CN109428265A - 火花塞 - Google Patents

Abstract

本发明涉及火花塞。提供能够抑制寿命降低的火花塞。火花塞具备具有轴孔的绝缘体以及配置于轴孔内的端子配件与中心电极之间的连接部。连接部具备：磁体，包含含Fe氧化物；导体，该导体是在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和中心电极电连接的线材；以及中间构件，所述中间构件与磁体、导体及绝缘体的内周面接触并且配置于磁体和导体与绝缘体的内周面之间，且导电性低于导体，导体由氧化物导电体、炭、碳化合物中的任意一种以上制成。

Description

火花塞

技术领域

本发明涉及火花塞，特别涉及内置了磁体的火花塞。

背景技术

已知一种火花塞，该火花塞为了抑制放电时产生的电波噪声，内置了嵌入有金属制线圈的铁素体(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-225793号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在上述现有技术中，金属制线圈容易氧化，因此线圈有可能成为火花塞的寿命降低的原因。

本发明是为了解决上述课题而完成的，目的在于提供能够抑制寿命降低的火花塞。

用于解决课题的方法

为了实现该目的，本发明的火花塞具备：绝缘体，具有从前端侧朝后端侧沿轴线方向延伸的轴孔；中心电极，配置于轴孔的前端侧；端子配件，配置于轴孔的后端侧；以及连接部，配置于轴孔内的端子配件与中心电极之间。连接部具备：磁体，包含含Fe氧化物；导体，该导体是在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和中心电极电连接的线材；以及中间构件，所述中间构件与磁体、导体及绝缘体的内周面接触并且配置于磁体和导体与绝缘体的内周面之间，且导电性低于导体，导体由氧化物导电体、炭、碳化合物中的任意一种以上制成。

发明效果

根据方案1所述的火花塞，作为在磁体的外周配置成螺旋状并且与端子配件和中心电极电连接的线材的导体，由氧化物导电体、炭、碳化合物中的任意一种以上制成，因此能够使导体难以氧化。另外，导电性低于导体的中间构件与磁体、导体及绝缘体的内周面接触，并且配置于磁体和导体与绝缘体的内周面之间，因此使导体难以振动，从而能够使得难以发生振动导致的导体的断线。因此，能够抑制寿命的降低。

根据方案2所述的火花塞，导体和中间构件中的至少一方还含有Si、B和P中的至少一种，因此能够提高含有Si、B和P中的至少一种的构件的致密性。因此，除了方案1的效果以外，还能够使得难以发生振动导致的导体的断线。

根据方案3所述的火花塞，中间构件含有含Fe氧化物，因此利用含Fe氧化物带来的磁损耗能够消耗噪声的能量。因此，除了方案1或方案2的效果以外，还能够提高噪声衰减效果。

根据方案4所述的火花塞，导体的自身表面的至少一部分被金属制包覆层覆盖。因此，当在磁体、中间构件中包含玻璃成分的情况下，通过在导体与玻璃成分之间夹设包覆层能够抑制导体与玻璃成分的反应。由于能够抑制所述导体与玻璃成分的反应导致的导体消耗，因此除了方案1～3中任一项所述的效果以外，还能够抑制导体消耗导致的寿命降低。

根据方案5所述的火花塞，包覆层由Ni或Ni基合金形成，因此除了方案4的效果以外，还能够在确保包覆层的耐热性的同时提高耐腐蚀性。另外，由于利用Ni能够提高包覆层的导磁率，因此能够提高噪声衰减效果。

根据方案6所述的火花塞，导体的自身表面的至少一部分被含有含Fe氧化物的磁性层覆盖。由于利用磁性层的磁损耗能够消耗噪声的能量，因此除了方案1～5中任一项所述的效果以外，还能够进一步提高噪声衰减效果。

附图说明

图1是本发明第一实施方式中的火花塞的单侧剖视图。

图2是连接部的剖视图。

图3是第二实施方式中火花塞的复合部的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。图1是本发明第一实施方式中的火花塞10的以轴线O为边界的单侧剖视图。在图1中，将纸面下侧称为火花塞10的前端侧，将纸面上侧称为火花塞10的后端侧(在图2和图3中也相同)。火花塞10具备绝缘体11、中心电极15及端子配件16。

绝缘体11是利用机械特性、高温下的绝缘性优异的氧化铝等形成的构件，轴孔沿轴线O贯通而形成内周面13。在内周面13中，朝向后端侧的后端朝向面14设置于前端侧。后端朝向面14向着前端而内径逐渐变小。

中心电极15是沿轴线O延伸的棒状构件，铜芯材或以铜作为主要成分的芯材被镍或镍基合金覆盖。中心电极15卡定于内周面13的后端朝向面14，前端从绝缘体11的轴孔露出。

端子配件16是连接于高压电缆(未图示)的棒状构件，由具有导电性的金属材料(例如低碳钢等)形成。端子配件16以前端侧插入绝缘体11的轴孔中的状态被固定于绝缘体11的后端。

绝缘体11在外周固定有主体配件17。主体配件17是利用具有导电性的金属材料(例如低碳钢等)形成的大致圆筒状的构件。主体配件17具备：主体部18，包围绝缘体11的前端侧的外周；以及座部20，与主体部18的后端侧连接，并且朝主体部18的径向外侧呈凸缘状伸出。在主体部18的外周面形成有外螺纹19。主体配件17通过使外螺纹19与内燃机(汽缸盖)的螺纹孔(未图示)连结而被固定。

接地电极21是与主体配件17的前端接合的金属制(例如镍基合金制)构件。在本实施方式中，接地电极21形成为棒状，前端侧弯曲并且与中心电极15对置。在接地电极21与中心电极15之间形成火花间隙。

连接部30是将中心电极15与端子配件16电连接的部位，配置于轴孔中。连接部30具备：复合部33，包含磁体34和导体35(将在后面叙述)；第一密封部31，与中心电极15和复合部33接触；以及第二密封部32，与复合部33和端子配件16接触。

第一密封部31和第二密封部32例如由包含B₂O₃-SiO₂类、BaO-B₂O₃类、SiO₂-B₂O₃-CaO-BaO类等玻璃粒子和金属粒子(Cu、Fe等)的组合物形成，且具有导电性。复合部33是用于抑制放电时产生的电波噪声的部位。

图2是连接部30的包含轴线O(参照图1)的剖视图。在图2中，省略了配置于绝缘体11外周的主体配件17的图示。在连接部30中，第一密封部31、复合部33及第二密封部32串联连接。复合部33具备：棒状磁体34，包含含Fe氧化物；导体35，在磁体34的外周配置成螺旋状；以及中间构件39，其与磁体34、导体35及绝缘体11的内周面13接触并且配置于磁体34和导体35与内周面13之间。与导体35的轴线O方向(图2上下方向)的下端连接的末端36与第一密封部31接触，与导体35的上端连接的末端37与第二密封部32接触。

磁体34是含有铁氧化物的构件，在本实施方式中形成为圆柱状。对于磁体34，可以优选使用以铁氧化物为主要成分的尖晶石型、石榴石型等的铁素体。对于磁体34，可以用例如加压成形、注射成形、挤出成形等公知方法进行成形并进行焙烧而得到。磁体34利用自身的阻抗、磁损耗而阻断或吸收在放电时在第一密封部31与第二密封部32之间流动的电流中成为电波噪声原因的频带。

对于铁素体，可以例举例如Mn_xFe_2-xO₄、Ni_xFe_2-xO₄、Cu_xFe_2-xO₄、Zn_xFe_2-xO₄、Co_xFe_{2- x}O₄、Fe_xFe_2-xO₄、Ca_xFe_2-xO₄、Mg_xFe_2-xO₄、Y₃Fe₅O₁₂、Dy₃Fe₅O₁₂、Lu₃Fe₅O₁₂、Yb₃Fe₅O₁₂、Tm₃Fe₅O₁₂、Er₃Fe₅O₁₂、Ho₃Fe₅O₁₂、Tb₃Fe₅O₁₂、Gd₃Fe₅O₁₂、Sm₃Fe₅O₁₂等单元铁素体；这些单元铁素体以任意比率彼此固溶而成的(Mn_1-xZn_x)Fe₂O₄、(Ni_1-xZn_x)Fe₂O₄等复合铁素体。可以适当地选择这些铁素体中一种或多种而使用。

导体35是由氧化物导电体、炭、碳化合物中的任意一种以上线材制成的线圈。利用螺旋状导体35能够确保复合部33的阻抗并且限制放电电流。对于导体35可以例如如下得到：用挤出成形等公知方法成形为线状，将成形体在磁体34的外周卷绕成螺旋状，然后进行焙烧。导体35的成形体可以与磁体34的成形体同时进行焙烧，也可以以卷绕在磁体34(焙烧体)上的状态在低于磁体34的焙烧温度的温度下进行焙烧。

构成导体35的线材的直径优选为0.1mm～1mm，线圈的外径优选为1mm～3mm，线圈的线间间隙优选为0.3mm～1mm，线圈的轴线O方向的长度优选为7mm～30mm。通过使线材的直径为0.1mm～1mm，能够使导体35难以断线并且能够确保线圈的线间间隙从而减小寄生电容。通过使线圈的外径为1mm～3mm，能够容易地加工线圈并且能够容易地配置于轴孔的内部。通过使线圈的线间间隙为0.3mm～1mm，能够确保线圈的阻抗并且能够减小寄生电容。通过使线圈的长度为7mm～30mm，能够确保线圈的阻抗并且能够容易地配置于轴孔的内部。

对于构成导体35的氧化物导电体，可以例举Mn、Co、Ni、Fe、Cr、In、Sn、Ir等的具有金属的导电性、半导电性的氧化物、组合这些氧化物中的两种以上而形成的钙钛矿型、尖晶石型等的复合氧化物等。对于构成导体35的碳化合物，可以例举：碳化硅(SiC)、碳化硼(B₄C)、碳化铝(Al₄C₃)、碳化钛(TiC)、碳化锆(ZrC)、碳化钒(VC)、碳化铌(NbC)、碳化钽(TaC)、碳化铬(Cr₃C₂)、碳化钼(Mo₂C)、碳化钨(W₂C、WC)、氮化碳(C₃N₄)、氮化碳硼(BCN)等具有导电性、半导电性的无机化合物。

在导体35中，螺旋状线圈的末端36、37卷绕成环状。末端36、37设定成外径小于线圈的外径和磁体34的直径，并且分别配置于磁体34的轴线O方向的端面。

导体35优选包含硅(Si)、硼(B)及磷(P)中的至少一种。由于能够降低导体35的软化点，因此能够提高导体35的致密性。其结果，能够提高导体35的耐冲击性，能够使得难以发生振动导致的导体35的断线。

在导体35中，导体35表面的至少一部分被含有含Fe氧化物的磁性层38覆盖。利用覆盖导体35的磁性层38的磁损耗能够消耗噪声的能量，因此能够提高噪声衰减效果。对磁性层38的材质可以使用与磁体34相同的含Fe氧化物，因此此处省略说明。需要说明的是，磁性层38所含有的含Fe氧化物优选为铁素体。对于磁性层38所含有的铁素体，可以适当选择与磁体34的铁素体相同种类的铁素体或不同种类的铁素体。磁性层38利用分散有含Fe氧化物的原料糊剂的涂布、镀敷等而形成于导体35的表面。

中间构件39是夹设在导体35与绝缘体11的内周面13之间从而抑制导体35的冲击并且用于将导体35固定于磁体34的外周的构件。中间构件39是能够确保高温下的强度的材质，可以采用导电性低于导体35的任意材质。这是为了防止在导体35中流动的电流的短路。

中间构件39可以使用例如SiO₂、Al₂O₃等陶瓷。另外，也可以将Li₂O-Al₂O₃-SiO₂类等玻璃、晶体玻璃用于中间构件39。对于中间构件39，可以用如下方式得到：利用以与导体35一体化的磁体34为中心的嵌件成形、将中间构件39的原料糊剂向与导体35一体化的磁体34的涂布等公知方法进行成形并进行焙烧。

中间构件39优选包含Si、B和P中的至少一种。由此，能够降低中间构件39的软化点并且使中间构件39玻璃化，因此能够使中间构件39致密化。其结果，中间构件39能够牢固地固定导体35，并且能够确保耐冲击性且使得难以发生振动导致的导体35的断线。

中间构件39优选含有含Fe氧化物。这是因为除了能够得到磁体34、磁性层38带来的噪声衰减效果以外，还能够得到中间构件39所含有的含Fe氧化物带来的噪声衰减效果。对中间构件39的含Fe氧化物使用与磁体34相同的含Fe氧化物，因此此处省略说明。作为中间构件39所含有的含Fe氧化物，优选使用铁素体。对于中间构件39的铁素体，可以适当选择与磁体34的铁素体相同种类的铁素体或不同种类的铁素体。

火花塞10利用例如如下方法进行制造。首先，利用挤出成形得到磁体34的成形体，然后将利用挤出成形得到的导体35的成形体在磁体34的成形体上卷绕成螺旋状。对其进行焙烧，得到导体35在磁体34的外周配置成螺旋状的构件。接着，在该构件的导体35的表面涂布磁性层38的原料糊剂并进行干燥，然后在磁体34和磁性层38的表面涂布中间构件39的原料糊剂并进行干燥。对其进行焙烧而得到复合部33。

接着，在绝缘体11的轴孔中插入中心电极15，将中心电极15用后端朝向面14卡定。接着，从轴孔放入第一密封部31的原料粉末，将其填充在中心电极15的周围。使用压缩用棒材(未图示)对填充到轴孔中的第一密封部31的原料粉末进行预压缩。

接着，将复合部33插入轴孔中，将复合部33放置在所成形的第一密封部31的原料粉末的成形体上。接着，将第二密封部32的原料粉末填充在复合部33上。使用压缩用棒材(未图示)对填充到轴孔中的第二密封部32的原料粉末进行预压缩。

接着，将依次配置有第一密封部31的原料粉末、复合部33和第二密封部32的原料粉末的绝缘体11转移到炉内，加热至例如高于第一密封部31和第二密封部32的各原料粉末所包含的玻璃成分的软化点的温度。在加热后，将端子配件16插入绝缘体11的轴孔中，利用端子配件16的前端将第二密封部32的原料粉末朝轴向压缩。其结果，在绝缘体11的内部形成第一密封部31、复合部33和第二密封部32。

接着，将绝缘体11转移到炉外，将预先接合有接地电极21的主体配件17组装到绝缘体11的外周。接着，弯曲接地电极21以使接地电极21的前端与中心电极15对置，由此得到火花塞10。

根据火花塞10，在磁体34的外周配置成螺旋状的导体35与端子配件16和中心电极15电连接，因此磁体34和导体35阻断或吸收放电电流中成为电波噪声原因的频带。作为线材的导体35由氧化物导电体、炭、碳化合物中的任意一种以上制成，因此能够使导体35难以氧化，并且能够防止导体35的截面积随时间的减少。另外，导电性低于导体35的中间构件39与磁体34、导体35及绝缘体11的内周面13接触，并且配置于磁体34和导体35与绝缘体11的内周面13之间，因此能够使导体35难以振动，并且使得难以发生振动导致的导体35的断线。因此，能够抑制导体35的截面积的减少、导体35的断线引起的火花塞10的寿命降低。

导体35的末端36、37形成为环状，从磁体34、中间构件39露出，因此能够确保第一密封部31、第二密封部32与末端36、37的接触面积。另外，导体35的末端36、37与磁体34的轴线O方向的端面接触，因此在火花塞10的制造工序中，当插入轴孔中的端子配件16将第二密封部32的原料粉末朝轴向压缩时，能够使导体35的末端36、37难以断裂。

接着，参照图3对第二实施方式进行说明。在第一实施方式中，对磁体34和中间构件39分别成形的情况进行了说明。与此相对，在第二实施方式中，对磁体44与中间构件49一体成形的情况进行说明。需要说明的是，对于与第一实施方式中说明的部分相同的部分，附上相同符号并省略以下说明。图3是第二实施方式中的火花塞的复合部43的剖视图。复合部43代替第一实施方式中说明的复合部33而配置于绝缘体11的内部。

复合部43具备：磁体44，包含含Fe氧化物；导体45，在磁体44的外周配置成螺旋状；以及中间构件49，其与磁体44、导体45和绝缘体11的内周面13接触并且配置于磁体44和导体45与内周面13之间。与导体45的轴线O方向(图3上下方向)的下端连接的末端46与第一密封部31接触，与导体45的上端连接的末端47与第二密封部32接触。磁体44和导体45的材质与第一实施方式中说明的磁体34和导体35的材质相同，因此此处省略说明。

在导体45中，导体45表面的至少一部分被金属制包覆层48覆盖。作为包覆层48的材质，可以例举Au、Ag、Pt、Pd等贵金属，Cu、Ni、Co等单质金属或它们的合金。包覆层48通过蒸镀、镀敷、金属的原料糊剂的烤漆等方法形成于导体45上。在本实施方式中，包覆层48由Ni或Ni基合金形成。

中间构件49包含含Fe氧化物，与磁体44一体成形。对于中间构件49的含Fe氧化物，可以使用与第一实施方式中说明的磁体34相同的含Fe氧化物，因此此处省略说明。通过使磁体44与中间构件49一体成形，导体45被嵌入磁体44和中间构件49的内部。

需要说明的是，中间构件49优选包含Si、B和P中的至少一种。这是因为能够使中间构件49致密化。其结果，中间构件49能够牢固地固定导体45，能够确保耐冲击性并且使得难以发生因振动导致的导体45的断线。

对于复合部43，利用例如如下方法进行制造。首先，利用挤出成形得到导体45的螺旋状成形体，然后对其进行焙烧而得到螺旋状导体45。接着，利用镀敷在该导体45的表面上形成包覆层48。将形成有包覆层48的导体45安装在模具上，然后利用嵌件成形得到在磁体44和中间构件49中嵌入有导体45的成形体。对该成形体进行焙烧，从而得到在磁体44和中间构件49中内置有导体45的复合部43。代替第一实施方式中说明的复合部33，将复合部43配置于绝缘体11的内侧而得到火花塞。

在导体45的表面形成有包覆层48，因此在磁体44、中间构件49中包含玻璃成分的情况下，通过包覆层48夹设在导体45与玻璃成分之间从而能够抑制导体45与玻璃成分的反应。包覆层48抑制因与玻璃成分的反应导致的导体45的消耗，因此能够抑制因导体45的消耗导致的寿命降低。

特别是，包覆层48由Ni或Ni基合金形成，因此能够在确保包覆层48的耐热性的同时提高耐腐蚀性。其结果，能够进一步抑制因导体45的消耗导致的寿命降低。另外，利用Ni能够提高包覆层48的导磁率，因此能够进一步提高噪声衰减效果。

[实施例]

通过实施例进一步详细地说明本发明，但本发明不限于该实施例。

制作火花塞的样品，调查放电试验前后的放电电流的水平、耐冲击性试验后的异常的有无。将制作的样品1～26的导体的材质和尺寸、覆盖导体的包覆层的有无和材质、覆盖导体的磁性层的有无和材质、磁体和中间构件的材质、中间构件的电阻率示于表1，将试验结果示于表2。

表1

表2

对于表1所示的导体的材质(主材料和添加材料)，由导体的原料粉末进行规定。也可以利用ICP、微小部X射线衍射、使用了EPMA的WDS分析等对导体的截面进行分析从而规定导体的材质。主材料是构成导体的化合物或元素中含有率最高的化合物或元素。添加材料表示与Si、B、P对应的元素。添加材料在导体中的含有率(利用ICP得到的分析结果)为0.1重量％～9重量％的范围。该含有率是将Si、B、P的量换算为氧化物而得到的含有率。在导体中可以包含制造工序中混入的微量(例如1ppm左右)的各种杂质。

作为导体的尺寸，在表1中记载了：导体螺旋的外径、包含导体螺旋的中心线的截面上彼此相邻的导体的与中心线平行的材料截面间的间隙(所谓线间间隙)、线径、以及导体的末端至末端的长度。

对于覆盖导体的包覆层的材质，通过使用了EPMA的WDS分析进行规定。在包覆层中可以包含制造工序中混入的微量(例如1ppm左右)的各种杂质。对于覆盖形成于导体表面的包覆层的磁性层的材质，利用微小部X射线衍射进行规定。

对于磁体的材质，由磁体的原料粉末进行规定。也可以利用微小部X射线衍射对磁体的截面进行分析从而规定材质。在磁体中可以包含制造工序中混入的微量(例如1ppm左右)的各种杂质。

对于中间构件的材质(主材料A、主材料B及添加材料)，由中间构件的原料粉末进行规定。也可以利用ICP、微小部X射线衍射、使用了EPMA的WDS分析等对中间构件的截面进行分析从而规定材质。在中间构件中包含主材料A和主材料B的情况下，主材料B相对于主材料A和主材料B的总量的含有率为20重量％～80重量％的范围。添加材料表示与Si、B、P对应的元素。添加材料在中间构件中的含有率(利用ICP得到的分析结果)为0.1重量％～9重量％的范围。该含有率是将Si、B、P的量换算为氧化物而得到的含有率。在中间构件中可以包含制造工序中混入的微量(例如1ppm左右)的各种杂质。

对于中间构件的电阻率，另行准备电阻测定用样品，该电阻测定用样品的尺寸大于进行试验的样品的中间构件，使用该电阻测定用样品并利用直流四端子法进行测定。电阻测定用样品的组成与进行试验的样品的中间构件为相同组成。

对于放电电流的水平，根据JASO D002-2：2004年“汽车-电波噪声特性-第二部：防止器的测定方法，电流法”进行测定。具体而言，将各样品的中心电极与接地电极的火花间隙的距离调节为0.9mm±0.01mm，将13kV～16kV的范围内的电压施加到端子配件与主体配件之间而进行放电。使用电流探针测定放电时在端子配件中流动的电流，算出试验前的10MHz、100MHz、500MHz处的放电电流的水平(相对于规定基准的换算值(单位：dB))。

放电试验为如下试验：将各样品的中心电极与接地电极的火花间隙的距离调节为0.9mm±0.01mm，在将各样品保存在400℃的腔室内的状态下，将25kV的电压施加到端子配件与主体配件之间而进行放电。将以每秒60次的比例放电的试验进行100小时，然后与试验前同样地根据JASO D002-2：2004年，算出10MHz、100MHz、500MHz处的放电电流的水平(相对于规定基准的换算值(单位：dB))。在表2中记载了试验前的水平、试验后的水平、以及从试验后的水平减去试验前的水平而得的每个频率之差的平均值。

对于耐冲击性，根据JIS B8031：2006年7.4项的耐冲击性试验进行评价。将各样品安装于试验装置，以每分钟400次的比例(振幅22mm)施加10分钟冲击，然后调查端子配件与中心电极之间的导通。样品数为20，表2中所示的异常率(％)为在20个的样品中没有确认到导通(断线)的比例。

如表2所示，与不含有铁素体的样品24、25以及中间构件的电阻率低于导体的电阻率(导电性高)的样品26(样品24～26为比较例)相比，具备由铁素体形成的磁体的样品1～23(实施例)能够减小放电时的10MHz、100MHz、500MHz处的电流的水平。可知，由于样品1～23能够减小成为电波噪声原因的高频带的电流的水平，因此能够抑制电波噪声。

与导体中不包含添加材料的样品1～4相比，导体中包含添加材料的样品5～8能够降低异常率。推测样品5～8由于导体中包含的添加材料而与样品1～4相比能够使导体致密化，因此能够使导体难以发生断线。

与中间构件中不包含添加材料的样品5～8相比，中间构件中包含添加材料的样品9～11能够降低异常率。推测样品9～11由于中间构件中包含的添加材料，与样品5～8相比能够使中间构件致密化，因此能够使导体难以发生断线。

与中间构件中不包含铁素体的样品9～11相比，中间构件中包含铁素体的样品12～15能够分别降低试验前和试验后的放电电流的水平。推测样品12～15不仅在磁体中包含铁素体而且在中间构件中也包含铁素体，因此能够提高噪声衰减性能。

与没有包覆层的样品12～15相比，形成有覆盖导体的包覆层的样品16～20能够减小试验前后的放电电流的水平之差(平均值)。推测样品16～20由于在导体与中间构件之间夹设有包覆层，因此抑制导体与中间构件的玻璃成分的反应，在400℃的环境下的放电试验后也能够确保噪声衰减性能。

特别是，与形成有Cu、Pt或Ag制的包覆层的样品16～18相比，形成有Ni制的包覆层的样品19、20能够分别降低试验前和试验后的放电电流的水平。推测样品19、20由于包覆层中包含的Ni的磁性，因此能够提高噪声衰减效果。

与没有形成磁性层的样品19、20相比，导体被磁性层覆盖的样品21～23能够分别降低试验前和试验后的放电电流的水平。推测样品21～23由于磁性层中包含的铁素体，因此能够进一步提高噪声衰减效果。

以上，基于实施方式对本发明进行了说明，但本发明丝毫不限于上述实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内能够进行各种改良变形是能够显而易见的。

在第一实施方式中，对在导体35上形成有磁性层38的情况进行了说明，但并不一定限于此。如在实施例的样品16～23以及第二实施方式中说明的那样，当然可以在导体35上形成包覆层。当在导体35上形成有包覆层的情况下，磁性层38形成于包覆层的表面。这是为了利用包覆层抑制磁性层38与导体35的反应。

在第一实施方式中，对在导体35上形成有磁性层38的情况进行了说明，但当然可以省略磁性层38。另外，在第二实施方式中，对在导体45上形成有包覆层48的情况进行了说明，但并不一定限于此。当然可以省略包覆层48。即使没有磁性层38、包覆层48，也能够利用在螺旋状导体35、45的内侧存在的磁体34、44来提高噪声衰减特性。

在实施方式中，说明了导体35、45、中间构件39、49包含Si、B和P中的至少一种是优选的，但并不一定限于此。这是因为，在使导体35、45、中间构件39、49致密化的情况下，即使在导体35、45、中间构件39、49的原料粉末中不包含Si、B和P中的至少一种，也可以通过调节原料粉末的粒径、烧结前的成形体的填充密度来提高烧结性。

在实施方式中，对导体35的末端36、37以及导体45的末端46、47配置于磁体34、44、中间构件49的端面的情况进行了说明，但并不一定限于此。当然可以去除导体35的末端36、37或导体45的末端46、47的环状部分，使导体35、45的一部分从磁体34、44、中间构件39、49的端面露出。这是因为，即使省略末端36、37、46、47，也能够将从磁体34、44、中间构件39、49露出的导体35、45的一部分与第一密封部31、第二密封部32连接。

在实施方式中，对第二密封部32设置于连接部30的情况进行了说明，但并不一定限于此。当然可以替代第二密封部32，在导体35、45与端子配件16之间夹设具有导电性的弹簧等弹性体(连接部)，从而将导体35、45与端子配件16电连接。

在实施方式中，作为火花塞10的制造方法，例示了将预先形成的复合部33、43插入绝缘体11的轴孔中的情况，但并不一定限于此。例如，可以在第一实施方式中形成使导体35与磁体34一体化而得的构件，并将该构件插入绝缘体11的轴孔中，从而配置于第一密封部31的原料粉末上，然后在该构件的周围填充中间构件39的原料粉末。在此情况下，通过将绝缘体11在炉内加热，能够在导体35和磁体34与绝缘体11的内周面13之间配置中间构件39。

在实施方式中，对其中接地电极21与中心电极15的前端对置的火花塞10进行了说明，但火花塞的结构并不一定限于此。作为火花塞的其它结构，可以列举例如接地电极21与中心电极15的侧面对置的火花塞、在主体配件17上接合有多个接地电极21而得的多极火花塞。

符号说明

10 火花塞

11 绝缘体

13 内周面

15 中心电极

16 端子配件

30 连接部

34、44 磁体

35、45 导体

38 磁性层

39、49 中间构件

48 包覆层

Claims (6)

1.一种火花塞(10)，具备：

绝缘体(11)，具有从前端侧朝后端侧沿轴线方向延伸的轴孔；

中心电极(15)，配置于所述轴孔的前端侧；

端子配件(16)，配置于所述轴孔的后端侧；以及

连接部(30)，配置于所述轴孔内的所述端子配件(16)与所述中心电极(15)之间，其中，

所述连接部(30)具备：

磁体(34,44)，包含含Fe氧化物；

导体(35,45)，该导体(35,45)是在所述磁体(34,44)的外周配置成螺旋状并且与所述端子配件(16)和所述中心电极(15)电连接的线材；以及

中间构件(39,49)，所述中间构件(39,49)与所述磁体(34,44)、所述导体(35,45)及所述绝缘体(11)的内周面(13)接触，并且配置于所述磁体(34,44)和所述导体(35,45)与所述内周面(13)之间，且导电性低于所述导体(35,45)，

所述导体(35,45)由氧化物导电体、炭、碳化合物中的任意一种以上制成。

2.根据权利要求1所述的火花塞(10)，其中，

所述导体(35,45)和所述中间构件(39,49)中的至少一方还含有Si、B和P中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的火花塞(10)，其中，

所述中间构件(39,49)含有含Fe氧化物。

4.根据权利要求1或2所述的火花塞(10)，其中，

所述导体(45)的自身表面的至少一部分被金属制包覆层(48)覆盖。

5.根据权利要求4所述的火花塞(10)，其中，

所述包覆层(48)由Ni或Ni基合金形成。

6.根据权利要求1或2所述的火花塞(10)，其中，

所述导体(35)的自身表面的至少一部分被含有含Fe氧化物的磁性层(38)覆盖。