CN109461834B - 发光显示器件及其制作方法、电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光显示器件、模组及电子设备，其中，发光显示器件包括若干个发光单元，且相邻发光单元之间设置有透明隔离柱；各所述发光单元包括发光层和透明阴极层；其中，所述透明阴极层包括靠近所述发光层设置的金属氧化物层或石墨烯层、以及远离所述发光层设置的金属层。该阴极层材料采用具有良好阴极隔断效果的透明材料，在保证器件可靠性的同时又能实现透明显示效果。

Description

发光显示器件及其制作方法、电子设备

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种发光显示器件及其制作方法、电子设备。

背景技术

透明显示装置一般为可形成透明状态，以使观者可以看到后方景象的显示装置，可以用于橱窗显示、车载显示等领域。现有的透明显示装置通常采用液晶显示器件，主要包括背光源和显示面板，背光源通常采用设置在显示面板两侧的导光板，然而，背光源通常采用LED灯条实现，功耗较高，且由于导光板的存在，导致光透过率较低，难以实现高透过率低功耗的要求。

而OLED显示器件以低功耗，越来越受重视，传统的被动式有机电激发光二极管(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode，简称PMOLED)为底发射结构，阴极反射率较高，而且阴极采用的为不透明的RIB(隔离柱)，因此导致整体的OLED器件透过率较差，无法实现透明显示。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种发光显示器件及其制作方法、电子设备，以提高发光显示器件的透明度。

为此，本发明实施例提供了如下技术方案：

本发明第一方面，本发明实施例提供了一种发光显示器件，包括：

所述发光显示器件包括若干个发光单元，且相邻发光单元之间设置有透明隔离柱；各所述发光单元包括发光层和透明阴极层；其中，所述透明阴极层包括靠近所述发光层设置的金属氧化物层或石墨烯层、以及远离所述发光层设置的金属层。

本发明所提供的发光显示器件既能使隔离柱上方的阴极层与发光层上方的阴极层隔断，保证可靠性，同时又能使发光器件起到良好的透明效果。

可选地，所述金属氧化物层包括氧化铟锡层或氧化铟锌中的至少之一；

所述金属层包括银层。其中，氧化铟锡层或氧化铟锌具有良好的透明导电性能，而银层能够提高阴极的导电性。

可选地，所述银层的透光率大于60％，有利于使阴极呈现良好的透明效果

可选地，所述透明阴极的厚度为

所述金属氧化物层的厚度为金属层的厚度的5-20倍。

可选地，所述金属层的厚度为

所述金属氧化物的厚度为

金属层与金属氧化物层恰当的厚度匹配，既能保证透明阴极具有良好的导电性，又能使发光器件呈现出良好的透明效果。

可选地，所述透明隔离柱的材料为光敏聚酰亚胺。

可选地，所述透明隔离柱为倒梯形结构，高度为1μm-3μm。

可选地，所述透明隔离柱的侧壁与所述下层膜系的夹角为20-90°，这样的结构更有利于实线阴极隔断。

根据第二方面，提供一种发光显示器件制作方法，包括：制作下层膜系；在下层膜系上蒸镀透明隔离柱材料；对所述明隔离柱材料以预设光刻条件进行光刻得到透明隔离柱，所述预设条件包括：曝光能量为100-200mj/cm²，离焦量为-0.02--0.04mm；通过物理气相沉积在透明隔离柱上依次制作透明氧化物层和银层。

根据第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括：上述任意一种显示器件。

本发明实施例提供的发光显示器件、模组及电子设备，其中，发光显示器件包括：发光显示器件包括若干个发光单元，且相邻发光单元之间设置有透明隔离柱；各所述发光单元包括发光层和透明阴极层；其中，所述透明阴极层包括靠近所述发光层设置的金属氧化物层或石墨烯层、以及远离所述发光层设置的金属层。该阴极层材料采用具有良好阴极隔断效果的透明材料，在保证器件可靠性的同时又能实现透明显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本发明实施例的发光显示器件的结构示意图；

图2示出了本发明实施例的另一发光显示器件的结构示意图；

图3示出了本发明实施例的另一发光显示器件局部的结构示意图；

图4示出了本发明实施例的发光显示器件制作方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在对PMOLED进行制备时，阴极材料反射率高透光率较差，主要作为反射电极，难以制作透明显示器件，如果采用透明材料制备阴极，例如采用氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)，虽然可以实现透明显示，ITO但在阴极进行蒸镀时，当ITO厚度超过一定数值，如

时，阴极阻断效果较差，ITO层容易连接在一起，对器件的可靠性有较大的影响，而且透明效果较差；但若ITO层较薄时，如低于

导电性比较差，难以满足制作阴极的要求。经发明人研究，提出了一种发光显示器件，可以同时满足阴极阻断性效果好，透过率高的需求，可以在保证器件可靠性)的前提下，实现透明显示。

在本实施例中提供了一种发光显示器件，该发光显示器件可以为PMOLED显示器件，其中，PMOLED具有基板、阳极以及发光单元，发光单元中包括发光层，阳极与阴极相互垂直，阴极与阳极的交叉点设置发光层形成像素，也就是发光的部位，通过向选取的阴极与阳极施加电流，从而驱动对应像素发光。

图1所示了本发明实施例发光显示器件，如图1所示，该发光显示器件包括：透明隔离柱20和透明阴极10层以及透明下层膜系30，透明下层膜系30包括：透明基板、透明阳极、透明像素定义层、发光层(图中未示出)；所述透明阳极层呈复数排列在所述透明基板上，透明像素定义层为绝缘层，用于定义像素位置，并在所述透明阳极上隔离出像素区即发光单元，所述发光层设置在所述像素区内，所述透明隔离柱20设置在所述透明像素定义层上，将所述像素区隔离开，所述透明阴极10层呈复数排列在所述透明隔离柱20上和所述透明隔离柱20之间。其中，透明阴极10可以包括依次层叠设置的金属氧化物层或石墨烯层12和金属层11，所称金属层11是为了增强金属氧化物或石墨烯层12的阴极阻断性能，在本实施例中，金属层11具有较好的阴极隔断效果，用于提高阴极隔断性能，具体的可以参见图3所示的发光显示器件的局部结构示意图。

在本实施例中，基板、阳极、发光层、像素定义层，隔离柱以及阴极层均采用透明材料，可以实现器件的透明显示，该阴极层材料采用具有良好阴极隔断效果的透明材料，在制作阴极时，由于金属层11具有良好的隔断性能，能够实现较好的阴极隔断效果。在实现透明显示时，同时能够兼顾到阴极隔断效果。

为能够实现更好的阴极隔断效果，在可选的实施例中，透明隔离柱的纵切面为倒梯形结构，其侧壁与所述下层膜系的夹角为20-90°。在本实施例中可以采用夹角为20°、30°或50°作为透明隔离柱的侧壁与下层膜系的夹角，如图3所示，在具有上述角度的夹角时，在阴极制作的过程中，可以更好对阴极进行隔断。

在本实施例中，金属氧化物12可以为ITO，也可以为氧化铟锌(Indium ZincOxide，简称IZO)，在本实施例中可以采用ITO作为金属氧化物为例进行说明，金属层11可以为厚度较薄的银，银设置在ITO的上层，银主要提高ITO的阴极阻断性能，此外，较薄的银层可以实现较高的透明度，例如，银的厚度在

时，可以实现60％-90％的透光率，因此可以满足透光率的需求。

可以采用一个较佳的实施例为例对本申请的实施方案进行说明，以下为说明本申请的实施方案的效果而进行的举例示意性说明，并非唯一的实施例，具体的，该发光显示器件为PMOLED器件，包括透明基板、透明阳极、透明像素定义层、发光层、透明隔离柱20和透明阴极10层。在本实施例中，基板可以采用PI基板或玻璃基板，透明阳极可以采用ITO或者IZO作为透明电极，透明像素定义层为绝缘层，用于定义像素位置，该透明像素定义层的透过率大于98％，可以采用透明光敏聚酰亚胺(PSPI)材料制成，透明隔离柱20采用透明材料制作，具体的透明隔离柱也可以采用PSPI材料制成，透明阴极10采用层叠的ITO和银，其中ITO位于下层，例如，在隔离柱上的阴极，ITO层与隔离柱相连，银层覆盖在ITO层上，其中，为了能够实现较好的阴极阻断及透明效果，氧化铟锡层或氧化铟锌的厚度为透明银层的厚度的5-20倍，且透明阴极的厚度为

具体的，ITO层的厚度可以为

可选

可以参见图3所示的发光显示器件的局部结构示意图，由于ITO为高透过率导电材料，可以作为阴极的透明导电层12，银层的厚度可以设置为

可选

银层在

的厚度时，其通过率超过百分之六十，优选80％以上，可以实现较好的透明效果，在本实施例中，银作为导电率高，阴极隔断效果好的材料，采用

银层覆盖在ITO层上，不仅能够实现透明显示，还可以更好的实现阴极隔断效果，并且利用银的高导电性，还可以提高阴极的导电率，提高发光器件的发光效率。因此，可以通过上述结构在不影响发光效率和阴极隔断效果的前提下，实现透明显示。

为实现透明显示，还可以采用其他一些实施例，具体的，在可选的实施例中，透明导电层12，即阴极中透明导电层12可以为石墨烯，由于石墨烯的导电性较高，可以提高第一透明导电层12的导电性，并且，石墨烯具有良好的透过率，在一定厚度范围内的石墨烯的透过率可以达到94％，因此，透明导电层12可以采用厚度为

的石墨烯通过物理气相沉积制得，由于石墨烯的高透过率、高导电性，再在石墨烯上设置

厚度的银层，进一步增强石墨烯的导电性能，可以实现不影响发光效率和阴极隔断效果的前提下，实现透明显示。

在可选的实施例中，如图2所示，透明阴极也可以全部采用石墨烯制作，具体的石墨烯厚度可以为

可选

可以降低膜层数，减少工艺步骤，进而提高生产效率，减低生产成本。

本发明实施例提供了一种制作上述实施例中发光显示器件的方法，具体的，如图4所示，该方法包括：

S10.制作下层膜系，具体的，制作下层膜系的工艺流程可以包括：提供基板，在基板上通过物理气相沉积制作透明阳极，在阳极层上分别制作像素限定层，并蒸镀像素层，得到下层膜系。

S20.在下层膜系上蒸镀透明隔离柱材料。

S30.对明隔离柱材料以预设光刻条件进行光刻得到透明隔离柱，预设条件包括：曝光能量为100-200mj/cm²，离焦量为-0.02--0.04mm；透明隔离柱20制作时采用负性放大性光刻胶，通过光刻流程制作出隔离柱的形貌，具体的，透明隔离柱20与基板的角度范围控制在20°-90°。为了实现阴极隔断及工艺稳定，采用30°。再光刻过程中，曝光能量为100-200mj/cm²，离焦量为-0.02--0.04mm，具体的，曝光能量可以采用146mj/cm²，离焦量可以采用0.038mm。

S40.通过物理气相沉积在透明隔离柱上制作ITO导电层。

S50.通过蒸镀在ITO导电层上制作银层。

具体的，现在透明隔离柱20表面通过PVD方式沉积

厚度的ITO，再在ITO上采用蒸镀方式蒸镀

厚度的银。

本发明实施例还提供了一种电子设备，该电子设备具有上述实施例中发光显示器件，电子设备可以包括：手机、平板电脑、计算机、智能手表以及电视、橱窗或车载显示设备中的至少之一。本实施例中并不限于上述电子设备，其他采用上述有机发光显示器件的电子设备同样适用。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (8)

1.一种发光显示器件，用于透明显示，其特征在于，所述发光显示器件包括透明下层膜系，所述透明下层膜系中设置有若干个发光单元，所述下层膜系上对应相邻发光单元之间的位置设置有透明隔离柱；各所述发光单元包括发光层和透明阴极层；其中，所述透明阴极层间隔的排列在所述透明隔离柱上和所述透明隔离柱之间的发光层上；所述透明阴极层由靠近所述透明下层膜系设置的石墨烯层、以及远离所述透明下层膜系设置的金属层组成；

所述金属层为银层。

2.如权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述银层的透光率大于60％。

3.如权利要求2所述的发光显示器件，其特征在于，所述透明阴极层的厚度为

4.如权利要求3所述的发光显示器件，其特征在于，所述金属层的厚度为

5.如权利要求1-4任意一项所述的发光显示器件，其特征在于，

所述透明隔离柱的材料为光敏聚酰亚胺。

6.如权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述透明隔离柱的纵切面为倒梯形结构，高度为1μm-3μm。

7.如权利要求6所述的发光显示器件，其特征在于，所述透明隔离柱的侧壁与所述下层膜系的夹角为20-90°。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1-7任意一项所述的发光显示器件。

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