CN109346486A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线、数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出像素单元；所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层，且所述第一遮光导电层至少覆盖所述栅线设置；和/或，所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层，且所述第二遮光导电层至少覆盖所述数据线设置。本发明所提供的阵列基板及显示装置，能够有效阻挡栅线上方和/或数据线上方的漏光，并且能够在一定程度上提高显示产品的开口率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
目前，显示产品的开口率大小将直接影响产品的透过率的大小，从而直接决定了显示产品的竞争力。在传统的显示产品中，在阵列基板上，栅线(Gate)和像素(Pixel)电极之间以及数据线(Data)和像素电极之间存在电场，使得栅线上方和数据线上方存在漏光现象。
因此，在现有技术中，通常需要在与阵列基板相对设置的彩膜基板上设置黑矩阵(BM)，以实现遮挡栅线上方和数据线上方的漏光。同时，阵列基板还包括公共电极线，公共电极线与栅线同层形成，公共电极线对应的位置同样需要设置黑矩阵来遮挡公共电极线上方的漏光。此外，现有的黑矩阵和公共电极线的设置，占用了显示产品一定的空间，在一定程度上限制了显示产品的开口率，影响了显示产品的透过率，从而影响了显示产品的显示画面的色域等光学性能，进而影响了显示产品的竞争力。
发明内容
本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板及显示装置。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线、数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出像素单元；
所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层，且所述第一遮光导电层至少覆盖所述栅线设置；和/或，
所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层，且所述第二遮光导电层至少覆盖所述数据线设置。
可选地，若所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有所述第一遮光导电层，且所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有所述第二遮光导电层时，所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层之间电连接，且所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层同层设置。
可选地，该阵列基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素单元中，且所述公共电极位于所述栅线、所述数据线的远离所述衬底基板的一侧；
若所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层时，所述第一遮光导电层与所述公共电极之间电连接。
可选地，该阵列基板还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素单元中，且所述公共电极位于所述栅线、所述数据线的远离所述衬底基板的一侧；
若所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层时，所述第二遮光导电层与所述公共电极之间电连接。
可选地，该阵列基板还包括像素电极，所述像素电极位于所述像素单元中，所述像素电极与所述公共电极对应设置，且所述像素电极位于所述栅线、所述数据线的靠近所述衬底基板的一侧。
可选地，所述第一遮光导电层具有沿所述栅线设置的方向设置和沿所述数据线设置的方向设置的多个第一侧边，所述栅线具有与所述第一侧边对应设置的第二侧边；
所述第一侧边在所述衬底基板上的正投影和对应的所述第二侧边在所述衬底基板上的正投影之间的距离范围为4微米至5微米。
可选地，所述第二遮光导电层具有沿所述栅线设置的方向设置和沿所述数据线设置的方向设置的多个第三侧边，所述数据线具有与所述第三侧边对应设置的第四侧边；
所述第三侧边在所述衬底基板上的正投影和对应的所述第四侧边在所述衬底基板上的正投影之间的距离范围为4微米至5微米。
可选地，所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层的材料均为金属材料。
为实现上述目的，本发明提供一种显示装置，该显示装置包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板包括上述的阵列基板。
本发明的有益效果：
本发明所提供的阵列基板及显示装置的技术方案中，栅线的远离衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层，且第一遮光导电层至少覆盖栅线设置；和/或，数据线的远离衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层，且第二遮光导电层至少覆盖数据线设置。通过第一遮光导电层和/或第二遮光导电层，可以有效阻挡栅线上方和/或数据线上方的漏光，并且在实际应用中，无需在彩膜基板中对应栅线的位置和/或对应数据线的位置设置黑矩阵，从而在一定程度上增加了显示产品的开口率，保证了显示产品的透过率，从而保证了显示产品的显示画面的色域等光学性能，进而保证了显示产品的竞争力。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为图1中的阵列基板的AA’向剖视图；
图3为图1中的阵列基板的BB’向剖视图；
图4为图1中栅线和第一遮光导电层的结构示意图；
图5为图1中的数据线和第二遮光导电层的结构示意图；
图6为本发明实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图；
图7为本发明实施例三提供的一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的阵列基板及显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图，图2为图1中的阵列基板的AA’向剖视图，图3为图1中的阵列基板的BB’向剖视图，如图1至图3所示，该阵列基板包括衬底基板1和位于衬底基板1上的栅线2、数据线3，栅线2和数据线3交叉限定出像素单元P。
栅线2的远离衬底基板1的一侧设置有第一遮光导电层4，且第一遮光导电层4至少覆盖栅线2设置；数据线3的远离衬底基板1的一侧设置有第二遮光导电层5，且第二遮光导电层5至少覆盖数据线3设置。
本实施例中，通过在阵列基板中，在栅线2上方对应栅线2的位置设置至少覆盖栅线2的第一遮光导电层4，在数据线3上方对应数据线3的位置设置至少覆盖数据线3的第二遮光导电层5。其中，第一遮光导电层4和第二遮光导电层5可以起到遮光作用，有效阻挡漏光。
传统的设计中，通常在彩膜基板侧设置黑矩阵，用来阻挡栅线2上方的漏光和数据线3上方的漏光，当彩膜基板与阵列基板不能准确对位或受到外力冲击时，使得彩膜基板上的黑矩阵无法有效地阻挡漏光，或者为了能够有效阻挡漏光，传统的设计中通常需要增加黑矩阵的面积，但此种设计将在一定程度上限制显示产品的开口率。而本实施例中，由于第一遮光导电层4和栅线2位于同一阵列基板中，第二遮光导电层5和数据线3位于同一阵列基板中，因此第一遮光导电层4和栅线2能够做到准确的对位，第二遮光导电层5和数据线3能够做到准确的对位，即使彩膜基板与阵列基板不能准确对位或受到外力冲击，第一遮光导电层3和第二遮光导电层5也能够有效阻挡漏光。同时，本实施例中，在彩膜基板上，无需在栅线2对应的位置和数据线3对应的位置设置黑矩阵，在一定程度上增加了显示产品的开口率，保证了显示产品的透过率，从而保证了显示产品的显示画面的色域等光学性能，进而保证了显示产品的竞争力。
本实施例中，第一遮光导电层4至少覆盖栅线2设置可以理解为第一遮光导电层4在衬底基板1上的正投影至少覆盖栅线2在衬底基板1上的正投影。图4为图1中栅线和第一遮光导电层的结构示意图，如图1、图2和图4所示，第一遮光导电层4具有沿栅线2设置的方向即AA’方向设置和沿数据线3设置的方向即BB’方向设置的多个第一侧边41，栅线2具有与第一侧边41对应设置的第二侧边21；优选地，第一侧边41在衬底基板1上的正投影与对应的第二侧边21在衬底基板1上的正投影之间的距离范围为4微米至5微米。优选地，第一侧边41在衬底基板1上的正投影与对应的第二侧边21在衬底基板1上的正投影之间的距离为4.5微米。
同理，第二遮光导电层5至少覆盖数据线3设置可以理解为第二遮光导电层5在衬底基板1上的正投影至少覆盖数据线3在衬底基板1上的正投影。图5为图1中的数据线和第二遮光导电层的结构示意图，如图1、图3和图5所示，第二遮光导电层5具有沿栅线2设置的方向即AA’方向设置和沿数据线3设置的方向即BB’方向设置的多个第三侧边51，数据线3具有与第三侧边51对应设置的第四侧边31；优选地，第三侧边51在衬底基板1上的正投影和对应的第四侧边31在衬底基板1上的正投影之间的距离范围为4微米至5微米。优选地，第三侧边51在衬底基板1上的正投影和对应的第四侧边31在衬底基板1上的正投影之间的距离为4.5微米。
本实施例中，如图1所示，AA’方向可以理解为沿数据线3设置的方向，BB’方向可以理解为沿栅线2设置的方向。
本实施例中，优选地，第一遮光导电层4和第二遮光导电层5之间电连接，且第一遮光导电层4和第二遮光导电层5同层设置。进一步优选地，第一遮光导电层4和第二遮光导电层5的材料均为金属材料，且第一遮光导电层4的材料与第二遮光导电层5的材料相同，例如第一遮光导电层4的材料与第二遮光导电层5的材料均为铝。因此，第一遮光导电层4和第二遮光导电层5可以通过一次构图工艺同层同材料形成。
需要说明的是，本实施例中，第一遮光导电层4的材料还可采用与栅线2相同的金属材料，第二遮光导电层5还可采用与数据线3相同的金属材料。本实施例对于第一遮光导电层4和第二遮光导电层5的材料不作具体限制，只要能够起到遮光和导电作用即可。
本实施例中，如图1至图3所示，阵列基板还包括公共电极6，公共电极6位于像素单元P中，且公共电极6位于栅线2、数据线3的远离衬底基板1的一侧。
优选地，如图2和图3所示，公共电极6相对于衬底基板1的高度与第一遮光导电层4相对于衬底基板1的高度，且公共电极6相对于衬底基板1的高度与第二遮光导电层5相对于衬底基板1的高度。
本实施例中，如图2和图3所示，公共电极6位于栅线2、数据线3的远离衬底基板1的一侧可以理解为公共电极6位于数据线3的远离衬底基板1的一侧，且公共电极6位于栅线2的远离衬底基板1的一侧。
本实施例中，如图1至图3所示，第一遮光导电层4与公共电极6之间电连接，第二遮光导电层5与公共电极6之间电连接。此时，第一遮光导电层4和第二遮光导电层5还可用于传输公共电压信号，即第一遮光导电层4和第二遮光导电层5可代替传统设计中的公共电极线。因此，无需在显示产品的像素显示区域中设置公共电极线来传输公共电压信号，也即无需在栅线2的制作工艺中同时形成公共电极线，也无需在彩膜基板上对应公共电极线的位置设置黑矩阵，从而可以增加显示产品的像素显示区域的开口，有效提高了显示产品的开口率，保证了显示产品的显示画面的色域等光学性能，进而保证了显示产品的竞争力。
本实施例中，优选地，公共电极6的材料为透明导电材料，例如ITO。
本实施例中，如图1至图3所示，阵列基板还包括像素电极7，像素电极7位于像素单元P中，像素电极7与公共电极6对应设置，且像素电极7位于栅线2、数据线3的靠近衬底基板1的一侧。具体地，如图1至图3所示，像素电极7与公共电极6的位置对应设置，像素电极7在衬底基板1上的正投影与公共电极6在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。
本实施例中，如图2和图3所示，像素电极7位于栅线2、数据线3的靠近衬底基板1的一侧可以理解为像素电极7位于数据线3的靠近衬底基板1的一侧，且像素电极7位于栅线2的靠近衬底基板1的一侧。
由于第一遮光导电层4设置于栅线2的上方，因此对于栅线2和像素电极7之间产生的电场能够起到电场屏蔽的作用，从而减小了栅线2上方的漏光。同理，由于第二遮光导电层5设置于数据线3的上方，因此对于数据线3和像素电极7之间产生的电场能够起到电场屏蔽的作用，从而减小了数据线3上方的漏光。
本实施例中，优选地，像素电极7的材料为透明导电材料，例如ITO。
本实施例中，像素单元P中还设置有薄膜晶体管，如图1所示，薄膜晶体管包括栅极8、有源层9、源极10和漏极11，其中，栅极8与栅线2同层设置，源极10和漏极11与数据线3同层设置，且源极10和漏极11均与有源层9连接，漏极11还通过过孔12与像素电极7连接。
本实施例中，阵列基板还包括栅极绝缘层(图中未示出)和钝化层(图中未示出)。具体地，如图1至图3所示，像素电极7位于衬底基板1之上，栅线2、栅极8位于像素电极7之上，栅极绝缘层(GI)位于栅线2、栅极8之上，有源层9位于栅极绝缘层之上，数据线3、源极10、漏极11位于有源层9之上，钝化层(PVX)位于数据线3、源极10、漏极11之上，第一遮光导电层4、第二遮光导电层，公共电极6位于钝化层之上。
本实施例所提供的阵列基板的技术方案中，栅线的远离衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层，且第一遮光导电层至少覆盖栅线设置；数据线的远离衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层，且第二遮光导电层至少覆盖数据线设置。通过第一遮光导电层、第二遮光导电层，可以有效阻挡栅线上方的漏光和数据线上方的漏光，并且在实际应用中，无需在彩膜基板中对应栅线的位置和对应数据线的位置设置黑矩阵，从而在一定程度上增加了显示产品的开口率，保证了显示产品的透过率，从而保证了显示产品的显示画面的色域等光学性能，进而保证了显示产品的竞争力。
图6为本发明实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图，如图6所示，该阵列基板包括衬底基板1和位于衬底基板1上的栅线2、数据线3，栅线2和数据线3交叉限定出像素单元P。
栅线2的远离衬底基板1的一侧设置有第一遮光导电层4，且第一遮光导电层4至少覆盖栅线2设置。
本实施例所提供的阵列基板与上述实施例一提供的阵列基板的区别仅在于：未在数据线3的远离衬底基板1的一侧设置第二遮光导电层。因此，关于本实施例所提供的阵列基板中的第一遮光导电层4的描述可参见上述实施例一中对第一遮光导电层4的描述，关于该阵列基板的其他具体描述可参见上述实施例一的描述，此处不再赘述。
本实施例中，在栅线2的远离衬底基板1的一侧设置第一遮光导电层4，通过栅线2上方的第一遮光导电层4可以有效遮挡栅线2上方的漏光。同时，在实际应用中，在彩膜基板上，在栅线2对应的位置无需设置黑矩阵，从而在一定程度上，增加了显示产品的开口率。
本实施例所提供的阵列基板的技术方案中，栅线的远离衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层，且第一遮光导电层至少覆盖栅线设置。通过第一遮光导电层，可以有效阻挡栅线上方的漏光，并且在实际应用中，无需在彩膜基板中对应栅线的位置设置黑矩阵，从而在一定程度上增加了显示产品的开口率，保证了显示产品的透过率，从而保证了显示产品的显示画面的色域等光学性能，进而保证了显示产品的竞争力。
图7为本发明实施例三提供的一种阵列基板的结构示意图，如图7所示，该阵列基板包括衬底基板1和位于衬底基板1上的栅线2、数据线3，栅线2和数据线3交叉限定出像素单元P。
数据线3的远离衬底基板1的一侧设置有第二遮光导电层5，且第二遮光导电层5至少覆盖数据线3设置。
本实施例所提供的阵列基板与上述实施例一提供的阵列基板的区别仅在于：未在栅线2的远离衬底基板1的一侧设置第一遮光导电层。因此，关于本实施例所提供的阵列基板中的第二遮光导电层5的描述可参见上述实施例一中对第二遮光导电层5的描述，关于该阵列基板的其他具体描述可参见上述实施例一的描述，此处不再赘述。
本实施例中，在数据线3的远离衬底基板1的一侧设置第二遮光导电层5，通过数据线3上方的第二遮光导电层4可以有效遮挡数据线3上方的漏光。同时，在实际应用中，在彩膜基板上，在数据线3对应的位置无需设置黑矩阵，从而在一定程度上，增加了显示产品的开口率。
本实施例所提供的阵列基板的技术方案中，数据线的远离衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层，且第二遮光导电层至少覆盖数据线设置。通过第二遮光导电层，可以有效阻挡数据线上方的漏光，并且在实际应用中，无需在彩膜基板中对应数据线的位置设置黑矩阵，从而在一定程度上增加了显示产品的开口率，保证了显示产品的透过率，从而保证了显示产品的显示画面的色域等光学性能，进而保证了显示产品的竞争力。
本发明实施例四提供了一种显示装置，该显示装置包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，其中，阵列基板包括上述实施例一、实施例二或者实施例三提供的阵列基板，具体描述可参见上述实施例一、实施例二或者
实施例三，此处不再赘述。
本实施例所提供的显示装置的技术方案中，栅线的远离衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层，且第一遮光导电层至少覆盖栅线设置；和/或，数据线的远离衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层，且第二遮光导电层至少覆盖数据线设置。通过第一遮光导电层和/或第二遮光导电层，可以有效阻挡栅线上方和/或数据线上方的漏光，并且在实际应用中，无需在彩膜基板中对应栅线的位置和/或对应数据线的位置设置黑矩阵，从而在一定程度上增加了显示产品的开口率，保证了显示产品的透过率，从而保证了显示产品的显示画面的色域等光学性能，进而保证了显示产品的竞争力。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线、数据线，所述栅线和所述数据线交叉限定出像素单元；
所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层，且所述第一遮光导电层至少覆盖所述栅线设置；和/或，
所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层，且所述第二遮光导电层至少覆盖所述数据线设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，若所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有所述第一遮光导电层，且所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有所述第二遮光导电层时，所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层之间电连接，且所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素单元中，且所述公共电极位于所述栅线、所述数据线的远离所述衬底基板的一侧；
若所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层时，所述第一遮光导电层与所述公共电极之间电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素单元中，且所述公共电极位于所述栅线、所述数据线的远离所述衬底基板的一侧；
若所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层时，所述第二遮光导电层与所述公共电极之间电连接。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电极，所述像素电极位于所述像素单元中，所述像素电极与所述公共电极对应设置，且所述像素电极位于所述栅线、所述数据线的靠近所述衬底基板的一侧。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光导电层具有沿所述栅线设置的方向设置和沿所述数据线设置的方向设置的多个第一侧边，所述栅线具有与所述第一侧边对应设置的第二侧边；
所述第一侧边在所述衬底基板上的正投影与对应的所述第二侧边在所述衬底基板上的正投影之间的距离范围为4微米至5微米。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光导电层具有沿所述栅线设置的方向设置和沿所述数据线设置的方向设置的多个第三侧边，所述数据线具有与所述第三侧边对应设置的第四侧边；
所述第三侧边在所述衬底基板上的正投影和对应的所述第四侧边在所述衬底基板上的正投影之间的距离范围为4微米至5微米。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层的材料均为金属材料。
9.一种显示装置，其特征在于，包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板包括权利要求1至8任一所述的阵列基板。
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