CN109474179A - 功率放大器的供电调制器 - Google Patents

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Abstract

根据一些示例实施例，一种装置包括：升降压转换器；第一降压转换器，连接在升降压转换器的输出端子处；第二降压转换器，连接在升降压转换器的输出端子处；第一LA，包括与升降压转换器的输出端子连接的第一供电电压输入、以及与第一降压转换器的输出端子连接的输出端子，其中第一LA被配置为向第一发送器的第一PA提供第一调制供电电压；第二LA，包括与升降压转换器的输出端子连接的第二供电电压输入、以及与第二降压转换器的输出端子连接的输出端子，其中第二LA被配置为向第二发送器的第二PA提供第二调制供电电压。

Description

功率放大器的供电调制器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月7日在美国专利商标局提交的序列号为No.62/555,321的美国临时专利申请、以及于2018年8月1日在美国专利商标局提交的序列号为No.16/052,557的美国非临时专利申请的优先权，这两个专利的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
根据本发明的实施例的一个或多个方面涉及供电调制器，例如，涉及与用于功率放大器的供电调制器相关的系统和方法。
背景技术
开关模式电源(SMPS)提供稳压DC电源，该稳压DC电源可以为给定尺寸、成本和重量的功率单元提供更多功率，并用于各种电子设备，包括计算机和需要稳定高效的电源的其它敏感设备。SMPS效率高，并且使用以高频接通和断开的开关设备、以及在开关设备处于非导通状态时供电的存储部件来转换电力。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理解，因此可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
提供本发明内容是为了介绍将在以下详细描述中进一步描述的本公开的实施例的特征和构思的选择。本发明内容不旨在标识所要求保护主题的关键特征或基本特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。所描述的特征中的一个或多个特征可以与一个或多个其它描述的特征组合以提供可工作的设备。
本公开的示例实施例的方面涉及一种与功率放大器的供电调制器相关的系统和方法。
根据本公开的一些示例实施例，一种装置包括：升降压转换器；第一降压转换器，连接在升降压转换器的输出端子处；第二降压转换器，连接在升降压转换器的输出端子处；第一线性放大器(LA)，包括与升降压转换器的输出端子连接的第一供电电压输入、以及与第一降压转换器的输出端子连接的输出端子，其中第一LA被配置为经由第一LA的输出端子向第一发送器的第一功率放大器(PA)提供第一调制供电电压；第二LA，包括与升降压转换器的输出端子连接的第二供电电压输入、以及与第二降压转换器的输出端子连接的输出端子，其中第二LA被配置为经由第二LA的输出端子向第二发送器的第二PA提供第二调制供电电压。
根据一些示例实施例，该装置还包括：第一开关模块，包括第一开关和第二开关；以及第二开关模块，包括第三开关和第四开关，其中第一开关的第一端子和第二开关的第一端子连接到第一降压转换器的输出端子，第三开关的第一端子和第四开关的第一端子连接到第二降压转换器的输出端子，第一开关的第二端子和第三开关的第二端子连接到升降压转换器的输出端子，并且第二开关的第二端子和第四开关的第二端子彼此连接。
根据一些示例实施例，第一开关、第二开关、第三开关和第四开关是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、或n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管、或互补MOS(CMOS)晶体管。
根据一些示例实施例，该装置还包括：第一电容器，连接在第一开关的第二端子或第三开关的第二端子与地之间，其中第一开关的第二端子和第三开关的第二端子连接在一起；以及第二电容器，连接在第二开关的第二端子或第四开关的第二端子与地之间。根据一些示例实施例，第一电容器的电容在0.1μF至10μF之间，并且第二电容器的电容在0.1uF至10uF之间。
根据一些示例实施例，升降压转换器包括：第一P型或互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管，第一P型或CMOS晶体管的源极端子连接到电池电压；第一个N型晶体管，第一N型晶体管的漏极端子连接到第一P型或CMOS晶体管的漏极端子，并且第一N型晶体管的源极端子连接到地；第二P型或CMOS晶体管，第二P型或CMOS晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；第二N型晶体管，第二N型晶体管的漏极端子连接到第二P型或CMOS晶体管的漏极端子，并且第二N型晶体管的源极端子连接到地；以及，第一电感器，连接在第一P型或CMOS晶体管的漏极端子和第二P型或CMOS晶体管的漏极端子之间，其中第一电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且第一电感器的载流能力大于1A。
根据一些示例实施例，第一降压转换器包括：第一P型晶体管，第一P型晶体管的源极端子连接到电池电压；第一N型晶体管，第一N型晶体管的漏极端子连接到第一P型晶体管的漏极端子，并且第一N型晶体管的源极端子连接到地；第二P型晶体管，其中第二P型晶体管的漏极端子与第一P型晶体管的漏极端子和第一N型晶体管的漏极端子连接，并且第二P型晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；以及第二电感器，连接在第二P型晶体管的漏极端子和第一降压转换器的输出端子之间，其中第二电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且第二电感器的载流能力大于1A。
根据一些示例实施例，第二降压转换器包括：第一P型晶体管，第一P型晶体管的源极端子连接到电池电压；第一N型晶体管，第一N型晶体管的漏极端子连接到第一P型晶体管的漏极端子，并且第一N型晶体管的源极端子连接到地；第二P型晶体管，其中第二P型晶体管的漏极端子与第一P型晶体管的漏极端子和第一N型晶体管的漏极端子连接，并且第二P型晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；以及第三电感器，连接在第二P型晶体管的漏极端子和第二降压转换器的输出端子之间，其中第三电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且第三电感器的载流能力大于1A。
根据一些示例实施例，该装置被配置为在平均功率跟踪(APT)模式下或在包络跟踪(ET)模式下操作。
根据一些示例实施例，一种系统包括升降压转换器、连接在升降压转换器的输出端子处的第一降压转换器、以及连接在升降压转换器的输出端子处的第二降压转换器。根据一些示例实施例，该系统还包括：第一线性放大器(LA)，包括与升降压转换器的输出端子连接的第一供电电压输入、以及与第一降压转换器的输出端子连接的输出端子；第二LA，包括与升降压转换器的输出端子连接的第二供电电压输入、以及与第二降压转换器的输出端子连接的输出端子。
根据一些示例实施例，第一LA被配置为经由第一LA的输出端子向第一发送器的第一功率放大器(PA)提供第一调制供电电压，并且第二LA被配置为经由第二LA的输出端子向第二发送器的第二PA提供第二调制供电电压。
根据一些示例实施例，该系统还包括：第一开关模块，包括第一开关和第二开关；以及第二开关模块，包括第三开关和第四开关，其中，第一开关的第一端子和第二开关的第一端子连接到第一降压转换器的输出端子，第三开关的第一端子和第四开关的第一端子连接到第二降压转换器的输出端子，第一开关的第二端子和第三开关的第二端子连接到升降压转换器的输出端子，第二开关的第二端子和第四开关的第二端子彼此连接，其中第一开关、第二开关、第三开关和第四开关是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、或n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管、或互补MOS(CMOS)晶体管。
根据一些示例实施例，该系统还包括：第一电容器，连接在第一开关的第二端子或第三开关的第二端子与地之间，其中第一开关的第二端子和第三开关的第二端子连接在一起；以及第二电容器，连接在第二开关的第二端子或第四开关的第二端子与地之间，其中第一电容器的电容在0.1μF至10μF之间，并且第二电容器的电容在0.1μF至10μF之间。
根据一些示例实施例，升降压转换器包括：第一P型或CMOS晶体管，第一P型或CMOS晶体管的源极端子连接到电池电压；第一个N型晶体管，第一N型晶体管的漏极端子连接到第一P型或CMOS晶体管的漏极端子，并且第一N型晶体管的源极端子连接到地；第二P型或CMOS晶体管，第二P型或CMOS晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；第二N型晶体管，第二N型晶体管的漏极端子连接到第二P型或CMOS晶体管的漏极端子，并且第二N型晶体管的源极端子连接到地；以及，第一电感器，连接在第一P型或CMOS晶体管的漏极端子和第二P型或CMOS晶体管的漏极端子之间，其中第一电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且第一电感器的载流能力大于1A。
根据一些示例实施例，第一降压转换器包括：第一P型晶体管，第一P型晶体管的源极端子连接到电池电压；第一N型晶体管，第一N型晶体管的漏极端子连接到第一P型晶体管的漏极端子，并且第一N型晶体管的源极端子连接到地；第二P型晶体管，其中第二P型晶体管的漏极端子与第一P型晶体管的漏极端子和第一N型晶体管的漏极端子连接，并且第二P型晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；以及第二电感器，连接在第二P型晶体管的漏极端子和第一降压转换器的输出端子之间，其中第二电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且第二电感器的载流能力大于1A。
根据一些示例实施例，第二降压转换器包括：第一P型晶体管，第一P型晶体管的源极端子连接到电池电压；第一N型晶体管，第一N型晶体管的漏极端子连接到第一P型晶体管的漏极端子，并且第一N型晶体管的源极端子连接到地；第二P型晶体管，其中第二P型晶体管的漏极端子与第一P型晶体管的漏极端子和第一N型晶体管的漏极端子连接，并且第二P型晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；以及第三电感器，连接在第二P型晶体管的漏极端子和第二降压转换器的输出端子之间，其中第三电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且第三电感器的载流能力大于1A。
根据一些示例实施例，一种方法包括：在装置的输入端子处从电池电源接收输入电压；通过调制输入电压产生第一输出电压，以向用户设备(UE)的第一发送器中的第一功率放大器提供第一供电电压；以及通过调制输入电压产生第二输出电压，以向UE的第二发送器中的第二功率放大器提供第二供电电压。
根据一些示例实施例，所述输入电压通过以下操作来调制：对输入电压进行升压或降压，以根据第一供电电压的期望值产生第一输出电压；以及对输入电压进行升压或降压，以根据第二供电电压的期望值产生第二输出电压，其中通过在所述装置中使用升降压转换器和至少两个降压转换器来调制所述输入电压。
根据一些示例实施例，第一输出电压是在第一线性放大器(LA)的输出端子处产生的，并且第二输出电压是在第二LA的输出端子处产生的，其中，第一LA和第二LA中的每一个LA从升降压转换器的输出端子接收供电电压。
附图说明
参考说明书、权利要求和附图，将明白和理解本发明的一些示例实施例的这些及其它特征，在附图中：
图1A示出了根据本发明的一些示例实施例的降压转换器的示意图；
图1B示出了根据本发明的一些示例实施例的图1A的降压转换器的输出特性的图形表示；
图2A示出了根据本发明的一些示例实施例的升压转换器的示意图；
图2B示出了根据本发明的一些示例实施例的图2A的升压转换器的输出特性的图形表示；
图3A示出了根据本发明的一些示例实施例的升降压转换器的示意图；
图3B示出了根据本发明的一些示例实施例的图3A的升降压转换器的输出特性的图形表示；
图4A示出了根据本发明的一些示例实施例的线性放大器(LA)的示意图；
图4B示出了根据本发明的一些示例实施例的图4A的LA的输出特性的图形表示；
图5A示出了根据本发明的一些示例实施例的功率放大器(PA)的框图；
图5B示出了根据本发明的一些示例实施例的图5A的PA的射频(RF)输出(RF_out)信号相对于图5A的PA的供电电压的图形表示；
图6A示出了根据本发明的一些示例实施例的PA的框图；
图6B示出了根据本发明的一些示例实施例的RF_out信号相对于图6A的PA的第一供电电压和第二供电电压的图形表示；
图7A示出了根据本发明的一些示例实施例的PA的框图；
图7B示出了根据本发明的一些示例实施例的图7A的PA的输出信号(RF_out)相对于供电电压波形的图形表示；
图8A示出了根据本发明的一些示例实施例的在低功率操作下的PA(LP-PA)的输出特性的图形表示；
图8B示出了根据本发明的一些示例实施例的在高功率操作下的PA(HP-PA)的输出特性的图形表示；
图9A示出了根据本发明的一些示例实施例的PA的供电调制器(SM)的框图；
图9B示出了根据本发明的一些示例实施例的图9A的在平均功率跟踪(APT)模式下的支持LP-PA的SM的框图；
图9C示出了根据本发明的一些示例实施例的图9A的在APT模式下的支持HP-PA的SM的框图；
图9D示出了根据本发明的一些示例实施例的图9A的在包络跟踪(ET)模式下的支持HP-PA的SM的框图；
图10A示出了根据本发明的一些示例实施例的SM的框图；以及
图10B示出了根据本发明的一些示例实施例的描述图10A的SM的不同组件在不同操作模式期间的状态(通/断)以及图10A的SM的在输出端子处的输出的表。
具体实施方式
以下结合附图给出的详细描述旨在作为对根据本发明提供的涉及功率放大器的供电调制器的系统和方法的一些示例实施例的描述，而不旨在表示可以构成或利用本发明的唯一形式。描述结合所示实施例阐述了本发明的特征。然而，应该理解的是，相同或等同的功能和结构可以通过不同的实施例来实现，这些不同实施例也旨在被包含在本发明的范围内。如本文其它地方所表示的，相似的元件编号旨在指示相似的元件或特征。
包络跟踪(ET)技术在无线电信领域(例如，长期演进(LTE))中越来越流行，因为ET技术可以在无线电信设备(例如，LTE用户设备(UE))中提供显著的功率节省，并且还可以提高射频(RF)放大器的效率。在ET系统中，基带信号和包络信号可以由信号处理器(例如，DSP)产生，并且功率放大器(PA)的供电电压可以由使用直流到直流(DC-DC)转换器的供电调制器(SM)来产生。PA的输出可以与由SM产生的ET信号相关。同样地，在ET系统中，为了实现最优跟踪，可能希望使DC-DC转换器的带宽高于带内信号带宽，以将SM的带宽降低到低于开关频率，从而为开关谐波提供衰减。可以通过降低SM的带宽和时钟频率来降低开关损耗。
在最近的LTE 3GPP标准中提出了上行链路(UL)载波聚合(CA)和高功率(HP)UE。UL-CA通过聚合带内或带间载波来提高数据速率，并且使用SM IC为发送器(TX)路径产生独立控制的供电电压。用于时分双工(TDD)LTE频带41的名为“功率类别2”的新HP UE标准允许26dBm输出功率，其比功率类别3高3dBm。为了使得高电压RF PA的输出为满足功率类别2的26dBm，可能希望SM具有比电池范围更大的电流驱动能力和升压能力。然而，常规的SM集成电路(IC)仅支持功率类别3RF-PA，并且在ET操作下具有高达40MHz带宽的带内连续CA。因此，为了支持带内和带间非连续CA，典型的ET系统可能需要两个SM-IC，其中占据UE(例如，手机)中的大部分印刷电路板(PCB)面积的外部组件的数量也翻倍。因此，一些示例实施例可以包括具有两个独立控制的支持功率类别2的TX输出的单芯片SM-IC，这可以节省整体系统成本和占用的PCB面积，并且还可以实现相对高的系统功率效率和低接收器频带噪声。
SMPS提供稳压DC供电，该稳压DC供电可以为给定尺寸、成本和重量的功率单元提供更多功率，并用于各种电子设备，包括计算机和需要稳定高效的电源的其它敏感设备。SMPS效率高，并且使用以高频接通和断开的开关设备、以及在开关设备处于非导通状态时供电的存储部件来转换电力。
图1A示出了降压转换器100的示意图。降压转换器100可以用在SMPS电路中，以实现低于DC输入电压Vin的DC输出电压Vout。降压转换器100包括p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管101、n沟道MOS(NMOS)晶体管102、电感器103、电容器104和负载(描绘为电阻器105)。
PMOS晶体管101的源极可以连接到输入电压Vin，PMOS晶体管101的漏极可以连接到节点107。可以对PMOS晶体管101的栅极施加栅极电压以导通PMOS晶体管101。NMOS晶体管102的漏极可以连接到节点107，NMOS晶体管102的源极可以连接到地。可以对NMOS晶体管102的栅极施加栅极电压以导通NMOS晶体管102。电感器103可以连接在节点107和节点108之间。电容器104可以连接在节点108和地之间。电阻负载105也可以连接在节点108和地之间。可以在电阻负载105两端或在节点108处测量降压转换器100的输出电压Vout。备选地，PMOS晶体管101和NMOS晶体管102可以导通/断开。
图1B示出了降压转换器100的输出特性的图形表示。在图1B中，降压转换器100的输出电压Vout沿Y轴绘制，降压转换器100的输入电压Vin沿X轴绘制，以示出降压转换器100的降压特性。如图1B所示，Vout小于Vin。
图2A示出了升压转换器200的示意图。升压转换器200可以用在SMPS电路中，以实现比DC输入电压Vin高的DC输出电压Vout。升压转换器200包括电感器201、PMOS晶体管203、NMOS晶体管204、电容器205和负载(描绘为电阻器206)。
电感器201可以连接在输入电压源Vin和节点202之间。PMOS晶体管203的源极可以连接到节点207，PMOS晶体管203的漏极可以连接到节点202。可以对PMOS晶体管203的栅极施加栅极电压以导通PMOS晶体管203。NMOS晶体管204的漏极可以连接到节点202，NMOS晶体管204的源极可以连接到地。电容器205可以连接在节点207和地之间。电阻负载206也可以连接在节点207和地之间。可以在电阻负载206两端或在节点207处测量升压转换器200的输出电压Vout。备选地，PMOS晶体管203和NMOS晶体管204可以导通/断开。
图2B示出了升压转换器200的输出特性的图形表示。在图2B中，升压转换器200的输出电压Vout沿Y轴绘制，升压转换器200的输入电压Vin沿X轴绘制，以示出升压转换器200的升压特性。如图2B所示，Vout大于Vin。
图3A示出了升降压转换器300的示意图。升降压转换器300可以用在SMPS电路中，以实现可以高于或低于DC输入电压Vin的DC输出电压Vout。升降压转换器300可以在降压模式下作为降压(降压式)转换器操作，或者在升压模式下作为升压(升压式)转换器操作。
升降压转换器300包括第一PMOS晶体管301、第一NMOS晶体管302、第二PMOS晶体管304、第二NMOS晶体管305、电感器303、电容器306和负载(描绘为电阻器307)。第一PMOS晶体管301的源极可以连接到输入电压Vin，第一PMOS晶体管301的漏极可以连接到节点309。可以对第一PMOS晶体管301的栅极施加栅极电压以导通第一PMOS晶体管301。第一NMOS晶体管302的漏极可以连接到节点309，第一NMOS晶体管302的源极可以连接到地。可以对第一NMOS晶体管302的栅极施加栅极电压以导通第一NMOS晶体管302。电感器303可以连接在节点309和节点310之间。第二PMOS晶体管304的源极可以连接到节点308，第二PMOS晶体管304的漏极可以连接到节点310。可以对第二PMOS晶体管304的栅极施加栅极电压以导通第二PMOS晶体管304。第二NMOS晶体管305的漏极可以连接到节点310，第二NMOS晶体管305的源极可以连接到地。电容器306可以连接在节点308和地之间。电阻负载307也可以连接在节点308和地之间。可以在电阻负载307两端或在节点308处测量升降压转换器300的输出电压Vout。
当升降压转换器300在降压模式下操作时，第一PMOS晶体管301和第一NMOS晶体管302可以交替地导通/断开。在降压模式下，第二PMOS晶体管304和第二NMOS晶体管305断开。当升降压转换器300在升压模式下操作时，第二PMOS晶体管304和第二NMOS晶体管305可以交替地导通/断开。在升压模式下，第一PMOS晶体管301和第一NMOS晶体管302断开。
图3B示出了升降压转换器300的输出特性的图形表示。在图3B中，升降压转换器300的输出电压Vout沿Y轴绘制，升降压转换器300的输入电压Vin沿X轴绘制，以示出升降压转换器300的降压/升压特性。如图3B所示，Vout可以小于、等于或大于Vin。
在示例中，降压转换器(100)、升压转换器(200)和升降压转换器(300)中的每一个的效率理论上是100％。然而，由于路径电阻和寄生电容而发生损耗。尽管降压转换器(100)、升压转换器(200)和升降转换器(300)具有高效率，但它们可能表现出低速。
图4A示出了线性放大器(LA)400的示意图。LA是一种输出与输入成比例(例如，Vout可以远小于Vin)的电子电路，并且能够向负载提供更多的功率。存在不同类别的LA(例如，A类、B类、AB类等)。A类LA在单端拓扑和推挽拓扑两者中表现出良好的线性。B类和AB类LA仅在推挽拓扑中表现出线性，其中两个有源元件(例如，晶体管)分别用于放大RF周期的正部分和负部分。图4A的LA 400包括PMOS晶体管401、NMOS晶体管402和由电阻器403表示的负载。PMOS晶体管401的源极可以连接到输入电压Vin，PMOS晶体管401的漏极可以连接到节点404。可以对PMOS晶体管401的栅极施加栅极电压以导通PMOS晶体管401。NMOS晶体管402的漏极可以连接到节点404，NMOS晶体管402的源极可以连接到地。可以对NMOS晶体管402的栅极施加栅极电压以导通NMOS晶体管402。电阻负载403可以连接在节点404和地之间。可以在电阻负载403两端或在节点404处测量LA 400的输出电压Vout。
图4B示出了LA 400的输出特性的图形表示。在图4B中，LA 400的输出电压Vout沿Y轴绘制，并且LA 400的输入电压Vin沿X轴绘制。LA 400的输出与其输入成比例，并且LA 400的效率理论上可以是0％至近似78.5％(π/4)，这是由于实现LA 400的技术(例如，补充MOS(CMOS))的电压降造成的。尽管LA 400可能具有低效率，但它可以表现出高速。相反，开关转换器(例如，降压转换器100、升压转换器200、升降压转换器300)可以具有低速但却高效。因此，可以期望混合转换器(其可以是开关转换器和线性放大器的组合)来实现高速和高效率。
图5A示出了具有固定供电电压(例如，Vmax)的PA 501的框图。PA 501具有对于提供给PA 501的输入的所有RF输入信号RF_in而言固定的供电电压。对于每个RF_in信号，PA501输出RF信号RF_out。
图5B示出了PA 501的RF_out信号相对于PA 501的供电电压(例如，V max)的图形表示。在图5B的示例图形表示中，PA 501的供电电压保持恒定，并且与RF_out信号无关。具有固定供电电压的PA 501是低效的，因为供电电压电平和RF_out信号的电压电平之间的差作为PA 501中的热而耗散而不是用于操作目的。
图6A示出了具有基于固定供电电压(例如，Vmax)的第一供电电压和基于平均功率跟踪(APT)的第二供电电压的PA 601的框图。当RF_out信号高于第一预定电压电平时，PA601被提供有第一供电电压，而当RF_out信号低于第二预定电压电平时，PA 601被提供有第二供电电压。第二供电电压低于第一供电电压，并且第一预定电压电平和第二预定电压电平可以相同或不同。在示例中，第二供电电压可以被确定为跟踪PA 601的平均功率并根据平均功率调整供电电压(这可以被称为APT)的函数。
在示例中，PA 601可以经由开关转换器603接收第二供电电压。到开关转换器603的供电电压可以是电池电压(Vbat)。在PA 601的APT操作模式期间，当RF_out信号高于第一预定电压电平时，提供高电压来作为第一供电电压，并且当RF_out信号低于第二预定电压电平时，提供低电压来作为第二供电电压。
图6B示出了RF_out信号相对于第一供电电压和第二供电电压的图形表示。在示例中，当RF_out信号高于第一预定电压电平时，供电电压(例如，第一供电电压和第二供电电压)可以为高，但是当RF_out信号低于第二预定电压电平时，供电电压降低。如在PA 601中那样，当RF_out信号低于第二预定电压电平时，在APT模式下降低供电电压。与图5A的PA501相比，PA 601表现出更低的功耗。这样，PA 601可以比PA 501更有效。
图7A示出了具有基于ET的供电电压波形的PA 701的框图。图7A的PA 701被提供有跟踪RF_out信号的供电电压。也就是说，在图7A的示例实施例中，调制PA 701的供电电压以跟踪RF_out信号的包络。这通常称为ET。PA 701包括具有可变供电电压(Vvar)的LA 703和具有供电电压Vbat的开关转换器705。当PA 701在ET模式下操作时，跟踪RF_out信号的供电电压波形被提供给PA 701。
图7B示出了PA 701的输出信号(RF_out)相对于供电电压波形的图形表示。由于在ET模式下PA 701的供电电压跟踪RF_out信号，因此与图5A的PA 501和图6A的PA 601相比，PA 701表现出比更低的功耗。这样，PA 701可以比PA 501和PA 601更高效。
图8A示出了在低功率操作下的PA(例如，501、601、701)(LP-PA)的输出特性的图形表示802。例如，LP-PA的最大供电电压Vmax可以小于最小电池电压(例如，Vbat，min)。在图8A中，LP-PA的输出电压RF_out沿X轴绘制，并且LP-PA的供电电压Vcc沿Y轴绘制。LP-PA可以在APT模式(例如，低电压APT)或ET模式(例如，低电压ET)下操作。
图8B示出了在高功率操作下的PA(例如，501、601、701)(HP-PA)的输出特性的图形表示804。例如，HP-PA的最大供电电压Vmax(4.8V)可以大于最小电池电压(Vbat，min)。HP-PA可以在APT模式(例如，高电压APT)或ET模式(例如，高电压ET)下操作。
图9A示出了根据本公开的示例实施例的PA 901的SM 900的框图。SM 900可以连接至PA 901。SM 900可以包括升降压转换器903、降压(双)转换器905、开关和电容器模块907以及LA 909。
图9A的升降压转换器903包括第一电感器911、用于通过电流的通道晶体管915、第一PMOS晶体管902、第一NMOS晶体管904、第二PMOS晶体管906和第二NMOS晶体管908。通道晶体管915可以是NMOS晶体管、PMOS晶体管或连接作为CMOS开关的NMOS晶体管和PMOS晶体管。本公开的实施例的晶体管不限于任何特定的晶体管类型，而是可以包括任何合适的晶体管类型(例如，NMOS晶体管、PMOS晶体管、或连接作为CMOS开关的NMOS晶体管和PMOS晶体管)。
在图9A中，第一PMOS晶体管902的源极可以连接到电池电压Vbat，第一PMOS晶体管902的漏极可以连接到节点918。可以对第一PMOS晶体管902的栅极施加栅极电压以导通第一PMOS晶体管902。第一NMOS晶体管904的漏极可以连接到节点918，第一NMOS晶体管904的源极可以连接到地。可以对第一NMOS晶体管904的栅极施加栅极电压以导通第一NMOS晶体管904。第一电感器911可以连接在节点918和节点920之间。第二PMOS晶体管906的源极可以连接到节点922，第二PMOS晶体管906的漏极可以连接到节点920。可以对第二PMOS晶体管906的栅极施加栅极电压以导通第二PMOS晶体管906。第二NMOS晶体管908的漏极可以连接到节点920，第二NMOS晶体管908的源极可以连接到地。可以在节点922处测量升降压转换器903的输出电压Vbb。
在图9A的升降压转换器903中，第一电感器911的电感可以在0.1μH至10μH之间，并且第一电感器911的载流能力可以大于1A。第一电感器911可以被称为“大电感器”，因为其物理尺寸可以近似2mm长和2mm宽。然而，随着技术的发展和这种电感器的尺寸改变，在本公开的实施例中可以使用其他尺寸。在示例中，升降压转换器903可以被称为“大升降压转换器”，因为第一电感器911的电感在0.1μH至10μH的范围内，并且第一电感器911的载流能力大于1A。
升降压转换器903被控制为当在降压模式下操作时输出小于Vbat的电压Vbb，或者当在升压模式下操作时输出大于Vbat的电压Vbb。根据晶体管尺寸，可以在升降压转换器903处产生在数百mA范围内的平均输出电流。在示例中，当在HP-PA中在APT模式下操作时，升降压转换器903可以产生大于Vbat的输出电压。然而，当在ET模式下操作时，升降压转换器903可以产生大于Vbat的输出电压，用于LA 909和大降压(双)转换器905的第四PMOS晶体管912的源极两者。因此，大降压(双)转换器905可以输出大于Vbat的电压。
在图9A的示例性实施例中，降压(双)转换器905包括第二电感器913、第三PMOS晶体管914、第四PMOS晶体管912和第三NMOS晶体管916。第四PMOS晶体管912的源极连接到在节点922处的升降压转换器903的输出，并且第四PMOS晶体管912的漏极连接到节点926。第三PMOS晶体管914的源极连接到Vbat，第三PMOS晶体管914的漏极连接到节点926。第三NMOS晶体管916的漏极连接到节点926，第三NMOS晶体管916的源极连接到地。第二电感器913的第一端可以连接到节点926，第二电感器913的第二端可以连接到节点924，其中节点924是降压(双)转换器905的输出。
在图9A的降压(双)转换器905中，第二电感器913的电感可以在0.1μH至10μH之间，并且第二电感器913的载流能力可以大于1A。第二电感器913可以被称为“大电感器”，因为其物理尺寸可以近似2mm长和2mm宽。然而，随着技术的发展和这种电感器913的尺寸改变，在本公开的实施例中可以使用其他尺寸。在示例中，降压(双)转换器905可以被称为“大降压(双)转换器”，因为第二电感器913的电感在0.1μH至10μH的范围内，并且第二电感器913的载流能力大于1A。
在示例中，当在LP-PA中在APT模式下操作时，降压(双)转换器905可以产生少于Vbat的输出电压Vcc。然而，当在ET模式下操作时，降压(双)转换器905可以产生小于或大于Vbat的输出电压Vcc，以跟踪PA 901的RF_out信号的包络。根据晶体管尺寸，可以在降压(双)转换器905处产生在数百mA范围内的平均输出电流。在示例中，降压(双)转换器905可以被称为“大降压(双)转换器”，因为第二电感器913的电感在0.1μH至10μH的范围内，并且第二电感器913的载流能力大于1A。由于大升降压转换器903可以产生大于供电电池电压Vbat的输出电压Vbb，并且大降压(双)转换器905可以经由与大升降压转换器903的输出(在节点922处)连接的第四PMOS晶体管912而产生大于供电电池电压Vbat的输出电压Vcc，因此与常规SM相比，SM 900可以由于功耗较少而表现出提高的效率。
在示例中，开关和电容器模块907包括晶体管910、第一电容器917和第二电容器919。晶体管910可以是任何合适的晶体管类型(例如，NMOS晶体管、PMOS晶体管、连接作为CMOS开关的NMOS晶体管和PMOS晶体管等)。第一电容器917可以连接在大升降压转换器903的输出(在节点922处)和地之间。第一电容器917可以具有在0.1μF至10μF范围内的电容。第二电容器919可以连接在大降压(双)转换器905的输出(在节点924处)和地之间。第二电容器919可以具有几nF的电容。在示例中，开关和电容器模块907可以包括分立电容器，该分立电容器不与SM 900的其它组件一起集成在半导体IC或芯片上。在另一示例中，开关和电容器模块907与SM 900的其它组件集成为半导体IC或芯片的一部分。在示例中，开关和电容器模块907的第一电容器917和第二电容器919可以彼此并联连接，以使SM 900在APT模式下支持LP-PA和HP-PA。当晶体管910导通时，晶体管910可以将第一电容器917与第二电容器919连接。然而，在ET模式下(如图9C所示)，可以通过断开晶体管910来单独地使用第一电容器917和第二电容器919。
在示例中，LA 909包括与大升降压转换器903的输出(在节点922处)连接的供电电压输入、与地连接的接地输入、用于接收输入信号的输入、以及输出。PA 901包括与大降压(双)转换器905的输出(在节点924处)和LA 909的输出连接的供电电压输入、与地连接的接地输入、用于接收RF信号RF_in的输入、以及用于产生RF信号RF_out的输出。
图9B示出了根据本公开的示例实施例的图9A的PA 901的在APT模式下支持LP-PA的SM 900的框图。对于LP-PA，在APT模式下，可以控制SM 900以激活PA 901、大降压(双)转换器905、以及开关和电容器模块907，并且停用大升降压转换器903和LA 909。在示例中，当SM 900在APT模式下操作时，第四PMOS晶体管912(其源极端子连接到停用的大升降压转换器903的输出(在节点922处))被断开，使得大降压(双)转换器905可以用作降压转换器。此外，在SM 900的APT操作模式期间，开关和电容器模块907的晶体管910导通以将第一电容器917与第二电容器919连接，因此开关和电容器模块907的有效电容可以等于第一电容器917和第二电容器919的电容之和。在示例中，在APT模式下，大降压(双)转换器905可以产生可小于供电电池电压Vbat的输出电压Vcc(在节点924处)，因此SM 900在APT模式下可以支持LP-PA。在一些示例中，根据晶体管尺寸，降压(双)转换器905可以输出在数百mA范围内的平均电流。
图9C示出了根据本公开的示例实施例的图9A的PA 901的在APT模式下支持HP-PA的SM 900的框图。对于HP-PA，在APT模式下，可以控制SM 900以激活PA 901、大升降压转换器903、以及开关和电容器模块907，并且停用大降压(双)转换器905和LA 909。在示例中，当SM 900在APT操作下模式时，开关和电容器模块907的晶体管910导通以将第一电容器917与第二电容器919连接，因此开关和电容器模块907的有效电容可以等于第一电容器917和第二电容器919的电容之和。在示例中，大升降压转换器903可以产生可大于供电电池电压Vbat的输出电压Vbb(在节点922处)，因此SM 900在APT模式下可以支持HP-PA。在一些示例中，根据晶体管尺寸，大升降压转换器903可以输出在数百mA范围内的平均电流。
图9D示出了根据本公开的示例实施例的图9A的PA 901的在ET模式下支持HP-PA的SM 900的框图。对于HP-PA，在ET模式下，可以控制SM 900激活PA 901、大升降压转换器903、大降压(双)转换器905、开关和电容器模块907以及LA 909。在示例中，当SM 900在ET模式下操作时，大降压(双)转换器905的第四PMOS晶体管912可以被导通以连接到大升降压转换器903。在图9D的示例实施例中，当在ET模式下操作时，SM 900的大降压(双)转换器905可以产生大于供电电池电压Vbat的输出电压Vcc(在节点924处)。
在一种配置中，开关和电容器模块907的晶体管910(如图9A至图9C所示)可以断开，使得第一电容器917和第二电容器919可以分开操作。因此，当在ET模式下操作时，大升降压转换器903可以输出大于供电电池电压Vbat的电压Vbb(在节点922处)，并且大降压(双)转换器905可以输出大于供电电池电压Vbat的电压Vcc(在节点924处)。在示例中，根据晶体管尺寸，大升降压转换器903和降压(双)转换器905中的每一个可以输出在数百mA范围内的平均电流。因为，当在ET模式下操作时，大升降压转换器903和大降压(双)转换器905均可以输出大于供电电池电压Vbat的电压(Vbb或Vcc)，SM 900在ET模式下操作时可以向LA909提供用于跟踪PA901的RF_out信号的包络的电压。
图10A示出了根据本公开的示例实施例的SM 1000的框图。SM1000可以包括第一双供电降压转换器1003、升降压转换器1004、第二双供电降压转换器1005、第一开关模块1006、第二开关模块1007、第一电容器Cbb 1026、第二电容器Cbk 1020、以及两个AB类LA1001和1002。LA 1001和1002的输出可以连接到PA。
第一双供电降压转换器1003可以包括两个PMOS晶体管P1a和P1b、NMOS晶体管N1a和电感器L1。PMOS晶体管P1a的源极端子可以连接到电池电压Vbat。PMOS晶体管P1a的漏极端子可以连接到NMOS晶体管N1a的漏极端子。NMOS晶体管N1a的源极端子可以连接到地。PMOS晶体管P1a的漏极和NMOS晶体管N1a的漏极也可以在节点1012处与PMOS晶体管P1b的漏极端子连接。PMOS晶体管P1b的源极端子可以连接到LA 1001的供电电压输入和升降压转换器1004的输出节点1010。第一双供电降压转换器1003的电感器L1可以连接在节点1012和节点1008之间。可以在节点1008处测量第一双供电降压转换器1003的输出电压。
升降压转换器1004可以包括两个PMOS晶体管P0a和P0b、两个NMOS晶体管N0a和N0b、以及电感器L0。PMOS晶体管P0a的源极端子可以连接到电池电压Vbat，并且PMOS晶体管P0a的漏极端子可以连接到节点1016。NMOS晶体管N0a的漏极端子可以连接到节点1016，并且NMOS晶体管N0a的源极端子可以连接到地。PMOS晶体管P0b的源极端子可以连接到节点1010，并且PMOS晶体管P0b的漏极端子可以连接到节点1018。NMOS晶体管N0b的漏极端子可以连接到节点1018，并且NMOS晶体管N0b的源极端子可以连接到地。电感器L0可以连接在节点1016和节点1018之间。可以在节点1010处测量升降压转换器1004的输出电压(VBB)。在示例中，节点1010还可以连接到第一LA 1001和第二LA 1002的供电电压输入以及节点1022。在示例中，节点1022处的电压可以与升降压转换器1004的输出电压VBB相同。在另一示例中，可以在节点1022处测量输出TXB。
第二双供电降压转换器1005可以包括两个PMOS晶体管P2a和P2b、NMOS晶体管N2a和电感器L2。PMOS晶体管P2a的源极端子可以连接到电池电压Vbat。PMOS晶体管P2a的漏极端子可以连接到NMOS晶体管N2a的漏极端子。NMOS晶体管N2a的源极端子可以连接到地。PMOS晶体管P2a的漏极和NMOS晶体管N2a的漏极也可以在节点1014处与PMOS晶体管P2b的漏极端子连接。PMOS晶体管P2b的源极端子可以连接到第二LA 1002的供电电压输入和升降压转换器1004的输出节点1010。第二双供电降压转换器1005的电感器L2可以连接在节点1014和节点1009之间。可以在节点1009处测量第二双供电降压转换器1005的输出电压。
在一种配置中，电感器L0、L1和L2中的每一个的电感可以在0.1μH至10μH之间，并且电感器L0、L1和L2中的每一个的载流能力可以大于1A。电感器L0、L1和L2中的每一个可以被称为“大电感器”，因为它们的物理尺寸可以近似2mm长和2mm宽。然而，随着技术的发展和这种电感器的尺寸改变，在本公开的实施例中可以使用其他尺寸。
第一开关模块1006包括两个APT开关Sbb1和Sbk1。开关Sbb1的第一端子可以连接到节点1008，开关Sbb1的第二端子可以连接到节点1022。开关Sbb1的第二端子还可以经由节点1010连接到PMOS晶体管P1b的源极端子、PMOS晶体管P0b的源极端子，并且连接到第一LA 1001的供电电压输入。在示例中，节点1022处的电压可以与升降压转换器1004的输出电压VBB相同。在另一示例中，可以在节点1022处测量输出TXB。开关Sbk1的第一端子也可以连接到节点1008，开关Sbk1的第二端子可以连接到节点1024。在示例中，假设开关Sbk1或Sbk2闭合，节点1024处的电压可以与第一双供电降压转换器1003或第二双供电降压转换器1005的输出电压VBK相同。在示例中，可以在节点1024处测量输出TXK。
第二开关模块1007包括两个APT开关Sbb2和Sbk2。开关Sbb2的第一端子可以连接到节点1009，开关Sbb2的第二端子可以连接到节点1022。开关Sbb2的第二端子还可以经由节点1010连接到PMOS晶体管P2b的源极端子、PMOS晶体管P0b的源极端子，并且连接到第二LA 1002的供电电压输入。开关Sbk2的第一端子可以连接到节点1009，开关Sbk2的第二端子可以连接到节点1024。
在示例中，SM 1000的晶体管P0a和P0b可以是互补MOS(CMOS)晶体管。在另一示例中，四个APT开关Sbb1、Sbb2、Sbk1和Sbk2可以是PMOS晶体管或CMOS晶体管。
在SM 1000的示例实施例中，第一电容器Cbb 1026可以连接在节点1022和地之间，并且电容器Cbk 1020可以连接在节点1024和地之间。电容器Cbb 1026可以具有在0.1μF至10μF范围内的电容。电容器Cbk 1020可以具有在0.1uF至10uF范围内的电容。
在示例中，LA 1001包括与升降压转换器1004的输出(在节点1010处)连接的供电电压输入、与地连接的接地输入、用于接收输入信号的输入、以及输出TX1。在示例中，LA1001在输出TX1处的电压VCC1可以与第一双供电降压转换器1003的输出电压相同，因为LA1001的输出端子TX1连接到第一双供电降压转换器1003的输出(在节点1008处)。在示例中，LA 1002包括与升降压转换器1004的输出(在节点1010处)连接的供电电压输入、与地连接的接地输入、用于接收输入信号的输入、以及输出TX2。在示例中，LA 1002在输出TX2处的电压VCC2可以与第二双供电降压转换器1005的输出电压相同，因为LA 1002的输出端子TX2连接到第二双供电降压转换器1005在节点1009处的输出。
在一个示例中，在功率类别2标准下操作的UE中的RF-PA的供电电压可以达到5.0V。这种RF-PA供电电压值可以高于典型的3.2V至4.2V的电池电压范围。升降压转换器1004可以用于对电池电压Vbat进行升压，以便向在功率类别2下操作的高功率UE中的发送器的RF-PA提供所需的5.0V供电电压。在示例中，升降压转换器1004可以用作降压转换器1003和1005的附加电源。
在UE中，为了在单个晶圆内实现两个发送器(TX1、TX2)，使用两个分开的SM可能更简单，每个SM包括升降压转换器、降压转换器和LA，其中每个发送器可以有专用SM。升降压转换器渴望面积(占据显著量的晶圆面积)，并且包括外部功率电感器(例如，图10A的L0)。如果要在UE中的单个晶圆中实现两个发送器，其中每个发送器具有自己的专用SM，则这种结构可能需要显著部分的晶圆面积，并且外部组件的数量也可能显著增加。
为了在单个晶圆中实现两个发送器的同时获得单个芯片的益处或高效地利用晶圆空间而不过度增加外部组件的总数，图10A的示例实施例利用要在两个发送器TX1和TX2之间共享的单个SM 1000。图10A的SM 1000包括：专用于第一LA 1001的第一双供电降压转换器1003，其向第一发送器TX1的PA提供调制的供电电压；专用于第二LA 1002的第二双供电降压转换器1005，其向第二发送器TX2的PA提供调制的供电电压；升降压转换器1004，其在两个LA 1001和1002之间共享。因此，图10A的示例实施例通过在两个发送器TX1和TX2之间共享升降压转换器1004、而不是具有两个分开的升降压转换器(每个专用于两个发送器TX1和TX2中的一个)来减小所使用的晶圆面积并减少外部组件的数量。此外，图10A的SM1000通过在两个发送器路径TX1和TX2之间共享电容器Cbk 1020和电容器Cbb 1026来消除外部负载电容器。电容器Cbb 1026和Cbk 1020的共享分别通过四个APT开关Sbb(例如，Sbb1、Sbb2)和Sbk(例如，Sbk1、Sbk2)来实现。
图10B示出了表1050，其描述了图10A的SM 1000的不同组件在SM 1000的不同操作模式期间的状态(通/断)、以及SM 1000在输出端子TXB、TXK、TX1和TX2处的输出。图10A的SM1000可以具有十七种操作模式。例如，当在ET模式下操作、且仅TX1或TX2输出中的一个有源时(如图10B的表中针对模式7和8所示)，升降压转换器1004可以导通，然而，第一双供电降压转换器1003或第二双供电降压转换器1005中的仅一个可以导通。如图10B的表中所示，在操作模式7(ET 1x TX)期间，升降压转换器1004导通，第一双供电降压转换器1003导通，第一LA 1001导通，然而，第二双供电降压转换器1005断开，并且第二LA 1002断开。在模式7期间，第一LA 1001的输出端子TX1处的输出可以是包络信号ET1，其可以用于跟踪PA的RF_out信号的包络。还如图10B的表中所示，在操作模式8(ET 1x TX)期间，升降压转换器1004导通，第二双供电降压转换器1005导通，第二LA 1002导通，然而，第一双供电降压转换器1003断开，并且第一LA 1001断开。在模式8期间，第二LA 1002的输出端子TX2处的输出可以是包络信号ET2，其可以用于跟踪PA的RF_out信号的包络。
将理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部，但是这些元件、组件、区域、层和/或部不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部与另一元件、组件、区域、层或部区分开。因此，本文中讨论的第一元件、组件、区域、层或者部可被称为第二元件、组件、区域、层或者部，而不脱离本发明构思的精神和范围。
在此可以使用空间相对术语如“下方”、“之下”、“下部”、“下面”、“上方”、“之上”等，以便于描述在附图中示出的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。将理解的是，这种空间上的相对术语除了包括附图中示出的取向之外，还意在包括设备在使用中或操作中的不同取向。例如，如果附图中的器件被翻转，则被描述为在其他元件或者特征“之下”或者“下方”或者“下面”的元件将定向在其它元件或者特征的“之上”。因此，示例术语“之下”和“下面”可以包括之上和之下这两个取向。所述设备可以以其它方式定向(旋转90度或在其它取向)，且应当相应地解释本文中使用的空间相对描述符。此外，还将理解，当层被称为在两层“之间”时，其可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。
这里所用术语仅用于描述特定实施例的目的，而不是为了限制本发明构思。如本文所使用的，术语“基本”、“大约”和类似的术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。
如本文中使用的，单数形式“一”和“一个”旨在还包括复数形式，除非上下文明确地给出相反的指示。还将理解，术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时，规定了存在所声明的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并没有排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。如本文所用，术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或更多个项目的任意和所有组合。诸如“......中的至少一个”之类的表述在元件列表之后时修饰整个元件列表，而不是修饰列表中的单独元件。此外，当描述本发明构思的实施例时使用“可以”是指“本发明的一个或多个实施例”。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。如本文所使用的，术语“使用”、“通过使用”和“被使用”可以分别被认为与术语“利用”、“通过利用”和“被利用”同义。
将理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”、“耦合到”或“邻近于”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接到、耦合到或邻近于另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接耦合到”或“直接邻近于”另一元件或层时，不存在中间元件或层。
本文列举的任何数值范围旨在包括包含在所列举范围内的具有相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所述最小值1.0和所述最大值10.0之间(并且包括所述最小值和所述最大值)的所有子范围，即具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，例如2.4至7.6。本文列举的任何最大数值限制旨在包括其中包含的所有较低数值限制，并且本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括其中包含的所有较高数值限制。
尽管在此具体描述和说明了功率放大器的供电调制器的示例性实施例，但是对于本领域技术人员而言，许多修改和变型将是显而易见的。因此，应该理解，与根据本发明原理构造的功率放大器的供电调制器相关的系统和方法可以不同于本文中具体描述的方式实施。还在所附权利要求及其等同物中限定了本发明。

Claims (20)

1.一种用于供电调制的装置，包括：
升降压转换器；
第一降压转换器，连接在所述升降压转换器的输出端子处；
第二降压转换器，连接在所述升降压转换器的所述输出端子处；
第一线性放大器“LA”，包括与所述升降压转换器的所述输出端子连接的第一供电电压输入端子、以及与所述第一降压转换器的输出端子连接的输出端子，其中所述第一LA被配置为经由所述第一LA的所述输出端子向第一发送器的第一功率放大器“PA”提供第一调制供电电压；以及
第二LA，包括与所述升降压转换器的所述输出端子连接的第二供电电压输入端子、以及与所述第二降压转换器的输出端子连接的输出端子，其中所述第二LA被配置为经由所述第二LA的所述输出端子向第二发送器的第二PA提供第二调制供电电压。
2.根据权利要求1所述的装置，还包括：
第一开关模块，包括第一开关和第二开关；以及
第二开关模块，包括第三开关和第四开关，其中
所述第一开关的第一端子和所述第二开关的第一端子连接到所述第一降压转换器的所述输出端子，
所述第三开关的第一端子和所述第四开关的第一端子连接到所述第二降压转换器的所述输出端子，
所述第一开关的第二端子和所述第三开关的第二端子连接到所述升降压转换器的所述输出端子，以及
所述第二开关的第二端子和所述第四开关的第二端子彼此连接。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关是p沟道金属氧化物半导体“PMOS”晶体管、或n沟道金属氧化物半导体“NMOS”晶体管、或互补MOS“CMOS”晶体管。
4.根据权利要求2所述的装置，还包括：
第一电容器，连接在所述第一开关的所述第二端子或所述第三开关的所述第二端子与地之间，其中所述第一开关的所述第二端子和所述第三开关的所述第二端子连接在一起；以及
第二电容器，连接在所述第二开关的所述第二端子或所述第四开关的所述第二端子与地之间。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一电容器的电容在0.1μF至10μF之间，并且所述第二电容器的电容在0.1uF至10uF之间。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述升降压转换器包括：
第一P型或互补金属氧化物半导体“CMOS”晶体管，所述第一P型或CMOS晶体管的源极端子连接到电池电压；
第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的漏极端子连接到所述第一P型或CMOS晶体管的漏极端子，并且所述第一N型晶体管的源极端子连接到地；
第二P型或CMOS晶体管，所述第二P型或CMOS晶体管的源极端子连接到所述升降压转换器的所述输出端子；
第二N型晶体管，所述第二N型晶体管的漏极端子连接到所述第二P型或CMOS晶体管的漏极端子，并且所述第二N型晶体管的源极端子连接到地；以及
第一电感器，连接在所述第一P型或CMOS晶体管的所述漏极端子与所述第二P型或CMOS晶体管的所述漏极端子之间，其中所述第一电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且所述第一电感器的载流能力大于1A。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一降压转换器包括：
第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的源极端子连接到电池电压；
第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的漏极端子连接到所述第一P型晶体管的漏极端子，并且所述第一N型晶体管的源极端子连接到地；
第二P型晶体管，其中所述第二P型晶体管的漏极端子与所述第一P型晶体管的所述漏极端子和所述第一N型晶体管的所述漏极端子连接，并且所述第二P型晶体管的源极端子连接到所述升降压转换器的所述输出端子；以及
第二电感器，连接在所述第二P型晶体管的所述漏极端子和所述第一降压转换器的所述输出端子之间，其中所述第二电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且所述第二电感器的载流能力大于1A。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二降压转换器包括：
第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的源极端子连接到电池电压；
第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的漏极端子连接到所述第一P型晶体管的漏极端子，并且所述第一N型晶体管的源极端子连接到地；
第二P型晶体管，其中所述第二P型晶体管的漏极端子与所述第一P型晶体管的所述漏极端子和所述第一N型晶体管的所述漏极端子连接，并且所述第二P型晶体管的源极端子连接到所述升降压转换器的所述输出端子；以及
第三电感器，连接在所述第二P型晶体管的所述漏极端子和所述第二降压转换器的所述输出端子之间，其中所述第三电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且所述第三电感器的载流能力大于1A。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置被配置为在平均功率跟踪“APT”模式下或在包络跟踪“ET”模式下操作。
10.一种用于供电调制的系统，包括：
升降压转换器；
第一降压转换器，连接在所述升降压转换器的输出端子处；以及
第二降压转换器，连接在所述升降压转换器的所述输出端子处。
11.根据权利要求10所述的系统，还包括：
第一线性放大器“LA”，包括与所述升降压转换器的所述输出端子连接的第一供电电压输入端子、以及与所述第一降压转换器的输出端子连接的输出端子；以及
第二LA，包括与所述升降压转换器的所述输出端子连接的第二供电电压输入端子、以及与所述第二降压转换器的输出端子连接的输出端子。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一LA被配置为经由所述第一LA的所述输出端子向第一发送器的第一功率放大器“PA”提供第一调制供电电压，并且所述第二LA被配置为经由所述第二LA的所述输出端子向第二发送器的第二PA提供第二调制供电电压。
13.根据权利要求12所述的系统，还包括：
第一开关模块，包括第一开关和第二开关；以及
第二开关模块，包括第三开关和第四开关，其中
所述第一开关的第一端子和所述第二开关的第一端子连接到所述第一降压转换器的所述输出端子，
所述第三开关的第一端子和所述第四开关的第一端子连接到所述第二降压转换器的所述输出端子，
所述第一开关的第二端子和所述第三开关的第二端子连接到所述升降压转换器的所述输出端子，以及
所述第二开关的第二端子和所述第四开关的第二端子彼此连接，其中所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关是p沟道金属氧化物半导体“PMOS”晶体管、或n沟道金属氧化物半导体“NMOS”晶体管或互补MOS“CMOS”晶体管。
14.根据权利要求13所述的系统，还包括：
第一电容器，连接在所述第一开关的所述第二端子或所述第三开关的所述第二端子与地之间，其中所述第一开关的所述第二端子和所述第三开关的所述第二端子连接在一起；以及
第二电容器，连接在所述第二开关的所述第二端子或所述第四开关的所述第二端子与地之间，其中所述第一电容器的电容在0.1μF至10μF之间，所述第二电容器的电容在0.1uF至10uF之间。
15.根据权利要求11所述的系统，其中所述升降压转换器包括：
第一P型或CMOS晶体管，所述第一P型或CMOS晶体管的源极端子连接到电池电压；
第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的漏极端子连接到所述第一P型或CMOS晶体管的漏极端子，并且所述第一N型晶体管的源极端子连接到地；
第二P型或CMOS晶体管，所述第二P型或CMOS晶体管的源极端子连接到所述升降压转换器的所述输出端子；
第二N型晶体管，所述第二N型晶体管的漏极端子连接到所述第二P型或CMOS晶体管的漏极端子，并且所述第二N型晶体管的源极端子连接到地；以及
第一电感器，连接在所述第一P型或CMOS晶体管的所述漏极端子与所述第二P型或CMOS晶体管的所述漏极端子之间，其中所述第一电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且所述第一电感器的载流能力大于1A。
16.根据权利要求11所述的系统，其中所述第一降压转换器包括：
第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的源极端子连接到电池电压；
第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的漏极端子连接到所述第一P型晶体管的漏极端子，并且所述第一N型晶体管的源极端子连接到地；
第二P型晶体管，其中所述第二P型晶体管的漏极端子与所述第一P型晶体管的所述漏极端子和所述第一N型晶体管的所述漏极端子连接，并且所述第二P型晶体管的源极端子连接到所述升降压转换器的所述输出端子；以及
第二电感器，连接在所述第二P型晶体管的所述漏极端子和所述第一降压转换器的所述输出端子之间，其中所述第二电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且所述第二电感器的载流能力大于1A。
17.根据权利要求11所述的系统，其中所述第二降压转换器包括：
第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的源极端子连接到电池电压；
第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的漏极端子连接到所述第一P型晶体管的漏极端子，并且所述第一N型晶体管的源极端子连接到地；
第二P型晶体管，其中所述第二P型晶体管的漏极端子与所述第一P型晶体管的所述漏极端子和所述第一N型晶体管的所述漏极端子连接，并且所述第二P型晶体管的源极端子连接到所述升降压转换器的所述输出端子；以及
第三电感器，连接在所述第二P型晶体管的所述漏极端子和所述第二降压转换器的所述输出端子之间，其中所述第三电感器的电感在0.1μH至10μH之间，并且所述第三电感器的载流能力大于1A。
18.一种用于供电调制的方法，包括：
在装置的输入端子处从电池电源接收输入电压；
通过调制所述输入电压产生第一输出电压，以向用户设备“UE”的第一发送器中的第一功率放大器提供第一供电电压；以及
通过调制所述输入电压产生第二输出电压，以向所述UE的第二发送器中的第二功率放大器提供第二供电电压。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述产生第一输出电压包括：通过升压或降压来调制所述输入电压，以根据所述第一供电电压的期望值产生所述第一输出电压，其中通过在所述装置中使用升降压转换器和至少两个降压转换器来调制所述输入电压；以及
其中，产生所述第二输出电压包括：通过升压或降压来调制所述输入电压，以根据所述第二供电电压的期望值产生所述第二输出电压，其中通过在所述装置中使用所述升降压转换器和至少两个降压转换器来调制所述输入电压。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一输出电压是在第一线性放大器“LA”的输出端子处产生的，并且所述第二输出电压是在第二LA的输出端子处产生的，其中，所述第一LA和所述第二LA中的每一个LA从所述升降压转换器的输出端子接收供电电压。
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