CN109428551B - 用于在收发器中提供偏置电压的方法和装置 - Google Patents

用于在收发器中提供偏置电压的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109428551B
CN109428551B CN201810956757.6A CN201810956757A CN109428551B CN 109428551 B CN109428551 B CN 109428551B CN 201810956757 A CN201810956757 A CN 201810956757A CN 109428551 B CN109428551 B CN 109428551B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bias voltage
signal
transistor
transceiver
reception
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810956757.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109428551A (zh
Inventor
D·席巴赫
P·萨莱斯
P·辛格
H·韦皮斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN109428551A publication Critical patent/CN109428551A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109428551B publication Critical patent/CN109428551B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H03F1/0272Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the output signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/401Circuits for selecting or indicating operating mode
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04JMULTIPLEX COMMUNICATION
    • H04J3/00Time-division multiplex systems
    • H04J3/02Details
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/108A coil being added in the drain circuit of a FET amplifier stage, e.g. for noise reducing purposes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/18Indexing scheme relating to amplifiers the bias of the gate of a FET being controlled by a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/481A resistor being used as sensor
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45594Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more resistors, which are not biasing resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

提供用于为在时分复用运行中工作的收发器产生偏置电压的装置的方法以及相应的收发器。在此在保护间隔中在由收发器进行信号的发送和接收之间调节偏置电压。

Description

用于在收发器中提供偏置电压的方法和装置
技术领域
本申请涉及用于在收发器中提供偏置电压的方法和装置和涉及相应的收发器。
背景技术
在收发器中,用于晶体管、特别是对于高频(RF,“射频”)-功率放大器的预加载的偏置电压是必需的。利用这样的偏置电压(通常称为偏压),例如,可以设置功率放大器的晶体管的工作点,以确保功率放大器的良好线性。这能够有助于提高通信信道中的数据吞吐量。
在这种情况下的目标是,如果不施加高频信号,则尽可能使高频功率放大器的漏极电流(也称为静止漏极电流)保持为恒定,这确保功率放大器以所期望的特性工作。
然而由于各种系统参数在收发器、尤其是功率放大器的使用寿命期间变化(例如放大器工作的温度,或者由于放大器的结构元件的漂移而变化)自适应的偏置电压是值得期望的,以便即使系统参数发生这种变化也尽可能确保放大器的所期望的特性。
在收发器的功率放大器的发送操作中,不仅偏置电压被施加到利用偏置电压预加载的晶体管的输入端,而且该偏置电压由待发送的高频信号叠加。因此在该状态下难以测量漏极静态电流(即,在没有施加的高频信号时由于偏置电压难以测量晶体管的漏极电流)并且难以基于测量调节偏置电压。然而,在传统的收发器中,功率放大器在大多情况下处于运行状态,从而基本上很少能够设置或调节偏置电压,例如在启动功率放大器时。另一方面,在收发器的连续运行期间调节偏置电压是值得期望的,以便能够连续地确保收发器、例如其功率放大器的所期望的特性。
本申请的一个目的是提供用于提供偏置电压的相应方法,用于提供偏置电压的装置以及相应的收发器,其中这个问题得到解决或至少得到缓解。
发明内容
根据一个实施例,提供了一种装置,用于为在时分复用运行中工作的收发器产生偏置电压,包括:
偏置电压调节环路,用于调节偏置电压,以及
回路控制器,其被设置为在由收发器进行信号的发送和接收期间去激活偏置电压调节环路,并且至少在信号的发送和接收之间的一些保护间隔中的至少一部分中激活偏置电压调节环路。
根据另一个实施例,提供了一种方法,用于为在时分复用方法中工作的收发器产生偏置电压,包括:
在由该收发器进行信号的发送和接收之间的一些保护间隔的至少一部分中激活该偏置电压调节环路,并且在信号的发送和接收时去激活该偏置电压调节,并且
当激活该偏置电压调节时调节该偏置电压。
以上概述仅表示关于一些可能的实施例的概览并且不被解释为限制。特别地,其他实施例能够具有除上述之外的其他特征。
附图说明
图1示出了根据一个实施例的收发器的示意性示意图。
图2示出了根据一个实施例的用于偏置电压生成的装置的框图。
图3示出了说明根据一个实施例的方法的流程图。
图4示出了调节回路的示意图,该调节回路可以用作一些实施例中所使用的调节回路的基础。
图5示出了根据一个实施例的装置的示意图。
图6示出了图5的实施例中的信号的示意性示例。
图7示出了根据另一实施例的装置的示意图。
图8示出了用于图7的装置中的信号的示例。
图9和10是示出根据另外的实施例的装置的示意图。
图11示出了根据一个实施例的控制器的示意图。
图12是示出根据一个实施例的装置的示意图。
图13-15示出了用于说明实施例的模拟。
具体实施方式
在下文借助于各种实施例更详细地解释本发明。要注意的是,这些实施例仅用于说明,并且不应解释为限制。因此具有多个特征的实施例的描述不应被解释为使得所有这些功能对于实施是必需的。其实,在其他实施例中,可以省略一些所示元件或组件和/或可以提供替代元件或组件。此外,除了明确示出的元件或组件,其它元件或组件,例如使用在常规收发器和/或功率放大器中的组件或元件可以被提供。
不同实施例的组件或元件可以彼此组合以形成另外的实施例。关于实施例中的一个实施例描述的变化或修改也能够适用于其他实施例。
在所示和讨论的实施例中,组件之间的直接电连接,即,没有附加的位于中间的元件(例如,简单的金属轨道或电线)的连接被间接连接,也就是说具有一个或多个附加的位于中间的元件的连接,取代,并且反之亦然,只要基本上保持连接的基本功能即可,例如信号的传输,信息的传输或控制的实现。换句话说,可以修改所示的电连接,只要相应连接的基本功能保持基本不变即可。
这里讨论的实施例涉及用于为收发器产生偏置电压的装置、相应的收发器和相应的方法。
在此收发器是一种可以发送和接收信号的通信设备。这种收发器可以是无线收发器,例如在蜂窝电话中使用的那些收发器,也或者可以是有线收发器。实施方式中使用的收发器在此特别是根据时分复用方法TDD(时分双工)工作的收发器。在这样的时分复用方法中,发送和接收信号是交替进行的,即收发器在发送操作中或在接收操作中,但不是同时在二者中。在实施例中,在这种时分复用运行中在发送和接收之间和/或在接收和发送信号之间使用保护间隔,以调节收发器的偏置电压。通常设置这样的保护间隔以安全地避免在时分复用运行中信号的发送和接收之间的重叠。以这种方式可以在各种实施例中实现在连续运行期间调节偏置电压。因此,在一些实施方式中,可以连续地补偿诸如由温度或漂移引起的变化的系统参数的变化。
图1示出了根据一个实施例的收发器10的框图。收发器10包括发送电路13和接收电路14。发送电路13和接收电路14可以包括诸如放大器或滤波器之类的发送或接收电路的传统组件。特别地,发送电路13可以包括功率放大器,功率放大器接收偏置电压,例如为了预加载功率放大器的晶体管的控制端子。在场效应晶体管(FET)或绝缘栅双极晶体管(IGBT)中,控制端子对应于栅极端子,在双极晶体管中,控制端子对应于基极端子。为此将在后面解释示例。收发器10的其他组件也可以接收偏置电压。
发送电路13接收可以例如表示待发送数据的待发送信号Tx_in、滤波和/或放大该信号并将该信号通过分离组件11(循环器)输出到天线12。接收电路14经由分离组件11接收来自天线12的信号,并处理接收的信号并输出相应的接收信号RXout。时间控制器15借助于如图所示的TX使能,RX使能信号激活并且去激活发送电路13和接收电路14以保证在时分复用方法中的运行。为此,时间控制器15可以接收选择信号RX/TX选择,选择信号例如确定发送和接收间隔的长度。在其中发送电路13是激活(称为发送时段或发送间隔)的时间之间和在其中接收电路14是激活的时间(称为接收时段或接收间隔)之间,由图1的实施例中的时间控制器15引入保护间隔。然后,图1的收发器被设置成在这些保护间隔或这些保护间隔一部分期间调节收发器的偏置电压,以便因此能够补偿系统参数的变化。在后面更加详细地阐释对于为此能够采用的技术的示例。
除了调节保护间隔中的偏置电压之外,图1的收发器10可以以任何传统方式配置。
图2示出了说明在保护间隔期间调节这种偏置电压的示意框图。偏置电压在此借助于偏置电压调节环路21被调节到期望值。
偏置电压调节环路21由回路控制器20激活和去激活。例如,当发送电路如发送电路13既不通过信号TX使能激活且接收电路如接收电路14也不通过信号RX使能激活时,回路控制器20从图1的时间控制器15接收信号TX使能和RX使能并且在保护间隔中激活偏置电压调节环路21。要注意的是,在其他实施例中,回路控制器20也可以直接集成到图1的时间控制器15中。在另外其他实施例中,回路控制器20可以从时间控制器接收示出保护间隔的单独信号。另外要注意的是,该回路控制器20将在一些实施例中,如后面更详细地解释的那样,能够延迟地在保护间隔开始后激活偏置电压调节环路21,以便例如等待偏置电压的瞬态振荡时间。
图3示出了可以例如在图1和2的装置中实现的根据一个实施例的方法的流程图,但不限于此。在图3中的30处,在时分复用方法中接收信号。在接收到信号之后,接着是保护间隔,在此期间,偏置电压调节发生在图3中的31处。随后,在32处发送信号。要注意的是,图3中的30和32额外地和/或备选地也可以交换,即,在其他实施例中例如,即使在发送信号之后并且在接收信号之前也可以附加地或备选地发生偏置电压调节。另外,在每个保护间隔期间,偏置电压调节可以在接收信号和发送信号之间和/或在发送信号和接收信号之间发生,然而也可以仅在一些保护间隔中发生,例如每隔m个保护间隔或以特定的时间间隔发生。如已经参考图2所述,在31处的偏置电压调节也可以在保护间隔开始之后延迟地开始。
图4示出了用于功率放大器的调节回路电路,功率放大器表示与图2的调节回路21类似的偏置电压调节环路的示例。图4的调节回路电路还用作稍后参考图5-10以及12讨论的实施例的基础。图5-10以及12的元件(对应于图4的组件)具有相同的附图标记并且将不再被解释。
在图4的实施例中,功率晶体管49(在这种情况下是功率MOSFET)用作发送电路,例如图1的发送电路13中的功率放大器。晶体管49的栅极端子与RF输入端45连接,高频信号RFin的(例如图1的信号TX使能或从该信号导出的信号)被施加在该高频输入端处。晶体管49的源极端子接地。晶体管49的漏极端子连接到输出端子48,输出端子输出放大的高频信号RFout,例如用于输出到图1的天线12或输出到其他组件,例如另外的放大器或滤波器。晶体管49的输出端子48和漏极端子如图4所示还通过电感器47连接到供应直流电压VDC。
此外,晶体管49的栅极端子经由电感器44连接到可控的偏置电压VG。偏置电压VG设定晶体管49的工作点。特别地,在一些实施例中,确定该工作点,以使得输出信号RFout与输入信号RFin呈线性关系。输入信号RFin同样调制晶体管49栅极端子处的栅极电压,这引起晶体管49的沟道电导率的变化,从而导致输出信号RFout的相应变化。
在图4的实施方式中的调节尤其是,在晶体管49的栅极端子处没有施加信号RFin而只施加有偏置电压VG的状态下,基于参考电流IREF来调节晶体管49的漏极电流ID。参考电流IREF可以以任何传统方式例如借助于带隙电路产生或者在调节器的数字实现的情况下作为数字值提供。在图4的调节回路电路中,利用电流测量设备46测量电流ID,如由附图标记42表示,并提供给调节器41。另外,参考电流IREF,如附图标记40所示,也被提供给调节器41。该调节器41然后基于参考电流IREF和所测量的漏极电流ID,例如基于IREF和ID之间的差来调节可调的偏置电压43。该调节器41可以以各种方式设计,例如借助于作为计数器,作为PID(比例-积分-微分(“导数”))调节器,作为PI调节器,作为P调节器或任何其它类型的合适的调节器。
以这种方式设置偏置电压VG,从而漏极电流ID等于参考电流IREF。要注意的是,图4的调节回路布置不一定必须将电流ID调节到参考电流IREF,而是也能够将该电流调节到从参考电流IREF导出的电流,例如电流IREF的倍数或部分。如上所述,该调节在信号RFin为0的保护间隔期间发生,也就是说在特别是发送数据之外发生。因此在这种情况下仅将偏置电压VG施加到晶体管49的栅极端子,并且可以将漏极电流ID调节到值IREF,而不会由于信号RFin而产生任何波动。
要注意的是,在接收数据期间,晶体管49通常完全关断(例如,通过将晶体管49的栅极电压设置到一个值,从而晶体管49截止)以避免基于剩余信号RFout干扰数据的接收。
图5示出了基于图4的调节回路的实施例,该实施例又示出了具有晶体管49和相应的调节回路的功率放大器的示例。在这种情况下,调节器41由信号控制使能激活和去激活。特别地,调节器41在所有或一些保护间隔或其部分期间(例如仅在保护间隔的一部分中延迟)被激活,从而仅在保护间隔期间对偏置电压进行调节。此外,根据TX使能信号激活可控的偏置电压43,从而仅在发送期间和在发送之前的保护间隔期间激活偏置电压,并且除此以外晶体管49断开。
为了说明,图6示出了图5的实施例中的信号的示意性示例。要注意的是,图6的信号和本申请中示出和说明的其他信号波形仅是说明性的,并且不应被解释为限制性的。特别地,信号的确切形式能够取决于电路的特定实现。
图6示出了信号TX使能60,其指示偏置电压何时被激活并且因此电路准备好发送信号,信号RX使能61,其指示信号的接收何时被激活,以及信号控制使能62,其指示何时对如图5中所解释的偏置电压的调节有效。信号RF开启64表示期间实际发送射频信号的时段,即发送间隔。可以看出,在保护间隔GI中,信号的发送和接收都没有被激活,并且在该时间期间,信号cntrl使能62激活偏置电压的调节。利用63示意地表示在输入端45处的信号RFin,该信号存在于由信号RF开启限定的发送间隔中。如已经说明的那样,该信号调制在发送操作期间施加到晶体管49的栅极端子处的偏置电压,从而漏极电流ID也在这里相应改变。另一方面,在接收数据期间,偏置电压VG被关断或设置到关断晶体管49的值,从而在这里没有漏极电流(除了必要时不期望的泄漏电流)流动。不同地,在保护间隔GI期间,偏置电压VG可以接通并且不受信号RFin的影响,从而在这里,偏置电压VG的调节是可能的,以便使漏极电流ID达到电流IREF或从该电流导出的值。
在一些实施方式中,信号TX使能可能已经在保护间隔GI期间采用激活偏置电压VG的值,而信号RFin仅在经过保护间隔之后变为激活的。
如已经提到的,在接收时段之后在激活偏置电压之后,能够持续直到偏置电压和漏极电流ID达到稳态值。因此为了考虑这种效果,在一些实施方式中可以实现延迟对偏置电压的调节。现在将参考图7解释相应的实施例。
图7的实施例包括偏置电压产生装置70。在图7中,信号TX使能被提供给时间控制器76。信号TX使能在此具有指示在保护间隔期间和实际发送期间激活偏置电压的值。然后仅在发送时段期间实现数据的实际发送。
当TX使能信号指示激活偏置电压时(例如,处于逻辑高电平上),时间控制器76闭合开关74并且断开开关75。以这种方式使得可控的偏置电压发生器71经由电感器44连接到晶体管49的栅极。可控的偏置电压设备71在此对应于图4的可控的偏置电压设备43,即,该偏置电压设备产生偏压以确定晶体管49的工作点。如果信号TX使能不指示活动状态(在一些实施例中,这等效于指示接收状态的信号RX使能),时间控制器76闭合开关75并且断开开关74。结果,低于晶体管49的晶体管阈值的电压VG,箝位连接到晶体管49的栅极,并且从而使晶体管49处于截止状态。例如基于氮化镓(GaN)的HEMT(高电子迁移率晶体管)中的电压VG,箝位可以是-5V或另一个质量负值,但不限于此,并且特别是可以根据晶体管49的实施方式来选择,使得在施加电压VG,箝位到其栅极时晶体管49截止。
此外,时间控制器76产生信号控制使能,用于激活调节器41并因此激活调节回路,调节回路将漏极电流ID调节到取决于参考电流IREF的值。调节器41然后调节偏置电压VG,偏置,如上所述。
在此时间控制器76延迟地产生具有延迟到信号TX使能的活动状态的信号控制使能,(即,使得时间控制器76闭合开关74并且断开开关75的状态)。由此会导致的是,调节仅在电压VG,偏置和漏极电流ID在闭合开关74之后呈现稳态值时才开始。
现在参考图8说明这一点,图8示出了图7的实施例中的信号随时间变化的示意性示例。
在图8中,曲线80示出了漏极电流ID,曲线81示出了在晶体管49的栅极处的电压VG(根据由VG,偏置或VG,箝位所确定的开关74、75的位置),曲线83示出了信号TX使能,曲线84示出了信号控制使能。曲线82示出了信号RF开启,其指示实际发生发送操作的时间,即,信号RFin被施加到输入端45处的时间。曲线85表示信号RFin,该信号在发送操作中叠加在晶体管49的栅极电压。
在图8的阶段(1)中,装置处于接收操作中。保护间隔随着信号TX使能上升到有效电平而开始。在保护间隔开始时,随着信号TX使能(曲线83)上升,开关74闭合,并且开关75断开。因此,晶体管49的栅极处的栅极电压VG如曲线81所示从值VG,箝位上升到值VG,偏置。根据栅极电压的这种上升,漏极电流ID也从0上升到稳态值。
当VG和ID已经达到稳态值时,偏置电压的调节,即调节器41,在阶段(2)中被对应于曲线84的信号控制使能激活。在这里然后调节栅极电压,使得漏极电流ID采用由参考电流IREF预定的值。在阶段(2)之后然后在阶段(3)中,信号的实际发送随着相应通过输入信号RFin调制的漏极电流进行。在阶段(3)结束时存在保护间隔,在该保护间隔中在闭合开关75并且断开开关74之后,栅极电压VG下降到VG,箝位,并且漏极电流ID相应地下降到0。然后在阶段(1)中再次实现信号的接收。因此在图8的实施方式中,仅在保护间隔中在从接收到发送的过渡中调节偏置电压,而不是在保护间隔中在发送和接收之间调节偏置电压。在其他实施方式中,可以在该间隔中调节收发器中的偏置电压也或者另一个偏置电压。
图9和10示出了图7的实施例的更详细的实现可行方案。已经参考图7(或先前参考图4)解释的组件具有相同的附图标记并且将不再解释。
在图9的实施例中,通过模拟数字转换器(ADC)90将测量的漏极电流ID对应于附图标记42转换成数字值,数字值被提供给调节器41。模拟数字转换器90和调节器41都在保护间隔期间由时间控制器76激活(例如对应于图8的曲线84的信号控制使能),因此仅在保护间隔的相应部分期间激活模拟数字转换器90和调节器41。然后可以使用由模拟数字转换器提供的值为调节回路提供时钟。在这种情况下,参考电流IREF也作为数字值存在。例如,可以将实际参考电流数字化以提供数字值。调节器41然后设定偏置电压VG,偏置的数字值71。该数字值从数字模拟转换器91传送到相应的模拟电压值。
在图9的实施例中在由数字模拟转换器91输出的对应于VG,偏置的电压值与由电压源72输出的用于电压VG,箝位的值之间借助于开关74、75改变。
其变型方案如图10所示。在图10的实施例中,又将漏极电流ID借助于模拟数字转换器90数字化并且提供给调节器41,调节器为电压VG,偏置设定数字值71。不同于图9,在图10的情况下,电压VG,箝位也作为数字值存在于附图标记72处。数字模拟转换器101被提供为根据开关74、75的位置将VG,偏置的数字值或VG,箝位的数字值转换为模拟电压,并且提供给晶体管49作为栅极电压VG。在这种情况下可以借助于相应的数字逻辑实现开关74、75,该数字逻辑例如把包含值VG,偏置的第一寄存器的内容或包含值VG,箝位的第二寄存器的内容提供给数字模拟转换器101。换句话说,开关74和75不必作为分立开关(例如,晶体管开关)来实现,而是也能够使用满足开关74、75的功能的其它组件。
图11示出了根据一个实施例的时间控制器110的示例,该时间控制器可以用作时间控制器76。图11的时间控制器110接收信号TX使能,该信号表示如图8所示的时间,在该时间中偏置电压VG,偏置是激活的,包括从接收到信号发送和发送时段的过渡的保护间隔。信号TX使能被提供给第一延迟环节111和第二延迟环节112。第一延迟环节111将信号TX使能延迟了时间t1,并且第二延迟元件112将信号TX使能延迟了时间t2。时间t1说明了信号TX使能和信号控制使能的开始之间的延迟(在图8中是信号TX使能的上升沿和信号控制使能的上升沿之间的时间),并且时间t2说明了信号TX使能和信号控制使能的结束之间的延迟时间(在图8中是信号TX使能的上升沿和信号控制使能的下降沿之间的时间)。
时间t2在此被选择成使得信号控制使能在信号的发送开始之前(在
图8的时段(3)之前结束)。
延迟环节111的输出端连接到复位触发器(RS-FF)的置位输入端,并且延迟环节112的输出端连接到置位复位触发器113的复位输入端。结果在置位复位触发器113的输出端处输出相应的信号控制使能,如图8中的曲线84所示,该信号相应地激活调节器41和模拟数字转换器90(只要存在即可)。
图12示出了根据另一实施例的收发器(特别是功率放大器)的一部分的电路图。在图12的实施例中,特别给出了用于实现细节的示例。上面已经描述的元件具有相同的附图标记,并且将不再解释。
图12的实施例包括偏置电压产生装置120。
在图12的实施例中,借助于与电感器47串联连接的测量电阻器127进行晶体管49的漏极电流ID的测量。在此在实施例中,测量电阻器127是低阻抗的,以限制由于电流测量引起的损耗。例如,测量电阻器127的电阻值R感测可以小于5Ω,例如小于1Ω。测量电阻器127的端子连接到差分放大器125的输入端,差分放大器具有放大系数G。放大器125的输出表示漏极电流ID的量度值。输出被提供给比较器126的负输入端。
另外,基准信号Iref借助于数字模拟转换器123被提供给比较器126的正输入端。因此在此生成实际参考电流并将实际参考电流数字化。在其他实施例中,例如在寄存器中的数字值也可以直接提供为参考电流值。然后比较器126的输出端指示参考电流Iref是大于还是小于漏极电流ID
比较器126的输出端连接到计数器124。计数器124利用通过延迟环节123延迟了时间t1的信号TX使能被提供时钟。时间t1,如图11中所示,是在接收到信号TX使能的有效信号电平之后的延迟,例如在上升沿之后的图8中。
在该配置中,计数器124在每个发送/接收周期中,特别是在从接收信号到发送信号的过渡中的每个保护间隔中当参考电流Iref大于所测量的漏极电流ID时向上计数1,并且如果不是这种情况就向下计数1。较高有效位(MSB)用于设置VG,偏置的数字值121。例如,由较高有效位直接形成的位值可以对应于值VG,偏置,或者还可以执行诸如缩放的转换。不同地,弃用最低有效位(LSB)。弃用的位的数量可以取决于实现方案,并且可以是例如1或2。通过弃用最低有效位会引起滤波。
这种滤波尤其导致在漏极电流ID的波动非常小的情况下,例如在波动的情况下,电压VG,偏置不会改变,该波动交替地使计数器124向上计数和向下计数,而是仅当存在计数器124在几个测量周期上、即在几个发送/接收周期上主要向上计数或主要向下计数的ID的变化趋势时,电压VG,偏置才改变。因此通过该滤波,仅在相同方向上的2n个净值(netto)计数事件(即在该方向上的计数事件减去在其它方向上的计数事件)之后在一个时间段上得到电压VG,偏置的改变,其中,n是为滤波而弃用的最低有效位的数量。然而在其他实施例中,也可以省略或在其他实现方案中实现这种滤波。
在121处的这样设定的数字值VG,偏置然后由数字模拟转换器91转换成模拟值,如参考图9所解释的那样。取代数字模拟转换器91,也可以在开关74之后提供数字模拟转换器,如图10的数字模拟转换器101。
现在将借助模拟结果解释所讨论的装置的工作方式,如图13-15所示。
在图13A中,曲线130示出了在多个发送和接收周期内晶体管49的栅极电压的变化曲线。曲线130的区域131处于信号传输中,其中栅极电压由高频信号RFin调制。曲线132示出了偏置电压VG,偏置的变化曲线。电压VG,箝位在该模拟中是-5.0V,即,特别是在接收信号期间,根据曲线130将栅极电压降至-5.0V。
图13B示出了用于发送-接收周期的图13A的放大图。
在图14A中,曲线140示出了漏极电流ID的对应变化曲线。区域141又对应于信号的发送,其中漏极电流根据高频输入信号RFin对栅极电压的调制而改变。
图14B示出了对应于漏极电流ID的变化曲线的图13B的时段的放大图。
图15A在曲线150中示出了信号TX使能的对应变化曲线,并且曲线151示出了信号控制使能的变化曲线,利用该信号例如在图9中激活模拟数字转换器90以及调节器41。图15B再次示出了图15A的放大图。
在图13-15的示例中,Iref是200mA。可以看出,偏置电压VG,偏置受到调节,使得在多个发送/接收周期后,漏极电流ID在一种状态下被调节到200mA的相应值,在该状态中仅存在偏置电压VG,偏置但是不存在高频信号RFin,其中,在每次数据发送之前进行匹配步骤。
图13-15中所示的曲线仅仅用于另外的说明,并且实际的曲线可以根据实现方案与这些模拟曲线不同。
在以下示例中定义了至少一些实施例:
示例1:一种用于为在时分复用运行中工作的收发器产生偏置电压的装置,包括:
偏置电压调节环路,用于调节偏置电压,以及
回路控制器,其被设置为在由收发器进行信号的发送和接收期间去激活偏置电压调节环路,并且至少在信号的发送和接收之间的一些保护间隔中的至少一部分中激活偏置电压调节环路。
示例2:根据示例1所述的装置,其中,该回路控制器被设置成,从数据的接收过渡到数据的发送的情况下,在至少一些保护间隔中激活该偏置电压调节环路。
示例3:根据示例2所述的装置,其中,该回路控制器被设置成在该至少一些保护间隔开始后延迟激活该偏置电压调节环路。
示例4:根据示例1所述的装置,其中,该偏置电压是针对收发器的晶体管的控制电压,并且其中该偏置电压调节环路被设置成基于该晶体管的负载电流和参考电流来调节该偏置电压。
示例5:根据示例4所述的装置,其中,该控制电压是栅极电压,并且该负载电流是漏极电流。
示例6:根据示例5所述的装置,其中,该回路控制器被设置成在在接收该收发器的信号之外激活该偏置电压,并且在信号的该接收期间去激活该偏置电压并且在数据的该接收期间将箝位电压作为控制电压输出到该晶体管,该箝位电压导致截止该晶体管。
示例7:根据示例4所述的装置,其中,该偏置电压调节环路包括用于数字化该负载电流的模拟数字转换器、用于调整该偏置电压的数字值的调节器和用于将该偏置电压的数字值转换为模拟偏置电压的数字模拟转换器。
示例8:根据示例1所述的装置,其中,该偏置电压调节环路包括计数器,其中,该计数器的输出确定该偏置电压。
示例9:根据示例8所述的装置,其中,偏置电压由该计数器的最高有效位来确定,其中,该计数器的最低有效位被弃用。
示例10:一种收发器,包括:
发送电路,
接收电路,以及
根据示例1所述的用于产生偏置电压的装置。
示例11:根据示例8所述的收发器,其中用于产生偏置电压的该装置根据示例4而被设置,其中该晶体管是该发送电路的功率放大器的晶体管。
示例12:一种用于为在时分复用方法中工作的收发器产生偏置电压的方法,包括:
在由该收发器进行信号的发送和接收之间在一些保护间隔的至少一部分中激活该偏置电压调节环路,并且
在信号的发送和接收时去激活该偏置电压调节,以及
在该偏置电压调节被激活时调节该偏置电压。
示例13:根据示例12所述的方法,其中,该偏置电压调节的激活包括在信号的接收和信号的发送之间的过渡的情况下在保护间隔中,以相对于该保护间隔的开始的时间延迟来激活偏置电压调节。
示例14:根据示例13所述的方法,还包括在该保护间隔的开始时激活该偏置电压,其中,该时间延迟被选择为,使得该偏置电压在该时间延迟后具有稳态值。
示例15:根据示例12所述的方法,还包括将该偏置电压提供给晶体管的控制输入端。
示例16:根据示例15所述的方法,其中该偏置电压的调节包括基于该晶体管的负载电流调节该偏置电压。
示例17:根据示例15所述的方法,其中,该偏置电压的该调节包括根据该负载电流与参考电流的比较来执行计数器的向上计数或向下计数,其中,基于该计数器的计数器读数来确定该偏置电压。
示例18:根据示例17所述的方法,还包括弃用该计数器的一个或多个最低有效位。
示例19:根据示例16所述的方法,还包括在保护间隔中并且在该发送该收发器的信号期间激活该偏置电压,并且将偏置电压从该晶体管的控制输入端断开,并且将该晶体管的控制输入端与箝位电压连接,该箝位电压使得该晶体管在信号的接收期间进入截止状态中。

Claims (17)

1.一种用于为在时分复用运行中工作的收发器产生偏置电压的装置,包括:
偏置电压调节环路,所述偏置电压调节环路被设置为调节所述偏置电压,以及
回路控制器,所述回路控制器被设置为,在由所述收发器进行信号的发送和接收期间,去激活所述偏置电压调节环路,并且在从数据的接收过渡到数据的发送的情况下和/或在从数据的发送过渡到数据的接收的情况下,在至少一些保护间隔开始后延迟地激活所述偏置电压调节环路。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述偏置电压是针对所述收发器的晶体管的控制电压,并且其中所述偏置电压调节环路被设置成基于所述晶体管的负载电流和参考电流来调节所述偏置电压。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述控制电压是栅极电压,并且所述负载电流是漏极电流。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述回路控制器被设置成,在接收所述收发器的信号之外激活所述偏置电压,并且在信号的所述接收期间去激活所述偏置电压,并且在数据的接收期间将箝位电压作为控制电压输出到所述晶体管,所述箝位电压导致截止所述晶体管。
5.根据权利要求2所述的装置,其中,所述偏置电压调节环路包括用于数字化所述负载电流的模拟数字转换器、用于调整所述偏置电压的数字值的调节器和用于将所述偏置电压的所述数字值转换为模拟偏置电压的数字模拟转换器。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述偏置电压调节环路包括计数器,并且其中所述计数器的输出确定所述偏置电压。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述偏置电压由所述计数器的最高有效位确定,并且其中所述计数器的最低有效位被弃用。
8.一种收发器,包括:
发送电路,
接收电路,以及
被设置用于为在时分复用运行中工作的收发器产生偏置电压的装置,所述装置包括:
偏置电压调节环路,所述偏置电压调节环路被设置用于调节所述偏置电压,以及
回路控制器,所述回路控制器被设置为,在由所述收发器进行信号的发送和接收期间,去激活所述偏置电压调节环路,并且在从数据的接收过渡到数据的发送的情况下和/或在从数据的发送过渡到数据的接收的情况下,在至少一些保护间隔开始后延迟地激活所述偏置电压调节环路。
9.根据权利要求8所述的收发器,其中,所述偏置电压是针对所述发送电路的功率放大器的晶体管的控制电压,并且其中所述偏置电压调节环路被设置成基于所述晶体管的负载电流和参考电流来调节所述偏置电压。
10.根据权利要求8所述的收发器,其中,所述偏置电压调节环路包括计数器,并且其中所述计数器的输出确定所述偏置电压。
11.一种用于为在时分复用方法中工作的收发器产生偏置电压的方法,包括:
在信号的接收和信号的发送之间的过渡的情况下和/或在信号的发送和信号的接收之间的过渡的情况下在保护间隔中,以相对于所述保护间隔的开始的时间延迟来激活所述偏置电压调节,
在信号的发送和接收的情况下去激活所述偏置电压调节,以及
如果所述偏置电压调节被激活,调节所述偏置电压。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括在所述保护间隔的开始时激活所述偏置电压,其中所述时间延迟被选择为使得所述偏置电压在所述时间延迟后具有稳态值。
13.根据权利要求11所述的方法,还包括将所述偏置电压提供给晶体管的控制输入端。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述偏置电压的调节包括基于所述晶体管的负载电流调节所述偏置电压。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述偏置电压的调节包括根据所述负载电流与参考电流的比较来执行计数器的向上计数或向下计数,其中,基于所述计数器的计数器读数来确定所述偏置电压。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括弃用所述计数器的一个或多个最低有效位。
17.根据权利要求14所述的方法,还包括在保护间隔中并且在发送所述收发器的信号期间激活所述偏置电压,并且将所述偏置电压从所述晶体管的所述控制输入端断开,并且将所述晶体管的所述控制输入端与箝位电压连接,所述箝位电压使得所述晶体管在信号的接收期间进入截止状态中。
CN201810956757.6A 2017-08-21 2018-08-21 用于在收发器中提供偏置电压的方法和装置 Active CN109428551B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017119054.6A DE102017119054A1 (de) 2017-08-21 2017-08-21 Verfahren und Vorrichtung zum Bereitstellen einer Vorspannung in Sendeempfängern
DE102017119054.6 2017-08-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109428551A CN109428551A (zh) 2019-03-05
CN109428551B true CN109428551B (zh) 2023-09-22

Family

ID=65234880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810956757.6A Active CN109428551B (zh) 2017-08-21 2018-08-21 用于在收发器中提供偏置电压的方法和装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10727793B2 (zh)
CN (1) CN109428551B (zh)
DE (1) DE102017119054A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017119054A1 (de) * 2017-08-21 2019-02-21 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Bereitstellen einer Vorspannung in Sendeempfängern
US11616295B2 (en) 2019-03-12 2023-03-28 Epirus, Inc. Systems and methods for adaptive generation of high power electromagnetic radiation and their applications
US11211703B2 (en) 2019-03-12 2021-12-28 Epirus, Inc. Systems and methods for dynamic biasing of microwave amplifier
WO2022169715A1 (en) * 2021-02-02 2022-08-11 Epirus, Inc. Systems and methods for adaptive generation of high power electromagnetic generation and their applications
US11658410B2 (en) 2019-03-12 2023-05-23 Epirus, Inc. Apparatus and method for synchronizing power circuits with coherent RF signals to form a steered composite RF signal
US11132176B2 (en) * 2019-03-20 2021-09-28 Macronix International Co., Ltd. Non-volatile computing method in flash memory
US12003223B2 (en) 2020-06-22 2024-06-04 Epirus, Inc. Systems and methods for modular power amplifiers
US11469722B2 (en) 2020-06-22 2022-10-11 Epirus, Inc. Systems and methods for modular power amplifiers
US20230006615A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-05 Epirus, Inc. Systems and methods for power distribution for amplifier arrays
CN117394801A (zh) * 2023-12-12 2024-01-12 上海安其威微电子科技有限公司 抗过冲偏置电路、功率放大器电路结构和射频芯片

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101056103A (zh) * 2006-04-10 2007-10-17 恩益禧电子股份有限公司 半导体集成电路器件及衬底偏置控制方法
CN104321964A (zh) * 2012-05-17 2015-01-28 美高森美公司 用于动态误差向量大小加强的集成启动偏置增强
CN105912068A (zh) * 2015-02-20 2016-08-31 硅实验室公司 用于产生偏置输出的偏置电路

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316756A (ja) * 1995-05-22 1996-11-29 Saitama Nippon Denki Kk 送信出力制御方式
US7151915B2 (en) * 2001-09-26 2006-12-19 Nokia Corporation Dual mode voltage controlled oscillator having controllable bias modes and power consumption
US8009785B2 (en) * 2007-09-10 2011-08-30 Broadcom Corporation Method and system for implementing a PLL using high-voltage switches and regulators
TWI462496B (zh) * 2007-10-03 2014-11-21 Airoha Tech Corp The biasing circuit of the wireless transceiver
US8145060B2 (en) * 2008-05-09 2012-03-27 Emcore Corporation Passive optical network transceiver with temperature compensation circuit
JP5278289B2 (ja) * 2009-11-24 2013-09-04 富士通株式会社 定在波比測定回路及び通信装置
US9025705B2 (en) * 2012-10-09 2015-05-05 Texas Instruments Incorporated Current reduction in digital circuits
US9754854B2 (en) * 2012-10-11 2017-09-05 Infineon Technologies Ag Semiconductor device having sensing functionality
TWI501543B (zh) * 2012-12-19 2015-09-21 Advanced Semiconductor Eng 電子系統、射頻功率放大器及其偏壓點自我調整方法
US9362870B2 (en) * 2013-08-01 2016-06-07 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for biasing power amplifiers
DE102017119054A1 (de) * 2017-08-21 2019-02-21 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Bereitstellen einer Vorspannung in Sendeempfängern

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101056103A (zh) * 2006-04-10 2007-10-17 恩益禧电子股份有限公司 半导体集成电路器件及衬底偏置控制方法
CN104321964A (zh) * 2012-05-17 2015-01-28 美高森美公司 用于动态误差向量大小加强的集成启动偏置增强
CN105912068A (zh) * 2015-02-20 2016-08-31 硅实验室公司 用于产生偏置输出的偏置电路

Also Published As

Publication number Publication date
US20200313635A1 (en) 2020-10-01
CN109428551A (zh) 2019-03-05
DE102017119054A1 (de) 2019-02-21
US10727793B2 (en) 2020-07-28
US10958224B2 (en) 2021-03-23
US20190058448A1 (en) 2019-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109428551B (zh) 用于在收发器中提供偏置电压的方法和装置
US6566944B1 (en) Current modulator with dynamic amplifier impedance compensation
KR101559183B1 (ko) 고주파 신호의 포락선 변조를 위한 전력 증폭 장치 및 그 제어 방법
EP2852053B1 (en) Closed loop control system, and an amplifier in combination with such a closed loop control system
US10050587B2 (en) Power amplifier circuit and semiconductor integrated circuit
AU2020256344B2 (en) Digital dynamic bias circuit
US9787271B2 (en) Method and system for providing automatic gate bias and bias sequencing for field effect transistors
US8461928B2 (en) Constant-gain power amplifier
US6677820B2 (en) Distortion compensation apparatus
EP2388914A1 (en) Method and apparatus for optimizing transmitter power efficiency
CN107078695B (zh) 可编程稳定网络
US20140009130A1 (en) Suppressing Oscillations in an Output of a Switched Power Converter
US6714071B1 (en) Gate modulation for high power amplifiers
US6891438B2 (en) Adaptive active bias compensation technique for power amplifiers
US20180287572A1 (en) Power source circuit
CN104113327A (zh) 电子装置及其采用充电泵的锁相回路以及其操作方法
JP2013005353A (ja) 電力増幅器および電力増幅方法
GB2425418A (en) An efficient class B RF amplifier with supply voltage modulation
US20180241387A1 (en) Drain lag compensation circuit for rf power transistors
US20230283243A1 (en) Circuit and method for biasing a transistor and corresponding device
JPH0522159A (ja) 高周波電力増幅器の出力レベル制御回路
Asbeck et al. A polar linearisation system for RF power amplifiers
JP2022104571A (ja) 調整装置及び調整方法
KR20220037768A (ko) 위상 잡음을 감소한 크리스탈 발진기 및 이를 포함하는 반도체 칩
JP6131643B2 (ja) 増幅装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant