CN109314494B - 功率放大器的保护电路、功率放大器以及扬声器单元 - Google Patents

Abstract

具有发射极连接到第1节点(1)的第1保护晶体管(Q1)；连接在第1保护晶体管(Q1)的集电极和输出端子(OUT)之间的第1二极管(D1)；发射极连接到第2节点(2)的第2保护晶体管(Q2)；连接在第2保护晶体管(Q2)的集电极和输出端子(OUT)之间的第2二极管(D2)；连接在第1节点(1)和第2节点(2)之间的第1电阻(R1)以及热敏电阻(Th1)；以及连接在第1节点(1)和第2保护晶体管(Q2)的集电极之间的第2电阻(R2)以及第3电阻(R3)，由第1电阻(R1)以及热敏电阻(Th1)分压的电压被施加给第2保护晶体管(Q2)的基极，由第2电阻(R2)以及第3电阻(R3)分压的电压被施加给第1保护晶体管(Q1)的基极。

Description

功率放大器的保护电路、功率放大器以及扬声器单元

技术领域

本发明涉及功率放大器的保护电路、功率放大器以及扬声器单元。

背景技术

作为功率放大器的保护电路，例如像专利文献1那样的电路广为熟知。该电路检测推挽输出级的发射极电阻两端的电压，并且将阻抗根据该两端电压而发生变化的晶体管设置在推挽输出级的晶体管的基极和放大器输出之间。在该电路中，通过根据负载对推挽输出级的驱动能力施加限制，并且抑制流过输出端的电流的振幅来抑制推挽输出级的晶体管的发热。

此外，作为其它的保护电路，例如像专利文献2那样的电路广为熟知。在该电路中，放大器电路的输出级的电流由微型计算机检测。若判别为发生了过电流，则微型计算机进行使保护电路工作的控制。作为保护电路的工作，能够举出例如通过门电路断开来切断信号向驱动电路的输入，通过将输出继电器的开关断开来切断音频信号向扬声器的输出，切断电源电路的电源输出等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开昭58-58619号公报

专利文献2：(日本)特开2006-94148号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在专利文献1和专利文献2的电路中，由于未进行温度的检测，所以在例如散热风扇停止、或者散热孔被堵塞的情况下，不能抑制温度上升。尽管可以考虑在专利文献2的电路中设置温度检测部并且通过微型计算机来使保护电路进行工作，但是存在由于微型计算机的使用而导致制造成本提高并且电路变得复杂的问题。此外，即使如专利文献2中那样切断电源电路的输出，由于直到切断为止的时间、或电源电路的电容器中累积的能量的影响，可能对功率放大器的电路中的元件造成大的损害。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种不使用微型计算机而可靠地检测出过大输入、过负载、或者散热条件恶化等的异常，并且能够防止功率放大器的电路中的元件的损坏的功率放大器的保护电路、功率放大器以及扬声器单元。

用于解决课题的手段

为了达成上述目的，本发明的一方式涉及的功率放大器具有：被提供信号的第1节点和第2节点；用于向所述第1节点和第2节点施加偏置电压的偏置电路；以及推挽输出电路，所述推挽输出电路具有：基极连接到所述第1节点并用于从输出端子输出电流的多个达林顿连接的晶体管、以及基极连接到所述第2节点并用于从所述输出端子吸取电流的多个达林顿连接的晶体管，所述功率放大器的保护电路的特征在于，具有：第1保护晶体管，其发射极连接到所述第1节点；第1二极管，连接在所述第1保护晶体管的集电极和所述输出端子之间；第2保护晶体管，其发射极连接到所述第2节点；第2二极管，连接在所述第2保护晶体管的集电极和所述输出端子之间；第1电阻以及热敏电阻，连接在所述第1节点和所述第2节点之间；以及第2电阻以及第3电阻，连接在所述第1节点和所述第2保护晶体管的集电极之间，由所述第1电阻以及所述热敏电阻分压的电压被施加给所述第2保护晶体管的基极，由所述第2电阻以及所述第3电阻分压的电压被施加给所述第1保护晶体管的基极。

根据本发明的一方式，当温度升高并且热敏电阻的电阻值变化时，基极电流流向第2保护晶体管的基极，第2保护晶体管迁移到能动状态。当第2保护晶体管迁移到能动状态时，集电极电流开始流动，并且第1节点和第2节点之间的电压开始下降。在这种状态下，负反馈被施加给第2保护晶体管并变为模拟的工作，当温度进一步升高并且热敏电阻的电阻值上升时，第2保护晶体管完全导通。其结果，第2保护晶体管的集电极/发射极之间的电压约为0V。因此，输出端子和第2节点之间的电压等于第2二极管的正向电压。此外，用于从输出端子吸取电流的达林顿连接的晶体管的基极和发射极之间的电压变得小于用于导通该达林顿连接的晶体管所需的电压。其结果，该达林顿连接的晶体管被截止。同时，当第2保护晶体管的集电极/发射极之间电压达到大约0V时，第1保护晶体管经由第2电阻和第3电阻而导通。当第1保护晶体管导通时，第1保护晶体管的集电极/发射极之间电压约为0V。因此，输出端子和第1节点之间的电压变得与第1二极管的正向电压相等。此外，用于从输出端子输出电流的多个达林顿连接的晶体管的基极/发射极之间的电压变得小于用于导通该多个达林顿连接的晶体管所需的电压。其结果，多个达林顿连接的晶体管被截止。如上所述，根据本发明，当超过设定温度时，热敏电阻的电阻值变化，并且能够停止推挽输出电路的多个达林顿连接的晶体管的工作。因此，能够广泛地保护推挽输出电路的多个达林顿连接的晶体管而不管散热风扇停止、或者散热孔堵塞情况等异常的原因。此外，在本发明中，当超过设定温度时，推挽输出电路的多个达林顿连接的晶体管完全停止，因此能够完全停止发热。进一步地，由于不需要基于微型计算机等的高级信号处理，因此能够降低制造成本并且能够扩展保护电路的应用范围。

在所述方式中，也可以进一步具有连接在所述第1保护晶体管的集电极和所述第2保护晶体管的基极之间的第4电阻。根据该方式，由于设置了第4电阻，因此当第1保护晶体管开始迁移到能动状态时，基极电流经由第4电阻流向第2保护晶体管的基极。因此，即使当热敏电阻的电阻值没有达到完全导通第2保护晶体管的电阻值时，也增加了来自第4电阻的基极电流，能够完全导通第2保护晶体管。此外，通过设置第4电阻，当第1保护晶体管和第2保护晶体管导通时，该状态等效于第1电阻和第4电阻并联连接的情况。因此，通过适当地设定第4电阻的值，当温度下降到期望温度并且热敏电阻的电阻值变化时，能够截止第2保护晶体管和第1保护晶体管。像这样，根据该方式，通过给工作提供滞后，能够防止出现第2保护晶体管的导通/截止的状态变得不稳定的温度范围的情况。进一步地，解决了因温度的微妙变化而频繁地重复保护电路的接通和断开的缺点。

在所述方式中，也可以进一步具有连接在所述第1电阻以及所述热敏电阻的连接节点和所述第2保护晶体管的基极之间的第5电阻。根据该方式，通过设置第5电阻，即使当温度降低且热敏电阻的电阻值变化时，也能够维持导通第2保护晶体管，其结果，能够使第1保护晶体管维持导通状态。因此，能够实现保护电路暂时被接通之后，即使回到常温也维持保护电路接通的锁存工作，与不具有第5电阻的情况相比，实现更安全的工作。

在所述方式中，当检测出通过所述输出端的电流的振幅超过规定等级时，如第2保护晶体管被导通那样，也可以具有将规定的电压施加给所述第2保护晶体管的基极的电流控制电路。根据该方式，当过大电流流向负载时，规定的电压由电流控制电路施加给第2保护晶体管的基极，第2保护晶体管被导通。因此，接通保护电路以停止推挽输出电路的多个达林顿连接的晶体管的驱动。其结果，即使在发生了元件损坏的情况下，从正电源电压到负电源电压的短路电流也不会连续流动，并且能够防止随后的损坏扩大。进一步地，根据该方式，即使功率放大器的温度上升到设定温度以上，第1保护晶体管和第2保护晶体管也导通，以停止推挽输出电路的多个达林顿连接的晶体管的驱动。因此，即使对于温度上升也能够保护功率放大器。

在所述方式中，所述电流控制电路也可以具有：电流检测电路，具有电流检测晶体管，所述电流检测晶体管在检测出通过所述输出端的电流的振幅超过规定等级时，正电源电压被提供给集电极；以及第3二极管以及第6电阻，连接在所述电流检测晶体管的集电极、和所述第2保护晶体管的基极之间。根据该方式，当过大电流流向负载时，电流检测晶体管被导通，规定的电压经由第3二极管以及第6电阻施加给第2保护晶体管的基极，第2保护晶体管被导通。通过第2保护晶体管被导通，第1保护晶体管被导通。像这样，通过第1保护晶体管和第2保护晶体管被导通，使停止推挽输出电路的达林顿连接的晶体管的驱动。其结果，即使在发生了元件损坏的情况下，从正电源电压到负电源电压的短路电流也不会连续流动，并且能够防止随后的损坏扩大。进一步地，根据该方式，即使功率放大器的温度上升到设定温度以上，第1保护晶体管和第2保护晶体管也导通，以停止推挽输出电路的达林顿连接的晶体管的驱动。因此，即使对于温度上升也能够保护功率放大器。

在所述方式中，所述热敏电阻可以是一个端子连接所述第2节点、另一个端子连接第1电阻的正特性热敏电阻。根据该方式中，由于正特性热敏电阻的特性为电阻值相对于特定的温度急剧变化，因此与使用负特性热敏电阻的情况相比，能够更加数字化地使第1保护晶体管和第2保护晶体管工作。因此，能够可靠地保护功率放大器。

在所述方式中，所述热敏电阻可以是一个端子连接所述第1节点、另一个端子连接第1电阻的负特性热敏电阻。根据该方式，与正特性热敏电阻相比，负特性热敏电阻的电阻值的变化一般不为急剧。然而，在通过设置第4电阻将正反馈施加给第2保护晶体管时，即使电阻相对于温度的变化平缓，若超过某个值，也能够使第1保护晶体管和第2保护晶体管数字化地工作。

为了达成上述目的，本发明的一方式涉及的功率放大器具有：被提供信号的第1节点和第2节点；用于向所述第1节点和第2节点施加偏置电压的偏置电路；以及推挽输出电路，所述推挽输出电路具有：基极连接到所述第1节点并用于从输出端子输出电流的多个达林顿连接的晶体管、以及基极连接到所述第2节点并用于从所述输出端子吸取电流的多个达林顿连接的晶体管，所述功率放大器的保护电路的特征在于，具有：电流检测电路，具有电流检测晶体管，所述电流检测晶体管在流过所述输出端子的电流的振幅超过规定等级时导通，并且正电源电压被提供给集电极；第3保护晶体管，其集电极连接到所述第1节点并且发射极连接到所述输出端子；第4二极管以及第7电阻，连接在所述电流检测晶体管的集电极和所述第3保护晶体管的基极之间；第8电阻，连接在所述第3保护晶体管的基极和所述输出端子之间；第4保护晶体管，其集电极连接到所述第2节点并且发射极连接所述输出端子；第5保护晶体管，其基极连接到电流检测晶体管的集电极；第5二极管以及第9电阻，连接在所述第5保护晶体管的集电极和第4保护晶体管的基极之间；第10电阻，连接在所述第4保护晶体管的基极和所述输出端子之间；第3节点，被提供所述正电源电压；第4节点，被提供负电源电压；热敏电阻以及第11电阻，连接在所述第3节点和所述第4节点之间；第6二极管，连接在所述热敏电阻以及第11电阻的连接节点和电流检测晶体管的基极之间；以及第12电阻，连接在所述第5保护晶体管的集电极和所述电流检测晶体管的基极之间。

根据本发明的一方式，当过大电流流向输出端子时，电流检测晶体管导通，基极电流经由第4二极管和第7电阻流向第3保护晶体管的基极，第3保护晶体管导通。因此，第1节点和输出端子被短路，并且在推挽输出电路中，基极和第1节点连接并且用于从输出端子输出电流的晶体管被截止。同时，通过电流检测晶体管导通，从而第5保护晶体管导通。通过第5保护晶体管导通，第4保护晶体管经由第5二极管和第9电阻导通。因此，第2节点和输出端子被短路，并且在推挽输出电路中，基极连接到第2节点且用于从输出端子吸取电流的晶体管被截止。同时，通过第5保护晶体管导通，经由第12电阻正反馈被施加给电流检测晶体管。其结果，即使电流检测晶体管的检测输出消失，也能够继续保持电流检测晶体管的导通状态。此外，当功率放大器的温度上升并且热敏电阻的电阻值发生变化而达到规定值时，电流检测晶体管经由第6二极管而导通。此后，如上所述，在推挽输出电路中，基极连接到第1节点且用于从输出端子输出电流的晶体管、以及基极连接到第2节点且用于从输出端子吸取电流的晶体管被截止。如上所述，根据本发明的一方式，当过电流流过负载时、以及功率放大器的温度上升到设定温度以上时，推挽输出电路的晶体管截止。因此，无论发生异常的原因如何，都能够保护功率放大器并且能够持续保护。

除功率放大器的保护电路外，本发明也能够被定义为具有该功率放大器的保护电路的功率放大器、以及具有该功率放大器的扬声器单元。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图2是表示本发明的第2实施方式涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图3是表示基于第1实施方式中的热敏电阻的检测温度与保护电路的接通/断开的关系的图。

图4是表示基于第2实施方式中的热敏电阻的检测温度与保护电路的接通/断开的关系的图。

图5是表示本发明的第3实施方式涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图6是表示基于第3实施方式中的热敏电阻的检测温度与保护电路的接通/断开的关系的图。

图7是表示本发明的第4实施方式涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图8是表示本发明的第5实施方式涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图9是表示热敏电阻的特性的图。

图10是表示变形例1涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图11是表示变形例2涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图12是表示变形例3涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图13是表示变形例4涉及的功率放大器的输出电路和保护电路的电路图。

图14是表示应用例涉及的扬声器单元的框图。

图15是表示应用例涉及的扬声器单元的立体图。

图16是表示应用例涉及的扬声器单元的立体图。

图17是表示应用例涉及的扬声器单元的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

<第一实施方式>

图1是表示第1实施方式涉及的功率放大器的输出电路和该功率放大器的保护电路的电路图。如图1所示，功率放大器的输出电路具有电压放大级10、偏置电路20、以及SEPP电路40。

作为推挽输出电路的SEPP(Single Ended Push-Pull：单端推挽)电路40具有晶体管Q10、Q11、Q12、以及Q13、电阻R20、R21、以及R22。

NPN型的晶体管Q10和NPN型晶体管Q11是达林顿连接的晶体管。NPN型的晶体管Q10的基极连接到被提供信号的第1节点1，并且以达林顿连接方式连接到NPN型的晶体管Q11。晶体管Q10和晶体管Q11是用于从输出端子OUT输出电流的晶体管。晶体管Q10和晶体管Q11的集电极连接到被提供正电源电压+B的第3节点3。

PNP型的晶体管Q12和PNP型的晶体管Q13是达林顿连接的晶体管。PNP型的晶体管Q12的基极连接到被提供信号的第2节点2，并且以达林顿连接方式连接到PNP型的晶体管Q13。晶体管Q12和晶体管Q13是用于从输出端子OUT吸取电流的晶体管。晶体管Q12和晶体管Q13的集电极连接被提供负电源电压-B的第4节点4。

电压放大级10连接到第3节点3和第4节点4，并且将来自输入端IN的输入信号放大到规定的电压而得到的信号提供给第1节点1以及第2节点2。

偏置电路20连接到第1节点1以及第2节点2，并将规定的偏置电压施加给第1节点1和第2节点2。据此，SEPP电路40中的交叉失真(crossover distortion)减小。

作为功率放大器的保护电路的第1保护电路30具有PNP型的第1保护晶体管Q1和NPN型的第2保护晶体管Q2。第1保护晶体管Q1的发射极连接到第1节点1。第2保护晶体管Q2的发射极连接到第2节点2。

第1二极管D1连接在第1保护晶体管Q1的集电极和输出端子OUT之间。第2二极管D2连接在第2保护晶体管Q2的集电极和输出端子OUT之间。当信号摆动到正侧以及负侧，并且负载电流流过连接到输出端子的负载时，响应于电流，电阻R21或电阻R22的两端产生电压降，但存在该电压降导致的电压超过偏置电路的电压的情况。例如，当电流流过晶体管Q11、电阻R21、以及负载的路径时，存在在电阻R21两端产生的电压降增加，并且输出端子OUT变为比第2节点2低的电位的情况。在这样的情况下，需要防止电流流过电阻R2和电阻R3而导致第1保护晶体管Q1进行错误工作。此外，需要防止电流在第1保护晶体管Q1或第2保护晶体管Q2的集电极/基极之间流过而导致这些晶体管进行错误工作。因此，第1二极管D 1和第2二极管D2如上所述进行连接。另外，通过这些二极管，当第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2导通时，第1节点1和第2节点2之间的电压保持在约1.2V程度。

在第1节点1和第2节点2之间，第1电阻R1和热敏电阻Th1串联连接。第1电阻R1和热敏电阻Th1之间的连接节点7连接到第2保护晶体管Q2的基极，由第1电阻R1和热敏电阻Th1分压后的规定的电压被施加给第2保护晶体管Q2的基极。当由热敏电阻Th1检测到的功率放大器的温度达到规定的温度时，第1电阻R1和热敏电阻Th1用于导通第2保护晶体管Q2。另外，热敏电阻Th1是正特性的热敏电阻，其电阻值随温度升高而增加。

在第1节点1和第2保护晶体管Q 2的集电极之间，第2电阻R2和第3电阻R3串联连接。第2电阻R2和第3电阻R3的连接节点8连接到第1保护晶体管Q1的基极，由第2电阻R2和第3电阻R3分压的规定的电压被施加给第1保护晶体管Q1的基极。当第2保护晶体管Q2导通时，第2电阻R2和第3电阻R3用于导通第1保护晶体管Q1。

接着，对本实施方式中的第1保护电路30的工作进行说明。在以下的说明中，晶体管处于能动状态是指该晶体管在有效区域中进行工作。晶体管导通表示该晶体管在饱和区域工作。晶体管截止表示该晶体管在截止区域工作。另外，在本实施方式中，作为一例，设第1保护电路30被设定在100℃下工作。此外，设热敏电阻Th1的电阻值在100℃时为10KΩ。进一步地，设偏置电路20的两端电压，即，第1节点1和第2节点2之间的电压被设定为SEPP电路40的晶体管Q11和晶体管Q13变为能动状态时的基极/发射极电压Vbe的大致4分之一。若设晶体管Q11和Q13变为能动状态时的基极/发射极电压Vbe约为0.6V，则第1节点1和第2节点2之间的电压约为2.4V。

为了在100℃时使第2保护晶体管Q2迁移到能动状态，只要由第1电阻R1和热敏电阻Th1分压后的电压为大约0.6V以上即可。因此，以下式子成立。

0.6[V]＝2.4[V]×(热敏电阻Th1的电阻值)/(第1电阻R1的电阻值+热敏电阻Th 1的电阻值)…式1

若对所述式1进行变形，则求出第1电阻R1的电阻值的式子如下。

第1电阻R1的电阻值＝(2.4[V]×(热敏电阻Th1的电阻值)/0.6[V]-(热敏电阻Th1的电阻值)···式2

若设热敏电阻Th1在100℃时的电阻值为10KΩ，则第1电阻R1的电阻值如下。

第1电阻R1的电阻值＝(2.4[V]×10[KΩ]/0.6[V]-10[KΩ]＝30[KΩ]···式3

通过预先将第1电阻R1的电阻值设定为这样的值，若从常温变化到100℃，则热敏电阻Th1的电阻值发生变化，电流开始流向第2保护晶体管Q2的基极，第2保护晶体管Q2迁移为能动状态。第2保护晶体管Q 2变为能动状态，集电极电流开始流动，并且第1节点1和第2节点2之间的电压开始减小。在该状态下，虽然对第2保护晶体管Q2施加负反馈而作为模拟工作，若进一步温度上升且热敏电阻Th1的电阻值变大，则第2保护晶体管Q2完全导通。其结果，第2保护晶体管Q2的集电极/发射极之间电压Vce约为0V。其结果，输出端子OUT和第2节点2之间的电压变为第2二极管D2的正向电压的大致0.6V，该电压为。同样地，连接到第2节点2的晶体管Q12的基极、与经由电阻R22而连接到输出端子OUT的晶体管Q13的发射极之间的电压也变为约0.6V。该大约为0.6V的电压，小于在晶体管Q12变为能动状态时的基极/发射极电压Vbe、与晶体管Q13变为能动状态时的基极/发射极电压Vbe的合计约1.2V。因此，晶体管Q12和晶体管Q13截止。

同时，通过第2保护晶体管Q2导通，第1保护晶体管Q1经由第2电阻R2和第3电阻R3而导通。当第1保护晶体管Q1导通时，第1保护晶体管Q1的集电极/发射极之间电压Vce约为0V。其结果，输出端子OUT和第1节点1之间的电压变为作为第1二极管D1的正向电压的大致0.6V。同样地，连接到第1节点1的晶体管Q10的基极、与经由电阻R21连接到输出端子OUT的晶体管Q11的发射极之间的电压也大约变为0.6V。该大约为0.6V的电压，小于晶体管Q10变为能动状态时的基极/发射极电压Vbe、与在晶体管Q11变为能动状态时的基极/发射极电压Vbe的合计约1.2V。因此，晶体管Q10和晶体管Q11截止。另外，第2电阻R2和第3电阻R3的电阻值分别能够在能够导通第1保护晶体管Q1并且不会对其它电路工作产生不利影响的范围内自由选择。

如上所述，根据本实施方式的第1保护电路30，当功率放大器的温度超过设定温度、且热敏电阻Th1的电阻值发生变化而变为规定值时，能够使SEPP电路40的输出级的晶体管的工作停止。因此，能够广泛保护SEPP电路40的输出级的晶体管而不管散热风扇停止、或者散热孔堵塞的情况等异常的原因。此外，根据本实施方式的第1保护电路30，在超过了设定温度的情况下，由于SEPP电路40的输出级的晶体管完全停止，因此能够完全停止发热。进一步地，由于不需要基于微型计算机等的高级信号处理，因此能够降低制造成本并且能够扩大第1保护电路30的应用范围。

<第2实施方式>

接着，参照附图对本发明的第2实施方式进行说明。图2是表示第2实施方式涉及的功率放大器的第1保护电路30的电路图。如图2所示，在本实施方式的第1保护电路30中，第4电阻R4连接在第1保护晶体管Q1的集电极与第2保护晶体管Q2的基极之间。

在第1实施方式的第1保护电路30中，当第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2完全导通时，第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2的集电极/发射极之间的电压大约为0V。此时，第1节点1和第2节点2之间的电压取决于第1二极管D1和第2二极管D2的正向电压，约为1.2V的程度。为了使第2保护晶体管Q 2迁移到能动状态，只要由第1电阻R 1和热敏电阻Th1分压的电压约为0.6V以上即可。因此，以下式子成立。

0.6[V]＝1.2[V]×(热敏电阻Th1的电阻值)/(第1电阻R1的电阻值+热敏电阻Th1的电阻值)···式4

若对所述式4进行变形，则求出热敏电阻Th1的电阻值的式子如下。

热敏电阻Th1的电阻值＝(0.6[V]×(第1电阻R1的电阻值))/0.6···式5

如第1实施方式所述那样，由于第1电阻R1的电阻值为30[KΩ]，因此此时的热敏电阻Th1的电阻值如下。

热敏电阻Th1的电阻值＝(0.6[V]×30[KΩ])/0.6＝30[KΩ]···式6

也就是说，除非热敏电阻Th1的电阻值约为30KΩ，否则第2保护晶体管Q2不会完全导通。如图3所示，热敏电阻Th1的电阻值变为30[KΩ]是在略高于100℃温度，例如，大约105℃左右。因此，直到温度达到105℃，第1实施方式的第1保护电路30执行模拟的工作。

然而，在本实施方式中，由于设置了第4电阻R4，因此当第1保护晶体管Q1开始迁移到能动状态时，基极电流经由第4电阻R4而流向第2保护晶体管Q2的基极。因此，即使第2保护晶体管Q2处于能动状态的100℃左右的热敏电阻Th1的电阻值为10[KΩ]，也增加来自第4电阻R4的基极电流，如图4所示，能够完全导通第2保护晶体管Q2。

若将第1电阻R1和第4电阻R4的并联的电阻值应用到所述式4，则得到如下的式子。

0.6[V]＝1.2[V]×(热敏电阻Th1的电阻值)/(第1电阻R1和电阻R4的并联的电阻值+热敏电阻Th1的电阻值)···式7

若对式7进行变形，则第1电阻R1和第4电阻R4的并联的电阻值通过下式求得。

第1电阻R1和第4电阻R4的并联的电阻值＝1.2[V]×(热敏电阻Th1的电阻值)/0.6V[V]-(热敏电阻Th1的电阻值)···式8

若设热敏电阻Th1的电阻值为10[KΩ]，则第1电阻R1和第4电阻R4的并联的电阻值如下。

第1电阻R1和在第4电阻R4的并联的电阻值＝(1.2[V]×10[KΩ]/0.6V[V])-10[KΩ]＝10[KΩ]···式9

由于第1电阻R1为30[KΩ]，因此第4电阻R4为15[KΩ]。因此，通过使用15[KΩ]以下的电阻作为第4电阻R4，在第1保护晶体管Q1开始迁移到能动状态的时间点的温度下，能够完全导通第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2。

此外，在没有第4电阻R4的情况下，当温度下降时，通过进行与上述的导通时同样的模拟的工作，在105℃～100℃左右，第2保护晶体管Q2的基极电流不流动。其结果，第1保护电路30的第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2截止。然而，通过具有第4电阻R4，当第1保护晶体管Q1导通时，等同于第1电阻R1和第4电阻R4并联连接的情况。因此，除非温度低于105℃至100℃左右的温度，否则第1保护电路30的第2保护晶体管Q2不截止。例如，在希望在热敏电阻Th1变为1KΩ以下时第1保护电路30的第2保护晶体管Q2截止的情况下，第1电阻R1和第4电阻R4的并联的电阻值如下。设所述式2的热敏电阻Th1的电阻值为1KΩ，此外，将所述式2中的“第1电阻R1的电阻值”置换成“第1电阻R1和第4电阻R4的并联的电阻值”。

第1电阻R1和第4电阻R4的并联的电阻值＝(2.4[V]×1[KΩ]/0.6V[V])-1[KΩ]＝3[KΩ]···式10

因此，由于第1电阻R1为30[KΩ]，因此第4电阻R4为3.3[KΩ]。通过将第4电阻R4变为3.3[KΩ]，如图4所示，当温度下降至低于100℃时，能够使第1保护电路30的第2保护晶体管Q2截止。像这样，在本实方式中，通过给工作提供滞后，能够防止出现第2保护晶体管Q2的导通/截止的状态变得不稳定的温度范围的情况。此外，能够在该范围内第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2不同时导通/截止而防止在正侧和负侧第1保护电路30对于温度的工作发生不同的情况。进一步地，解决了因温度的微妙变化而频繁地重复第1保护电路30的第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2的导通和截止等的缺点。

<第3实施方式>

接着，参照附图来对本发明的第3实施方式进行说明。图5表示第3实施方式涉及的功率放大器的第1保护电路30的电路图。如图5所示，在本实施方式中，进一步具有连接在连接节点7与第2保护晶体管Q2的基极之间的第5电阻R5，所述连接节点7处于第1电阻R1以及热敏电阻Th1之间。

在第2实施方式中，除第4电阻R4以外，在第1保护电路30的接通和断开之间添加了滞后工作。在本实施方式中，如图5所示，通过添加第5电阻R5，能够进行在第1保护电路30暂时导通之后，即使恢复到常温也维持第1保护电路30为接通状态的锁存工作。

如所述式3计算的那样，设想第1电阻R1为30[KΩ]，第1保护电路30的工作开始温度为100℃左右。设定第4电阻R4和第5电阻R5的电阻值，以便在第1保护晶体管Q1以及第2保护晶体管Q2导通后，即使当温度降低且热敏电阻Th1的电阻值大致接近0Ω时，第一保护晶体管Q1和第二保护晶体管Q2也持续导通。

若假设第1保护晶体管Q1的集电极/发射极电压为0V，热敏电阻Th1为0Ω，则第4电阻R4和第5电阻R5的关系与第2实施方式中说明的第1电阻R1和热敏电阻Th1的关系相同。此外，由于设想了第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2为导通的状态，因此第1节点1和第2节点2之间的电压约为1.2V。

0.6[V]＝1.2[V]×(第5电阻R5的电阻值)/(第4电阻R4的电阻值+第5电阻R5的电阻值)···式11

在这里，如第2实施方式中说明的那样，设第4电阻R4的电阻值为3.3kΩ。

0.6[V]＝1.2[V]×(第5电阻R5的电阻值)/(3.3[KΩ]+第5电阻R5)···式12

若对式12进行变形，则第5电阻R5的电阻值通过下式求出。

(第5电阻R5的电阻值)＝(3.3[KΩ]×0.6[V])/0.6[V]＝3.3[KΩ]···式13

因此，若预先设第5电阻R5的电阻值为3.3KΩ以上，则如图6所示，则即使温度下降，热敏电阻Th1变为低的电阻值，第1保护电路30的第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2也继续导通。其结果，保持SEPP电路40的输出级的晶体管的保护的状态。另外，为了截止第1保护电路30的第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2，例如只要暂时切断电源即可。

根据本实施方式，通过增加第5电阻R5，能够实现在第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2暂时导通后，即使回到常温也维持第1保护晶体管Q1和第2保护晶体管Q2导通状态的锁存工作。其结果，在使用者切断电源为止继续基于第1保护电路30的SEPP电路40的输出级的晶体管的保护工作，并且实现比第2实施方式更安全的工作。

<第4实施方式>

接着，参照附图来对本发明的第4实施方式进行说明。图7是表示第4实施方式涉及的功率放大器的保护电路的电路图。如图7所示，本实施方式的功率放大器的保护电路具有第1保护电路30和电流控制电路5。此外，在本实施方式中，继电器RL1设置在输出端子OUT的后级，并且构成为继电器RL1根据电流控制电路5的工作而断开。

在上述实施方式中，实现了检测出温度而保护功率放大器的功能。因此，例如，当电流由于过大输入等而增加并且温度升高时，能够执行基于第1保护电路30的保护工作。然而，在由于负载发生短路等导致一瞬间输出级的晶体管的损坏的情况下，仅通过基于温度检测的保护工作不能应对。因此，在本实施方式中，将电流控制电路5放置于第3实施方式的电路中，以进行功率放大器的保护工作。

本实施方式的电流控制电路5是对第2保护晶体管Q2的基极施加规定的电压，以便当检测出流过输出端子OUT的电流的振幅超过了规定的等级时，使得第2保护晶体管Q2导通的电路。

本实施方式的电流控制电路5具有电流检测电路6、第3二极管D3以及第6电阻R6。电流检测电路6具有电阻R23、R24，R25、R26、R27、以及R28、和二极管D10、D11、以及D12、第1电流检测晶体管Q14、第2电流检测晶体管Q15。

当流过输出端子OUT的电流的振幅超过规定的等级时，第1电流检测晶体管Q14导通，进一步地，第2电流检测晶体管Q15导通，正电源电压+B被提供给第2电流检测晶体管Q15的集电极。

第3二极管D3和第6电阻R6连接在第2电流检测晶体管Q15的集电极与第2保护晶体管Q2的基极之间，。

在本实施方式的电路中，当过大电流流过输出端子OUT时，第1电流检测晶体管Q14导通，进一步地，第2电流检测晶体管Q15导通。其结果，基极电流经由第3二极管D3和第6电阻R6流向第2保护晶体管Q2的基极，第2保护晶体管Q2导通。后续的工作与上述的实施方式相同，能够通过第1保护电路30来持续地限制SEPP电路40的输出级的驱动能力。

另外，当过大电流流向负载时，能够通过断开继电器RL1来保护功率放大器。然而，例如若SEPP电路40的输出级的其中一侧的晶体管(例如，Q11)发生短路而损坏，则即使断开继电器RL1，虽然也起到扬声器等负载的保护的作用，但功率放大器自身的电源不会被断开。因此，存在SEPP电路40的输出级的另一侧的晶体管(例如，Q13)也被损坏并增大火灾等的危险的情况。

然而，在本实施方式中，当SEPP电路40的输出级的其中一侧的晶体管损坏而流过过大电流时，不仅继电器RL1断开，而且第1保护电路30接通，使得停止SEPP电路40的输出级的另一侧的晶体管的驱动。因此，从正电源电压+B到负电源电压-B的短路电流不会持续流动，能够防止随后的损坏扩大。另外，即使在由于输出的DC偏移的偏差等其它因素而导致过大电流流过输出端子OUT时，也能够同样地使第2保护晶体管Q2导通，从而保护功率放大器。

进一步地，根据本实施方式，即使在功率放大器的温度上升到设定温度以上时，第1保护电路30也接通，并且使SEPP电路40的输出级的晶体管的驱动停止。因此，即使对于温度升高也能够保护功率放大器。

<第5实施方式>

接着，参照附图来对本发明的第5实施方式进行说明。图8是表示第5实施方式涉及的功率放大器的保护电路的电路图。如图8所示，本实施方式的保护电路具有第2保护电路31和电流检测电路6。电流检测电路6的结构与第4实施例方式中说明的电流检测电路6大致相同。针对电流检测电路6而言，当流过输出端子OUT的电流的振幅超过规定等级时，第1电流检测晶体管Q14导通，并进一步地，第2电流检测晶体管Q15导通。其结果，正电源电压+B被提供给第2电流检测晶体管Q15的集电极。

第2保护电路31具有集电极连接到第1节点、发射极连接到输出端子OUT的第3保护晶体管Q3。此外，第2保护电路31具有连接在第2电流检测晶体管Q15的集电极和第3保护晶体管Q3的基极之间的第4二极管D4和第7电阻R7。进一步地，第2保护电路31具有连接在第3保护晶体管Q3的基极和输出端子OUT之间的第8电阻R8。

第2保护电路31具有集电极连接到第2节点2、发射极连接到输出端子OUT的第4保护晶体管Q4。此外，第2保护电路31具有基极连接到第2电流检测晶体管Q15的集电极的第5保护晶体管Q5。进一步地，第2保护电路31具有连接在第5保护晶体管Q5的集电极和第4保护晶体管Q4的基极之间的第5二极管D5和第9电阻R9。第2保护电路31具有连接在第4保护晶体管Q4的基极和输出端子OUT之间的第10电阻R10。

第2保护电路31具有被提供正电源电压+B的第3节点3、被提供负电源电压-B的第4节点4。此外，第2保护电路31具有连接在第3节点3和第4节点4之间的热敏电阻Th1以及第11电阻R11。进一步地，第2保护电路31具有连接在热敏电阻Th1以及第11电阻R11的连接节点9、和第2电流检测晶体管Q15的基极之间的第6二极管D6。此外，第2保护电路31具有连接在第5保护晶体管Q5的集电极和第2电流检测晶体管Q15的基极之间的第12电阻R12。进一步地，第2保护电路31具有连接在第2电流检测晶体管Q15的集电极和第5保护晶体管Q5的基极之间的第13电阻R13、以及连接在第5保护晶体管Q5的基极和第4节点4之间的第14电阻R14。

在本实施方式的电路中，当过大电流流向输出端子OUT时，第1电流检测晶体管Q14导通，进一步地，第2电流检测晶体管Q15导通。其结果，基极电流经由第4二极管D4和第7电阻R7流向第3保护晶体管Q3的基极，第3保护晶体管Q3导通。其结果，第1节点1和输出端子OUT发生短路，并且使得SEPP电路40中的正侧的输出级的晶体管Q10以及Q11的驱动停止。同时，第2电流检测晶体管Q15经由第13电阻R13而使第5保护晶体管Q5导通。

第5保护晶体管Q5经由第5二极管D5和第9电阻R9而使第4保护晶体管Q4导通。其结果，第2节点2和输出端子OUT发生短路，并且使得SEPP电路40中的负侧的输出级的晶体管Q12、Q13的驱动停止。同时，第5保护晶体管Q5经由第12电阻R12将正反馈施加给第2电流检测晶体管Q15。其结果，即使假设第1电流检测晶体管Q14截止，也能够继续保持第2电流检测晶体管Q15的导通状态。

另外，检测出温度的热敏电阻Th1的其中一个端子连接到第3节点3，另一个端子连接到第11电阻R11的另一个端子。此外，第11电阻R11的另一个端子连接到第4节点4。当功率放大器的温度上升并且热敏电阻Th1的电阻值上升时，经由第6二极管D6使第2电流检测晶体管Q15导通。此后如上所述，能够使SEPP电路40的输出级的晶体管的驱动停止，并且能够持续保持保护功能的状态。

如上所述，根据本实施方式，当过大电流流向输出端子OUT时，第2保护电路31接通，并且能够持续地限制SEPP电路40的输出级的驱动能力。特别地，由于通过第5保护晶体管Q5而设置了对于电流检测电路6的锁存功能，因此能够更可靠地进行功率放大器的保护。

进一步地，根据本实施方式，即使当功率放大器的温度上升到设定温度以上时，通过使第2保护电路31接通，从而使停止SEPP电路40的输出级的晶体管的驱动。因此，能够对于温度上升也保护功率放大器。同样在该情况下，由于通过第5保护晶体管Q5而对于第2电流检测晶体管Q15的锁存功能发挥作用，因此与上述各实施方式相比，能够更可靠地进行功率放大器的保护。

<变形例>

本发明不限于上述的实施方式，例如能够进行下述的各种变形。此外，也能够对任意选择的一个或者多个下述的变形的方式进行适当的组合。

(变形例1)

在上述的各实施方式中，使用了其中一个端子连接到第2节点2、另一个端子连接到第1电阻R1的正特性热敏电阻。这是因为，如图9所示，正特性热敏电阻的特性为：对于由规范而确定的特定的温度其电阻值急剧变化，因此具有保护电路更数字地进行工作的优点。

另一方面，通常使用的热敏电阻是负特性热敏电阻，与图9所示的正特性热敏电阻相比，其电阻值的变化并不急剧。因此，在如第2实施方式所示那样设置第4电阻R4并且向第2保护晶体管Q2施加正反馈的情况下，即使电阻对于温度的变化平缓，但若超过某个值，则也能够使电路数字地进行工作。

图10是与图2所示的第2实施方式的电路对应的电路。在图10所示的电路中，设置了负特性的热敏电阻Th2作为热敏电阻。负特性的热敏电阻Th2的其中一个端子连接到第1节点1，另一个端子连接到第1电阻R1。在图10所示的电路中，由于设置第4电阻R4并且向第2保护晶体管Q2施加正反馈，因此即使负特性的热敏电阻Th2的电阻对于温度的变化是平缓的，但若超过某个值，则也能够数字地使保护工作发挥作用。

(变形例2)

图11是与图5所示的第3实施方式的电路对应的电路。在图11所示的电路中，设置了负特性的热敏电阻Th2作为热敏电阻。负特性的热敏电阻Th2的其中一个端子连接第1节点1，另一个端子连接第1电阻R1。在图11所示的电路中，由于设置第4电阻R4并且向第2保护晶体管Q2施加正反馈，因此即使负特性的热敏电阻Th2对于温度电阻的变化是平缓的，但若超过某个值，则也能够数字地使保护工作发挥作用。

(变形例3)

图12是与图7所示的第4实施方式的电路对应的电路。在图12所示的电路中，设置了负特性的热敏电阻Th2作为热敏电阻。负特性的热敏电阻Th2的其中一个端子连接到第1节点1，另一个端子连接到第1电阻R1。在图12所示的电路中，由于设置第4电阻R4并且向第2保护晶体管Q2施加正反馈，因此即使负特性的热敏电阻Th2电阻的对于温度电阻的变化是平缓的，但若超过某个值，则也能够数字地使保护工作发挥作用。

(变形例4)

图13是与图8所示的第4实施方式的电路对应的电路。在图13所示的电路中，设置了负特性的热敏电阻Th2作为热敏电阻。负特性的热敏电阻Th2的其中一个端子连接到第4节点4，另一个端子连接到与第11电阻R11的连接节点9。在图13所示的电路中，由于设置第12电阻R12并且向第2电流检测晶体管Q15施加正反馈，因此即使负特性的热敏电阻Th2的电阻对于温度的变化是平缓的，但若超过某个值，则也能够数字地使保护工作发挥作用。

(变形例5)

在上述的各实施方式以及各变形例中，对使用了多个达林顿连接的晶体管作为SEPP电路40的输出级的晶体管的结构进行了说明。然而，本发明并不限于该结构，也可以是连接了单个NPN型晶体管和单个PNP型晶体管的结构。此外，在上述的各实施方式以及各变形例中，将两级的多个达林顿连接的晶体管用作多个达林顿连接的晶体管，但也可以是三级的多个达林顿连接的晶体管。

<应用例>

本发明能够利用于功率放大器以及具有该功率放大器的扬声器单元。图14、图17例示了作为本发明的应用对象的功率放大器以及具有该功率放大器的扬声器单元的具体的方式。

图14是表示扬声器单元50的框图。如图14所示，扬声器单元50是低音反射型的扬声器单元，并且在设置在机壳51的前表面的洞上安装了由振动板52以及转换器53构成的扬声器54。转换器53具有音圈，并且具有将电能转换为机械能，并使振动板52振动的功能。作为一例，图14所示的扬声器单元50是输出方向性相对较弱的低频带的声音的重低音扬声器。然而，本发明不限定于该例，能够在输出其它的频带的声音的各式各样的扬声器单元中应用。

如图14所示，扬声器单元50的机壳51内部具有功率放大器60。功率放大器60是具有上述实施方式以及变形例的任意一个保护电路以及输出电路的功率放大器。设置在功率放大器60中提供的所述输出电路的输出端子OUT连接扬声器54的转换器53。也就是说，扬声器54是上述各实施方式以及各变形例的保护电路以及输出电路的电路图中所示的负载。

图15是表示扬声器单元50的前表面、侧表面、以及上表面的立体图。如图15所示，在扬声器单元50的前表面安装了前格栅55。此外，在扬声器单元50的侧表面上安装了低音反射端口51a。图16是表示从图15所示的扬声器单元50卸除前格栅55的状态下的立体图。如图16所示，在设置在机壳51的前表面的洞上安装了扬声器54。

图17是表示扬声器单元50的后表面、侧表面、以及上表面的立体图。如图17所示，在扬声器单元50的后表面设置了功率放大器60的音频信号输入端子56、音量旋钮57、电源开关58和电源电缆59。音频信号输入端子56连接到功率放大器60中提供的所述输出电路的输入端子IN。例如，在功率放大器60中提供的所述输出电路的输入端子IN与电压放大级10之间设置音量的情况下，音量旋钮57是安装在该音量的工作部的旋钮。电源开关58是用于接通和断开功率放大器60中提供的电源的开关。电源电缆59连接到功率放大器60中提供的电源，例如插入AC插座。

根据本应用例，能够提供即使在功率放大器的温度超过了设定温度的情况下也能够可靠地进行功率放大器60的保护的安全的扬声器单元50。

标号说明

1···第1节点、2···第2节点、3···第3节点、4···第4节点、5···电流控制电路、6···电流检测电路、7···连接节点、8···连接节点、9···连接节点、10···电压放大级、20···偏置电路、30···第1保护电路、32···第2保护电路、40···SEPP电路、50···扬声器单元、54···扬声器、60···功率放大器、D1···第1二极管、D2···第2二极管、D3···第3二极管、D4···第4二极管、D5···第5二极管、D6···第6二极管、Q1···第1保护晶体管、Q2···第2保护晶体管、Q3···第3保护晶体管、Q4···第4保护晶体管、Q5···第5保护晶体管、Q14···第1电流检测晶体管、Q15···第2电流检测晶体管、R1···第1电阻、R2···第2电阻、R3···第3电阻、R4···第4电阻、R5···第5电阻、R6···第6电阻、R7···第7电阻、R8···第8电阻、R9···第9电阻、R10···第10电阻、R11···第11电阻、R12···第12电阻、R13···第13电阻、R14···第14电阻、Th1···热敏电阻、TH2···热敏电阻。

Claims (11)

1.一种功率放大器的保护电路，所述功率放大器具有：

被提供信号的第1节点和第2节点；

用于向所述第1节点和第2节点施加偏置电压的偏置电路；以及

推挽输出电路，所述推挽输出电路具有：基极连接到所述第1节点并用于从输出端子输出电流的多个达林顿连接的晶体管、以及基极连接到所述第2节点并用于从所述输出端子吸取电流的多个达林顿连接的晶体管，

所述功率放大器的保护电路的特征在于，具有：

第1保护晶体管，其发射极连接到所述第1节点；

第1二极管，连接在所述第1保护晶体管的集电极和所述输出端子之间；

第2保护晶体管，其发射极连接到所述第2节点；

第2二极管，连接在所述第2保护晶体管的集电极和所述输出端子之间；

第1电阻以及热敏电阻，连接在所述第1节点和所述第2节点之间；以及

第2电阻以及第3电阻，连接在所述第1节点和所述第2保护晶体管的集电极之间，

由所述第1电阻以及所述热敏电阻分压的电压被施加给所述第2保护晶体管的基极，

由所述第2电阻以及所述第3电阻分压的电压被施加给所述第1保护晶体管的基极。

2.如权利要求1所述的功率放大器的保护电路，其特征在于，还具有：

第4电阻，连接在所述第1保护晶体管的集电极和所述第2保护晶体管的基极之间。

3.如权利要求2所述的功率放大器的保护电路，其特征在于，还具有：

第5电阻，连接在所述第1电阻以及所述热敏电阻的连接节点、和所述第2保护晶体管的基极之间。

4.如权利要求3所述的功率放大器的保护电路，其特征在于，具有：

电流控制电路，若检测到流过所述输出端子的电流的振幅超过了规定等级，则将规定的电压施加给所述第2保护晶体管的基极，以使所述第2保护晶体管导通。

5.如权利要求4所述的功率放大器的保护电路，其特征在于，

所述电流控制电路具有：

电流检测电路，具有电流检测晶体管，所述电流检测晶体管在流过所述输出端子的电流的振幅超过规定等级时导通，并且正电源电压被提供给集电极；以及

第3二极管以及第6电阻，连接在所述电流检测晶体管的集电极、和所述第2保护晶体管的基极之间。

6.如权利要求1至5的任一项所述的功率放大器的保护电路，其特征在于，

所述热敏电阻为正特性热敏电阻，其中一个端子连接到所述第2节点、另一个端子连接到所述第1电阻。

7.如权利要求1至5的任一项所述的功率放大器的保护电路，其特征在于，

所述热敏电阻为负特性热敏电阻，其中一个端子连接到第1节点、另一个端子连接到所述第1电阻。

8.一种功率放大器的保护电路，所述功率放大器具有：

被提供信号的第1节点和第2节点；

用于向所述第1节点和第2节点施加偏置电压的偏置电路；以及

推挽输出电路，所述推挽输出电路具有：基极连接到所述第1节点并用于从输出端子输出电流的多个达林顿连接的晶体管、以及基极连接到所述第2节点并用于从所述输出端子吸取电流的多个达林顿连接的晶体管，

所述功率放大器的保护电路的特征在于，具有：

电流检测电路，具有电流检测晶体管，所述电流检测晶体管在流过所述输出端子的电流的振幅超过规定等级时导通，并且正电源电压被提供给集电极；

第3保护晶体管，其集电极连接到所述第1节点并且发射极连接到所述输出端子；

第4二极管以及第7电阻，连接在所述电流检测晶体管的集电极和所述第3保护晶体管的基极之间；

第8电阻，连接在所述第3保护晶体管的基极和所述输出端子之间；

第4保护晶体管，其集电极连接到所述第2节点并且发射极连接所述输出端子；

第5保护晶体管，其基极连接到电流检测晶体管的集电极；

第5二极管以及第9电阻，连接在所述第5保护晶体管的集电极和第4保护晶体管的基极之间；

第10电阻，连接在所述第4保护晶体管的基极和所述输出端子之间；

第3节点，被提供所述正电源电压；

第4节点，被提供负电源电压；

热敏电阻以及第11电阻，连接在所述第3节点和所述第4节点之间；

第6二极管，连接在所述热敏电阻以及第11电阻的连接节点和电流检测晶体管的基极之间；以及

第12电阻，连接在所述第5保护晶体管的集电极和所述电流检测晶体管的基极之间。

9.一种功率放大器，其特征在于，具有：

被提供信号的第1节点和第2节点；

用于向所述第1节点和第2节点施加偏置电压的偏置电路；

推挽输出电路，所述推挽输出电路具有：基极连接到所述第1节点并用于从输出端子输出电流的多个达林顿连接的晶体管、以及基极连接到所述第2节点并用于从所述输出端子吸取电流的多个达林顿连接的晶体管；

第1保护晶体管，其发射极连接到所述第1节点；

第1二极管，连接在所述第1保护晶体管的集电极和所述输出端子之间；

第2保护晶体管，其发射极连接到所述第2节点；

第2二极管，连接在所述第2保护晶体管的集电极和所述输出端子之间；

第1电阻以及热敏电阻，连接在所述第1节点和所述第2节点之间；以及

第2电阻以及第3电阻，连接在所述第1节点和所述第2保护晶体管的集电极之间，

由所述第1电阻以及所述热敏电阻分压的电压被施加给所述第2保护晶体管的基极，

由所述第2电阻以及所述第3电阻分压的电压被施加给所述第1保护晶体管的基极。

10.一种功率放大器，其特征在于，具有：

被提供信号的第1节点和第2节点；

用于向所述第1节点和第2节点施加偏置电压的偏置电路；

推挽输出电路，所述推挽输出电路具有：基极连接到所述第1节点并用于从输出端子输出电流的多个达林顿连接的晶体管、以及基极连接到所述第2节点并用于从所述输出端子吸取电流的多个达林顿连接的晶体管；

电流检测电路，具有电流检测晶体管，所述电流检测晶体管在流过所述输出端子的电流的振幅超过规定等级时导通，并且正电源电压被提供给集电极；

第3保护晶体管，其集电极连接到所述第1节点并且其发射极连接到所述输出端子；

第4二极管以及第7电阻，连接在所述电流检测晶体管的集电极和所述第3保护晶体管的基极之间；

第8电阻，连接在所述第3保护晶体管的基极和所述输出端子之间；

第4保护晶体管，其集电极连接到所述第2节点并且其发射极连接到所述输出端子；

第5保护晶体管，其基极连接到电流检测晶体管的集电极；

第5二极管以及第9电阻，连接在所述第5保护晶体管的集电极和第4保护晶体管的基极之间；

第10电阻，连接在所述第4保护晶体管的基极和所述输出端子之间；

第3节点，被提供所述正电源电压；

第4节点，被提供负电源电压；

热敏电阻以及第11电阻，连接在所述第3节点和所述第4节点之间；

第6二极管，连接在所述热敏电阻与第11电阻的连接节点、和电流检测晶体管的基极之间；以及

第12电阻，连接在所述第5保护晶体管的集电极和所述电流检测晶体管的基极之间。

11.一种扬声器单元，其特征在于，具有权利要求9或权利要求10所述的功率放大器、以及连接到所述输出端子的扬声器。

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