CN109300804B - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109300804B
CN109300804B CN201810805556.6A CN201810805556A CN109300804B CN 109300804 B CN109300804 B CN 109300804B CN 201810805556 A CN201810805556 A CN 201810805556A CN 109300804 B CN109300804 B CN 109300804B
Authority
CN
China
Prior art keywords
processing apparatus
substrate processing
ultrasonic
baffle
tables
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810805556.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109300804A (zh
Inventor
金基哲
崔峰满
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN109300804A publication Critical patent/CN109300804A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109300804B publication Critical patent/CN109300804B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

基板处理装置可包括连续地配置的多个工作台、能够使得所述多个工作台之间相隔绝的挡板及位于所述多个工作台的下部且在所述挡板位于所述多个工作台之间时向所述挡板的两侧部施加力以相对于所述多个工作台整列所述挡板的整列部件。本发明的基板处理装置能够使得实质上连续地配置的多个工作台之间相隔绝。

Description

基板处理装置
本申请要求于2017年7月25日向韩国特许厅申请的韩国专利申请第10-2017-0094081号的优先权。
技术领域
本发明例示的实施例涉及基板处理装置。更具体来讲，本发明例示的实施例涉及包括能够使得实质上连续地配置的多个工作台之间相隔绝的挡板的基板处理装置。
背景技术
制造平板显示(Flat Panel Display：FPD)装置之类的显示装置时通常可能使用具有连续地配置的多个工作台的基板处理装置。这种基板处理装置的例子有提供约60℃的温度的工作台及提供约110℃的温度的工作台连续地配置的烘干装置。
在所述基板处理装置中，所述连续地配置的多个工作台在对基板执行工程时能够影响工程条件，因此在对所述基板执行所述工程期间可能需要用挡板(shutter)使得所述连续地配置的工作台之间相隔绝。
但现有的基板处理装置的挡板大体上以摆动方式驱动，因此所述挡板的设置可能会需要相对大的空间，这种挡板和内部配置有所述多个工作台的腔室的壁可能发生碰撞产生颗粒物。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供一种包括能够从外部隔绝用于对基板执行工程的空间的挡板及用于整列所述挡板的整列部件的基板处理装置。
本发明的另一目的是提供一种包括能够使得连续地配置的多个工作台之间相隔绝的挡板及相对于所述连续地配置的多个工作台整列所述挡板的整列部件的基板处理装置。
本发明的又一目的是提供一种包括能够使得连续地配置的多个超声波工作台之间相隔绝的挡板及相对于所述多个超声波工作台整列所述挡板的整列部件的基板处理装置。
技术方案
根据本发明的一个方面，提供一种包括挡板及整列部件的基板处理装置。所述挡板能够从外部隔绝用于对基板执行制造集成电路装置所需的工程的空间。所述整列部件在利用所述挡板从所述外部隔离所述空间时能够向所述挡板的两侧部施加力以整列所述挡板。
根据例示的实施例，所述基板处理装置还可以包括：工程腔室，其包括对所述基板执行所述工程的所述空间；以及出入部，其配置于所述工程腔室的至少一侧部用于承载及卸载所述基板。该情况下，所述挡板可隔绝所述出入部。
根据例示的实施例，所述基板处理装置可包括连续地配置的两个工程腔室。其中，所述连续地配置的两个工程腔室的出入部可彼此相对地配置，所述挡板能够使得所述连续地配置的两个工程腔室的出入部之间相隔绝。
根据例示的实施例，所述挡板可向实质上垂直的方向移动以从所述外部隔绝用于执行所述工程的所述空间。
根据例示的实施例，所述挡板可位于所述工程腔室的下部，可向所述工程腔室的实质上的上方移动。
根据例示的实施例，所述挡板可包括实质上具有薄膜形状的板。
根据例示的实施例，从所述整列部件施加于所述挡板的两侧部的力可由超声波发生。
根据例示的实施例，从所述整列部件施加于所述挡板的两侧部的力可由空气发生。
根据例示的实施例，从所述整列部件施加于所述挡板的两侧部的力可具有实质上相同的大小。
根据本发明的另一方面，提供一种包括连续地配置的多个工作台的基板处理装置。所述基板处理装置还可以包括：挡板，其使得所述多个工作台之间相隔绝；以及整列部件，其配置于所述多个工作台的下部且在所述挡板位于所述多个工作台之间时向所述挡板施力以相对于所述多个工作台整列所述挡板。
根据例示的实施例，所述挡板可在所述多个工作台之间向实质上垂直的方向移动使得所述多个工作台之间相隔绝。
根据例示的实施例，所述挡板可位于所述多个工作台的下部，实质上可向所述多个工作台的上方移动。
根据例示的实施例，所述挡板可包括实质上具有薄膜形状的板。
根据例示的实施例，所述力可从所述整列部件施加于所述挡板的两侧部。
根据例示的实施例，从所述整列部件施加于所述挡板的两侧部的力可由超声波或空气发生。
根据例示的实施例，从所述整列部件施加于所述挡板的两侧部的力可具有实质上相同的大小。
根据本发明又一方面，提供一种包括能够利用超声波浮起基板的连续地配置的多个超声波工作台的基板处理装置。所述基板处理装置还可以包括：挡板，其使得所述多个超声波工作台之间相隔绝；以及超声波整列部件，其配置于所述多个超声波工作台的下部且在所述挡板位于所述多个超声波工作台之间时向所述挡板提供超声波以相对于所述多个超声波工作台整列所述挡板。
根据例示的实施例，所述挡板可在所述多个超声波工作台之间向实质上垂直的方向移动使得所述多个超声波工作台之间相隔绝。
根据例示的实施例，所述挡板可配置于所述多个超声波工作台的下部，实质上可向所述多个超声波工作台的上方移动。
根据例示的实施例，所述挡板可包括实质上具有薄膜形状的板。
根据例示的实施例，所述超声波整列部件可向所述挡板的两侧部施加实质上相同强度的超声波。
技术效果
根据本发明例示的实施例，所述基板处理装置可包括所述连续地配置的多个工作台、具有所述实质上具有薄膜形状的板的挡板及能够以非接触方式相对于所述连续地配置的多个工作台整列所述挡板的整列部件。因此，具有上述构成的基板处理装置能够有利地设置于相对狭窄的空间内。并且，由于能够以所述非接触方式相对于所述连续地配置的多个工作台整列所述挡板，因此能够防止所述挡板与所述连续地配置的工作台的角部及/或侧部发生碰撞。
附图说明
图1为显示本发明例示实施例的基板处理装置的简要示意图；
图2为显示本发明例示实施例的包括超声波工作台的基板处理装置的简要示意图。
具体实施方式
本发明可实施多种变更，可以具有多种形态，说明书对例示的实施例进行详细说明。但这些实施例并非用于将本发明限定于特定的公开形态，实际上应该理解为包括本发明的思想及技术范围内的所有变更、等同物及替代物。在说明各附图时对类似的构成要素标注类似的附图标记。第一、第二等用语可用于说明多种构成要素，但所述构成要素并非受限于所述用语。所述用语只是用于使一个构成要素与其他构成要素相区分。本申请中使用的用语只是用于说明特定实施例，而并非限定本发明。单数的表现形式在无其他明确说明的情况下还包括复数的表现形式。应该将本申请中所述的“包括”或“具有”、“构成”等用语理解为存在说明书上记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合，而不应理解为预先排除一个或多个其他特征或数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合。
若无另行定义，包括技术用语或科学用语在内的此处使用的所有用语均表示与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解相同的意思。通常使用的词典中定义过的用语应解释为与相关技术的文章脉络相一致的意思，本申请中没有明确定义的情况下不得解释为理想或过度形式性的意思。
以下说明本发明例示实施例的基板处理装置。
根据本发明例示的实施例，基板处理装置可包括为了制造平板显示装置之类的显示装置而对基板执行多种工程的预定的空间。可对所述基板执行用于制造例如半导体装置、平板显示装置等集成电路装置的多种工程。
例示的实施例的基板处理装置可包括能够提供用于执行制造所述集成电路装置所需的多种工程的所述空间的工程腔室。例如，所述工程腔室可包括真空腔室、加热腔室等。这种工程腔室的一侧部或两侧部可具有用于承载及/或卸载所述基板的出入部(可以有多个)。
根据例示的实施例，所述基板处理装置可包括至少两个工程腔室，所述至少两个工程腔室可连续地配置。该情况下，所述工程腔室的出入部可以实质上彼此相对。各所述工程腔室可包括上部承载所述基板的工作台。根据例示的实施例，一个工程腔室可包括至少两个工作台，这种工作台可连续地配置于所述工程腔室内。根据另一例示的实施例，各所述工程腔室可以仅包括一个工作台。各所述工程腔室具有一个工作台的情况下，所述工程腔室的工作台可以随着所述工程腔室的出入部的配置而实质上连续地配置。例如，各所述工程腔室的出入部可配置成实质上彼此相对，因而所述工程腔室的工作台可实质上连续地配置。
根据例示的实施例，所述基板处理装置可包括挡板及整列部件。所述挡板能够从外部实质性地隔绝可用于对所述基板执行多种工程的所述空间。所述整列部件在利用所述挡板从外部隔绝所述空间时可以以非接触方式向所述挡板的两侧部提供预定的力以整列所述挡板。
所述挡板可实质性地隔绝所述工程腔室的出入部。多个所述工程腔室的出入部实质上彼此相对地连续地配置的情况下，所述挡板能够使得所述连续地配置的多个工程腔室的出入部之间相隔绝。例如，所述挡板实质上可以向垂直方向移动使得多个所述工程腔室的出入部之间相隔绝，因此能够从外部隔离所述工程腔室内的可用于执行所述工程的空间。根据例示的实施例，所述挡板可向上方移动隔绝多个所述工程腔室的出入部。所述挡板可包括实质上具有薄膜形态的板。
如上所述，所述整列部件为了整列所述挡板，能够以非接触方式向所述挡板的两侧部提供预定的力。根据例示的实施例，所述整列部件可向所述挡板的两侧部提供超声波或空气。换而言之，所述整列部件可向所述挡板的两侧部施加通过超声波发生的力或通过空气发生的力。在此，所述整列部件可向所述挡板的两侧部提供实质上相同大小的力。
以下参见附图更具体地说明本发明例示的实施例。在附图中对相同或相似的构成要素使用相同或相似的附图标记。
图1是显示本发明例示实施例的基板处理装置的简要示意图。
参见图1，例示的实施例的基板处理装置100可包括实质上连续地配置的多个工作台11。这种连续地配置的工作台11可配置于所述基板处理装置100的工程腔室(未示出)内。例如，所述多个工作台11可沿着在所述工程腔室内对基板执行多种工程期间所述基板移动的方向相邻地配置。并且，所述多个工作台11可以彼此相隔预定的间隔。
根据例示的实施例，所述多个工作台11实质上连续地配置，因此若对所述基板执行所述工程期间不隔绝所述多个工作台11，则对所述工程的工程条件产生不利影响，因此可能无法对所述基板适当地执行所述工程。因此，所述基板处理装置100可具有对所述基板执行所述工程期间能够将所述连续地配置的多个工作台11相隔离的挡板13。这种挡板13可在所述基板于所述多个工作台11之间移送期间不隔绝所述工作台11，对承载于所述多个工作台11上的所述基板执行所述工程期间隔离所述多个工作台11。
根据例示的实施例，所述多个工作台11为了确保在所述多个工作台11上部移送所述基板期间所述基板的稳定性且最小化所述多个工作台11之间可能发生的温度偏差，可尽可能邻近地配置。为此，所述基板处理装置100的挡板13可包括具有薄膜形态的板。即，所述挡板13如上使得邻近地配置的所述多个工作台11之间相隔绝，因此所述挡板13可包括具有所述薄膜形状的板。
所述挡板13包括具有所述薄膜形态的板的情况下，所述挡板13能够在所述多个工作台11之间向实质上垂直的方向移动使得所述多个工作台11相隔绝。为了使所述挡板13在所述多个工作台11之间移动，所述基板处理装置100可包括驱动部件17。例如，所述驱动部件17实质上可具有气缸结构。并且。所述驱动部件17可以向上方驱动位于所述多个工作台11下部的所述挡板13。
所述基板处理装置100是在预定的温度范围对基板加热的烘干装置的情况下，所述多个工作台11上部可能频繁发生烟雾(fume)，因此所述挡板13可位于所述多个工作台11下部。该情况下，所述基板处理装置100的驱动部件17能够在所述工作台11之间向上方移动配置在多个工作台11下部的所述挡板13。
根据例示的实施例，所述驱动部件17在所述邻近地配置的多个工作台11之间向实质上垂直的方向移动可包括所述薄膜形态的板的挡板13期间，所述挡板13可能与所述多个工作台11的角部及/或侧部发生碰撞。为了防止所述多个工作台11与所述挡板13发生碰撞，这种所述基板处理装置100可包括连接于所述挡板13的整列部件15。所述整列部件15可配置于所述多个工作台11下部，为了使得所述挡板13在所述多个工作台11之间移动时所述挡板13与所述多个工作台11相隔预定的间隔，可以相对于所述多个工作台11整列所述挡板13。
所述整列部件15可向所述挡板13施加预定的力以隔离所述挡板13与所述多个工作台11的角部及/或侧部。根据例示的实施例，所述整列部件15可向所述挡板13的两侧部提供预定的力。因此，所述挡板13能够从所述多个工作台11的角部及/或侧部隔开实质上相同的间隔。在此，通过所述整列部件15施加于所述挡板的两侧部的力可具有实质上相同的大小。
根据例示的实施例，所述整列部件15可以以非接触方式向所述挡板13施加预定的力。例如，所述整列部件15可向所述挡板13的两侧部提供超声波或空气。即，所述整列部件15可向所述挡板13的两侧部上提供从所述超声波发生的力。从所述整列部件15施加于所述挡板13的两侧部的力的大小不同的情况下，所述挡板13可能会与所述多个工作台11的角部及/或侧部发生碰撞。因此，所述整列部件15可以向所述挡板13的两侧部施加大小实质上相同的力。
根据本发明例示的实施例，所述基板处理装置100可具有邻近地配置的多个工作台11及包括所述板的挡板13，因此在所述多个工作台11上部移送所述基板时能够确保所述基板的稳定性，能够最小化所述多个工作台11之间的温度偏差。并且，所述基板处理装置100可包括以非接触方式向所述挡板13提供力以相对于所述多个工作台11整列所述挡板13的所述整列部件15，因此能够防止由于所述整列部件15与所述挡板13接触而可能发生的颗粒物，因此能够提高对所述基板执行的工程的可靠性。
以下，对本发明例示的实施例的包括超声波工作台的基板处理装置进行说明。
图2是显示包括本发明例示的实施例的包括超声波工作台的基板处理装置的简要示意图。
参见图2，例示的实施例的基板处理装置200(以下，称为“超声波基板处理装置”)可具有多个超声波工作台21连续地配置的结构。所述多个超声波工作台21可用超声波浮起基板。
所述超声波基板处理装置200例如有可包括能够提供约60℃左右的温度的超声波工作台21及能够提供约110℃左右的温度的超声波工作台21的烘干装置。这些超声波工作台21实质上可以连续地配置。
所述超声波基板处理装置200可包括能够使得所述连续地配置的所述多个超声波工作台21之间相隔绝的挡板23。所述超声波基板处理装置200的挡板23可具有实质上与参见图1说明的基板处理装置100的挡板13相同或相似的构成。图2中，附图标记27表示所述超声波基板处理装置200的驱动部件。所述超声波基板处理装置200的驱动部件27实质上可以与参见图1说明的例示的基板处理装置100的驱动部件17相同或相似。
所述超声波基板处理装置200可包括所述挡板23位于所述多个超声波工作台21之间时相对于所述多个超声波工作台21整列所述挡板23的整列部件25。所述整列部件25可向所述挡板23提供超声波。例如，所述整列部件25可向所述挡板23的两侧部提供超声波。
根据另一例示的实施例，所述超声波基板处理装置200可包括所述多个超声波工作台21，因此所述多个超声波基板处理装置200可不包括相对于所述超声波工作台21整列所述挡板23的整列部件25。换而言之，所述多个超声波工作台21能够分别向所述挡板23的侧部提供超声波，因此所述超声波基板处理装置200可以不另外包括整列部件。例如，所述挡板23位于所述多个超声波工作台21之间时所述多个超声波工作台21能够向所述挡板23的两侧部提供超声波，因此所述挡板23可相对于所述多个超声波工作台21适当地整列。在此，从所述多个超声波工作台21向所述挡板23提供的超声波可具有实质上相同的强度。
根据例示的实施例，所述超声波基板处理装置200包括所述整列部件25的情况下，所述整列部件25可向所述挡板23两侧部提供实质上相同的强度的超声波。
如上所述，所述超声波基板处理装置200可包括所述多个超声波工作台21及具有所述板的挡板23，因此在所述邻近地配置的多个超声波工作台21的上部移送所述基板时能够确保所述基板的稳定性，能够最小化所述超声波工作台21之间发生的温度偏差。并且，所述超声波基板处理装置200可包括以非接触方式向所述挡板23提供超声波的所述整列部件25，因此能够最小化所述多个超声波工作台21与所述挡板23接触而发生的颗粒物，因此能够提高对所述基板执行的工程的可靠性。
根据本发明例示的实施例，基板处理装置可有效地用于包括为了处理基板而连续地配置的多个工作台的装置。例如，所述基板处理装置能够适用于将基板实质上加热到不同的温度的多个工作台连续地配置的烘干装置。
以上对本发明例示的实施例进行了说明，但本技术领域的普通技术人员应理解可以在不超出技术方案记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明进行多种修正及变更。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
工程腔室，其包括对基板执行工程的空间以制造集成电路装置；
出入部，其配置于所述工程腔室的至少一侧部用于承载及卸载所述基板；
挡板，其隔绝所述出入部；以及
整列部件，其在利用所述挡板从外部隔离所述空间时向所述挡板的两侧部施加由超声波发生的力以整列所述挡板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
包括连续地配置的两个工程腔室，
所述连续地配置的两个工程腔室的出入部彼此相对地配置，
所述挡板使得所述连续地配置的两个工程腔室的出入部之间相隔绝。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板向垂直方向移动以从所述外部隔绝用于执行所述工程的所述空间。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板位于所述工程腔室的下部，向所述工程腔室的上方移动。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板包括具有薄膜形状的板。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
从所述整列部件施加于所述挡板的两侧部的力具有相同的大小。
7.一种基板处理装置，包括连续地配置的多个工作台，其特征在于，包括：
挡板，其使得所述多个工作台之间相隔绝；以及
整列部件，其配置于所述多个工作台的下部且在所述挡板位于所述多个工作台之间时向所述挡板的两侧部施加由超声波发生的力以相对于所述多个工作台整列所述挡板。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板在所述多个工作台之间向垂直方向移动使得所述多个工作台之间相隔绝。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板位于所述多个工作台的下部，向所述多个工作台的上方移动。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板包括具有薄膜形状的板。
11.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
从所述整列部件施加于所述挡板的两侧部的力具有相同的大小。
12.一种基板处理装置，包括能够利用超声波浮起基板的连续地配置的多个超声波工作台，其特征在于，包括：
挡板，其使得所述多个超声波工作台之间相隔绝；以及
超声波整列部件，其配置于所述多个超声波工作台的下部且在所述挡板位于所述多个超声波工作台之间时向所述挡板提供超声波以相对于所述多个超声波工作台整列所述挡板。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板在所述多个超声波工作台之间向垂直方向移动使得所述多个超声波工作台之间相隔绝。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板配置于所述多个超声波工作台的下部，向所述多个超声波工作台的上方移动。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于：
所述挡板包括具有薄膜形状的板。
16.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于：
所述超声波整列部件向所述挡板的两侧部施加相同强度的超声波。
CN201810805556.6A 2017-07-25 2018-07-20 基板处理装置 Active CN109300804B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170094081A KR101922184B1 (ko) 2017-07-25 2017-07-25 기판 처리 장치
KR10-2017-0094081 2017-07-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109300804A CN109300804A (zh) 2019-02-01
CN109300804B true CN109300804B (zh) 2022-05-10

Family

ID=64603036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810805556.6A Active CN109300804B (zh) 2017-07-25 2018-07-20 基板处理装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101922184B1 (zh)
CN (1) CN109300804B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1150924A (zh) * 1995-08-22 1997-06-04 株式会社厄泰克斯 超声波振动接合装置
JP2006046489A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Nippon Valqua Ind Ltd 真空用ゲート弁
KR100950929B1 (ko) * 2009-08-14 2010-04-01 최철규 발광 다이오드 제조를 위한 리프트-오프 장치의 침전조
JP2010166033A (ja) * 2008-12-15 2010-07-29 Canon Anelva Corp 基板処理装置、熱処理基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法
CN203116250U (zh) * 2012-12-27 2013-08-07 格力电器（中山）小家电制造有限公司 加热装置及超声波加湿器
JP2015065352A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 東レエンジニアリング株式会社 基板浮上装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3122061B2 (ja) 1997-07-22 2001-01-09 株式会社カイジョー 超音波式浮揚搬送機構を備えたクラスターツール型枚葉処理装置
US6206176B1 (en) 1998-05-20 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle having a magnetic drive
JP3842203B2 (ja) 2002-11-07 2006-11-08 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1150924A (zh) * 1995-08-22 1997-06-04 株式会社厄泰克斯 超声波振动接合装置
JP2006046489A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Nippon Valqua Ind Ltd 真空用ゲート弁
JP2010166033A (ja) * 2008-12-15 2010-07-29 Canon Anelva Corp 基板処理装置、熱処理基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法
CN101866825A (zh) * 2008-12-15 2010-10-20 佳能安内华股份有限公司 衬底处理设备、衬底退火方法及半导体器件制造方法
KR100950929B1 (ko) * 2009-08-14 2010-04-01 최철규 발광 다이오드 제조를 위한 리프트-오프 장치의 침전조
CN203116250U (zh) * 2012-12-27 2013-08-07 格力电器（中山）小家电制造有限公司 加热装置及超声波加湿器
JP2015065352A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 東レエンジニアリング株式会社 基板浮上装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101922184B1 (ko) 2018-11-26
CN109300804A (zh) 2019-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101088289B1 (ko) 탑재대, 처리 장치 및 처리 시스템
US10823778B2 (en) Inspection system
US20180033674A1 (en) Substrate processing apparatus and method of operating the same
JP4744427B2 (ja) 基板処理装置
JP6564642B2 (ja) 基板搬送室、基板処理システム、及び基板搬送室内のガス置換方法
US8113142B2 (en) Apparatus for processing a substrate
US8113141B2 (en) Apparatus for processing a substrate
JP5068738B2 (ja) 基板処理装置およびその方法
US10763152B2 (en) Substrate support unit, heat treatment unit, and substrate treating apparatus including the same
US8115142B2 (en) Plate, apparatus for adjusting temperature of substrate having the plate and apparatus for processing substrate having the plate
KR102123825B1 (ko) 얼라인모듈
US9613837B2 (en) Substrate processing apparatus and maintenance method thereof
CN109300804B (zh) 基板处理装置
KR20140069715A (ko) 대면적 원자층 증착 장치
KR100796052B1 (ko) 처리장치 시스템
TW201720737A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5778944B2 (ja) 基板処理装置
KR101853371B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20150097861A (ko) 반도체 부품 적재용 매거진 이송장치
KR101361711B1 (ko) 공정챔버의 지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치
JP2013003157A (ja) 露光ユニット及びそれを用いた露光方法
KR20180021263A (ko) 기판 냉각 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 설비
KR102544865B1 (ko) 기판 가열 장치
KR101720272B1 (ko) 배치 타입 인라인 열처리 장치
KR20150012846A (ko) 기판 처리 설비

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant