CN109545974A - 绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法 - Google Patents

绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109545974A
CN109545974A CN201811418904.0A CN201811418904A CN109545974A CN 109545974 A CN109545974 A CN 109545974A CN 201811418904 A CN201811418904 A CN 201811418904A CN 109545974 A CN109545974 A CN 109545974A
Authority
CN
China
Prior art keywords
perovskite
film
flannelette
uniform
situ
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811418904.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109545974B (zh
Inventor
杨冠军
李小磊
刘梅军
王瑶
楚倩倩
李长久
李成新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Jiaotong University
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN201811418904.0A priority Critical patent/CN109545974B/zh
Publication of CN109545974A publication Critical patent/CN109545974A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109545974B publication Critical patent/CN109545974B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，包括：第一步，利用黏度不低于2.5mPa·s的高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶；第二步，钙钛矿液膜的均匀涂覆；第三步，钙钛矿液膜的干燥处理；第四步，钙钛矿薄膜的热处理：将经干燥处理的钙钛矿薄膜在90～150℃进行10～120min的退火处理，去除残余溶剂并使晶粒长大，最后得到全覆盖仿金字塔形的绒面均匀钙钛矿薄膜。本发明在不对硅金字塔绒面进行抛光磨平处理的条件下，采用溶液沉积法实现了在微米尺度起伏的金字塔绒面基底上全覆盖均匀仿形钙钛矿薄膜的制备，保持了硅太阳能电池高效率的优势；套公式省去了抛光磨平处理，降低了生产成本，减少了时间的浪费，提高了实际生产速度。

Description

绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法
技术领域
本发明属于硅-钙钛矿叠层太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法。
背景技术
太阳能电池是一种能够将太阳光的能量直接转变为电能的半导体器件，它对于解决人类发展过程中的能源与环境问题具有重要的意义。有机无机杂化钙钛矿太阳能电池因其具有超高的光电转化效率、简单低廉的制备工艺和设备、可溶液法低温制备等优点，近年来受到了全世界学术界及产业界的广泛关注。截止2018年11月，得到认证的单结钙钛矿太阳能电池的最高效率已经达到23.4％。更高的光电转换效率始终是光伏电池技术发展的核心目标之一。然而单结钙钛矿太阳能电池的光电转换效率无法超过肖克利-奎伊瑟极限理论效率。多结太阳能电池，即叠层电池由具有不同带隙的太阳能子电池组成，是一种成熟有效的突破肖克利-奎伊瑟极限理论效率的方式，已经广泛应用于传统的硅、砷化镓太阳能电池。硅太阳能电池是目前占据市场份额最大的主流光伏技术。单晶硅的带隙约为1.1eV，是理想的窄带隙子电池。有机无机杂化钙钛矿材料及全无机钙钛矿材料具有带隙连续可调(1.25～2.0eV)的特点。基于上述特点，硅-钙钛矿叠层光伏电池技术成为了实现超高效、低成本光伏发电技术的重大课题之一。
高效率商业化硅太阳能电池通常采用金字塔绒面陷光结构。硅金字塔绒面起伏高度通常在1～20μm，它能够有效增加光俘获能力，从而提高电池的短路电流密度。然而，在这种复杂的表面纹理结构难以沉积厚度均匀的钙钛矿膜。以溶液法沉积厚度小于1μm的钙钛矿薄膜时，溶液在“金字塔”之间的谷中积聚，使得金字塔的塔尖上没有覆盖液体，这将导致最终的钙钛矿薄膜无法完全覆盖金字塔的顶角及棱。这种现象将导致电池短路，进而降低钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的光电转换效率。为了避免这一问题，现有技术对硅电池的金字塔绒面进行了抛光磨平处理。然而，与具有金字塔绒面陷光结构的硅电池相比，硅太阳能电池抛光后的光电转换效率会降低至原始值的约50％。因此，这一技术方案存在如下不足：第一，对硅金字塔绒面进行抛光磨平处理大幅降低了硅太阳能电池的光电转换效率；第二，增加的抛光磨平处理提高了叠层太阳能电池的生产成本，增加了工序和时间，降低了生产效率。因此，如何在微米尺度起伏的金字塔绒面基底上制备全覆盖均匀仿形钙钛矿薄膜成为实现高效率低成本硅-钙钛矿两端叠层光伏电池技术的核心难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，以解决上述技术问题。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，包括以下步骤：
第一步，利用黏度不低于2.5mPa·s的高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶；
第二步，钙钛矿液膜的均匀涂覆：将钙钛矿前驱体溶胶或溶液涂覆在具有金字塔绒面形貌的基底上，形成一层厚度小于金字塔平均特征高度的60％的均匀仿形钙钛矿液膜；金字塔平均特征高度范围为5～20μm；
第三步，钙钛矿液膜的干燥处理：快速完成对钙钛矿液膜的干燥处理，从而获得均匀全覆盖仿金字塔形钙钛矿薄膜；
第四步，钙钛矿薄膜的热处理：将经干燥处理的钙钛矿薄膜在90～150℃进行10～120min的退火处理，去除残余溶剂并使晶粒长大，最后得到全覆盖仿金字塔形的绒面均匀钙钛矿薄膜。
进一步的，快速完成对钙钛矿液膜的干燥处理，具体为在棱角处局部外法向固相和液相中溶质的总量与设计量之比不低于棱角处局部外法向钙钛矿薄膜可承受最小厚度与设计厚度之比前，完成钙钛矿液膜的干燥处理；所述固相和液相中溶质的总量包括已形核结晶的固相钙钛矿和液相中尚未结晶的钙钛矿。设计厚度是不低于50nm；能承受的最小厚度与设计厚度之比不低于10％。
进一步的，所述已形核结晶的固相钙钛矿包括固相钙钛矿和以络合物形式存在的钙钛矿。
进一步的，所述高粘度溶剂为正丙醇、丁醇或乙二醇。
进一步的，所述的金字塔绒面形貌的基底为硅金字塔绒面。
进一步的，所述的金字塔绒面形貌的基底为沉积有仿形隧穿层的硅金字塔绒面、涂覆有仿形空穴传输层的硅金字塔绒面或涂覆有仿形电子传输层的硅金字塔绒面。
进一步的，钙钛矿前驱体溶胶中溶质的化学通式为ABX3，其中A选自烷基胺、碱金属或其组合，B选自铅、锡或其组合，X选自Br、Cl、I或其组合。
进一步的，第一步配置的钙钛矿前驱体溶胶为饱和钙钛矿前驱体溶胶。
进一步的，所述干燥处理方法为抽气法或通气-抽气法。
进一步的，所述快速指，第一步涂覆完成后，8s内完成对钙钛矿液膜的快速干燥处理。涂覆完后，转移至多流气刀设备/抽气干燥设备中耗时约5s以内，外加流气刀干燥/抽气干燥3s，总耗时约8s内。
与现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明选择高黏度溶剂配置钙钛矿溶液获得高黏度钙钛矿液膜，抑制液膜爬行，利用抽气法快速干燥，完成薄膜制备；避免现有技术中，以溶液法沉积厚度小于1μm的钙钛矿薄膜时，溶液在“金字塔”之间的谷中积聚，使得金字塔的塔尖上没有覆盖液体的技术问题。
(1)本发明在不对硅金字塔绒面进行抛光磨平处理的条件下，能够采用溶液法实现微米尺度起伏的金字塔绒面基底上全覆盖均匀仿形钙钛矿薄膜的制备，保持了硅太阳能电池高效率的优势，能够实现光电转换效率大于35％的硅-钙钛矿两端叠层太阳能电池技术；
(2)本发明免去了硅金字塔绒面的抛光磨平处理，降低了硅-钙钛矿叠层太阳能电池的生产成本，减少了时间的浪费，提高了实际生产速度。
(3)本发明采用黏度不低于2.5mPa·s的高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶，使得涂覆后钙钛矿前驱体溶胶能够完全覆盖金字塔绒面，且有一定的时间可以保持形状以能够及时干燥，最终获得全覆盖仿金字塔形的绒面均匀钙钛矿薄膜。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明实施方法作进一步说明。
实施例1
绒面均匀钙钛矿膜的制备方法，包括：
(1)利用高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶：以正丙醇为溶剂，PbI2和CH3NH3I为溶质，配制饱和浓度的钙钛矿溶胶，混合搅拌后得到黄色透明的钙钛矿前驱体溶胶。
(2)钙钛矿液膜的均匀涂覆：采用软毛刷涂覆的方式将钙钛矿前驱体溶胶涂覆在具有金字塔绒面形貌的硅太阳能电池上，形成一层淡黄色的厚度为2μm的均匀仿形钙钛矿液膜。仿形钙钛矿液膜的厚度小于金字塔平均特征高度的60％。
(3)钙钛矿液膜的干燥处理：第(2)步涂覆完成后，在3s内利用多流气刀钙钛矿液膜快速干燥法完成对钙钛矿液膜的干燥处理，从而获得厚度为400nm的均匀全覆盖仿金字塔形钙钛矿薄膜。
(4)钙钛矿薄膜的热处理：将经多流气刀干燥处理的钙钛矿薄膜在100℃进行20min的退火处理，去除残余溶剂并使晶粒长大，最后得到致密全覆盖的仿金字塔形的黑色绒面均匀钙钛矿薄膜。
实施例2
绒面均匀钙钛矿膜的制备方法，包括：
(1)利用高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶：以丁醇为溶剂，PbI2和CH3NH3I为溶质，配制饱和浓度的钙钛矿溶胶，混合搅拌后得到黄色透明的钙钛矿前驱体溶胶。
(2)钙钛矿液膜的均匀涂覆：采用刮刀涂布的方式将钙钛矿前驱体溶胶涂覆在具有金字塔绒面形貌的硅太阳能电池上，形成一层淡黄色的厚度为1μm的均匀仿形钙钛矿液膜。仿形钙钛矿液膜的厚度小于金字塔平均特征高度的60％。
(3)钙钛矿液膜的干燥处理：第(2)步涂覆完成后，在3s内利用抽气-通气钙钛矿液膜快速干燥法完成对钙钛矿液膜的干燥处理，从而获得厚度为200nm的均匀全覆盖仿金字塔形钙钛矿薄膜。
(4)钙钛矿薄膜的热处理：将钙钛矿薄膜在90℃进行10min的退火处理，去除残余溶剂并使晶粒长大，最后得到致密全覆盖的仿金字塔形的黑色绒面均匀钙钛矿薄膜。
实施例3
绒面均匀钙钛矿膜的制备方法，包括：
(1)利用高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶：以乙二醇为溶剂，PbI2和FAI为溶质，配制饱和浓度的钙钛矿溶胶，混合搅拌后得到黄色透明的钙钛矿前驱体溶胶。
(2)钙钛矿液膜的均匀涂覆：采用刮刀涂布的方式将钙钛矿前驱体溶胶涂覆在具有金字塔绒面形貌的硅太阳能电池上，形成一层淡黄色的厚度为1μm的均匀仿形钙钛矿液膜。仿形钙钛矿液膜的厚度小于金字塔平均特征高度的60％。
(3)钙钛矿液膜的干燥处理：第(2)步涂覆完成后，在3s内利用抽气-通气钙钛矿液膜快速干燥法完成对钙钛矿液膜的干燥处理，从而获得厚度为200nm的均匀全覆盖仿金字塔形钙钛矿薄膜。
(4)钙钛矿薄膜的热处理：将钙钛矿薄膜在150℃进行80min的退火处理，去除残余溶剂并使晶粒长大，最后得到致密全覆盖的仿金字塔形的黑色绒面均匀钙钛矿薄膜。
实施例4
绒面均匀钙钛矿膜的制备过程：
(1)利用高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶：以丁醇为溶剂，PbI2和CH3NH3I为溶质，配制饱和浓度的钙钛矿溶胶，混合搅拌后得到黄色透明的钙钛矿前驱体溶胶。
(2)钙钛矿液膜的均匀涂覆：采用刮刀涂布的方式将钙钛矿前驱体溶胶涂覆在具有金字塔绒面形貌的硅太阳能电池上，形成一层淡黄色的厚度为1μm的均匀仿形钙钛矿液膜。仿形钙钛矿液膜的厚度小于金字塔平均特征高度的60％。
(3)钙钛矿液膜的干燥处理：第(2)步涂覆完成后，在3s内利用抽气-通气钙钛矿液膜快速干燥法完成对钙钛矿液膜的干燥处理，从而获得厚度为200nm的均匀全覆盖仿金字塔形钙钛矿薄膜。
(4)钙钛矿薄膜的热处理：将钙钛矿薄膜在120℃进行120min的退火处理，去除残余溶剂并使晶粒长大，最后得到致密全覆盖的仿金字塔形的黑色绒面均匀钙钛矿薄膜。
综上所述，以上仅为本发明的最佳实施例而已，凡是依本发明权利要求书和说明书所作的等效修改，均属于本发明专利涵盖的范围。

Claims (9)

1.绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，利用黏度不低于2.5mPa·s的高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶；
第二步，钙钛矿液膜的均匀涂覆：将钙钛矿前驱体溶胶或溶液涂覆在具有金字塔绒面形貌的基底上，形成一层厚度小于金字塔平均特征高度的60％的均匀仿形钙钛矿液膜；
第三步，钙钛矿液膜的干燥处理：快速完成对钙钛矿液膜的干燥处理，从而获得均匀全覆盖仿金字塔形钙钛矿薄膜；
第四步，钙钛矿薄膜的热处理：将经干燥处理的钙钛矿薄膜在90～150℃进行10～120min的退火处理，去除残余溶剂并使晶粒长大，最后得到全覆盖仿金字塔形的绒面均匀钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，快速完成对钙钛矿液膜的干燥处理，具体为在棱角处局部外法向固相和液相中溶质的总量与设计量之比不低于棱角处局部外法向钙钛矿薄膜可承受最小厚度与设计厚度之比前，完成钙钛矿液膜的干燥处理；所述固相和液相中溶质的总量包括已形核结晶的固相钙钛矿和液相中尚未结晶的钙钛矿。
3.根据权利要求2所述的绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，所述已形核结晶的固相钙钛矿包括固相钙钛矿和以络合物形式存在的钙钛矿。
4.根据权利要求1所述的绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，所述高粘度溶剂为正丙醇、丁醇或乙二醇。
5.根据权利要求1所述的绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，所述的金字塔绒面形貌的基底为硅金字塔绒面。
6.根据权利要求1所述的绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，所述的金字塔绒面形貌的基底为沉积有仿形隧穿层的硅金字塔绒面、涂覆有仿形空穴传输层的硅金字塔绒面或涂覆有仿形电子传输层的硅金字塔绒面。
7.根据权利要求1所述的绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，钙钛矿前驱体溶胶中溶质的化学通式为ABX3，其中A选自烷基胺、碱金属或其组合，B选自铅、锡或其组合，X选自Br、Cl、I或其组合。
8.根据权利要求1所述的绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，第一步配置的钙钛矿前驱体溶胶为饱和钙钛矿前驱体溶胶。
9.根据权利要求1所述的绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法，其特征在于，所述干燥处理方法为抽气法或通气-抽气法。
CN201811418904.0A 2018-11-26 2018-11-26 绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法 Active CN109545974B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811418904.0A CN109545974B (zh) 2018-11-26 2018-11-26 绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811418904.0A CN109545974B (zh) 2018-11-26 2018-11-26 绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109545974A true CN109545974A (zh) 2019-03-29
CN109545974B CN109545974B (zh) 2021-01-19

Family

ID=65849872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811418904.0A Active CN109545974B (zh) 2018-11-26 2018-11-26 绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109545974B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112151634A (zh) * 2020-09-21 2020-12-29 上海交通大学 在具有绒面的晶硅太阳电池表面涂覆钙钛矿材料的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105023921A (zh) * 2015-06-17 2015-11-04 华北电力大学 一种钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法
CN106252520A (zh) * 2016-09-29 2016-12-21 西安交通大学 一种多流干燥气刀及利用该气刀制备钙钛矿太阳电池中钙钛矿薄膜的方法
CN106299131A (zh) * 2016-09-21 2017-01-04 淮海工学院 SPPs薄膜异质结和钙钛矿叠层的太阳电池及其制备方法
CN106338876A (zh) * 2016-09-05 2017-01-18 重庆帝创光显电子科技有限公司 一种应用钙钛矿薄膜太阳能电池的正投光学微结构幕布
CN107743530A (zh) * 2015-06-12 2018-02-27 牛津光伏有限公司 沉积钙钛矿材料的方法
US20180226917A1 (en) * 2016-04-12 2018-08-09 Jonathan Jacques Pyramidal wall sections
CN108447926A (zh) * 2018-05-18 2018-08-24 嘉兴尚羿新能源有限公司 一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构及其制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107743530A (zh) * 2015-06-12 2018-02-27 牛津光伏有限公司 沉积钙钛矿材料的方法
CN105023921A (zh) * 2015-06-17 2015-11-04 华北电力大学 一种钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法
US20180226917A1 (en) * 2016-04-12 2018-08-09 Jonathan Jacques Pyramidal wall sections
CN106338876A (zh) * 2016-09-05 2017-01-18 重庆帝创光显电子科技有限公司 一种应用钙钛矿薄膜太阳能电池的正投光学微结构幕布
CN106299131A (zh) * 2016-09-21 2017-01-04 淮海工学院 SPPs薄膜异质结和钙钛矿叠层的太阳电池及其制备方法
CN106252520A (zh) * 2016-09-29 2016-12-21 西安交通大学 一种多流干燥气刀及利用该气刀制备钙钛矿太阳电池中钙钛矿薄膜的方法
CN108447926A (zh) * 2018-05-18 2018-08-24 嘉兴尚羿新能源有限公司 一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构及其制作方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FLORENT SAHLI ET LA: ""Fully textured monolithic perovskite/silicon tandem solar cells with 25.2% power conversion efficiency"", 《NATURE MATERIALS》 *
YAN LI ET AL: ""Realizing full coverage of perovskite film on substrate surface during solution processing: Characterization and elimination of uncovered surface"", 《JOURNAL OF POWER SOURCES》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112151634A (zh) * 2020-09-21 2020-12-29 上海交通大学 在具有绒面的晶硅太阳电池表面涂覆钙钛矿材料的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109545974B (zh) 2021-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. A scalable electrodeposition route to the low-cost, versatile and controllable fabrication of perovskite solar cells
CN109524553A (zh) 绒面均匀钙钛矿膜的液膜速干抑爬原位析晶制备方法
CN104195645A (zh) 用于刻蚀太阳能电池硅片的酸性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法
CN109524487B (zh) 具有微观圆滑棱角的绒面电池硅其及制备方法
CN104600197B (zh) 一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法
CN105355671B (zh) 一种宽光谱高效太阳能光伏电池
CN109545975A (zh) 绒面均匀钙钛矿膜的液膜抑爬原位冷冻升华析晶制备方法
CN106128772B (zh) 一种硫化铅量子点光伏电池的制备方法
CN107275445A (zh) 一种多晶硅太阳能电池片隔离返工工艺
CN110534595A (zh) 一种perc双面太阳能电池及其制备方法
CN105849594A (zh) 三维抗反射纳米锥膜
CN109545988A (zh) 绒面均匀钙钛矿膜的液膜冷基抑爬热胶涂膜原位速干析晶制备方法
CN109524551A (zh) 绒面均匀钙钛矿膜的液膜速涂气刀速干法抑爬原位析晶连续制备方法
CN102569502A (zh) 一种湿法刻蚀工艺
CN103107242B (zh) 在玻璃基板上制备钒酸铋太阳能电池的方法
CN109801989A (zh) 一种发电建材及其制备方法
CN109545974A (zh) 绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法
CN105932074A (zh) 一种具有自洁特性的太阳能电池封装玻璃及其制备方法及具有其的太阳能电池
CN101976703B (zh) 降低表面复合减反膜电池的工艺
CN109545973B (zh) 具有纳米尺度液膜爬行增阻层的硅钙钛矿叠层太阳能电池及绒面均匀钙钛矿薄膜的制备方法
CN109545976B (zh) 绒面均匀空穴或电子传输膜的液膜高温高浓速涂原位速干制备方法
CN109545977A (zh) 绒面均匀钙钛矿膜的液膜增稠抑爬原位析晶制备方法
CN109560198A (zh) 绒面均匀钙钛矿膜的液膜冷气抑爬原位速干析晶制备方法
CN101704635A (zh) 一种在光学太阳反射镜上制备掺铝氧化锌薄膜的方法
CN109524488A (zh) 具有纳米尺度凸起的仿金字塔绒面增阻层的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant