CN109314363B - 低尺寸和重量、高功率光纤激光泵 - Google Patents

低尺寸和重量、高功率光纤激光泵 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种设备。该设备用于冷却激光二极管泵，包括低尺寸重量功率高效(SWAP)激光二极管(LSLD)组件，所述组件包括激光二极管，该激光二极管耦接到第一表面上的基板，该基板包括第一导热材料和散热器，该散热器耦接到基板的第二表面，其中散热器包括第二导热材料，该散热器包括一个或多个构件，该一个或多个构件形成在与所耦接的基板相对的侧面上。所述设备还包括外壳，该外壳耦接到LSLD组件，该外壳包括：载体结构，该载体结构具有孔，该孔被配置为将LSLD组件支撑在第一侧面上并且在第二侧面上具有多个通道；底部区段，该底部区段被配置为耦接到载体区段以在底部区段的顶侧面和载体结构的第二侧面之间的通道周围形成封装件；入口和出口，该入口和出口形成在外壳中以用于将冷却剂传输到封装件中的通道中并且从通道传输出来，其中所述构件设置在封装件内以便将构件暴露于冷却剂。

Description

低尺寸和重量、高功率光纤激光泵
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2016年4月26日提交的美国临时专利申请US序列号62/327,971以及2017年2月13日提交的美国临时专利申请US序列号62/458,569的优先权。
技术领域
本发明整体涉及激光二极管泵的热管理。
背景技术
大多数光纤耦接的激光二极管泵是为大批量工业应用而开发的，其中主要度量是每亮瓦价格和可靠性。在常规高功率光纤激光技术中，总光纤激光系统的重量和体积的相当大部分在高功率二极管泵中，其中该大部分重量和体积专用于废热去除。例如，高功率激光二极管泵通常用由高导热材料(诸如铜(Cu))制成的冷却板冷却。这为激光系统增加了显著的质量和体积。
然而，在移动激光应用中，关键度量还包括体积、重量和电光功率转换效率(PCE)。此外，工业二极管激光器的功率为约≥1kg/kW，并且体积为高能激光(HEL)应用可接受的两倍。此外，工业二极管激光器的电光功率转换效率(PCE)为约50％；其中，HEL应用要求PCE≥55％。需要的是除每亮瓦价格和可靠性之外，还针对尺寸、重量和功率效率(SWAP)进行了优化的激光二极管泵。
发明内容
本文公开了低尺寸重量和功率(SWAP)高效激光二极管泵设计，该设计包括从致密但高导热性固体材料(例如，铜)到较轻材料的转变，同时保持常规工业激光二极管泵封装的光学机械设计和拓扑以改善制造成果并降低制造成本。另外，本文公开了以紧凑方式将多个激光二极管泵封装包装在一起以展示功率调节能力同时保持所公开的激光二极管泵的低SWAP和高效率的方法。尽管在本文提供的示例中，使用特定的泵架构来展示低SWAP激光二极管(LSLD)泵设计，但是本文描述的概念可应用于各种泵架构，并且所要求保护的主题在这方面不受限制。在一个示例中，所公开的LSLD泵设计将至少三倍低密度材料用于外壳、封盖和非关键热部件。外壳材料也足够坚硬，通过增加新的结构特征，刚性支撑机构就位以保持光学对准，同时将质量保持在最小。代替将固体基料用于随后热耦接到又一个冷却板的封装，所公开的LSLD泵包括附接到激光二极管基板并且位于挖空外壳内的高表面积翅片(或类似结构)，以将热传导提高3倍同时减少总质量以达到≤0.5kg/kW特定质量。
多个LSLD泵可耦接在一起以用于更高能量应用。由两个或更多个LSLD泵共享的歧管可用于引入冷却剂以去除由两个或更多个LSLD泵的翅片耗散的多余热量。歧管可由重量非常轻的材料(诸如聚醚醚酮(PEEK))制成，这去除了对冷却板的需要，该冷却板通常增加激光系统的质量和体积。与市场上可获得的同类产品相比，所公开的LSLD泵可具有的占地面积小4倍、质量小10倍、且效率高10％。
附图说明
附图包含在本说明书中并且构成本说明书的一部分，并且与描述一起解释了本发明所公开的技术的优点和原理，其中相同的附图标记表示相同的元件。在附图中，
图1示出低SWAP激光二极管(LSLD)组件的示例；
图2A示出LSLD泵200的示例；
图2B是LSLD泵的示例性载体结构的局部剖面图，该LSLD泵被放大以示出可被设计到LSLD泵中的光学部件的示例；
图3A是LSLD外壳的示例性载体结构的正面的平面图；
图3B是LSLD外壳的示例性载体结构的背面的平面图；
图3C是LSLD外壳的示例性载体结构的背面的平面图，示出了另一通道设计；
图4A是LSLD外壳的底部区段的示例的顶侧面的透视图；
图4B是装配到外壳202的载体结构的底部区段的背面的示例的透视图；
图5A是示例性LSLD泵的横截面侧视图；
图5B是示例性LSLD泵200的分解横截面侧视图；
图6是LSLD泵的分解横截面侧视图；
图7是具有封盖的LSLD泵的示例的透视图；
图8示出用于LSLD泵的专用散热器的示例；
图9示出用于LSLD泵的专用散热器的示例；
图10A是耦接到歧管的多个LSLD泵的示例的透视图，该歧管被配置为使得LSLD泵能够以紧凑布局布置；
图10B是耦接到歧管的多个LSLD泵的示例的分解图，该歧管被配置为使得LSLD泵能够以紧凑布局布置；
图10C是多个LSLD泵的示例的透视图，该LSLD泵用居间歧管分层并且共享冷却剂源，以使得LSLD泵能够以紧凑布局布置。
具体实施方式
如本文在本公开和权利要求书中通篇所使用的，除非上下文另有明确指出，否则单数形式的词语“一个”、“一种”和“该”包括复数形式。此外，术语“包括”表示“包含”。此外，术语“耦接”不排除耦接项之间中间元件的存在。另外，术语“修改”和“调整”可互换使用以意指“改变”。
在此描述的系统、装置和方法不应被解释为以任何方式进行限制。相反，本公开涉及各种公开的实施方案的所有新颖的和非显而易见的特征和方面，单独地以及彼此的各种组合和子组合。所公开的系统、方法和装置不限于任何特定方面或特征或其组合，所公开的系统、方法和装置也不要求存在任何一个或多个特定优点或解决问题。任何操作理论都是为了便于解释，但所公开的系统、方法和装置不限于这种操作理论。
尽管为了便于表示，以特定的先后顺序描述了某些公开的方法的操作，但是应该理解的是，除非在下文中通过特定语言要求特定的顺序，否则这种描述的方式包含重新安排。例如，顺序描述的操作在一些情况下可以被重新安排或同时执行。而且，为了简单起见，附图可能没有示出所公开的系统、方法和装置可与其他系统、方法和装置结合使用的各种方式。此外，该描述有时使用术语诸如“产生”和“提供”来描述所公开的方法。这些术语是对所执行的实际操作的高度抽象。对应于这些术语的实际操作将根据具体实施而有所不同，并且容易被本领域的普通技术人员识别。
在一些示例中，值、过程或装置被称为“最低”、“最佳”、“最小”等。应该理解，这样的描述旨在表示可以对许多所使用的功能替代项进行选择，并且这样的选择不需要更好、更小或以其他方式优于其他选择。参照“上方”、“下方”、“上”、“下”等指示的方向来描述示例。这些术语用于方便描述，但并不意味着任何特定的空间取向。
在整个以下公开列表中，提供了给出各种元件、材料、结构、特征等或其任何组合的给定示例。虽然这些列表代表了各种示例可包括的元件、材料、结构、特征等或其任何组合的类型，但是这些列表决不是穷举的并且仅旨在阐明所公开的技术，并且所要求保护的主题在这方面不受限制。
图1示出低SWAP激光二极管(LSLD)组件100的示例。LSLD组件100包括被配置为生成激光束的激光二极管101。激光二极管101以“基板上芯片”(COS)形式耦接到基板102。基板102可由多种材料制成，诸如碳化硅(SiC)、化学气相沉积(CVD)金刚石、铜(Cu)、氮化铝(AlN)、立方氮化硼(c-BN)、石墨、石墨烯、石墨烯复合材料、碳纳米管、碳纳米管复合材料、金刚石或包封的热解石墨等、或其任何组合。可以看出，安装在SiC基板上的激光二极管101的相对于安装在AlN基板上的激光二极管101的功率和效率得到改善。此外，SiC基板上的激光二极管101与CVD金刚石基板上的激光二极管101的结温的比较显示出CVD-金刚石基板的热阻提高了25％。
在一个示例中，基板102耦接到散热器104，该散热器被配置为将激光二极管101所生成的热量传递到散热器104。散热器104可包括多种材料中的任一种，诸如碳化硅铝(AlSiC)、热解石墨、铜(Cu)、铝(Al)等、或其任何组合。散热器104可由与上述常规材料完全不同的某物制成。
示例性散热器104包括多个构件108。如图1所示，构件108包括翅片110。在其他示例中，构件108可包括具有高表面与体积比的各种结构中的任一种，其被配置用于高效的热传递。此类结构包括翅片、柱、钉、具有纹理化表面(例如，浅凹表面)的结构、或多孔结构(例如，石墨泡沫或微孔铜(Cu))、使用增材制造构建以优化表面与体积比的结构等，或其具有功能优化的任何组合。可以将常规铜散热器质量减少约30％，例如，从每个散热器的当前1.94g减小到≤1.40g。这可相当于散热器质量减少到≥30％，并且对于总封装为0.27g/W比质量。另外，热传递系数可减少至少两倍，从而导致效率提高约1％。
在一个示例中，散热器104可通过本领域技术人员已知的各种技术来制造。例如，一种这样的技术可以是计算机数字控制(CNC)加工。在另一个示例中，散热器104可通过刮削或微刮削来制造，这允许引入大的表面积以增加热传递系数。在一个示例中，其中构件108包括翅片，可根据期望的输出功率电平和操作效率来选择一系列厚度、间隙和翅片高度以优化热传递系数。
图2A示出低SWAP激光二极管(LSLD)泵200的示例。二极管泵200包括外壳202，该外壳具有载体区段204，该载体区段被配置为支撑一个或多个LSLD组件100。外壳202可包括各种刚性和轻重量材料，例如铝(Al)、碳化硅铝(AlSiC)、镁合金、不同形式的碳、铍合金(例如，BeO和/或BeAl)等、或它们的组合。载体结构204可将一个或多个LSLD组件100固定在孔212中，所述孔形成为与对应的LSLD组件100配合并且支撑对应的LSLD组件100。在一个示例中，激光二极管101驻留在载体结构204的表面234上方。
孔212被配置为将一个或多个LSLD组件100的一个或多个构件108牢固地保持在形成于载体结构204的背面中的通道(参见图3B)中。通道被形成为使得冷却剂可流过它们。LSLD组件100在操作期间生成显著量的热量。在冷却剂流过通道并且穿过构件108时，其可从LSLD组件100传递走显著量的热量。因为热量非常有效地传递到与流过通道的冷却剂接触的构件108，所以与仅具有不与流动的冷却剂接触的固体导热散热器的常规激光二极管泵相比，LSLD泵200可以更低的质量流量和更低的压降更有效地操作。
在一个示例中，每个LSLD组件100通过胶合、焊接、钎焊、熔焊等或其组合附接到对应孔212的内表面。表面234可以是平板或者可包括垂直阶梯结构，如图2A所示。利用这样的阶梯布置，LSLD组件100设置在其中的每个孔212可在单独的梯级上，使得从LSLD组件100发出的光束可在空间上彼此分离。因此，LSLD组件100可以以逐阶方式相对于彼此设置。在另一个示例中，多个空腔212可驻留在单个阶梯上，以便在每个阶梯水平处支撑多个激光二极管100。
在一个示例中，当与载体结构204耦接时，底部区段206可形成密封室。底部区段206和载体结构204可通过多种方法(诸如熔焊、钎焊、胶合或摩擦等、或它们的任何组合)耦接在唇缘210(和/或其他位置)处。
一个或多个激光二极管101与外壳202内的各种光学部件仔细对准。图2B示出载体结构204的局部剖面图，该载体结构被放大以示出可被设计到LSLD泵200中的光学部件的示例。以下示例包括激光二极管和在阶梯上以垂直轴线堆叠的对应光学部件。所选择的激光束和阶梯的数量取决于LSLD泵200的期望输出功率电平和操作效率。示于图2B中的局部剖面图示出三个激光二极管和阶梯。然而，任何合理数量的激光二极管可被包括在LSLD泵200中，并且所要求保护的主题不如此限制。此类光学部件可包括快轴准直(FAC)透镜222a-c、慢轴准直(SAC)透镜224a-c、成角度的反射表面226a-c、转向镜230a-c、偏振复用器(P-MUX)236、弯月形快轴望远镜(mFAT)228，套圈248和光吸收元件238。
在一个示例中，每个快轴准直(FAC)透镜222a-c用于准直由激光二极管101a-c在快轴中生成的相应激光束240a-c。慢轴准直(SAC)透镜224a-c用于准直慢轴中的相应激光束240a-c。成角度的反射表面226a-c用于将后向反射或杂散光导向到载体结构204的底部表面234，使得其可被吸收并且所产生的热量耗散到冷却剂部分206中的冷却剂。转向镜230a-c用于将相应的激光束240a-c朝向P-MUX 236导向。转向镜230a-c可以以足以将激光束240a-c朝向偏振复用器P-MUX 236导向的各种角度中的任一种角度成角度。P-MUX 236被配置用于将激光束240a-c朝向光纤232的输入表面导向。mFAT 222用于将激光束240a-c朝向光纤232的输入表面叠缩。mFAT 222将标准双元件伽利略望远镜缩小为单个弯月形透镜，从而减少了必须相互对准的元件的数量。在另一个示例中，可使用标准双元件伽利略望远镜透镜来代替mFAT 222。光吸收元件238为用于吸收可从P-MUX 236泄漏的残余光的非反射和吸收材料。光纤套圈248有助于将激光束240a-c导向到光纤232中。
在一个示例中，激光二极管222a-c各自设置在不同阶梯242、244和246上。利用该配置，激光束240a投射在转向镜230b和230c上方，并且激光束240b投射在转向镜230c上。激光束240a-c被传递到PMUX 236中。因此，激光束240a-c利用接近100％的填充因数在准直空间中沿垂直方向堆积。
在一个示例中，LSLD泵200可被配置有两行垂直堆叠的阶梯式激光束，其中每个偏振一行阶梯式激光束使用P-MUX 236以实现两倍的亮度。然后使用望远镜和聚焦透镜的组合将激光束240a-c聚焦到光纤中。此类阶梯配置提供了LSLD泵200中的激光二极管和光学元件的紧凑且高效的配置。每个激光束240a-c被单独地透镜化，从而实现条技术所不可能的光束指向。条具有固有的“微笑(smile)”问题，这产生“无赖(rogue)”光束，该光束不是单向的，降低光束质量并且在耦接到光纤中时引入高数值孔径包层光。这与LSLD泵200的当前描述的光学组件显著不同，其在聚焦到光纤中时可实现欠填充的数值孔径和光斑尺寸，因此消除了对冷却递送光纤的需要。该光学组合方法是非常有效的并且其节省了体积，因为不需要大的光学机械部件来将激光束240a-c布置成紧凑且接近100％填充因数的准直光束形式(在聚焦之前需要高效和高亮度操作)。该阶梯布置提供了简单的多光束紧凑化方法，与基于条的耦接方案相比，该方法实现了低体积并且清楚地区分了我们的方法。
在一个示例中，沿着载体结构204的侧壁216形成一个或多个刚性支撑结构214。刚性支撑结构214被形成为向载体结构204提供支撑，以防止在可能发生载体结构204或其他外壳202结构的加热时的操作期间的变形。除了其他问题以外，由于载体结构204的加热而造成的变形可导致上文关于图2B描述的光学部件的失配(不对正)。刚性支撑结构214a-c形成在角部分215内，以在LSLD泵200的操作期间促进杂散光的重新导向。从成角度的部分215反射的光的一部分可被表面214、215和234吸收，并且由该吸收生成的热量可被传递到冷却剂，该冷却剂流过相对于图3B和图3C更详细地描述的通道。
返回图2A，外壳202还可包括形成在外壳202的载体结构204中的入口218和出口220，以用于将冷却剂传输到形成在载体结构204的背面上的通道并且从该通道传输出来。通道可由底部区段206包围。此类封装件在本文中可称为冷却歧管(在图5A中更详细地示出)。构件108设置在冷却歧管内，使得构件108能够暴露于冷却剂而不会将激光二极管101暴露于冷却剂。
图3A示出外壳202的示例性载体结构204的正面310的平面图。未示出LSLD组件100，使得空腔212可更容易地可视化。设置在载体结构204的下侧上的通道壁302可通过空腔212看到。
图3B示出外壳202的示例性载体结构204的背面304的平面图。在一个示例中，一个或多个通道306被配置为引导冷却剂穿过构件108以将热量从LSLD组件100传递走。当与载体结构204耦接时，底部区段206可形成围绕通道306的密封室。冷却剂可沿箭头308的方向从较高压力区域流动到较低压力区域，例如从入口218流动到出口220。冷却是可重新配置的，以实现一系列压降和相称的质量流速，以保持冷却剂上期望的排热能力和温差。因此，通道306的精确设计是通用的。例如，图3C示出通道设计，其中通道312以从入口218到出口220的蛇形形式配置为三个。形成冷却通道的材料可被涂覆，使得可使用许多类型的冷却剂，例如水、水和乙二醇(EGW)或丙二醇(PGW)、氨、或1,1,1,2-四氟乙烷(R134A)等，或其任何组合。
示例性通道配置
在下表1中，提供了用于≤0.9kg/min/kW的多个示例性通道配置。在表2中，对于使用SiC基板102和翅片铜散热器104的LSLD泵200的通道配置的三个示例的建模的热性能，在相同的水流速但在不同的压降下实现类似的热性能。
表1
Figure GDA0002493479850000091
表2
Figure GDA0002493479850000092
图4A示出示例性底部区段206的顶侧面410的透视图。在一个示例中，底部区段206具有阶梯形状，该阶梯形状类似于载体结构204的阶梯形状。在其他示例中，根据LSLD泵200的特定设计，底部区段206可具有不同的构造。底部区段206被配置为与载体结构204配合，装配在载体结构204内，而唇缘412围绕载体结构204的底部边缘延伸。
图4B示出装配到外壳202的载体结构204的底部区段206的背面402的示例的透视图。背面402具有一个或多个空隙400，该一个或多个空隙通过本领域技术人员已知的各种方法(诸如机械加工、化学蚀刻、3D制造、锻造、压铸等或其组合)形成。形成空隙400以减小LSLD泵200的重量，同时为外壳202提供结构支撑，以防止底部区段206和/或外壳202的其他部分的变形。此类变形可对例如激光二极管101的关键光学对准具有破坏性影响，其中各种光学部件精确地定位在外壳202内，如上文相对于图2B所述。
空隙400可具有各种形状和尺寸。在一些示例中，空隙400可以是六边形的并且被布置成蜂窝状，或者可以是正方形的并且被布置成网格，如图4B所示。在其他示例中，一个或多个空隙400可包括独立、平铺或以其他方式布置在一起以优化最低质量的刚度的各种几何形状中的任一种。平铺可以以规则重复模式或非周期模式完成。在一个示例中，一个或多个空隙400的形状可被选择为优化外壳202的结构支撑和/或重量或体积减小。因为底部区段206具有如图4A所示的阶梯形状，所以空隙400的深度较浅，其中阶梯高度较低，并且随着阶梯高度增加，空隙400的深度也增加。在另一个示例中，底部区段206可以是平坦的，并且一个或多个空隙400可以是相同或相似的深度。
图5A是LSLD泵200的纵向横截面侧视图。在一个示例中，LSLD组件100设置在载体结构204的孔212中。构件108延伸到通道308中，所述通道被底部区段206的顶部表面410包围。底部区段206被配置为与载体结构204配合，装配在载体结构204内，而唇缘412围绕载体结构204的底部边缘延伸。载体结构204和底部区段206的组件可以是足以形成对冷却剂从通道308泄漏的密封和/或阻挡的紧密配合。顶部表面410可通过各种方法耦接到载体结构204，例如通过紧密配合、熔焊、钎焊、焊接等或其任何组合。通道308高度由载体结构204的表面234与底部区段206的顶侧面410之间的距离限定。因此，通道高度308基本上是均匀的。空隙400具有不同的高度/体积，这取决于对应阶梯的高度。
图5B是LSLD泵200的分解纵向横截面侧视图。在一个示例中，载体结构204壁502被配置为紧密地配合在底部区段206壁504周围。壁502、壁504的耦接可形成足以防止冷却剂从通道308泄漏的密封。同样，如上所述，载体结构204可通过各种方法耦接到底部区段，包括摩擦、熔焊、钎焊、焊接、激光焊接、接缝密封等，或其任何组合。在一个示例中，LSLD泵200可实现≤0.5kg/kW比质量。
图6是LSLD泵200的分解横截面侧视图。在一个示例中，LSLD组件100设置在孔212中。散热器104搁置在孔212的唇缘602上，使得构件108延伸到通道308中。通道308由通道壁302限定。
图7示出LSLD泵200的示例，该LSLD泵具有用于封闭LSLD泵200系统的封盖700。封盖700是非关键热部件并且可包括低密度材料。
散热器的拓扑优化
图8示出用于在LSLD泵200中实现的LSLD组件800的专用散热器806的示例。在一个示例中，散热器806可由各种导热材料制成，诸如AlSiC、AlBe、热解石墨、退火热解石墨(APG)、包封的APG、Cu、Al、Si等或其任何组合。构件808可包括钉或柱，该钉或柱具有高表面积与体积比以使得能够从激光二极管/基板组件(未示出)中去除多余热量，如上所述。钉或柱可以是各种形状中的任一种，诸如正方形、矩形、多边形或圆形等或其任何组合。该配置可进一步减小LSLD泵200的重量并且增加翅片形构件108上的热传递系数。以这种方式，可进一步改善热性能并且减小重量。
图9A示出用于增加表面积以与用于冷却LSLD泵200的冷却剂接触的示例性散热器806(参见图8)材料。石墨泡沫900是具有高导热性的轻重量结构。在一个示例中，散热器806和/或构件808可包括石墨泡沫900。石墨泡沫900可通过钎焊、焊接、激光焊接等或其任何组合耦接到基板102。
图9B示出用于增加表面积以与用于冷却LSLD泵200的冷却剂接触的示例性散热器806材料。微孔铜902重量轻，孔隙度为80％，具有高热性能，并且需要很少的处理以使其准备使用。散热器104和/或构件108可包括微孔Cu 902。微孔Cu 902可通过钎焊、焊接、激光焊接等或其任何组合耦接到基板102。
图9C示出包括各种形状的散热器806的示例性构件808。在一个示例中，构件808可包括细长楔形件904、抛物锥906和/或瓶颈908，它们可通过增加表面积与体积比、湍流来改善热传递和/或促进在与构件108紧密接近的整个冷却剂中更完全的热传递。构件808可呈现形状904、906或908中的任一者，或者可具有各种形状，一单个散热器包括散热器104中的904、906和/或908。然而，这些仅仅是示例，许多其他形状可被配置为优化上述变量，并且所要求保护的主题在这方面不受限制。
图9D示出使用计算机建模和3D制造技术形成的示例性构件808。这样的计算机建模技术可能够识别特定激光功率、冷却剂物质和/或激光二极管泵架构的“3D拓扑优化结构”。建模使得能够通过以下方式来优化热传递：识别结构以增加表面积与体积比、湍流和/或促进整个冷却剂中更完全的热传递，以及促进热传递的其他因素。在一个示例中，构件808可通过微机械加工或3D制造硅或本领域技术人员已知的其他材料形成。硅比铜成本低，并且与加工铜相比，硅中3D结构的制造也相对容易，因为硅可以以晶圆级微机械加工。
冷却歧管
图10A-图10C示出共享一个或多个冷却歧管1000的多个LSLD泵的示例。
图10A示出耦接在两个LSLD泵1002之间的示例性歧管1000。LSLD泵1002类似于上述LSLD泵200，但是在该示例中，LSLD泵1002具有2×6布置的LSLD组件100。在一个示例中，歧管1000可包括轻重量材料，例如PEEK、塑料、聚丙烯、玻璃、玻璃纤维等或其任何组合。歧管1000可用于引入冷却剂以去除由两个LSLD泵1002的散热器1006(参见图10B)耗散的多余热量。散热器1006类似于上文相对于图1所述的散热器104。包括歧管1000减少了对冷却板或其他附加热传递设备的需要，这通常将多余的质量和体积添加到激光二极管泵系统。歧管1000可以多种不同的配置来设计，这取决于可用体积分配和多千瓦系统的体积形状。
图10B是LSLD泵1002和歧管1000的分解图。LSLD组件100和孔1012中的一者在上部LSLD泵1002中可见。歧管1000具有通道1014，该通道的尺寸被设计成允许与散热器1006的构件1022(例如，如上所述的翅片等)对准，以用于导向冷却剂围绕并穿过构件1022的结构特征。如上所述，构件1022可以是各种形状、材料和/或3D结构中的任一种，如上所述。在当前示例中，构件1022是翅片。入口端口1016和出口端口1018将冷却剂供应到通道1014。在另一个示例中，并且根据应用的需要，入口端口1016和出口端口1018可被颠倒，其中端口1016可以是出口端口，并且端口1018可以是入口端口。
另一种策略是将多个LSLD泵1002和歧管1000一个堆叠在另一个之上。图10C是多个LSLD泵的示例的透视图，所述LSLD泵用居间歧管1000和共用歧管1030分层，以使得LSLD泵1002能够以紧凑布局布置。这种类型的包装配置对于其中可用空间非常紧凑的应用是有用的。在该特定配置中，每LSLD泵1002具有150W输出，在1355cm3的总体积中可生成总共2100W，从而导致约1.55W/cm3。这些高亮度二极管可使用商用7×1光纤组合器来组合，以从220μm和0.22NA光束产生约1kW输出。然后使用6+1:1组合器，总共6kW的泵可被部署到400μm和0.46NA DC光纤放大器中，以产生5kW的单模输出。存在可被调用以适合于特定体积尺寸和形状要求的其他配置。
根据所公开的发明的原理可以应用的许多可能的实施方案，应当认识到，所示出的实施方案仅仅是本发明的优选示例，而不应被视为限制本发明的范围。相反，本发明的范围由以下权利要求限定。因此，我们要求落在这些权利要求的范围和精神内的全部内容作为本发明。

Claims (18)

1.一种设备，所述设备用于冷却激光二极管泵，包括：
低尺寸重量功率高效(SWAP)的多个激光二极管(LSLD)组件，每个激光二极管组件包括：
激光二极管，所述激光二极管耦接到基板的第一表面，所述基板包括第一导热材料；和
散热器，所述散热器耦接到所述基板的第二表面，其中所述散热器包括第二导热材料，所述散热器包括一个或多个构件，所述一个或多个构件形成在与所耦接的基板相对的侧面上；和
外壳，所述外壳耦接到所述多个LSLD组件，包括：
载体结构，所述载体结构包括多个孔，所述多个孔被配置为将所述多个LSLD组件支撑在第一侧面上并且在第二侧面上具有多个通道；
底部区段，所述底部区段被配置为通过所述底部区段的顶侧面耦接到所述载体结构的第二侧面，以在位于所述底部区段的所述顶侧面和所述载体结构的所述第二侧面之间的所述通道周围形成封装件；以及
入口和出口，所述入口和出口形成在所述外壳中用于在所述封装件中将冷却剂传输到所述通道中并且从所述通道传输出来，其中所述构件设置在所述封装件内以便将所述构件暴露于所述冷却剂。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述通道是直列式的并且所述冷却剂沿单个方向流过所述构件。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述通道被配置为遵循蜿蜒路径并且使得所述冷却剂沿相反方向流过至少两个不同的构件。
4.根据权利要求1所述的设备，还包括至少一个空隙，所述至少一个空隙形成在所述底部区段的背面上以减小所述外壳的重量。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述外壳包括多个空隙，所述多个空隙形成在所述底部区段的背面上。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述空隙是矩形的并且形成网格。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述空隙具有各种深度。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述载体结构和所述底部区段是阶梯状的。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述一个或多个构件包括多个翅片。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述一个或多个构件包括微孔铜结构。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述一个或多个构件包括石墨泡沫。
12.根据权利要求1所述的设备，其中构件包括柱。
13.根据权利要求1所述的设备，其中构件包括三维结构，所述三维结构针对表面积对体积、湍流以及与所述构件紧密接近的整个所述冷却剂的热传递来进行优化。
14.根据权利要求1所述的设备，其中所述冷却剂包括水、水和乙二醇(EGW)、水和丙二醇(PGW)、氨、或1,1,1,2-四氟乙烷(R134A)或其任何组合。
15.根据权利要求1所述的设备，其中所述散热器包括碳化硅铝(AlSiC)、热解石墨、退火的热解石墨(APG)、包封的APG、铜(Cu)、铝(Al)、或它们的任何组合。
16.根据权利要求1所述的设备，其中所述基板包括碳化硅(SIC)、化学气相沉积(CVD)金刚石、铜(Cu)、氮化铝(AlN)、立方氮化硼(c-BN)、石墨、石墨烯、石墨烯复合材料、碳纳米管、碳纳米管复合材料、金刚石、金刚石复合材料或热解石墨或它们的任何组合。
17.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一导热材料和所述第二导热材料是相同的。
18.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一导热材料和所述第二导热材料是不同的。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109314363B (zh) 2016-04-26 2020-09-11 恩耐公司 低尺寸和重量、高功率光纤激光泵
JP6844993B2 (ja) * 2016-11-25 2021-03-17 古河電気工業株式会社 レーザ装置及び光源装置
JP6765395B2 (ja) * 2018-06-14 2020-10-07 株式会社フジクラ 光モジュールユニット及びレーザ装置
US11824323B1 (en) * 2018-12-06 2023-11-21 Nlight, Inc. Diode laser package for bidirectionally emitting semiconductor laser devices
WO2021039386A1 (ja) * 2019-08-23 2021-03-04 古河電気工業株式会社 レーザ装置
CN114846703A (zh) * 2019-12-06 2022-08-02 古河电气工业株式会社 发光装置、光源单元、光源装置及光纤激光器
CN111769191B (zh) * 2020-07-31 2022-04-08 佛山紫熙慧众科技有限公司 一种紫外led芯片散热复合基板
JP7269201B2 (ja) * 2020-08-07 2023-05-08 古河電気工業株式会社 発光装置、光源装置、および光ファイバレーザ
CN112038876A (zh) * 2020-11-04 2020-12-04 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种散热装置及光纤激光器
JP2022120329A (ja) * 2021-02-05 2022-08-18 古河電気工業株式会社 光学装置、光源装置、および光ファイバレーザ
CN113097858B (zh) * 2021-06-10 2021-08-24 深圳市星汉激光科技股份有限公司 一种底板局部减薄的半导体激光器
CN116706653A (zh) * 2021-08-05 2023-09-05 北京凯普林光电科技股份有限公司 一种半导体光纤耦合激光器及光纤激光器
CN115810970A (zh) * 2021-09-14 2023-03-17 杭州沪宁亮源激光器件有限公司 带冷却的泵浦源系统
CN114300931A (zh) * 2021-12-06 2022-04-08 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 激光芯片的散热装置
US20230304750A1 (en) * 2022-03-22 2023-09-28 Nlight, Inc. Heat sink with removable inserts
CN114421279A (zh) * 2022-03-30 2022-04-29 北京凯普林光电科技股份有限公司 一种半导体激光装置
CN115808754B (zh) * 2023-02-08 2023-05-09 苏州浪潮智能科技有限公司 光模块冷却装置、光模块系统及光通讯装置
WO2024180970A1 (ja) * 2023-02-27 2024-09-06 古河電気工業株式会社 光学装置
DE102023107620A1 (de) * 2023-03-27 2024-10-02 Rogers Germany Gmbh Kühlvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Kühlvorrichtung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1507767A (zh) * 2001-03-19 2004-06-23 哈里公司 包含冷却基片的电子模块及相关方法
US7599414B2 (en) * 2004-08-12 2009-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser device
CN203377483U (zh) * 2013-06-17 2014-01-01 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 激光光源、发光装置及投影系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7732918B2 (en) * 2003-08-25 2010-06-08 Nanoconduction, Inc. Vapor chamber heat sink having a carbon nanotube fluid interface
US7058101B2 (en) * 2003-09-20 2006-06-06 Spectra Physics, Inc. Stepped manifold array of microchannel heat sinks
DE502007005554D1 (de) 2007-05-30 2010-12-16 Iie Ges Fuer Innovative Indust Lasermodul
TW201018841A (en) * 2008-11-12 2010-05-16 Metal Ind Res & Dev Ct Unitized cooling module for laser diode
US8018980B2 (en) * 2010-01-25 2011-09-13 Lawrence Livermore National Security, Llc Laser diode package with enhanced cooling
WO2012056566A1 (ja) 2010-10-29 2012-05-03 古河電気工業株式会社 光増幅装置および光伝送システム
US9077142B2 (en) * 2011-03-15 2015-07-07 Shanghai Jiao Tong University Air-cooled laser device
US10006720B2 (en) * 2011-08-01 2018-06-26 Teledyne Scientific & Imaging, Llc System for using active and passive cooling for high power thermal management
GB2497947B (en) 2011-12-22 2017-09-06 The Science And Tech Facilities Council Mounting vane for optical element of a laser
US9001856B1 (en) * 2014-03-20 2015-04-07 Coherent, Inc. Diode laser bar mounted on a copper heat-sink
CN109314363B (zh) * 2016-04-26 2020-09-11 恩耐公司 低尺寸和重量、高功率光纤激光泵
WO2018200863A1 (en) 2017-04-26 2018-11-01 Nlight, Inc. Low swap laser pump diode module and laser amplifier incorporating the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1507767A (zh) * 2001-03-19 2004-06-23 哈里公司 包含冷却基片的电子模块及相关方法
US7599414B2 (en) * 2004-08-12 2009-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser device
CN203377483U (zh) * 2013-06-17 2014-01-01 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 激光光源、发光装置及投影系统

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Publication number Publication date
US10109978B2 (en) 2018-10-23
US20190052050A1 (en) 2019-02-14
US20170358900A1 (en) 2017-12-14
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