CN109473285A - 一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法 - Google Patents
一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109473285A CN109473285A CN201811406509.0A CN201811406509A CN109473285A CN 109473285 A CN109473285 A CN 109473285A CN 201811406509 A CN201811406509 A CN 201811406509A CN 109473285 A CN109473285 A CN 109473285A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bifeo
- film
- tio
- light anode
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 2
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 2
- -1 Isopropyl ester Chemical class 0.000 claims 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid group Chemical class C(CC(O)(C(=O)O)CC(=O)O)(=O)O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 244000131522 Citrus pyriformis Species 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2036—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising mixed oxides, e.g. ZnO covered TiO2 particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法。本发明以FTO为衬底制备TiO2薄膜，BiFeO3薄膜复合于TiO2薄膜之上；通过施加正反向电压来对BiFeO3薄膜进行铁电极化，将TiO2的半导体性能和BiFeO3的铁电特性相结合。本发明实现了复合光阳极对可见光的响应能力，提高了光阳极的光电化学性能。通过对BiFeO3薄膜本身的铁电效应来改变其内建电场，从而有效的调控界面的能带结构，以期有效对载流子进行分离，从而提高光阳极的光电化学性能。结构简单，易于规模生产，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于清洁可再生新能源利用技术领域，涉及一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法。
背景技术
在当前能源与环境问题日益突出的大背景下，寻找清洁可持续的新能源替代传统化石能源正受到人们越来越多的关注。太阳能作为取之不尽同时又是生态学上纯净的和不改变地球上燃料平衡的能源，只要能以10％效率转化0.1％到达地球表面的太阳能，即可满足全球的能源需求。因此，太阳能是未来人类社会构建低碳经济时代最理想的能源，开发高效的太阳能利用方式也成为当前科学家的重大研究课题。光电化学分解水技术是在电场辅助下的光电化学分解水，光电催化氧化还原反应发生在不同的电极上，能够减少光生电子空穴对的复合几率，进而提升了能量转换效率，同时，光电化学分解水技术具有对环境零污染等特点，因而受到越来越广泛的研究和应用，是最具前景的太阳能转化利用方法之一，也被认为是解决能源短缺和环境污染问题最理想的途径之一。
为获得高效的光电化学分解水过程，实现光阳极材料吸收光谱波段的最大化和界面处载流子分离和传输能耗的最小化尤为关键。但实际的研究表明，开发一个在这两个要素上均有显著提高的光电化学光阳极十分困难。目前的光阳极材料主要分为两大类：窄带隙的半导体(硅，III-V族化合物等)和宽带隙的金属氧化物(TiO2，ZnO等)。窄带隙半导体因光腐蚀和光钝化导致其稳定性能较差。宽带隙的金属氧化物电极，尤其是TiO2，因其成本低廉且具有出色的光电化学稳定性及多样的形貌结构受到了广泛的研究。不过，由于TiO2材料本身带宽较大，对太阳能吸光波段较小，使得光电转化效率较低(当带宽大于3.0eV，光电转化效率小于2％)。
本专利提供了一种既能拓宽TiO2的吸光范围，又能提高载流子的分离传输效率的方法。铁酸铋(BiFeO3)属于多铁材料的一种，禁带宽度约为2.12eV，可以吸收可见光。同时，由于Bi离子具有孤对电子，因而，BiFeO3还有好的铁电极化性能，其自发极化值为100μC/cm2。本专利正是利用BiFeO3的可见光响应和铁电极化性能来拓宽TiO2的吸光范围，提高载流子的分离传输效率。
发明内容
本发明的目的就是提供一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法。
本发明包括FTO/TiO2/BiFeO3复合光阳极，由TiO2薄膜和BiFeO3薄膜组成,以FTO为衬底制备TiO2薄膜，BiFeO3薄膜复合于TiO2薄膜之上；TiO2薄膜的厚度为20～100nm，BiFeO3薄膜的厚度为20～100nm。通过施加正反向电压来对BiFeO3薄膜进行铁电极化，外加正反向极化电压范围为2～10V。通过将TiO2的半导体性能和BiFeO3的铁电特性相结合，利用BiFeO3增强复合光阳极对可见光的吸收，通过正反向电压极化来改变BiFeO3薄膜的内建电场，从而调控TiO2/BiFeO3界面的能带结构；在正向极化下，极化方向与自发极化方向一致，内建电场增强，TiO2/BiFeO3界面势垒高度会增加，抑制了光生载流子的复合，提高了载流子的分离传输性能；而在反向极化下，TiO2/BiFeO3界面势垒高度会减小，不利于光生载流子的分离。
所述的FTO直接购买得到。
所述的TiO2薄膜采用旋涂法制备，旋涂液由10ml无水乙醇，0.7ml钛酸异丙酯，0.5ml的盐酸组成；旋涂速度5000转/秒，在500℃下进行退火；TiO2薄膜的厚度为20～100nm，通过改变旋涂次数来改变薄膜的厚度。
所述的BiFeO3薄膜采用旋涂法制备，旋涂液由2mM硝酸铁，2.5mM硝酸铋，1.86克柠檬酸溶解在4ml的乙二醇中组成，旋涂速度5000转/秒，并在500℃下进行退火。BiFeO3薄膜的厚度为20～100nm，通过改变旋涂次数来改变薄膜厚度。
作为优选，所述的外加正反向极化电压范围为4～6V,正向极化时BiFeO3薄膜连接电源正极，反向极化时BiFeO3薄膜连接电源负极。
作为优选，所述的BiFeO3薄膜的厚度为30～60nm。
本发明成功实现了复合光阳极对可见光的响应能力，提高了光阳极的光电化学性能。同时，本发明通过对BiFeO3薄膜本身的铁电效应来改变其内建电场，从而有效的调控界面的能带结构，以期有效对载流子进行分离，从而提高光阳极的光电化学性能。本发明的光阳极结构简单，易于规模生产，具有良好的应用前景。
附图说明
图1为TiO2及BFO/TiO2的紫外可见吸收谱图；
图2为可见光下TiO2及BFO/TiO2的I-V曲线图；
图3为AM1.5G光照时TiO2及BFO/TiO2的I-V曲线图；
图4为可见光下不同极化条件下TiO2及TiO2/50nmBiFeO3的I-V曲线图；
图5为AM1.5G光照时，不同极化条件下TiO2及TiO2/50nmBiFeO3的I-V曲线图。
具体实施方式
实施例1：TiO2薄膜厚度30nm，BiFeO3薄膜厚度为30nm，封装后作为光阳极，饱和甘汞电极作为参比电极，Pt片为对电极，电解质溶液为1M的NaOH水溶液。由图1可见，相较于纯TiO2，TiO2/30nmBiFeO3复合光阳极在可见光区的吸光性能明显增强。由图2及图3可以看出，可见光及AM1.5G下的光电流密度明显增大。
实施例2：TiO2薄膜厚度30nm，BiFeO3薄膜厚度为50nm，封装后作为光阳极，饱和甘汞电极作为参比电极，Pt片为对电极，电解质溶液为1M的NaOH水溶液。铁电极化效应通过外加5V的正反向电压来实现。正向极化时BiFeO3薄膜连接电源正极，FTO接电源负极，反向极化时BiFeO3薄膜连接电源负极，FTO接电源正极。由图1可见，相较于纯TiO2，TiO2/50nmBiFeO3复合光阳极在可见光区的吸光性能明显增强。同时，由图2及图3可以看出，可见光及AM1.5G下的光电流密度明显增大。相较于纯TiO2，在可见光下，1.5V时的电流密度由0.739mA/cm2提高到15.17mA/cm2，提高了近20倍。在AM1.5G下，1.5V时的电流密度由1.497mA/cm2提高到17.39mA/cm2，提高了近12倍。更重要的是，对TiO2/50nmBiFeO3复合光阳极在外加电压下进行极化，由图4及图5可以看出，在正向5v的极化电压下，不论在可见光还是AM1.5G下，TiO2/50nmBiFeO3的光电流密度较未极化时有了进一步的明显增加。在可见光下，正向极化后，1.5V时的电流密度由15.17mA/cm2提高到23.03mA/cm2，提高了52％。在AM1.5G下，1.5V时的电流密度由17.39mA/cm2提高到28.67mA/cm2，提高了64.8％。而在反向5v的极化电压下，不论在可见光还是AM1.5G下，TiO2/50nmBiFeO3的光电流密度较未极化时有了明显的降低。
实施例3：TiO2薄膜厚度30nm，BiFeO3薄膜厚度为80nm，封装后作为光阳极，饱和甘汞电极作为参比电极，Pt片为对电极，电解质溶液为1M的NaOH水溶液。由图1可见，相较于纯TiO2，TiO2/80nmBiFeO3复合光阳极在可见光区的吸光性能明显增强。同时，由图2及图3可以看出，可见光及AM1.5G下的光电流密度有所增大。
上述实施例并非是对于本发明的限制，本发明并非仅限于上述实施例，只要符合本发明要求，均属于本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极，其特征在于：包括FTO/TiO2/BiFeO3复合光阳极，由TiO2薄膜和BiFeO3薄膜组成,以FTO为衬底制备TiO2薄膜，BiFeO3薄膜复合于TiO2薄膜之上；TiO2薄膜的厚度为20～100nm，BiFeO3薄膜的厚度为20～100nm；通过施加正反向电压来对BiFeO3薄膜进行铁电极化，外加正反向极化电压范围为2～10V；通过将TiO2的半导体性能和BiFeO3的铁电特性相结合，利用BiFeO3增强复合光阳极对可见光的吸收，通过正反向电压极化来改变BiFeO3薄膜的内建电场，从而调控TiO2/BiFeO3界面的能带结构。
2.如权利要求1所述的一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极的其制备方法，其特征在于：所述的TiO2薄膜采用旋涂法制备，旋涂液由10ml无水乙醇，0.7ml钛酸异丙酯，0.5ml的盐酸组成；旋涂速度5000转/秒，在500℃下进行退火；TiO2薄膜的厚度为20～100nm，通过改变旋涂次数来改变薄膜的厚度；
所述的BiFeO3薄膜采用旋涂法制备，旋涂液由2mM硝酸铁，2.5mM硝酸铋，1.86克柠檬酸溶解在4ml的乙二醇中组成，旋涂速度5000转/秒，并在500℃下进行退火；BiFeO3薄膜的厚度为20～100nm，通过改变旋涂次数来改变薄膜厚度。
3.如权利要求1所述的一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极，其特征在于：所述的外加正反向极化电压范围为4～6V,正向极化时BiFeO3薄膜连接电源正极，反向极化时BiFeO3薄膜连接电源负极。
4.如权利要求1或2所述的一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极，其特征在于：所述的BiFeO3薄膜的厚度为30～60nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811406509.0A CN109473285A (zh) | 2018-11-23 | 2018-11-23 | 一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811406509.0A CN109473285A (zh) | 2018-11-23 | 2018-11-23 | 一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109473285A true CN109473285A (zh) | 2019-03-15 |
Family
ID=65674255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811406509.0A Pending CN109473285A (zh) | 2018-11-23 | 2018-11-23 | 一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109473285A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110164698A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-23 | 杭州电子科技大学 | 一种PET-ITO/TiO2/P（VDF/TrFE）透明柔性复合光阳极 |
| CN115011988A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-09-06 | 河南省动力电池创新中心有限公司 | 一种多层复合光阳极及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103771532A (zh) * | 2014-03-04 | 2014-05-07 | 西北大学 | BiFeO3材料的制备方法、BiFeO3/TiO2复合薄膜及该复合薄膜的应用 |
| CN103908969A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-07-09 | 大连理工大学 | 一种BiFeO3纳米颗粒复合TiO2纳米管阵列电极材料的制备方法 |
| CN107887169A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-06 | 中国科学院化学研究所 | 一种基于铁电材料的染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法 |
-
2018
- 2018-11-23 CN CN201811406509.0A patent/CN109473285A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103908969A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-07-09 | 大连理工大学 | 一种BiFeO3纳米颗粒复合TiO2纳米管阵列电极材料的制备方法 |
| CN103771532A (zh) * | 2014-03-04 | 2014-05-07 | 西北大学 | BiFeO3材料的制备方法、BiFeO3/TiO2复合薄膜及该复合薄膜的应用 |
| CN107887169A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-06 | 中国科学院化学研究所 | 一种基于铁电材料的染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| FENG ZHANG ET AL: "Ferroelectric polarization enhancement of photovoltaic effects in BaTiO3/BiFeO3/TiO2 heterostructure by introducing double-functional layers", 《JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS》 * |
| HEEJIN LEE ET AL: "Ferroelectric BiFeO3/TiO2 nanotube heterostructures for enhanced photoelectrochemical performance", 《CURRENT APPLIED PHYSICS》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110164698A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-23 | 杭州电子科技大学 | 一种PET-ITO/TiO2/P（VDF/TrFE）透明柔性复合光阳极 |
| CN115011988A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-09-06 | 河南省动力电池创新中心有限公司 | 一种多层复合光阳极及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wan et al. | Tantalum oxide electron-selective heterocontacts for silicon photovoltaics and photoelectrochemical water reduction | |
| CN104091889B (zh) | 半导体钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101608316B (zh) | 一种分解水制氢装置 | |
| CN102214661B (zh) | 一种宽光谱吸收的薄膜太阳能电池 | |
| CN104157788A (zh) | 一种基于SnO2的钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法 | |
| CN105336862A (zh) | 一种整体堆叠双结钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104505409A (zh) | 一种SnO2多孔结构钙钛矿光伏电池及其制备方法 | |
| CN104409642A (zh) | 一种钙钛矿/p型量子点复合结构太阳能电池的制备方法 | |
| Perarasan et al. | Copper doped titanium dioxide for enhancing the photovoltaic behavior in solar cell | |
| CN109473285A (zh) | 一种基于BiFeO3铁电效应的高性能光电化分解水光阳极及其制备方法 | |
| CN102874747A (zh) | 一种基于金属氧化物纳米阵列电场导向外延生长水滑石制备多级结构材料的方法 | |
| CN104332522A (zh) | 一种石墨烯双结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN109065724A (zh) | 一种Mo-二氧化钛-AgNWs柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103757656B (zh) | 结合原电池和光电化学电池的光电化学制氢装置 | |
| Chander et al. | Comparison of different types of solar cells–a review | |
| CN109216484A (zh) | 一种石墨烯/AlGaAs多结异质太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102280590A (zh) | 一种基于胶体量子点及石墨烯为光阳极的太阳电池及其制备方法 | |
| CN104167453A (zh) | 一种基于CdSe纳米晶体的钙钛矿太阳电池及制备方法 | |
| CN105655443A (zh) | 一种基于光致场诱导效应增强太阳能电池效率的方法 | |
| CN106876513B (zh) | 一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池 | |
| CN202167502U (zh) | 一种宽光谱吸收的薄膜太阳能电池 | |
| CN108321229A (zh) | 一种太阳能电池 | |
| CN204481033U (zh) | 一种SnO2多孔结构钙钛矿光伏电池 | |
| Pawar et al. | Nanocrystalline metal oxide-based hybrids for third-generation solar cell technologies | |
| CN103066345A (zh) | 一种光电化学电池电极及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190315 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |