CN109449223A - 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体材料。铟镓氮铋材料包括衬底层、缓冲层和铟镓氮铋材料。铟镓氮铋材料是将铟原子和铋原子同时掺入GaN合金中形成的，能够调节母体晶格常数以及电子性质，从而提高其发光效率。本申请通过调节掺入的铟原子和铋原子的浓度，有效调节GaN材料的禁带宽度，实现从可见光到近红外波段的覆盖，以应用于光电子器件。采用铟原子及铋原子的共掺杂可使材料更易生长并更加稳定。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。

Description

铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法
技术领域
本申请涉及半导体光电材料制备领域，特别是涉及一种铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法。
背景技术
近年来，InGaN合金以及InGaN/GaN量子阱由于其可用于发展高效率的发光二极管(LED)、激光二极管及太阳能电池引起广泛关注。然而，由于InGaN层会引起双轴压应力，使得普遍使用的[0001]方向的InGaN/GaN量子阱有着强烈的内建电场。此内建电场会引起量子阱的发光波段红移，同时减小电子空穴对的共振强度。除此之外，InGaN合金有着高密度的结构缺陷，例如：穿透位错、堆叠层错。这些结构缺陷很大程度上与非辐射复合中心的形成有关。基于InGaN的LEDs效率衰退原因可主要归纳为三个方面：缺陷；电子溢流；俄歇复合。其中俄歇复合是最主要的因素(J.Iveland,et al.,Direct measurement of augerelectrons emitted from a semiconductor light-emitting diode under electricalinjection:Identification of the dominant mechanism for efficiency droop,Phys.Rev.Lett.110(2013)177406)。
相似地，基于GaAs红外二极管有着相同的问题，因此人们提出通过掺入铋(Bi)原子以此可以减小材料带隙，同时增加自旋轨道分裂能。当自旋轨道分裂能大于材料带隙时可抑制俄歇复合(Z.Batool et al.,The electronic band structure of GaBiAs/GaAslayers:Influence of strain and band anti-crossing,J.Appl.Phys.111(11)(2012)113108)。类似的能带变化在三元的铋化物中已经得到证实，例如：AlNBi；GaNBi；GaSbBi；InPBi；InSbBi等。最近，四元的稀铋化合物(如：GaAsNBi,InGaAsBi,GaAsPBi等)引起了广泛研究，因为将铋原子与其他III族或V族原子相结合为能带结构设计提供了更多可能性，比如能更加有效地调节带隙及自旋轨道分裂能；控制应力以及导带、价带带边偏移。
因此，发展一种能够调节其发光效率的四元稀铋化合物是非常有意义的。
发明内容
本申请的目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓减解决上述问题。
根据本申请的一个方面，提供了一种铟镓氮铋材料，包括：
衬底层，为InP衬底层或辅助衬底层；
缓冲层，在所述衬底层上外延生长InP缓冲层；和
铟镓氮铋材料，在所述缓冲层上外延生长InyGa1-yN1-xBix材料，所述InyGa1-yN1-xBix材料是通过在GaN材料中掺入In原子和Bi原子获得。
可选地，所述InyGa1-yN1-xBix材料中In原子的组分在0<y≤50％的范围，Bi原子的组分在0<x≤9.375％的范围。
可选地，所述InyGa1-yN1-xBix材料禁带宽度通过控制掺入GaN材料中的In原子以及Bi原子的浓度调控，以作为可见光至近红外光电器件材料。
可选地，所述InyGa1-yN1-xBix材料以薄膜、异质结、量子阱、超晶格、纳米线或量子点的形式作为光电器件材料的一部分。
根据本申请的另一个方面，提供了一种激光器，采用所述InyGa1-yN1-xBix材料作为有源区制备的可见光和近红外波段的激光器。
可选地，所述的激光器为近红外激光器，按照由下至上的顺序包括：InP衬底层、N型InP缓冲层、InAlAs下限制层、InGaAlAs下波导层、InyGa1-yN1-xBix量子阱有源区、InGaAlAs上波导层、InAlAs上限制层及P型InGaAs掺杂层，
其中，所述N型InP缓冲层、所述InAlAs下限制层、所述InGaAlAs下波导层、所述InyGa1-yN1-xBix量子阱有源区、所述InGaAlAs上波导层、所述InAlAs上限制层及所述P型InGaAs掺杂层的外表面沉积有钝化层，
所述N型InP掺杂层上沉积有N电极，所述P型InGaAs掺杂层上沉积有P电极。
根据本申请的另一个方面，提供了一种制备所述激光器的方法，按照如下步骤执行，
步骤1，在InP衬底上生长N型InP缓冲层；
步骤2，在所述N型InP缓冲层上生长InAlAs下限制层；
步骤3，在所述InAlAs下限制层上生长InGaAlAs下波导层；
步骤4，在所述InGaAlAs下波导层上生长InyGa1-yN1-xBix量子阱有源区；
步骤5，在所述InGaNBi量子阱有源区上生长InGaAlAs上波导层；
步骤6，在所述InGaAlAs上波导层上生长InAlAs上限制层；
步骤7，在所述InAlAs上限制层上生长P型InGaAs掺杂层；
步骤8，在所述P型InGaAs掺杂层上打光胶，并进行光刻保护，腐蚀掉所述P型InGaAs掺杂层；
步骤9，腐蚀掉所述InGaNBi量子阱有源区；
步骤10，将所述光胶去除；
步骤11，在所述N型InP缓冲层、所述InAlAs下限制层、所述InGaAlAs下波导层、所述InGaNBi量子阱有源区、所述InGaAlAs上波导层、所述InAlAs上限制层以及所述P型InGaAs掺杂层外表面上，沉积一层钝化层材料；
步骤12，在所述N型InP缓冲层上光刻N电极区，在所述P型InGaAs掺杂层上光刻P电极区；
步骤13，去除所述N电极区和所述P电极区的钝化层；
步骤14，沉积电极金属，得到所述的InGaNBi近红外激光器。
根据本申请的另一个方面，提供了一种探测器，采用所述的InyGa1-yN1-xBix材料作为吸收区制备的可见光和近红外波段的探测器。
可选地，所述的探测器为近红外探测器，按照由下至上的顺序包括：InP衬底层、N型InP掺杂层、P型InGaNBi吸收区及P型InP掺杂层，
其中，所述N型InP掺杂层、所述P型InGaNBi吸收区及所述P型InP掺杂层的外表面沉积有钝化层，
所述N型InP掺杂层上沉积有N电极，所述P型InGaAs掺杂层上沉积有P电极。
根据本申请的另一个方面，提供了一种制备所述探测器的方法，按照如下步骤执行，
步骤1，在InP衬底上生长N型InP掺杂层；
步骤2，在所述N型InP掺杂层上生长弱P型InGaNBi吸收区；
步骤3，在所述P型InGaNBi吸收区上生长P型InP掺杂层；
步骤4，在所述P型InP掺杂层上打光胶，并进行光刻保护，腐蚀掉所述P型InP掺杂层；
步骤5，在所述步骤4基础上，进一步腐蚀掉所述P型InGaNBi吸收区；
步骤6，将所述光胶去除；
步骤7，所述N型InP掺杂层、所述P型InyGa1-yN1-xBix吸收区及所述P型InP掺杂层的外表面上，沉积一层钝化层材料；
步骤8，所述N型InP掺杂层上光刻N电极区，所述P型InP掺杂层上光刻P电极区；
步骤9，去除所述N电极区和所述P电极区的钝化层；
步骤10，沉积电极金属，得到所述的InGaNBi近红外探测器。
本申请的InyGa1-yN1-xBix材料是将铟原子和铋原子同时掺入GaN合金中，形成InGaNBi，能够调节母体晶格常数以及电子性质，从而提高其发光效率。
本申请的铟镓氮铋材料，通过调节GaN中掺入铟原子和铋原子的浓度，可有效调节GaN材料的禁带宽度，实现从可见光到近红外波段的覆盖，以应用于光电子器件。
此外，本申请采用铟原子及铋原子的共掺杂可使材料更易生长并更加稳定。
本申请的铟镓氮铋材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
根据下文结合附图对本申请的具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本申请的上述以及其他目的、优点和特征。
附图说明
后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：
图1是根据本申请一个实施例的闪锌矿结构InyGa1-yN1-xBix材料随x，y晶格常数变化曲线；
图2是根据本申请一个实施例的InyGa1-yN1-xBix材料随着In组分和Bi组分带隙变化等值线图；
图3是根据本申请一个实施例的的InyGa1-yN1-xBix材料的结构示意图；
图4是根据本申请一个实施例中含有InyGa1-yN1-xBix近红外激光器结构示意图；
图5是根据本申请一个实施例中含有InyGa1-yN1-xBix近红外探测器结构示意图。
附图标号说明：
10、衬底层；
20、缓冲层；
30、InyGa1-yN1-xBix材料。
具体实施方式
理论计算表明，只掺入In原子时，随着In组分增加，材料的晶格常数增加，对于数值a，从3.211(GaN)增加到3.397(In0.5GaN)；对于数值c，从5.235(GaN)增加到5.509(In0.5GaN)。只掺入Bi原子时(GaN1-xBix)，体系晶格常数同样随着Bi组分的增加而增加。当In原子和Bi原子共掺时，InGaNBi体系随着In组分和Bi组分增加而增大，这是由于掺入的In原子和Bi原子的原子半径大于Ga原子和N原子的原子半径引起的。
图1是根据本申请一个实施例的闪锌矿结构InyGa1-yN1-xBix材料随x，y晶格常数变化曲线，其中，实线表示带晶格常数a的变化，虚线为晶格常数c变化曲线。
图2是根据本申请一个实施例的InyGa1-yN1-xBix材料随着In组分和Bi组分带隙变化等值线图。图2计算表明四元体系InyGa1-yN1-xBix带隙随着掺入浓度呈非线性变化，并且无论是In原子还是Bi原子的掺入，材料的带隙(Eg)随着掺入浓度增加而降低。母体材料GaN的带隙值为3.273eV,当In的浓度为50％，Bi的浓度为9.375％时，带隙减小到0.651eV，位于近红外波段，说明其禁带宽度可覆盖可见光到近红外。同时Bi原子的掺入将会使得自旋轨道分裂能(ΔSO)增加，当材料中ΔSO>Eg时，能够有效抑制俄歇复合。
图3是根据本申请一个实施例的的InyGa1-yN1-xBix材料的结构示意图。鉴于以上所述技术背景，如图3所示，本申请提供一种铟镓氮铋材料，包括：衬底层10、缓冲层20及铟镓氮铋材料30。衬底层10为InP衬底层或辅助衬底层。缓冲层20是在所述衬底层10上外延生长InP缓冲层。铟镓氮铋材料30是在所述缓冲层20上外延生长InyGa1-yN1-xBix材料30，所述InyGa1-yN1-xBix材料30是通过在GaN材料中掺入In原子和Bi原子获得。
本申请的InyGa1-yN1-xBix材料是将铟原子和铋原子同时掺入GaN合金中，形成InGaNBi，能够调节母体晶格常数以及电子性质，从而提高其发光效率。
此外，本申请的铟镓氮铋材料，通过调节GaN中掺入铟原子和铋原子的浓度，可有效调节GaN材料的禁带宽度，实现从可见光到近红外波段的覆盖，以应用于光电子器件。
此外，本申请的采用铟原子及铋原子的共掺杂可使材料更易生长并更加稳定。
进一步地，所述InyGa1-yN1-xBix材料30中In原子的组分在0<y≤50％的范围，Bi原子的组分在0<x≤9.375％的范围。所述InyGa1-yN1-xBix材料30禁带宽度通过控制掺入GaN材料中的In原子以及Bi原子的浓度调控，以作为可见光至近红外光电器件材料。
进一步地，所述InyGa1-yN1-xBix材料30以薄膜、异质结、量子阱、超晶格、纳米线或量子点的形式作为光电器件材料的一部分。
优选地，所述InGaNBi材料能带范围可覆盖379纳米至近红外波段。
优选地，所述含有InyGa1-yN1-xBix的材料结构可以作为量子阱或量子点的一部分。
优选地，所述InGaNBi材料可以用分子束外延和金属有机物化学沉积等外延生长工具制备。所述InGaNBi材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
实施例一：InGaNBi近红外激光器
采用分子束外延(MBE)或金属有机物气相沉积(MOCVD)的外延生长工具，在InP衬底(substrate)或辅助衬底(template)上，外延生长InP缓冲层；
在所述InP缓冲层上外延生长InyGa1-yN1-xBix薄膜和异质结材料。
通过控制掺入的In原子和Bi原子的浓度，控制所述InyGa1-yN1-xBix材料的禁带宽度，波长范围可覆盖可见光至近红外。
图4为本申请实施例1中含有InyGa1-yN1-xBix近红外激光器结构示意图。本实施例中，闪锌矿结构的InyGa1-yN1-xBix材料，在In组分为50％，Bi组分为9.375％时的禁带宽度为0.651eV，对应波长为1.9μm，位于近红外波段。以该材料制备的近红外激光器结构阐述如下：
如图4所示，近红外激光器按照由下至上的顺序包括：InP衬底层、N型InP缓冲层、InAlAs下限制层、InGaAlAs下波导层、InyGa1-yN1-xBix量子阱有源区、InGaAlAs上波导层、InAlAs上限制层及P型InGaAs掺杂层，
其中，所述N型InP缓冲层、所述InAlAs下限制层、所述InGaAlAs下波导层、所述InyGa1-yN1-xBix量子阱有源区、所述InGaAlAs上波导层、所述InAlAs上限制层及所述P型InGaAs掺杂层的外表面沉积有钝化层，
所述N型InP掺杂层上沉积有N电极，所述P型InGaAs掺杂层上沉积有P电极。
所述近红外激光器的制备方法，包括：
步骤1，在InP衬底上生长500nm的N型InP缓冲层，掺杂浓度为(3～5)×1018cm-3；
步骤2，在500nm的N型InP缓冲层上生长1000nm的InAlAs下限制层，Al浓度为5％；
步骤3，在1000nm的InAlAs下限制层上生长1000nm的InGaAlAs下波导层，其中，Ga、Al的浓度均为5％；
步骤4，在1000nm的InGaAlAs下波导层上生长30nm的InyGa1-yN1-xBix量子阱有源区，其中，In组分为50％，Bi组分为9.375％；
步骤5，在30nm的InGaNBi量子阱有源区上生长1000nm的InGaAlAs上波导层，其中，Ga和Al的浓度为5％；；
步骤6，在1000nm的InGaAlAs上波导层上生长1000nm的InAlAs上限制层，其中，Al的组分为5％；
步骤7，在1000nm的InAlAs上限制层上生长200nm的P型InGaAs掺杂层，其中，Ga的浓度为5％；
步骤8，在200nm的P型InGaAs掺杂层上打光胶，并进行光刻保护，腐蚀掉所述P型InGaAs掺杂层；
步骤9，腐蚀掉InGaNBi量子阱有源区；
步骤10，将光胶去除；
步骤11，在N型InP缓冲层、InAlAs下限制层、InGaAlAs下波导层、InGaNBi量子阱有源区、InGaAlAs上波导层、InAlAs上限制层以及P型InGaAs掺杂层的外表面上，沉积一层钝化层材料；
步骤12，在N型InP缓冲层上光刻N电极区，在P型InGaAs掺杂层上光刻P电极区；
步骤13，去除N电极区和P电极区的钝化层；
步骤14，沉积电极金属，得到如图4所示的InGaNBi近红外激光器。
实施例二：InGaNBi近红外探测器
图5是根据本申请一个实施例中含有InyGa1-yN1-xBix近红外探测器结构示意图。本实施例中，闪锌矿结构的InyGa1-yN1-xBix材料，在In组分为50％，Bi组分为9.375％时的禁带宽度为0.651eV，对应波长为1.9μm，位于近红外波段。以该材料制备的近红外探测器具体结构阐述如下：
如图5所示，所述近红外探测器按照由下至上的顺序包括：InP衬底层、N型InP掺杂层、P型InGaNBi吸收区及P型InP掺杂层，
其中，所述N型InP掺杂层、所述P型InGaNBi吸收区及所述P型InP掺杂层的外表面沉积有钝化层，
所述N型InP掺杂层上沉积有N电极，所述P型InGaAs掺杂层上沉积有P电极。
所述近红外探测器的制备方法，包括：
步骤1，在InP衬底上生长500nm的N型InP掺杂层，掺杂浓度为(3～5)×1018cm-3；
步骤2，在500nm的N型InP掺杂层上生长5000nm弱P型InGaNBi吸收区，掺杂浓度为(1～5)×1017cm-3；
步骤3，在5000nm的P型InGaNBi吸收区上生长200nm的P型InP掺杂层，掺杂浓度为～1×1019cm-3；
步骤4，在P型InP掺杂层上打光胶，并进行光刻保护，腐蚀掉P型InP掺杂层；
步骤5，在步骤4基础上，进一步腐蚀掉P型InGaNBi吸收区；
步骤6，将光胶去除；
步骤7，在N型InP掺杂层、P型InyGa1-yN1-xBix吸收区及P型InP掺杂层的外表面上，沉积一层钝化层材料材料；
步骤8，在N型InP掺杂层上光刻N电极区，在所述P型InP掺杂层上光刻P电极区；
步骤9，去除N电极区和P电极区的钝化层；
步骤10，沉积电极金属，得到如图5所示InGaNBi近红外探测器。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
以上所述，仅为本申请较佳的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种铟镓氮铋材料，其特征在于，包括：
衬底层，为InP衬底层或辅助衬底层；
缓冲层，在所述衬底层上外延生长InP缓冲层；和
铟镓氮铋材料，在所述缓冲层上外延生长InyGa1-yN1-xBix材料，所述InyGa1-yN1-xBix材料是通过在GaN材料中掺入In原子和Bi原子获得。
2.根据权利要求1所述的铟镓氮铋材料，其特征在于，所述InyGa1-yN1-xBix材料中In原子的组分在0<y≤50％的范围，Bi原子的组分在0<x≤9.375％的范围。
3.根据权利要求1所述的铟镓氮铋材料，其特征在于，所述InyGa1-yN1-xBix材料禁带宽度通过控制掺入GaN材料中的In原子以及Bi原子的浓度调控，以作为可见光至近红外光电器件材料。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的铟镓氮铋材料，其特征在于，所述InyGa1-yN1-xBix材料以薄膜、异质结、量子阱、超晶格、纳米线或量子点的形式作为光电器件材料的一部分。
5.一种激光器，其特征在于，采用权利要求1-4中任一项所述的InyGa1-yN1-xBix材料作为有源区制备的可见光和近红外波段的激光器。
6.根据权利要求5所述的激光器，其特征在于，为近红外激光器，按照由下至上的顺序包括：InP衬底层、N型InP缓冲层、InAlAs下限制层、InGaAlAs下波导层、InyGa1-yN1-xBix量子阱有源区、InGaAlAs上波导层、InAlAs上限制层及P型InGaAs掺杂层，
其中，所述N型InP缓冲层、所述InAlAs下限制层、所述InGaAlAs下波导层、所述InyGa1- yN1-xBix量子阱有源区、所述InGaAlAs上波导层、所述InAlAs上限制层及所述P型InGaAs掺杂层的外表面沉积有钝化层，
所述N型InP掺杂层上沉积有N电极，所述P型InGaAs掺杂层上沉积有P电极。
7.一种制备权利要求6所述激光器的方法，其特征在于：按照如下步骤执行，
步骤1，在InP衬底上生长N型InP缓冲层；
步骤2，在所述N型InP缓冲层上生长InAlAs下限制层；
步骤3，在所述InAlAs下限制层上生长InGaAlAs下波导层；
步骤4，在所述InGaAlAs下波导层上生长InyGa1-yN1-xBix量子阱有源区；
步骤5，在所述InGaNBi量子阱有源区上生长InGaAlAs上波导层；
步骤6，在所述InGaAlAs上波导层上生长InAlAs上限制层；
步骤7，在所述InAlAs上限制层上生长P型InGaAs掺杂层；
步骤8，在所述P型InGaAs掺杂层上打光胶，并进行光刻保护，腐蚀掉所述P型InGaAs掺杂层；
步骤9，腐蚀掉所述InGaNBi量子阱有源区；
步骤10，将所述光胶去除；
步骤11，在所述N型InP缓冲层、所述InAlAs下限制层、所述InGaAlAs下波导层、所述InGaNBi量子阱有源区、所述InGaAlAs上波导层、所述InAlAs上限制层以及所述P型InGaAs掺杂层外表面上，沉积一层钝化层材料；
步骤12，在所述N型InP缓冲层上光刻N电极区，在所述P型InGaAs掺杂层上光刻P电极区；
步骤13，去除所述N电极区和所述P电极区的钝化层；
步骤14，沉积电极金属，得到所述的InGaNBi近红外激光器。
8.一种探测器，其特征在于，采用权利要求1-4中任一项所述的InyGa1-yN1-xBix材料作为吸收区制备的可见光和近红外波段的探测器。
9.根据权利要求8所述的探测器，其特征在于，为近红外探测器，按照由下至上的顺序包括：InP衬底层、N型InP掺杂层、P型InGaNBi吸收区及P型InP掺杂层，
其中，所述N型InP掺杂层、所述P型InGaNBi吸收区及所述P型InP掺杂层的外表面沉积有钝化层，
所述N型InP掺杂层上沉积有N电极，所述P型InGaAs掺杂层上沉积有P电极。
10.一种制备权利要求9所述探测器的方法，其特征在于：按照如下步骤执行，
步骤1，在InP衬底上生长N型InP掺杂层；
步骤2，在所述N型InP掺杂层上生长弱P型InGaNBi吸收区；
步骤3，在所述P型InGaNBi吸收区上生长P型InP掺杂层；
步骤4，在所述P型InP掺杂层上打光胶，并进行光刻保护，腐蚀掉所述P型InP掺杂层；
步骤5，在所述步骤4基础上，进一步腐蚀掉所述P型InGaNBi吸收区；
步骤6，将所述光胶去除；
步骤7，所述N型InP掺杂层、所述P型InyGa1-yN1-xBix吸收区及所述P型InP掺杂层的外表面上，沉积一层钝化层材料；
步骤8，所述N型InP掺杂层上光刻N电极区，所述P型InP掺杂层上光刻P电极区；
步骤9，去除所述N电极区和所述P电极区的钝化层；
步骤10，沉积电极金属，得到所述的InGaNBi近红外探测器。
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