CN109427435B - 导电网线图案结构及其制造方法 - Google Patents

导电网线图案结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109427435B
CN109427435B CN201710998772.2A CN201710998772A CN109427435B CN 109427435 B CN109427435 B CN 109427435B CN 201710998772 A CN201710998772 A CN 201710998772A CN 109427435 B CN109427435 B CN 109427435B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive mesh
conductive
barrier pattern
layer
pattern structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710998772.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109427435A (zh
Inventor
许博义
邱见泰
林昱祯
朱世杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chia Sheng Technology Co ltd
Original Assignee
Chia Sheng Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chia Sheng Technology Co ltd filed Critical Chia Sheng Technology Co ltd
Priority to CN201710998772.2A priority Critical patent/CN109427435B/zh
Publication of CN109427435A publication Critical patent/CN109427435A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109427435B publication Critical patent/CN109427435B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

本发明提供一种导电网线图案结构及其制造方法。该导电网线图案结构包含多条导电网线，形成于一透明基板上；这些导电网线中的部分导电网网线之上设置有阻障图案层，该阻障图案层具有不同的高度。其中该阻障图案层较佳是由一纳米压印制造所形成。本发明更提供一种该导电网线图案结构的制造方法，可以得到纳米等级的线宽与低光反射的导电网线。

Description

导电网线图案结构及其制造方法
技术领域
本发明是有一种导电网线图案结构，其特别有关于使用纳米压印形成差异高度的光阻的导电网线图案结构与其制造方法。
背景技术
于公元1960年代，美国RCA公司(Radio Corporation of America Corporation)的Heilmeier等人开发出了液晶显示器，开创了数字化显示的新纪元。由于液晶显示器具有轻薄、便携、低功耗等优点，故随着各类数字电子产品的蓬勃发展而被一并地大量制造。到了公元1970年代，人们发展出了可以判断位置的触控技术，让人们可以通过按压位置来输入特定信息。通过交错配置两个呈相互垂直方向的电场，可在触控感应时通过交错位置的信号差异辨识出触控所指的位置，以达到触控的效果。此后，随着显示与触控技术的进步，人们发觉可借助液晶显示器的轻薄的特点将其与触控技术作结合；尤其于公元1994年时，美国IBM(International Business Machines Corporation)发表了具有触控显示屏幕的手机，进一步带动了具触控功能的显示面板于各类可携式电子产品中的发展。
然而，现有技术的触控显示屏幕，其显示器模块或触控面板(Touch Panel，TP)所采用的不透明电极将影响整体透明出光的开口率(Aperture Ratio)，使其达成所需照度的功率难以降低；并且，其电极的线径宽度与从事半导体生产制造的黄光微影制造(Lithography)有关是。由于线径宽度越小所需的曝光光源与模具等装置的精密度越高，故生产设备与成本越高，且越精密所相差的成本级距越高，对于生产制造触控显示屏幕的业者而言必须于开口率及生产制造成本中取一平衡。另一方面，不透明电极的材料一般为金属材料所构成，其对于自然光线具有相当程度的反射率，尤其是在其线径宽度不够小及/或于大角度视角使用时，容易造成使用前述的触控显示屏幕时受到不透明电极的反光影响观赏及触控操作上的舒适度。近年来，金属网格(Metal mesh)使用于大尺寸触控面板的触控结构，因为具有生产容易的优点，受到广大的重视。
中国台湾公开专利TW201712506A所公开，一种附设圆偏光板的触控传感器及使用该触控传感器的影像显示设备，具备两层高弯曲性的电极，图案透出的抑制效果很好，而且雾度又小。在静电电容式的触控传感器的视觉辨识侧，配置有圆偏光板的附设圆偏光板的触控传感器中，组合不同材料的电极，即触控传感器的第一电极由金属网所构成，第二电极则包含导电性纳米线材。
中国公开专利CN105446555A公开一种触控面板，其采用一种纳米银线导电层叠结构，该纳米银线导电层叠结构包括一基板，一纳米银线导电电极层，设置于该基板上方，及一粘着性保护层。该粘着性保护层设置于该纳米银线导电电极层之上，包括透明粘着材料和透明介电材料。采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板更适合现在对于产品轻薄化的需求，且其制造方法亦非常简化。
中国公开专利CN105224151A公开一种纳米银线导电层叠结构，其包括一基板和一纳米银线导电电极层，该纳米银线导电电极层设置于该基板上，包括基质，暗色导电介质和纳米银线。使用纳米银线作为导电材料时，为降低雾度，常使单位面积内纳米银线数量减少，这将产生不良导电率的问题。该发明提供了一种纳米银线导电层叠结构，使得导电率不受纳米银线数量减少的影响，该发明还提供一种采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。
中国公开专利CN105204694A公开一种纳米银线触控面板。该纳米银线触控面板包括一纳米银线导电电极层，其厚度为100nm-200nm，该纳米银线导电电极层包括纳米银线和基质，其中该纳米银线至少部分嵌入基板，及一四分之一波长延迟片，设置在该纳米线导电电极层上方。该解决了使用纳米银线作为触控面板的导电材料时，因为纳米银线反光率高表面漫射会产生雾度问题。
然而上述技术在量产，然有需多问题需要克服，(一) 要让视觉上看不到金属线，其金属线宽可能必须小于5um，需要高精度设备；(二) 为了达到使用者可以接受的98%的透光度，感应面积要减少98%，相对的触控感应量也可能缩小50倍；(三) 金属网格的间距太大，互电容太小以至于量不到感应信号。
有鉴于上述问题，有必要提出一种线宽极细且减少光反射性的导电网线图案结构与其制造方法。
发明内容
鉴于前述的现有技术的缺点，本发明的主要目的是提供线宽极细且减少光反射性的导电网线图案结构。其通过纳米压印留下高低不同的光阻，除了可得到纳米等级的导电网线的线径宽度，且部分在蚀刻后留下的光阻具有防止反射自然光线于人眼的功能，可达到兼顾低成本与高生产质量，且提升使用舒适度的目的。
本发明的主要目的是提供线宽极细且减少光反射性的导电网线图案结构制造方法，其通过纳米压印光阻的制造方式，而获致与高成本的生产质量相同的线径宽度，且其具有防止反射自然光线于人眼的功能，以达到兼顾低成本与高生产质量，且提升使用舒适度的目的。
为达本发明的主要目的，本发明提出一种导电网线图案结构，包含：多条导电网线，形成于一透明基板上；其中这些导电网线中的部分导电网网线之上设置有阻障图案层，该阻障图案层具有不同的高度。
优选地，该导电网线的材料是选自金属、金属氧化物、碳基材料所组成族群之一。
优选地，该导电网线的线宽介于10纳米至100微米之间，且该导电网线的间距介于10纳米至100微米之间。
优选地，该阻障图案层是由一纳米压印制造所形成。
优选地，该导电网线的材料系为选自银、铜、铝、铁、镁、锡、镍、金、钴、钛、钼、钕及其合金所组成族群之一。
优选地，该导电网线的材料系为一石墨烯材料。
优选地，该阻障图案层的材料系是系是选自紫外线（UV）固化型材料、热固化型材料与光阻型材料之一。
优选地，该阻障图案层的材料系为一光阻型材料。
为达本发明的另一目的，本发明提出一种导电网线图案结构的制造方法，包含下列步骤：步骤一：形成一导电层于一透明基板之上；步骤二：形成一阻障图案层于该导电层之上；步骤三：蚀刻该未被该阻障图案层遮蔽的该导电层以形成一导电图案；步骤四：部分去除该阻障图案层。其中，步骤四使得部分的该导电图案上仍具有该阻障图案层，部分的该导电图案上完全去除该阻障图案层，以形成一连接区域。
优选地，根据本发明的一特征，在步骤二，更包含去除阻障图案层之间的残存材料。
优选地，在步骤二中，形成该阻障图案层于该导电层之上是通过一纳米压印制造。
优选地，在步骤二中，形成于该导电层上的该阻障图案层是具有不同高度。
优选地，在步骤二中，形成于该导电层上的该阻障图案层是通过一纳米压印制造以具有不同高度。
优选地，该导电网线的材料是选自金属、金属氧化物、碳基材料所组成族群之一。
优选地，该导电网线的线宽介于10纳米至100微米之间。
优选地，该导电网线的间距介于10纳米至100微米之间。
优选地，该阻障图案层的材料是选自紫外线固化型材料、热固化型材料与光阻型材料之一。
优选地，该阻障图案层的材料是为一光阻型材料。
本发明的导电网线图案结构具有以下功效：
通过纳米压印技术，可得到与高成本的生产质量相同的导电网线的线径宽度。
蚀刻后所留下的部分阻障图案层，具有防止反射自然光线于人眼的功能，以达到兼顾低成本与高生产质量，且提升使用舒适度的目的。
可提供线宽极细且减少光反射性的导电网线图案结构，可应用于极灵敏的指纹辨识。
可适用于不同的导电材料与不同的分辨率，提高产品的应用产品。
附图说明
图1为显示本发明的一种导电网线图案结构的示意图；
图2为显示本发明的一种导电网线图案结构的制造方法的示意图；
图3a至图3e为显示本发明的一种导电网线图案结构在制造流程的示意图；
图4为显示应用本发明的一种导电网线图案结构的实施示意图。
图中：
100导电网线图案结构；110透明基板； 120导电层；122 导电网线； 124 连接区域；
132阻障图案层； 134阻障图案层；136 残存材料。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
请参照图1，其显示为本发明的导电网线图案结构100的示意图。本发明所提出的一种导电网线图案结构100，包含：多条导电网线122，形成于一透明基板110上。其中这些导电网线122中的部分导电网网线之上设置有对应的阻障图案层132。其主要特征，在于该阻障图案层132可以具有不同的高度，也可以具有相同的高度。亦即是，该阻障图案层132具有高低差。在该透明基板110上，同时有部分的该导电图案，例如图1中的一导电图案，是完全去除该阻障图案层。因此完全去除该阻障图案层的该导电图案可以作为一连接区域124。该连接区域124是作为该导电网线图案结构100与其他组件的电性连接的接点，或机械连接的焊点。
该透明基板110是选自软性透明基板、蓝宝石(Sapphire)、透明石英或玻璃之一。软性透明基板包含了有机聚合物，例如聚对苯二甲酸乙二酯（polyethyleneterephthalate， PET）、聚碳酸酯（Polycarbonate， PC）、、聚酸甲酯(Polymethylmethacrylate, PMMA)、聚乙烯醇缩丁醛 (Polyvinyl Butyral， PVB)、、三醋酸纤维素(Tri-cellulose Acetate, TCA)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Copolymer,COC)、聚酰亚胺（Polyimide， PI）等。该透明基板110主要的特征是在可见光的光穿透度可以达到80%以上。
该导电网线122的材料是选自金属、金属氧化物、碳基材料所组成族群之一。金属例如银、铜、铝、铁、镁、锡、镍、金、钴、钛、钼、钕及其合金。金属氧化物是特别是透明导电的金属氧化物，例如掺杂氟的氧化锡(Sn2O3:F，FTO)、掺杂锡的氧化铟(In2O3:Sn，ITO)、掺杂锌的氧化铟(In2O3:Zn)、掺杂硼的氧化铟(In2O3:B)、掺杂氢的氧化铟(In2O3:H)、掺杂铝的氧化锌(ZnO:Al，AZO)、掺杂镓的氧化锌(ZnO:Ga，GZO)、掺杂硼的氧化锌(ZnO:B，BZO)或其组成之一。碳基材料包含了：可透明导电的纳米碳材，例如：富勒烯、 纳米碳管与石墨烯与其组合的材料。较佳地，在本发明中，该导电网线120的材料是为选自银、铝或铜所组成族群之一，更佳地，该导电网线120是为金属银线。
如图1所示，该导电网线122的线宽介于10纳米至100微米之间。较佳地，该导电网线122的线宽介于100纳米至5微米之间。该导电网线122的间距介于10纳米至100微米之间。较佳地，该导电网线122的间距介于100纳米至5微米之间。
设置于部分导电网网线之上的该阻障图案层132是由一纳米压印制造所形成。该阻障图案层132的材料可以使用紫外线（UV）固化型材料、热固化型材料、光阻型材料等。紫外线（UV）固化型材料例如是紫外线（UV）固化型树脂；热固化型材料例如是热固化型塑料；光阻型材料包含正型光阻及负型光阻。正型光阻其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部份不会溶于光阻显影液。反的，负型光阻其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部份会溶于光阻显影液。例如：数组光阻(array photo resistor，APR)属正型光阻，彩色光阻(color filter，CR)属负型光阻。这些该阻障图案层132的材料可以使用薄膜光阻材料或厚膜光阻材料。较佳地，这些该阻障图案层132的材料使用厚膜光阻材料。
请同时参照图2，其说明本发明的一种导电网线图案结构的制造方法的示意图。本发明的导电网线图案结构100的制造方法，包含下列步骤：
步骤一：形成一导电层于一透明基板之上；
步骤二：形成一阻障图案层于该导电层之上；
步骤三：蚀刻该未被该阻障图案层遮蔽的该导电层以形成一导电网线；
步骤四：部分去除该阻障图案层；
其中，步骤四使得部分的该导电网网线之上仍具有该阻障图案层，部分的该导电网线完全去除该阻障图案层，以形成一连接区域。
现请同时参照图3a至图3e，其显示本发明的一种导电网线图案结构在制造流程的示意图。
在步骤一中，配合图3a所示，形成一导电层120于一透明基板110之上的方法包含：湿式沈积制造(wet process)或干式沈积制造(dry process)。其中，湿式沈积制造包含但不限于溶胶凝胶法(sol-gel)、有机金属裂解法(metal organic deposition)或喷雾裂解法(spray pyrolysis)等。溶胶凝胶法是一种通过是统的液相（溶胶）到固相（凝胶）的转换，以制造金属氧化物和纳米材料的低温化学合成法。其将溶胶凝胶溶液涂布在该透明基板110上，通过提供热能或光能使溶胶凝胶溶液产生水解缩和反应产生该导电层120。有机金属裂解法是通过将溶液中的金属前驱物(precursors)涂布在该透明基板110上，通过提供热能或光能使有机金属溶液产生有机自由基，还原产生该导电层120。喷雾热解法将配制好的导电层120材料的先驱物溶液，经由超音波液滴产生器造雾形成细小液滴喷在该透明基板110上，经由提供热能或光能，使得先驱物溶液中的溶剂蒸发、溶质过饱和析出、热解与氧化反应后，即可以得到该导电层120。
干式沈积制造典型包含了物理气相沈积(physical vapor deposition，PVD)制造或化学气相沈积(chemical vapor deposition，CVD)制造。该物理气相沈积制造包含到不限于：热蒸镀、电子束蒸镀、离子束蒸镀、阳极电弧蒸镀、阴极电弧蒸镀、直流溅镀、射频溅镀、磁控溅镀、反应溅镀、离子束溅镀与离子镀等制造。该化学气相沈积制造包含到不限于：常压化学气相沈积、低温化学气相沈积、电浆增强化学气相沈积、微波电浆化学气相沈积等。通过干式沈积制造可以在该透明基板110上形成一层可以控制厚度的该导电层120。该导电层120的厚度的调整是由物理气相沈积制造或化学气相沈积制造中的沈积时间所控制。通常，较长的沈积时间可以得到比较厚的该导电层120的厚度，反的，较短的沈积时间可以得到比较薄的该导电层120的厚度。在一实施例中，该导电层120较佳地是由一溅渡制造所形成。
在步骤二中，配合图3b所示，形成该阻障图案层132、134于该导电层120之上是通过一纳米压印(nano imprint)制造。纳米压印技术基于热塑性成型的技术，将软化状态（高于玻璃转化温度）的高分子材料，例如紫外线（UV）固化型材料、热固化型材料、光阻型材料等，通过预先制备的模具与适当的压力、温度配合下，将其压印成型。采用热压成型的技术制作结构组件，最明显的制造特征在于需要等待制造升温、降温与施加压力成型期间的保压过程。热压制造技术在时间上的耗损将由以下几个因素决定：温度（含升温与降温）、压力与模具几何形状。本发明的重要特征是在于在步骤二中，形成于该导电层120上的该阻障图案层132、134是具有不同高度，如图3b所示，因而形成具有高低差的该阻障图案层132、134的结构。较佳地，在步骤二中，形成于该导电层120上的该阻障图案层130是通过该纳米压印制造以具有不同高度，因此该阻障图案层130具有高低差。例如，该阻障图案层132、134中，阻障图案层132具有较高的高度，阻障图案层134具有较低的高度。
注意的是，由于该阻障图案层132、134的材料多具有流动性，因此在该阻障图案层132、134之间有时会有残存材料136，如图3b所示。因此，在步骤二，更包含去除该阻障图案层132、134之间的残存材料136，以使得后续的蚀刻制造能够精准的去除不必要的导电层材料，以得到本发明的导电网线图案结构100。去除阻障图案层之间的残存材料可以使用湿式蚀刻制造(wet etching)或干式蚀刻制造(dry etching)。在一实施例中，去除阻障图案层之间的残存材料136的制造是以干式蚀刻制造，特别是氧电浆灰化光阻来进行。
当采用适当的纳米压印制造时，阻障图案层之间不会有残存材料136，如图3c所示，亦即不需要去除阻障图案层之间的残存材料136的制造。
在步骤三中，配合图3d所示，蚀刻的方式可以是湿式蚀刻制造(wet etching)或干式蚀刻制造(dry etching)。湿式蚀刻制造具有快速低成本的优点，导电网线宽是0.5微米以上的制造，可以采用湿式蚀刻制造。干式蚀刻制造具有高分辨率的优点，导电网线宽是纳米以上的制造，可以采用干式蚀刻制造。由于步骤二形成于该导电层120上的该阻障图案层132、134是形成具有不同高度的结构。在步骤三进行时，由于蚀刻会有材料的选择性，但是该阻障图案层132、134仍会有少许被蚀刻，而造成阻障图案层132、134高度降低。
在步骤四，配合图3e所示，部分去除该阻障图案层，以得到一连接区域124。需注意的是，该阻障图案层132、134是具有不同高度的结构，亦即是具有高低差。例如该连接区域124上的阻障图案层134的高度低于该导电图案122上的阻障图案层132的高度。因此，进行该阻障图案层的部分去除时，部分的该导电图案122上仍具有该阻障图案层132，部分的该导电图案上122完全去除该阻障图案层134，而形成了该连接区域124。在一实施例中，去除阻障图案层134的光阻可以使用湿式蚀刻制造或干式蚀刻制造。在一实施例中，去除阻障图案层134的光阻的制造是以干式蚀刻制造，特别是氧电浆灰化光阻来进行。
而在步骤四的后，还包含一步骤五，即进行该透明基板110与其上的结构切割与接点的制造。该连接区域124可以作为连接信号的接点或焊点。
需注意的是，在步骤四，部分的该导电图案122上仍具有该阻障图案层，但在去除部分阻障图案层的氧电浆灰化过程中，这些留下来的阻障图案层会有黑化的效果。因此，有助于减少该导电图案122上的光反射，因此而降低了雾度(haze) ，防止反射自然光线反射到人眼的功能，以达到兼顾低成本与高生产质量，且提升使用舒适度的目的。
根据本发明的导电网线图案结构100，可以应用于触控感应(touch sensing)、金属线栅偏极片(Wire Grid Polarizer，WGP)或指纹辨识(Fingerprint identification)。其中金属线栅偏极片可以使用本发明的具有高消光是数的导电网线图案结构100。目前的线栅以铝为主要金属材料。当光栅尺寸小于操作波长时，光波通过此类结构后，光栅的周期参数与几何形状将对光波呈现出特定的双折射特性，使得与结构垂直的入射电场振动分量不受光栅参数影响而通过，但与结构平行的电场振动分量却因产生破坏性干涉，表现出强反射特性。指纹辨识读取指纹的极细部特征，采用电容式触控技术进行分析。在本发明中，当使用者把手指放到本发明的导电网线图案结构100时，它会撷取表皮层的下真皮层的高分辨率指纹影像，利用导电的电位差测量出纹脊线和凹谷之间的差异。
请参见图4，其说明应用本发明的一种导电网线图案结构的实施示意图。在一导电网线图案结构应用上的实施例中，一感测结构200包含两个导电网线图案结构100与一绝缘材料层220。上下两个导电网线图案结构100是相对着，中间隔着该绝缘材料层220。上下两个导电网线图案结构100的这些导电图案是垂直方式相对着。中间的该绝缘材料层220的材料可以二氧化硅，氮化硅，或是氮氧化硅等。较佳地，该绝缘材料层220是一个四分之一波长的滤波器，或称为一个迟缓器(retardation)，恰可以使得光程相位差90度，使得入射光不再被导电图案122反射回去，进一步的降低雾度，防止反射自然光线于人眼的功能，且提升使用舒适度的目的。
综上所述，本发明的导电网线图案结构具有以下功效：
通过纳米压印技术，可得到与高成本的生产质量相同的导电网线的线径宽度。
蚀刻后所留下的部分阻障图案层，具有防止反射自然光线于人眼的功能，以达到兼顾低成本与高生产质量，且提升使用舒适度的目的。
可提供线宽极细且减少光反射性的导电网线图案结构，可应用于极灵敏的指纹辨识。
可适用于不同的导电材料与不同的分辨率，提高产品的应用产品。
以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (13)

1.一种导电网线图案结构，其特征在于，包含：
多条导电网线，形成于一透明基板上；
其中这些导电网线中的部分导电网线之上设置具有不同高度的阻障图案层，该阻障图案层借由一纳米压印过程将一光阻型材料设置于该导电网线，并借由一干式蚀刻过程以形成不同高度。
2.如权利要求1所述的导电网线图案结构，其特征在于，该透明基板是选自软性透明基板或玻璃。
3.如权利要求1所述的导电网线图案结构，其特征在于，该导电网线的材料是选自金属、金属氧化物、碳基材料所组成族群之一。
4.如权利要求1所述的导电网线图案结构，其特征在于，该导电网线的线宽介于10纳米至100微米之间。
5.如权利要求1所述的导电网线图案结构，其特征在于，该导电网线的间距介于10纳米至100微米之间。
6.如权利要求1所述的导电网线图案结构，其特征在于，该导电网线的材料为选自银、铜、铝、铁、镁、锡、镍、金、钴、钛、钼、钕及其合金所组成族群之一。
7.如权利要求1所述的导电网线图案结构，其特征在于，该导电网线的材料为一石墨烯材料。
8.一种导电网线图案结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：
步骤一：形成一导电层于一透明基板之上；
步骤二：通过一纳米压印制造形成一具有不同高度的阻障图案层于该导电层之上；
步骤三：蚀刻未被该阻障图案层遮蔽的该导电层以形成一导电网线；
步骤四：借由一干式蚀刻过程部分去除该阻障图案层；
其中，步骤四使得部分的导电网网线之上仍具有该阻障图案层，该阻障图案层会具有黑化的效果，部分的导电图案上完全去除该阻障图案层，以形成一连接区域。
9.如权利要求8所述的导电网线图案结构的制造方法，其特征在于，在步骤二，还包含去除阻障图案层之间的残存材料。
10.如权利要求8所述的导电网线图案结构的制造方法，其特征在于，该导电网线的材料是选自金属、金属氧化物、碳基材料所组成族群之一。
11.如权利要求8所述的导电网线图案结构的制造方法，其特征在于，该导电网线的线宽介于10纳米至100微米之间。
12.如权利要求8所述的导电网线图案结构的制造方法，其特征在于，该导电网线的间距介于10纳米至100微米之间。
13.如权利要求8所述的导电网线图案结构的制造方法，其特征在于，在步骤四，该干式蚀刻过程是一氧电浆灰化光阻过程。
CN201710998772.2A 2017-10-20 2017-10-20 导电网线图案结构及其制造方法 Active CN109427435B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710998772.2A CN109427435B (zh) 2017-10-20 2017-10-20 导电网线图案结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710998772.2A CN109427435B (zh) 2017-10-20 2017-10-20 导电网线图案结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109427435A CN109427435A (zh) 2019-03-05
CN109427435B true CN109427435B (zh) 2020-07-03

Family

ID=65514374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710998772.2A Active CN109427435B (zh) 2017-10-20 2017-10-20 导电网线图案结构及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109427435B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11261529B2 (en) * 2020-03-31 2022-03-01 Futuretech Capital, Inc. Reduced visibility conductive micro mesh touch sensor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101893966A (zh) * 2010-08-13 2010-11-24 牧东光电（苏州）有限公司 具有中间导电层的触控面板及其制作方法
CN102646792B (zh) * 2011-05-18 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法
CN103345092B (zh) * 2013-07-08 2017-03-29 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
TW201530399A (zh) * 2014-01-21 2015-08-01 Wintek Corp 觸控裝置
CN104750311B (zh) * 2015-03-16 2018-02-13 深圳市宇顺电子股份有限公司 金属网格导电膜的制作方法、金属网格导电膜及触控面板
CN106856107B (zh) * 2016-12-07 2019-04-02 上海交通大学 一种高透光率金属网格柔性导电薄膜及其制备工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN109427435A (zh) 2019-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8390589B2 (en) Touch screen devices employing nanostructure networks
CN106462087B (zh) 透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法
TWI595508B (zh) 透明導電性膜及圖像顯示裝置
JP5743237B2 (ja) タッチパネルセンサ、タッチパネル装置および表示装置
CN104951155B (zh) 电容式触控装置及其制作方法
US10540534B2 (en) Electrode structure, fingerprint recognition module and manufacturing method thereof, display device
JP6518360B2 (ja) タッチセンサーと一体化したフレキシブルカラーフィルタと、これを含む有機発光表示装置およびその製造方法
CN102968201A (zh) 制造触摸板的方法
CN109799935A (zh) 触控感应单元
US11630541B2 (en) Touch panel and manufacturing method thereof
US20140104227A1 (en) Touch panel and method for manufacturing the same
CN109427435B (zh) 导电网线图案结构及其制造方法
KR101437034B1 (ko) Ｇｆ２ 터치스크린 패널의 제조 방법
CN209728707U (zh) 触控面板
WO2014094624A1 (zh) 触控电极结构及其制造工艺
TWI668605B (zh) 導電網線圖案結構及其製程
KR20200057084A (ko) 통합된 구조를 갖는 감지 필름
JP2014078461A (ja) 導電積層体の製造方法
KR101365332B1 (ko) 도전 기판 및 그 제조방법
JP6210087B2 (ja) タッチパネルセンサの製造方法
KR20130033538A (ko) 투명전극 필름의 제조 방법
JP2015045986A (ja) 機能性膜付きタッチパネルフィルムの製造方法、及び、その製造方法を用いて製造されたタッチパネル
CN103870043B (zh) 触控电极结构及其制造工艺
CN208459987U (zh) 双面电极
TWM558936U (zh) 觸控裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant