CN109408258A - 挥发性储存器的数据保存系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种挥发性储存器的数据保存系统及方法，应用于挥发性储存器，其中挥发性储存器包含用以储存数据的多个字节线。数据保存系统包含存取侦测单元，存取侦测单元用以侦测第一字节线被频繁存取的锤效应指示是否发生，当侦测到锤效应指示发生时，存取侦测单元将第一字节线中储存的数据复制至第二字节线，其中储存于第一字节线以及第二字节线的数据将被选择性地存取。因此，根据本发明的技术内容，本发明实施例通过提供一种数据保存系统及方法，可适时保存挥发性储存器中的数据，防范挥发性储存器中的数据受到可能发生的锤效应的影响而流失。

Description

挥发性储存器的数据保存系统及方法
技术领域
本发明涉及一种计算机系统及方法，尤其涉及一种用于挥发性储存器的数据保存系统及方法。
背景技术
反复地存取储存器当中的某一列将可能对储存器中的数据造成副作用，尤其是一种被称为锤效应的副作用，其也被称作列干扰。这种被称为锤效应的副作用的可能发生条件为，当储存器中的某一列在其所属的储存器单元被刷新之前被过于频繁地存取时，锤效应将可能发生于该列周围，而此种锤效应将使得该被频繁存取列的邻近列当中所储存的数据损坏。面对此种锤效应带来的问题，有几种可能的解决方法，例如，可以通过限制储存器中的各列在每个刷新循环中能够被存取的次数，或是增加储存器单元的刷新率，来尝试降低锤效应发生的机会，进而降低锤效应的影响。
然而，应用上述解决方案将延伸出其他的问题，因此，如何找出更佳的解决方案来解决锤效应的影响，乃为本领域的重要研究议题。
发明内容
本发明内容的一目的是在提供一种数据保存系统，借以改善挥发性储存器中的数据受到锤效应影响的问题。
本发明的一实施例是关于一种数据保存系统，应用于挥发性储存器，其中挥发性储存器包含用以储存数据的多个字节线。数据保存系统包含存取侦测单元，存取侦测单元是用以侦测第一字节线被频繁存取的锤效应指示是否发生，当侦测到锤效应指示发生于第一字节线时，存取侦测单元将第一字节线中储存的数据复制至第二字节线，其中储存于第一字节线以及第二字节线的数据将被选择性地存取。
在一实施例中，存取侦测单元是根据第一字节线被存取的累计次数判断锤效应指示是否发生，当累计次数超过预设阈值时，存取侦测单元判断锤效应指示发生。
在另一实施例中，储存于第一字节线以及第二字节线的数据将被轮流存取。
在又一实施例中，第二字节线是未使用字节线。
在再一实施例中，第二字节线与至少一个未使用字节线相邻。
在一实施例中，第二字节线将被联结至对应第一字节线的一逻辑位置。
在另一实施例中，第一字节线属于挥发性储存器的第一刷新单元，而第二字节线属于挥发性储存器的第二刷新单元。
在又一实施例中，当第一刷新单元刷新时，存取侦测单元用以清除第一字节线中的数据。
在再一实施例中，当第一字节线中的数据被清除时，第一字节线与逻辑位置的联结关系也被清除。
本发明的另一实施例是关于一种数据保存方法，应用于一挥发性储存器，其中挥发性储存器包含用以储存数据的多个字节线。数据保存方法包含：通过存取侦测单元侦测第一字节线被频繁存取的锤效应指示是否发生；以及当侦测到锤效应指示发生于第一字节线时，通过存取侦测单元将第一字节线中储存的数据复制至第二字节线，其中储存于第一字节线以及第二字节线的数据将被选择性地存取。
在一实施例中，存取侦测单元是根据第一字节线被存取的累计次数判断锤效应指示是否发生，当累计次数超过预设阈值时，存取侦测单元判断锤效应指示发生。
在另一实施例中，储存于第一字节线以及第二字节线的数据将被轮流存取。
在又一实施例中，第二字节线为未使用字节线。
在再一实施例中，第二字节线与至少一个未使用字节线相邻。
在一实施例中，数据保存方法还包含：通过存取侦测单元将第二字节线与对应第一字节线的逻辑位置进行联结。
在另一实施例中，第一字节线属于挥发性储存器的第一刷新单元，而第二字节线属于挥发性储存器的第二刷新单元。
在又一实施例中，数据保存方法还包含：当第一刷新单元刷新时，通过存取侦测单元清除第一字节线中的数据。
在再一实施例中，数据保存方法还包含：当第一字节线中的数据被清除时，通过存取侦测单元清除第一字节线与逻辑位置的联结关系。
因此，根据本发明的技术内容，本发明实施例通过提供一种数据保存系统及方法，可适时保存挥发性储存器中的数据，防范挥发性储存器中的数据受到可能发生的锤效应的影响而流失。
附图说明
图1为基于本发明一实施例绘示的挥发性储存器的数据保存系统的示意图；
图2为基于本发明一实施例绘示的挥发性储存器的数据保存系统的示意图；以及
图3为基于本发明一实施例绘示的挥发性储存器的数据保存方法的步骤流程图。
具体实施方式
以下将以附图及详细叙述清楚说明本发明的精神，任何所属技术领域中的技术人员在了解本发明的实施例后，当可由本发明所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本发明的精神与范围。
关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于。
关于本文中所使用的“及/或”，是包括所述事物的任一或全部组合。
关于本文中所使用的“耦接”或“连接”，均可指二个或多个元件或装置相互直接作实体接触，或是相互间接作实体接触，也可指二个或多个元件或装置相互操作或动作。
关于本文中所使用的用词(terms)，除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在本发明的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本发明的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本发明的描述上额外的引导。
图1为基于本发明一实施例绘示的挥发性储存器的数据保存系统的示意图。如图1所示，在一实施例中，绘示有储存器阵列100，此储存器阵列包含多个字节线100a～100i。其中，字节线100a～100e是属于第一刷新单元R1，此第一刷新单元R1是用以根据第一周期来刷新其所属的字节线100a～100e当中储存的数据。其中，字节线100f～100i是属于第二刷新单元R1，此第二刷新单元R2是用以根据第二周期来刷新其所属的字节线100f～100i当中储存的数据。在此实施例中，字节线100a～100e储存有数据而字节线100f～100i则是未使用(unused)字节线。
如图1所示，在本实施例中，还有控制器200通过读写模块300与储存器阵列100电性耦接，其中，控制器200可经由读写模块300存取字节线100a～100i当中所储存的数据。如图1所示，控制器200包含存取侦测单元201以及储存有存取地图202。存取地图202为一种地图索引信息，其内容是关于逻辑位置和实体位置之间的指向或连结关系。其中，储存器阵列100当中的字节线100a～100i各自具有一个专属的实体位置，而各个实体位置皆与一个逻辑位置存在联结关系，依据此种实体位置，控制器200可存取储存在特定字节线当中所储存的数据。当一个逻辑位置被输入至控制器200时，控制器200可依据存取地图202当中的索引信息指向对应此逻辑位置的实体位置，控制器200即可通过读写模块300来存取此实体位置所对应的字节线当中所储存的数据。
图2为基于本发明一实施例绘示的挥发性储存器的数据保存系统的示意图。如图2所示，在本实施例中，存取侦测单元201是用以侦测锤效应指示是否发生，其中，锤效应指示是用以表示字节线是否被频繁地存取。此种锤效应指示的发生，将会引发存取侦测单元201将被频繁存取的字节线当中所储存的数据复制至储存器阵列100中的其他字节线，尤其是复制至未使用(unused)的字节线。在一些实施例中，这些被作为数据复制目标的其他字节线，其邻近的字节线也是未使用的字节线。举例来说，当存取侦测单元201将第一字节线当中所储存的数据复制至第二字节线时，第二字节线的实体位置将被联结至第一字节线所对应的逻辑位置，而此种联结关系将被储存至存取地图202当中。当此种联结关系成功建立后，用以索引该档案的逻辑位置将同时包含两个实体位置，分别对应到第一字节线以及第二字节线。往后，当控制器200欲存取该档案时，可通过此逻辑位置进行寻址，如此一来，此逻辑位置所指向的第一字节线以及第二字节线两者皆储存有该档案，两者可以被选择性地存取。
在本实施例中，存取侦测单元201是用以侦测锤效应指示是否发生于字节线100a～100i当中的任一者，其是通过计算字节线100a～100i累计被存取的次数。当其中有字节线被存取的次数超过预设阈值时，即代表锤效应发生于此字节线，而存取侦测单元201将据此进行数据复制程序。在本实施例中，字节线100d是为常被存取的字节线，其所储存的数据常在第一周期的单一区间内被频繁地存取。而存取侦测单元201将持续地累计字节线100d被存取的次数，当字节线100d被存取的次数超过预设阈值时，存取侦测单元201将把字节线100d当中所储存的数据复制到字节线100g。
在本实施例中，字节线100g的实体位置将被联结至对应字节线100d的逻辑位置，如此一来，字节线100d的逻辑位置即同时指向字节线100d以及字节线100g，而此联结关系将被储存于存取地图202当中。承前所述，在数据被复制到字节线100g之前，字节线100g原先是未使用(unused)字节线，而且，与字节线100g相邻的字节线100f和字节线100h也皆为未使用字节线。然而，应注意的是，本实施例的说明仅是用以解释而非用以限定本发明，用以储存该数据的并非仅限于字节线100d或字节线100g，储存器阵列100中的其他字节线也可以为本发明所实施的范围。
往后，当控制器200欲存取该数据，该数据对应的逻辑位置将可导向字节线100d以及字节线100g，如此控制器200则可依次轮流地存取字节线100d以及字节线100g当中的该档案。如此，在锤效应指示引发复制程序后，有两条字节线当中皆储存有被频繁的该数据，可想而知的，原先仅有一条字节线被频繁存取的状况应可得到纾解。此外，字节线100g两侧的字节线也是为未使用字节线，如此一来，字节线100g两侧的字节线也不会发生数据损坏的状况。
如图2所示，在本实施例中，锤效应指示引发存取侦测单元201将字节线100d所储存的该数据复制至字节线100g，而且，在存取地图202中，字节线100g的实体位置也已被联结至对应字节线100d的逻辑位置。如前所述，第一刷新单元R1是用以根据第一周期来实施刷新程序，当第一刷新单元R1刷新后，其所属的字节线100a～100e将全部被刷新。然而，在一些实施例中，当第一刷新单元R1刷新后，存取侦测单元201更用以清除字节线100d中所储存的该数据，且在存取侦测单元201清除字节线100d中的该数据后，字节线100d的实体位置与导向该档案的逻辑位置之间的联结关将被清除。其换言的，当字节线100d中储存的该数据被清除后，仅剩字节线100g与导向该档案的逻辑位置存在联结关系。
图3为基于本发明一实施例绘示的挥发性储存器的数据保存方法的步骤流程图。此方法可应用于如图1及图2的实施例的挥发性储存器。此方法的步骤将详述于下列段落中。
步骤S1：通过存取侦测单元侦测第一字节线被频繁存取的锤效应指示是否发生。如图1及图2的实施例所示，存取侦测单元201是用以监测储存器阵列100中的字节线100a～100i。在本实施例中，可根据计算字节线100a～100i被存取的次数来判断锤效应指示是否发生，当字节线100a～100i当中的任一条字节线被存取的累计次数超过预预设阈值时，存取侦测单元201即判断锤效应指示发生于该条字节线。
步骤S2：当侦测到该锤效应指示发生时，通过该存取侦测单元将该第一字节线中储存的数据复制至第二字节线，其中储存于该第一字节线以及该第二字节线的该数据将被选择性地存取。如图1及图2的实施例所示，当存取侦测单元201于字节线100d侦测到断锤效应指示，存取侦测单元201即将字节线100d中储存的该档案复制至字节线100g，其中，字节线100g原为未使用字节线，且与字节线100g相邻的字节线100f以及字节线100h也为未使用字节线。字节线100g的实体位置将被联结至对应字节线100d的逻辑位置，而此联结关系将被储存于存取地图202当中。往后，当控制器200欲存取该数据，该数据对应的逻辑位置将可导向字节线100d以及字节线100g，控制器200可通过读写模块300选择性地存取字节线100d以及字节线100g当中的该档案。如此一来，即可降低字节线100a～100i被锤效应影响的机率。
虽然本发明以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (18)

1.一种数据保存系统，应用于挥发性储存器，其中所述挥发性储存器包含用以储存数据的多个字节线，其特征在于，所述数据保存系统包含：
存取侦测单元，用以侦测第一字节线被频繁存取的锤效应指示是否发生，当侦测到所述锤效应指示发生于所述第一字节线时，所述存取侦测单元将所述第一字节线中储存的数据复制至第二字节线，其中储存于所述第一字节线以及所述第二字节线的所述数据将被选择性地存取。
2.如权利要求1所述的数据保存系统，其特征在于，所述存取侦测单元是根据所述第一字节线被存取的累计次数判断所述锤效应指示是否发生，当所述累计次数超过预设阈值时，所述存取侦测单元判断所述锤效应指示发生。
3.如权利要求1所述的数据保存系统，其特征在于，储存于所述第一字节线以及所述第二字节线的所述数据将被轮流存取。
4.如权利要求1所述的数据保存系统，其特征在于，所述第二字节线为未使用字节线。
5.如权利要求4所述的数据保存系统，其特征在于，所述第二字节线与至少一个未使用字节线相邻。
6.如权利要求1所述的数据保存系统，其特征在于，所述第二字节线将被联结至对应所述第一字节线的逻辑位置。
7.如权利要求6所述的数据保存系统，其特征在于，所述第一字节线属于所述挥发性储存器的第一刷新单元，而所述第二字节线属于所述挥发性储存器的第二刷新单元。
8.如权利要求7所述的数据保存系统，其特征在于，当所述第一刷新单元刷新时，所述存取侦测单元用以清除所述第一字节线中的所述数据。
9.如权利要求8所述的数据保存系统，其特征在于，当所述第一字节线中的所述数据被清除时，所述第一字节线与所述逻辑位置的联结关系也被清除。
10.一种数据保存方法，应用于挥发性储存器，其中所述挥发性储存器包含用以储存数据的多个字节线，其特征在于，所述数据保存方法包含：
通过存取侦测单元侦测第一字节线被频繁存取的锤效应指示是否发生；以及
当侦测到所述锤效应指示发生于所述第一字节线时，通过所述存取侦测单元将所述第一字节线中储存的数据复制至第二字节线，其中储存于所述第一字节线以及所述第二字节线的所述数据将被选择性地存取。
11.如权利要求10所述的数据保存方法，其特征在于，所述存取侦测单元是根据所述第一字节线被存取的累计次数判断所述锤效应指示是否发生，当所述累计次数超过预设阈值时，所述存取侦测单元判断所述锤效应指示发生。
12.如权利要求10所述的数据保存方法，其特征在于，储存于所述第一字节线以及所述第二字节线的所述数据将被轮流存取。
13.如权利要求10所述的数据保存方法，其特征在于，所述第二字节线为未使用字节线。
14.如权利要求13所述的数据保存方法，其特征在于，所述第二字节线与至少一个未使用字节线相邻。
15.如权利要求10所述的数据保存方法，其特征在于，还包含：
通过所述存取侦测单元将所述第二字节线与对应所述第一字节线的逻辑位置进行联结。
16.如权利要求15所述的数据保存方法，其特征在于，所述第一字节线属于所述挥发性储存器的第一刷新单元，而所述第二字节线属于所述挥发性储存器的第二刷新单元。
17.如权利要求16所述的数据保存方法，其特征在于，还包含：
当所述第一刷新单元刷新时，通过所述存取侦测单元清除所述第一字节线中的所述数据。
18.如权利要求17所述的数据保存方法，其特征在于，还包含：
当所述第一字节线中的所述数据被清除时，通过所述存取侦测单元清除所述第一字节线与所述逻辑位置的联结关系。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023193340A1 (zh) * 2022-04-08 2023-10-12 长鑫存储技术有限公司 半导体存储器、刷新方法和电子设备
US11798609B2 (en) 2021-08-06 2023-10-24 Winbond Electronics Corp. Semiconductor memory device including control unit controlling time interval of refresh operation on memory to shorten interval between memory refresh operations corresponding to read/write access requirement

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11567880B2 (en) * 2020-08-12 2023-01-31 Microsoft Technology Licensing, Llc Prevention of RAM access pattern attacks via selective data movement
US11417387B2 (en) * 2020-09-04 2022-08-16 Micron Technology, Inc. Reserved rows for row-copy operations for semiconductor memory devices and associated methods and systems

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110141836A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Innovative Silicon Isi Sa Techniques for reducing impact of array disturbs in a semiconductor memory device
CN103456352A (zh) * 2012-06-04 2013-12-18 爱思开海力士有限公司 半导体器件及其操作方法
US20140089576A1 (en) * 2012-09-24 2014-03-27 Kuljit S. Bains Method, apparatus and system for providing a memory refresh
CN105304138A (zh) * 2014-07-21 2016-02-03 爱思开海力士有限公司 存储器件
CN105718387A (zh) * 2014-12-18 2016-06-29 爱思开海力士有限公司 数据储存器件及其操作方法
US20170011792A1 (en) * 2015-07-06 2017-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Embedded refresh controllers and memory devices including the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9299400B2 (en) * 2012-09-28 2016-03-29 Intel Corporation Distributed row hammer tracking
TWI544486B (zh) * 2014-08-08 2016-08-01 華邦電子股份有限公司 記憶體的存取方法
TWI619069B (zh) * 2015-09-02 2018-03-21 輝達公司 記憶體管理系統和方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110141836A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Innovative Silicon Isi Sa Techniques for reducing impact of array disturbs in a semiconductor memory device
CN103456352A (zh) * 2012-06-04 2013-12-18 爱思开海力士有限公司 半导体器件及其操作方法
US20140089576A1 (en) * 2012-09-24 2014-03-27 Kuljit S. Bains Method, apparatus and system for providing a memory refresh
CN105304138A (zh) * 2014-07-21 2016-02-03 爱思开海力士有限公司 存储器件
CN105718387A (zh) * 2014-12-18 2016-06-29 爱思开海力士有限公司 数据储存器件及其操作方法
US20170011792A1 (en) * 2015-07-06 2017-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Embedded refresh controllers and memory devices including the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11798609B2 (en) 2021-08-06 2023-10-24 Winbond Electronics Corp. Semiconductor memory device including control unit controlling time interval of refresh operation on memory to shorten interval between memory refresh operations corresponding to read/write access requirement
WO2023193340A1 (zh) * 2022-04-08 2023-10-12 长鑫存储技术有限公司 半导体存储器、刷新方法和电子设备

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