CN109541896A - 一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，包括以下步骤：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；将浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；将晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗，将基底水洗后,使用氮气吹干或者旋干机进行旋干；将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。本发明采用干湿式相结合的方法可有效去除光阻，利用等离子体及引入紫外光的方式对残余光阻进行蚀刻，通过调节Ar气的气体流量比及紫外光的照度已达到有效去除残余光阻的目的，这样彻底消除因光阻残留对产品造成的光电性影响，提高了产品的良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及蚀刻制程中的新型去除光阻方式。
背景技术
在LED芯片的整个制作过程中,透明电极和金属电极图形的制作常常用到光阻来完成,而完成电极后的光阻去除不可避免的成为了LED晶片制作过程的一个重要环节。
光阻(photoresist)，通常也被称作光阻剂，作为一种光敏材料被广泛应用在工业制程中，尤其在LED行业中,光阻是光刻技术不可缺小的原料常常在晶片表面制作成被覆层。目前使用的光阻,被分为两类，正向光和负向光阻。正向光阻的特性为被光照射到的部分会溶于光阻显影液,而没有被照射到的部分不会溶于光阻显影液；而负向光阻特性恰恰相反,其被光照射到的部分不会溶于光阻显影液,没有被光照射到的部分反而会溶于光阻显影液。一般而言,正向光阻价格比较昂贵且解析度较高；而负向光刻胶价格相对较便宜,解析度较低,去胶相对容易。LED制作过程中,光阻最主要是被使用在LED芯片制造的中的金属电极或者透明电极蒸镀剥离制程中，由于LED电极所使用的金属材料不易经使用蚀刻的方法制作电极图形，所以常常利用剥离(Lift-off)技术，得到凸起的光阻层，使金属在蒸镀过程中不会连续分布在光阻上，然后使用光阻去胶液进行清洗的方式，将光阻上层的金属及光阻层部分同时剥离掉，完成金属电极图形的制作过程。另外，在制作完成金属电极的制作后需要进行酸碱溶液的清洗时，需要光阻作为保护层进行保护作业。目前，光阻的去除,最常用的方法为多级光去去胶液通过高温加热进行长时间浸泡去除，在光阻的去除过程中,传统方法占用设备材料较多，消耗的光阻去胶液成本较高，效率较低，且在去除光阻时，存在部分光阻尤其是非登高平面上的光阻去除不彻底的弊端，影响产品的光电性能和良率。
发明内容
本发明旨在提供了一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式。
本发明提供如下技术方案：
一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，包括以下步骤：
(1)将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；
(2)将浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；
(3)将晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗，将基底水洗后,使用氮气吹干或者旋干机进行旋干；
(4)将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。
所述去光阻液的温度为55-65℃。
所述步骤(2)中的超声浸泡的超声频率为10Khz-50Khz，超声时间为5-10分钟。
所述离子装置的偏压功率为300W，离子化功率为500W，蚀刻时间为130s，气体流量为15±1sccm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用干湿式相结合的方法可有效去除光阻，利用等离子体及引入紫外光的方式对残余光阻进行蚀刻，通过调节Ar气的气体流量比及紫外光的照度已达到有效去除残余光阻的目的，这样彻底消除因光阻残留对产品造成的光电性影响，提高了产品的良率。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，包括以下步骤：
(1)将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；
(2)将浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；
(3)将晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗，将基底水洗后,使用氮气吹干或者旋干机进行旋干；
(4)将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。
所述去光阻液的温度为55-65℃。
所述步骤(2)中的超声浸泡的超声频率为10Khz-50Khz，超声时间为5-10分钟。
所述离子装置的偏压功率为300W，离子化功率为500W，蚀刻时间为130s，气体流量为15±1sccm。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (4)
1.一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；
(2)将浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；
(3)将晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗，将基底水洗后,使用氮气吹干或者旋干机进行旋干；
(4)将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。
2.根据权利要求1所述的一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于：所述去光阻液的温度为55-65℃。
3.根据权利要求1所述的一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于：所述步骤(2)中的超声浸泡的超声频率为10Khz-50Khz，超声时间为5-10分钟。
4.根据权利要求1所述的一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于：所述离子装置的偏压功率为300W，离子化功率为500W，蚀刻时间为130s，气体流量为15±1sccm。
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