CN109449097A - 一种晶圆检测方法 - Google Patents

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王伟
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Abstract

本发明公开了一种晶圆检测方法，涉及半导体技术领域，包括：方法包含如下步骤：首先传感器移动至扫描起始位置；接着打开传感器；然后传感器移动至扫描结束位置，过程中锁存晶元的位置信息；接着关闭传感器；然后控制器根据锁存的位置信息计算得到片盒内每个槽的晶圆的状态；最后控制器将计算结果发送给上位机；与现有技术相比，本发明通过控制器连续接收光纤放大器输出的开关信号，再根据波形的上下沿锁存住晶元的位置信息，并根据特定算法计算出片盒内晶圆的放置状态，由于实现了连续高速锁存的功能，使得系统无需每锁存一个值就读取一次，减少了通讯造成的延时，使得本发明能够一次性快速扫描完整个片盒，提高了扫描的效率，还提高了准确率。

Description

一种晶圆检测方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆检测方法。
背景技术
在半导体加工中，经常需要将晶圆在各个工位之间进行传送，在传送的之前需要先对片盒内各个槽的晶圆放置状态进行检测，并将检测结果上传给上位机；上位机根据片盒内各个槽的晶圆的放置状态，结合工艺流程来调度机器人的取片放片。如果检测结果不正确，则可能造成取片失败导致工艺无法顺利执行，或者造成撞片导致晶圆报废，而现有晶圆放置状态检测方法存在诸多不足。
例如在锁存z轴位置信息时，每锁存一个位置信息，控制器就必须把这个信息读走，下一个位置信息才能锁存；由于读取信息过程中存在通信延时等的影响，所以在进行快速扫描时容易出现位置信息的丢失影响检测的成功率和准确率；
再如中国发明CN1501467A所公开的具有透射晶片检测传感器、具有分度装置的挡块和用于挡块的透射传感器的晶片处理设备。晶片处理设备计算来自透射晶片检测传感器的信号的持续时间与来自用于挡块的透射传感器的对应于分度装置的信号的持续时间的比值,并将比值与预先设定的阈值进行比较,以确定晶片的数量，该发明计算重片时只考虑检测到的片厚与设定片厚的比较，对异形片的判断不准确。
发明内容
一、要解决的技术问题
针对现有技术所存在的上述缺陷，现有的晶圆放置状态监测方法速度慢、效率低和准确率不高的问题。
二、技术方案
为解决上述问题，特提供一种晶圆检测方法，方法通过下述检测装置实施：
检测装置包括传感器、放大器、控制器，放大器分别与传感器和控制器通讯连接；
传感器用于发出光束，传感器还用于接收被晶圆反射回来的光束，并在接收到光束的光强度大于光强预设值时，放大器向控制器发出反馈信号；控制器根据反馈信号计算得到晶圆在片盒内的状态；
方法包含如下步骤：
首先，示教传感器的扫描起始位置和扫描结束位置，并设定光强预设值；
然后设定斜片比例和重片比例；
接着传感器移动至扫描起始位置；
接着打开传感器；
然后传感器移动至扫描结束位置；
接着关闭传感器；
然后控制器计算得到片盒内每个槽的晶圆的状态；
最后控制器将计算结果发送给上位机。
其中，检测装置还包括机械手，传感器设置在机械手上，机械手还可根据上位机的指令移动晶圆。
其中，控制器通过如下算法计算得到基准片厚Thick_STAND：
Thick_STAND＝SLOT_1_POS_END-SLOT_1_POS_STAND。
其中，方法还包括校准步骤：
首先正确放置片盒第一槽内的晶圆；
然后打开传感器；
接着传感器从扫描起始位运动至扫描结束位；
关闭传感器；
最后控制器计算得到基准片厚和第n槽的基准位置。
其中，控制器通过如下算法计算得到基准片厚Thick_STAND：
Thick_STAND＝SLOT_1_POS_END-SLOT_1_POS_STAND。
其中，控制器通过如下算法计算得到第n槽的基准位置SLOT_n_POS_STAND：
SLOT_n_POS_STAND＝SLOT_1_POS_STAND+槽距*(n-1)。
其中，当第n槽基准位置上下半个槽距内没有上升沿和和下降沿时，则控制器判定该槽为内没有晶圆。
其中，控制器通过如下公式计算得到第n槽内晶圆片厚SLOT_n_thick：
SLOT_n_thick＝SLOT_n_POS_END-SLOT_n_POS_START。
其中，当SLOT_n_thick大于等于(1+重片比例)*片厚时，则判断第n槽内是否有两组及两组以上的上升沿和下降沿，若是则控制器判定该槽有两片或两片以上的晶圆。
其中，若第n槽内只有一组上升沿和下降沿或者SLOT_n_thick小于(1+重片比例)*片厚，则进行斜片计算。
其中，斜片计算为：
当LOT_n_POS_STAND+(斜片比例-1)*槽距/2<＝SLOT_n_POS_START<＝SLOT_n_POS_STAND+(1–斜片比例)*槽距/2，并且同时满足SLOT_n_POS_STAND+(斜片比例-1)*槽距/2<＝SLOT_n_POS_END<＝SLOT_n_POS_STAND+(1–斜片比列)*槽距/2时，则控制器判定该槽为正常有片，否则判定该槽为斜片。
本发明的有益效果
与现有技术相比，本发明通过控制器读取放大器输出的波形，再根据波形的上下沿计算片盒内晶圆的放置状态，无需每锁存一个Z轴位置信息，并根据特定算法计算出片盒内晶圆的放置状态，由于实现了连续高速锁存的功能，使得系统无需每锁存一个值就读取一次，减少了通讯造成的延时，就要把这个信息读走，使得本发明能够一次性扫描完整个片盒，提高了扫描的效率，还提高了准确率。
还通过在计算重片时，不但考虑检测到的片厚与设定片厚的比较，还考虑上下沿的数量，增加了对异形片的判断准确率。
附图说明
图1是本发明的立体图；
图2是本发明的流程图1；
图3是本发明的流程图2；
图4是本发明的流程图3；
图5是本发明的晶圆状态示意图；
图中1为机械手；2为激光发射器。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。
如图1所示，检测装置包括机械手1、传感器、放大器、控制器；传感器设置在机械手1上，
机械手1可以沿Z轴升降运动，可沿T轴旋转，还可沿A轴伸缩；
为了方便说明，在本实施例中，传感器为激光传感器2，放大器为光纤放大器，机械手1沿Z轴上升定义为Z轴上升，机械手1沿Z轴下降定义为Z轴下降，将机械手1T轴旋转定义为T轴旋转，调整Z轴位置，即为使得机械手1上升或下降；Z轴的当前位置，即为机械手1在Z轴方向的当前位置。
当激光传感器2发出的光束照射到晶圆时，会有一部分光反射到激光传感器2上，当反射的光强度大于光强预设值时，光纤放大器就会向控制器输出高电平；当激光传感器2发出的光束未照射到晶圆或者反射的光强度小于光强预设值时，光纤放大器输出低电平，光纤放大器输出高电平和低电平会产生相应的上升沿和下降沿；控制器会在每个上升沿和下降沿锁存Z轴编码器位置，控制器根据锁存的位置信息通过算法计算得到晶圆在片盒内的状态；控制器通过TP/IP协议将结果发送给上位机。
机械手1可根据上位机的指令，夹取或者移动晶圆。
激光传感器2的光束大小和光强预设值，本领域普通技术人员可根据实际需求进行调整。
如图2所示，进行示教步骤：
首先设定片厚、片盒总槽数、槽距、斜片比例和重片比例；
然后开启激光传感器2；
接着调整Z轴、T轴和A轴的位置，使得激光传感器2的对准片盒内最下层的晶圆，并使得激光传感器2接到的反射光强度最大；
然后Z轴下降1/2个槽距；
接着保存Z轴当前的位置信息为POS_Z_START，保存T轴当前的位置信息为POS_Z_START，保存A轴当前的位置信息为POS_A_START,得到扫描起始位(POS_Z_START，POS_Z_START，POS_A_START)；
然后调整Z轴、T轴和A轴的位置，使得激光传感器2的对准片盒内最上层的晶圆，并使得激光传感器2接到的反射光强度最大；
接着Z轴上升1/2个槽距；
最后保存Z轴当前的位置信息为POS_Z_END,保存T轴当前的位置信息为POS_T_END，保存A轴当前的位置信息为POS_A_END，得到扫描结束位(POS_Z_END，POS_Z_END，POS_A_END)。
如图3所示，执行校准步骤：
首先正确放置片盒第一槽内的晶圆；
然后打开激光传感器2；
接着机械手1从扫描起始位运动至扫描结束位；
关闭激光传感器2；
最后控制器通过以下公式计算得到基准片厚和第n槽的基准位置；
基准片厚Thick_STAND为：
Thick_STAND＝SLOT_1_POS_END-SLOT_1_POS_STAND；
第n槽的基准位置SLOT_n_POS_STAND为：
SLOT_n_POS_STAND＝SLOT_1_POS_STAND+槽距*(n-1)。
其中机械手1从扫描起始位运动至扫描结束位过程中，光纤放大器产生的第一个上升沿锁存的Z轴位置为第一槽的基准位置SLOT_1_POS_STAND；第一槽最后一个下降沿的Z轴位置为SLOT_1_POS_END。
如图4所示，执行检测步骤：
首先机械手1移动至扫描起始位；
接着打开激光传感器2；
然后机械手1移动至扫描结束位；
然后关闭激光传感器2；
最后控制器计算每个槽内的晶圆的放置状态，并将结果上传至上位机。
如图5所述，控制器通过以下计算方式，计算每个槽内的晶圆的放置状态：
当第n槽基准位置上下半个槽距内，没有上升沿和和下降沿，
即SLOT_n_POS_STAND–槽距/2到SLOT_n_POS_STAND+槽距/2这个范围内，控制器未锁存位置信息，则控制器判定该槽没有晶圆，即得到结果为空片。
第n槽内第一个上升沿锁存的Z轴位置为SLOT_n_POS_START,
第n槽内最后一个下降沿锁存的Z轴位置为SLOT_n_POS_END,
第n槽内晶圆片厚SLOT_n_thick的计算公式为：
SLOT_n_thick＝SLOT_n_POS_END-SLOT_n_POS_START。
当SLOT_n_thick大于等于(1+重片比例)*片厚时，则判断第n槽内是否有2组及两组以上的上升沿和下降沿，若是则控制器判定该槽有两片或两片以上的晶圆，即得到结果重片，若第n槽内只有一组上升沿和下降沿，则进行斜片计算；
若第n槽内只有一组上升沿和下降沿或者SLOT_n_thick小于(1+重片比例)*片厚，则进行斜片计算；
斜片计算：
当LOT_n_POS_STAND+(斜片比例-1)*槽距/2<＝SLOT_n_POS_START<＝SLOT_n_POS_STAND+(1–斜片比例)*槽距/2，并且同时满足SLOT_n_POS_STAND+(斜片比例-1)*槽距/2<＝SLOT_n_POS_END<＝SLOT_n_POS_STAND+(1–斜片比列)*槽距/2时，
则控制器判定该槽为正常有片，否则判定该槽为斜片。
本实施例通过控制器读取光纤放大器输出的波形，再根据波形的上下沿计算片盒内晶圆的放置状态，无需每锁存一个Z轴位置信息就要把这个信息读走，使得本实施例能够一次性扫描完整个片盒，提高了扫描的效率，还提高了准确率；
并且，本实施例在计算重片时，不但考虑检测到的片厚与设定片厚的比较，还考虑上下沿的数量，增加了对异形片的判断准确率。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (10)

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述方法通过下述检测装置实施：
所述检测装置包括传感器、放大器、控制器，所述放大器分别与传感器和控制器通讯连接；
所述传感器用于发出光束，所述传感器还用于接收被晶圆反射回来的光束，并在接收到光束的光强度大于光强预设值时，所述放大器向所述控制器发出反馈信号；所述控制器根据反馈信号计算得到晶圆在片盒内的状态；
所述方法包含如下步骤：
首先，示教所述传感器的扫描起始位置和扫描结束位置，并设定光强预设值；
然后设定斜片比例和重片比例；
接着所述传感器移动至扫描起始位置；
接着打开所述传感器；
然后传感器移动至扫描结束位置；
接着关闭所述传感器；
然后所述控制器计算得到片盒内每个槽的晶圆的状态；
最后所述控制器将计算结果发送给上位机。
2.如权利要求1所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，所述检测装置还包括机械手(1)，所述传感器设置在所述机械手(1)上，所述机械手(1)还可根据上位机的指令移动晶圆。
3.如权利要求1所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，所述方法还包括校准步骤：
首先正确放置片盒第一槽内的晶圆；
然后打开所述传感器；
接着所述传感器从扫描起始位运动至扫描结束位；
关闭所述传感器；
最后所述控制器计算得到基准片厚和第n槽的基准位置。
4.如权利要求3所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，所述控制器通过如下算法计算得到基准片厚Thick_STAND：
Thick_STAND＝SLOT_1_POS_END-SLOT_1_POS_STAND。
5.如权利要求3所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，所述控制器通过如下算法计算得到第n槽的基准位置SLOT_n_POS_STAND：
SLOT_n_POS_STAND＝SLOT_1_POS_STAND+槽距*(n-1)。
6.如权利要求5所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，当第n槽基准位置上下半个槽距内没有上升沿和和下降沿时，则所述控制器判定该槽为内没有晶圆。
7.如权利要求5所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，所述控制器通过如下公式计算得到第n槽内晶圆片厚SLOT_n_thick：
SLOT_n_thick＝SLOT_n_POS_END-SLOT_n_POS_START。
8.如权利要求7所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，当SLOT_n_thick大于等于(1+重片比例)*片厚时，则判断第n槽内是否有两组及两组以上的上升沿和下降沿，若是则所述控制器判定该槽有两片或两片以上的晶圆。
9.如权利要求7所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，若第n槽内只有一组上升沿和下降沿或者SLOT_n_thick小于(1+重片比例)*片厚，则进行斜片计算。
10.如权利要求9所述的一种晶圆检测方法，其特征在于，所述斜片计算为：
当LOT_n_POS_STAND+(斜片比例-1)*槽距/2<＝SLOT_n_POS_START<＝SLOT_n_POS_STAND+(1–斜片比例)*槽距/2，并且同时满足SLOT_n_POS_STAND+(斜片比例-1)*槽距/2<＝SLOT_n_POS_END<＝SLOT_n_POS_STAND+(1–斜片比列)*槽距/2时，则所述控制器判定该槽为正常有片，否则判定该槽为斜片。
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