的表面经过氮化处理而形成的膜层，所述氮化铝薄膜还包括衬底层，所述铝基底设置于所述衬底层上，所述衬底层为非铝金属箔，所述柔性氮化铝薄膜还包括第一过渡膜层及第二过渡膜层，所述第一过渡膜层设置于所述衬底层上，所述第二过渡膜层形成于所述第一过渡膜层上，所述第一过渡膜层为与衬底层同材质金属形成的膜层，所述第二过渡膜层为铝与衬底层同材质金属的合金的膜层。
2.如权利要求1所述的柔性氮化铝薄膜，其特征在于：所述第二氮化铝膜层为通过沉积工艺形成的膜层。
3.如权利要求2所述的柔性氮化铝薄膜，其特征在于：所述柔性氮化铝膜层还包括柔性高分子膜层，所述衬底层形成于所述柔性高分子膜层上。
4.柔性氮化铝薄膜的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
提供铝基底；
对所述铝基底进行氮化处理，在所述铝基底的表面上形成第一氮化铝膜层；以及，
在所述第一氮化铝膜层上形成第二氮化铝膜层；
该方法包括提供衬底层，当所述衬底层为非铝材质金属时，该方法还包括：
提供非铝金属材质的衬底层；
通过沉积工艺在所述衬底层上形成第一过渡膜层，所述第一过渡膜层为与所述衬底层同材质金属形成的膜层；
通过磁过滤多弧离子镀在所述第一过渡膜层上沉积所述铝基底，同时在所述铝基底与所述第一过渡膜层之间形成第二过渡膜层，所述第二过渡膜层为与所述衬底层同材质金属及铝的合金形成的膜层。
5.如权利要求4所述的柔性氮化铝薄膜的制作方法，其特征在于：在所述第一氮化铝膜层上通过沉积工艺形成所述第二氮化铝膜层。
6.根据权利要求4所述的柔性氮化铝薄膜的制作方法，其特征在于：该方法还包括：
提供柔性高分子膜层；
将所述衬底层压合于所述柔性高分子膜层上。
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