CN109299635B - 指纹传感器及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种指纹传感器及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括多个像素区；在所述基底像素区上形成传感介质结构，所述传感介质结构中具有传感连接结构；在所述传感介质结构和传感连接结构表面形成电极板；对所述电极板进行鼓包处理，在电极板表面形成若干凸起；所述鼓包处理之后，在所述电极板上形成绝缘介质结构。指纹传感器在工作过程中，手指与所述绝缘介质结构接触，手指、绝缘介质结构和电极板构成电容器。所述凸起能够增加电极板表面的面积，从而增加所述电容器的电容，进而能够增加指纹传感器的灵敏度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种指纹传感器及其形成方法。
背景技术
指纹传感器是实现指纹自动采集的关键器件。按传感原理，即指纹成像原理，指纹传感器可以分为光学指纹传感器、半导体电容传感器、半导体热敏传感器、超声波传感器和射频(RF)传感器等。指纹传感器的制造技术是一项综合性强、技术复杂度高、制造工艺难的高新技术。
半导体电容传感器主要是利用电容的原理实现指纹图像的采集。半导体电容传感器具有价格低、体积小、识别率高等优点，常用于手机、电脑、汽车或房屋安全识别。
半导体电容传感器的原理是，半导体电容传感器包括一块集成有成千上万半导体器件的“平板”，手指贴在“平板”上作为电容的一个电极。由于手指平面凸凹不平，凸点处和凹点处接触平板的实际距离大小就不一样，形成的电容数值也就不一样，设备根据这个原理将采集到的不同的数值汇总，也就完成了指纹的采集。
然而，现有的半导体指纹传感器的灵敏度较差。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种指纹传感器及其形成方法，能够提高指纹传感器的灵敏度。
为解决上述问题，本发明提供一种指纹传感器的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括多个像素区；在所述基底像素区上形成传感介质结构，所述传感介质结构中具有传感连接结构，所述传感介质结构暴露出所述传感连接结构，所述传感连接结构连接所述基底；在所述传感介质结构和传感连接结构表面形成电极板；对所述电极板进行鼓包处理，在电极板表面形成若干凸起；所述鼓包处理之后，在所述电极板上形成绝缘介质结构。
可选的，所述电极板的材料为铜。
可选的，所述鼓包处理的步骤包括：向所述电极板表面通入鼓包气体，所述鼓包气体为含氮气体；在所述鼓包气体气氛下，对所述电极板进行退火。
可选的，所述鼓包气体包括氨气和氮气中的一种或两种组合。
可选的，所述鼓包处理的工艺参数包括：鼓包气体包括氨气；氨气的流量为180sccm～220sccm；偏置功率为150W～500W；处理时间为15s～120s；退火温度为300℃～400℃。
可选的，所述电极板的厚度为
可选的，所述绝缘介质结构包括：位于所述电极板上的钝化层和位于所述钝化层上的保护层。
可选的，所述钝化层的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或两种组合；所述保护层的材料包括聚酰亚胺。
可选的，所述凸起为半球型，所述凸起的半径为
可选的，所述基底还包括：逻辑区以及位于所述逻辑区与像素区之间的隔离区；所述逻辑区基底上具有逻辑介质结构，所述逻辑介质结构中具有逻辑连接结构；所述隔离区基底上具有隔离介质结构；形成所述电极板之前，还包括：在所述隔离区隔离介质结构上形成隔离结构。
可选的，形成所述隔离结构的步骤包括：在所述传感介质结构、传感连接结构、隔离介质结构、逻辑介质结构和逻辑连接结构上形成隔离层；去除所述像素区和逻辑区的隔离层，形成隔离结构。
可选的，还包括：在所述逻辑介质结构和逻辑连接结构表面形成顶层金属层；形成所述电极板和顶层金属层的步骤包括：在所述传感介质结构、传感连接结构、隔离结构、逻辑介质结构和逻辑连接结构表面形成电极层；对所述电极层进行平坦化处理，去除所述隔离结构上的电极层，在所述像素区形成电极板，并在所述逻辑区形成顶层金属层。
可选的，形成所述电极层的工艺包括电镀工艺。
可选的，形成所述隔离层之前，所述形成方法还包括：在所述传感介质结构、传感连接结构、隔离介质结构、逻辑介质结构和逻辑连接结构上形成停止层；去除所述像素区和逻辑区的隔离层之后，所述形成方法还包括：去除所述像素区和逻辑区的停止层。
可选的，所述隔离结构的材料为氧化硅；所述停止层的材料为氮化硅。
可选的，相邻凸起中心之间的距离为
本发明实施例还提供一种指纹传感器，包括：基底，所述基底包括多个像素区；位于所述基底像素区上的传感介质结构；位于所述传感介质结构中的传感连接结构，所述传感介质结构暴露出所述传感连接结构，所述传感连接结构连接所述基底；位于所述传感介质结构和传感连接结构表面的电极板，所述电极板表面具有若干凸起；位于所述电极板上的绝缘介质结构。
可选的，所述电极板的材料为铜。
可选的，所述绝缘介质结构包括：位于所述电极板上的钝化层和位于所述钝化层上的保护层；所述钝化层的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或两种组合；所述保护层的材料为聚酰亚胺。
可选的，所述凸起为半球型，所述凸起的半径为
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的指纹传感器的形成方法中，通过所述鼓包处理，在所述电极板表面形成凸起。指纹传感器在工作过程中，手指与所述绝缘介质结构接触，手指、绝缘介质结构和电极板构成电容器。所述凸起能够增加电极板表面的面积，从而增加所述电容器的电容，进而能够增加指纹传感器的灵敏度。
进一步，所述凸起为半球型，所述凸起的半径为
所述凸起的半径较小，小于指纹的凸点与凹点之间的高度差。所述凸起的半径较小不容易影响所述凸点到所述电极板之间的间距，以及所述凹点到所述电极板之间的间距，从而能够使所述凹点到电极板之间的间距大于所述凸点到所述电极板之间的间距。综上，所述凸起不容易影响指纹凹点处与凸点处的电容之差，从而能够使所述指纹传感器具有较高的精度。
本发明技术方案提供的指纹传感器中，指纹传感器在工作过程中，手指与所述绝缘介质结构接触，手指、绝缘介质结构和电极板构成电容器。所述电极板表面具有凸起，所述凸起能够增加电极板表面的面积，从而增加所述电容器的电容，进而能够增加指纹传感器的灵敏度。
附图说明
图1是本发明的指纹传感器的结构示意图；
图2至图8是本发明指纹传感器的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。
具体实施方式
指纹传感器存在诸多问题，例如：灵敏度较差。
现结合一种指纹传感器，分析所述指纹传感器的灵敏度较差的原因：
图1是一种指纹传感器的结构示意图。
所述指纹传感器包括：衬底100；位于所述衬底100上的栅极结构111；位于所述栅极结构111两侧衬底中的源区112和漏区113；连接所述漏区113的传感连接结构130；连接所述传感连接结构130的电极层110；位于所述电极层110上的介质结构120。
其中，所述指纹传感器工作过程中，手指与所述介质结构120接触，手指、介质结构120和电极层110构成电容器。由于手指指纹的凹点处与电极层110表面之间的距离较大，则所述手指指纹的凹点处形成的电容器的电容值较小；手指指纹的凸点处与电极层110表面之间的距离较小，则所述手指指纹的凸点处的电容器的电容值较大。因此，所述指纹传感器通过测量电容值能够对指纹进行识别。
然而，由于手指指纹的凸点和凹点与电极层110表面的距离差较小，则所述凸点与凹点处的电容差较小，所述指纹传感器的灵敏度较差；另外，如果所述介质结构120的厚度过小，不利于对电极层110进行保护，因此所述介质结构120的厚度不容易减小，导致所述电容器的电容值较小。因此，所述指纹传感器的灵敏度较差。
为解决所述技术问题，本发明提供了一种指纹传感器的形成方法，包括：对所述电极板进行鼓包处理，在电极板表面形成若干凸起；所述鼓包处理之后，在所述电极板上形成绝缘介质结构。指纹传感器在工作过程中，手指与所述绝缘介质结构接触，手指、绝缘介质结构和电极板构成电容器。所述凸起能够增加电极板表面的面积，从而增加所述电容器的电容，进而能够增加指纹传感器的灵敏度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2至图8是本发明的指纹传感器的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。
请参考图2，提供基底，所述基底包括像素区A。
所述像素区A用于形成像素单元，所述像素单元用于将指纹信号转化为电信号。
所述基底包括多个像素区A。多个像素区A呈矩阵式排列。
所述基底还包括：逻辑区C；位于所述逻辑区C与像素区A之间、以及相邻像素区A之间的隔离区B。
所述逻辑区C用于对像素区A的电信号进行处理；所述隔离区B用于实现逻辑区C与像素区A之间，以及相邻像素区A之间的电隔离。
所述基底包括：衬底200和位于所述衬底200像素区A的传感晶体管；位于所述衬底200逻辑区C的逻辑晶体管。
所述传感晶体管用于将指纹信息转换为电信号；所述逻辑晶体管用于对所述电信号进行逻辑处理。
所述传感晶体管包括：位于所述像素区A衬底200上的像素栅极结构211；分别位于所述像素栅极结构211两侧衬底200中的传感源区212和传感漏区213。
所述逻辑晶体管包括：位于所述逻辑区C衬底200上的逻辑栅极结构251；分别位于所述逻辑栅极结构251两侧衬底200中的逻辑漏区252和逻辑漏区253。
继续参考图2，在所述基底像素区A上形成传感介质结构，所述传感介质结构中具有传感连接结构220，所述传感介质结构暴露出所述传感连接结构220，所述传感连接结构220连接所述基底。
所述传感连接结构220用于实现所述传感晶体管与后续形成的电极板之间的电连接；所述传感介质结构用于实现传感连接结构220与外部电路的电隔离。
具体的，所述传感连接结构220连接所述传感晶体管的传感漏区213。
所述形成方法还包括：在所述逻辑区C基底上形成逻辑介质结构和位于所述逻辑介质结构中的逻辑连接结构，所述逻辑介质结构暴露出所述逻辑连接结构，所述逻辑连接结构连接所述逻辑区C基底。
所述逻辑连接结构连接所述逻辑栅极结构251。
所述传感介质结构包括：位于所述基底像素区A上的多层层叠设置的传感介质层202。
所述传感连接结构220包括：多个交替层叠设置的传感插塞221和传感连接线222，所述传感插塞221位于所述传感介质层202中，且贯穿所述传感介质层202，所述传感连接线222位于传感介质层202上，且连接所述传感插塞221。所述传感介质结构暴露出顶层的传感插塞221顶部。
所述逻辑介质结构包括：位于所述基底像素区A上的多层层叠设置的逻辑介质层201。
所述逻辑连接结构包括：多个交替层叠设置的逻辑插塞261和逻辑连接线262，所述逻辑插塞261位于所述逻辑介质层201中，且贯穿所述逻辑介质层201，所述逻辑连接线262位于逻辑介质层201上，且连接所述逻辑插塞261。所述逻辑介质结构暴露出顶层的逻辑插塞261顶部。
所述形成方法还包括：在所述基底隔离区B上形成隔离介质结构。
所述隔离介质结构用于实现逻辑连接结构与传感连接结构220之间的电绝缘。
隔离介质结构包括多层层叠设置的隔离介质层。
本实施例中，形成所述传感连接结构220、传感介质结构、逻辑连接结构、逻辑介质结构和隔离介质结构的步骤包括：在所述逻辑区C基底上形成逻辑介质层201，在所述隔离区B基底上形成隔离介质层，在所述像素区A基底上形成传感介质层202；在所述逻辑介质层201中形成逻辑插塞261，在所述传感介质层202中形成传感插塞221；在所述逻辑插塞261和逻辑介质层201上形成逻辑连接线262，并在所述传感插塞221和传感介质层202上形成传感连接线222。
所述逻辑连接线262、传感连接线222、逻辑插塞261和传感插塞221的材料为铝或钨。
形成逻辑连接线262、传感连接线222、逻辑插塞261和传感插塞221的工艺包括电镀工艺或有机金属化学气相沉积工艺。
所述逻辑介质层201、传感介质层202和隔离介质层的材料为氧化硅。
形成逻辑介质层201、传感介质层202和隔离介质层的工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。
后续在所述隔离区B的隔离介质结构上形成隔离结构。本实施例中，形成隔离结构的步骤如图3和图4所示。
请参考图3，在所述传感介质结构、传感连接结构220、隔离介质结构、逻辑介质结构和逻辑连接结构上形成隔离层231。
所述隔离层231用于后续形成隔离结构。
本实施例中，所述隔离层231的材料为氧化硅，氧化硅具有良好的绝缘性。在其他实施例中，所述隔离层的材料还可以为氮氧化硅或氮化硅。
形成隔离层231的工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。
所述隔离层231的厚度决定后续形成的电极板的厚度。如果所述隔离层231的厚度过小，后续形成的电极板的厚度过小，容易使电极板在后续的鼓包处理过程中出现微裂纹，从而影响电极板的导电性；如果所述隔离层231的厚度过大，容易增加工艺难度。具体的，本实施例中，所述隔离层231的厚度为
本实施例中，所述隔离层231的材料与所述逻辑介质层201的材料相同，且与所述传感介质层202的材料相同。形成所述隔离层231之前，还包括：在所述传感介质结构、传感连接结构220上、所述隔离介质结构、逻辑连接结构和逻辑介质结构上形成停止层230。
所述停止层230用于对后续刻蚀所述隔离层231的过程起刻蚀停止的作用。
在其他实施例中，所述隔离层的材料与所述逻辑介质层的材料不相同，所述隔离层的材料与所述传感介质层的材料不相同，形成所述隔离层之前，可以不形成所述停止层。
本实施例中，所述停止层230的材料为氮化硅。在其他实施例中，所述停止层的材料还可以为氮氧化硅。
如果所述停止层230的厚度过小，不利于对后续刻蚀所述隔离层231的过程进行控制；如果所述停止层230的厚度过大，容易增加工艺难度。具体的，本实施例中，所述停止层230的厚度为
请参考图4，去除所述像素区A和逻辑区C的隔离层231(见图3)，形成隔离结构232。
所述隔离结构232用于实现后续像素区A电极板与逻辑区C顶层金属之间，以及相邻像素区A电极板之间的电绝缘，所述隔离结构232还在后续对电极层240进行平坦化处理过程中起平坦化停止作用。
所述隔离结构232的材料与所述隔离层231的材料相同，具体的，所述隔离结构232的材料为氧化硅。
所述隔离结构232的厚度与所述隔离层231的厚度相同，具体的，所述隔离结构232的厚度为
去除所述像素区A和逻辑区C的隔离层231的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。
本实施例中，去除所述像素区A和逻辑区C的隔离层231之后，还包括：去除所述像素区A和逻辑区C的停止层230，暴露出所述传感连接结构和逻辑连接结构。
去除所述像素区A和逻辑区C的停止层230的工艺包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。
后续在所述传感介质结构和传感连接结构220表面形成电极板；在所述逻辑介质结构和逻辑连接结构表面形成顶层金属层。
本实施例中，形成所述电极板和顶层金属层的步骤如图5和图6所示。
请参考图5，在所述传感介质结构、传感连接结构220、所述隔离结构232、所述逻辑介质结构和逻辑连接结构表面形成电极层240。
所述电极层240用于后续形成电极板和顶层金属层。
所述电极层240的材料为铜。形成所述电极层240的工艺包括电镀工艺。
请参考图6，对所述电极层240(如图5所示)进行平坦化处理至暴露出所述隔离结构232表面，在所述像素区A形成电极板241，并在所述逻辑区C形成顶层金属层243。
所述电极板241用于作为电容器的一个极板，所述电容器用于将指纹信息转换为电信号。所述顶层金属层243用于实现所述逻辑连接结构与外部电路的电连接。
所述平坦化处理的工艺包括化学机械研磨工艺。
在所述平坦化处理过程中，所述隔离结构232对所述平坦化处理过程起平坦化停止作用。
所述电极板241的厚度等于所述隔离结构232与停止层230的厚度之和。具体的，所述电极板241的厚度为
请参考图7，对所述电极板241进行鼓包处理，在电极板241表面形成若干凸起242。
所述凸起242能够增加所述电极板241的表面的面积，从而增加电极板241和手指形成的电容器的电容值，从而能够增加所形成指纹传感器的灵敏度。
所述鼓包处理的步骤包括：向所述电极板241表面通入鼓包气体，所述鼓包气体为含氮气体；在所述鼓包气体气氛下，对所述电极板241进行退火。
在所述鼓包气体气氛下，对所述电极板241进行退火的过程中，所述鼓包气体中的氮原子与电极板241中的铜原子形成Cu-N键，从而使电极板241内部产生应力。电极板241中的铜原子在所述应力的作用下向电极板241表面扩散，在所述电极板241表面积聚形成凸起242，从而使电极板241表面面积增加。
本实施例中，所述鼓包气体包括氮气或氨气中的一种或两种组合。具体的，所述鼓包气体为氨气。在其他实施例中，所述鼓包气体还包括四甲基硅烷。
所述鼓包处理的参数包括：氨气的流量为180sccm～220sccm；偏置功率为150W～500W；处理时间为15s～120s；退火温度为300℃～400℃。
氨气的流量取180sccm～220sccm的意义在于：如果氨气流量过小，不容易使氮原子与铜原子形成Cu-N键，从而不利于形成所述凸起242；如果氨气的流量过大，容易产生材料浪费。
处理时间取15s～120s的意义在于：如果处理时间过短，形成所述凸起242的直径较小，不利于增加电极板241表面的面积；如果处理时间过长，容易导致所述电极板241中的Cu-N键含量过多，影响所述电极板241的导电性。
退火温度取300℃～400℃的意义在于：如果退火温度过低，不利于使氨气与电极板241反应，形成Cu-N键，从而不利于形成所述凸起242；如果退火温度过高，容易增加工艺成本。
本实施例中，所述鼓包处理还使所述顶层金属层243表面形成凸起242。
本实施例中，所述凸起242为半球型。
所述凸起242的半径较小，小于指纹的凸点与凹点之间的高度差。所述凸起242的半径较小不容易影响所述凸点到所述电极板241之间的间距以及所述凹点到所述电极板241之间的间距，从而能够使所述凹点到电极板241之间的间距大于所述凸点到所述电极板241之间的间距。综上，所述凸起242不容易影响指纹凹点处与凸点处的电容之差，从而能够使所述指纹传感器具有较高的精度。
如果所述凸起242的半径过小，不利于增加所述电极板241的表面面积；如果所述凸起242的半径过大，则所述电极板241中的Cu-N键含量较大，容易降低所述电极板241的导电性能。具体的，本实施例中，所述凸起242的半径为
如果相邻凸起242之间的间距过大，所述电极板241表面的凸起242较少，不利于增加所述电极板的表面面积，从而不利于增加所形成指纹传感器的灵敏度；如果相邻凸起242之间的间距过小，所述电极板241表面的凸起242较多，则所述电极板241中的Cu-N键含量较大，容易降低所述电极板241的导电性能。具体的，本实施例中，相邻凸起242之间的间距为100埃～5000埃。
请参考图8，所述鼓包处理之后，在所述电极板241上形成绝缘介质结构。
所述绝缘介质结构用于隔离所述电极板241与外部环境。在所形成的指纹传感器工作过程中隔离手指与所述电极板241，使手指、电极板241和所述绝缘介质结构构成电容器。指纹传感器通过对所述电容器的电容进行测量，将指纹信息转换为电信号。
需要说明的是，由于所述电极板241表面具有凸起242，使电极板241与所述绝缘介质层结构的接触面积较大，从而使所述电容器的电容较大，进而能够增加所形成指纹传感的灵敏度。
所述绝缘介质结构包括：位于所述电极板241上的钝化层251和位于所述钝化层251上的保护层252。
所述钝化层251还位于所述隔离结构232和所述顶层金属层243上。
所述钝化层251的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或两种组合。
所述保护层252的材料为聚酰亚胺。
继续参考图8，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括像素区A；位于所述基底像素区A上的传感介质结构；位于所述传感介质结构中的传感连接结构220，所述传感介质结构暴露出所述传感连接结构220，所述传感连接结构220连接所述基底；位于所述传感介质结构和传感连接结构220表面的电极板241，所述电极板241表面具有若干凸起242；位于所述电极板241上的绝缘介质结构。
所述基底像素区A的个数为多个。
本实施例中，所述基底还包括逻辑区C；位于逻辑区C和像素区A，以及相邻像素区A之间的隔离区B。
所述基底包括：衬底200和位于所述衬底200像素区A的传感晶体管；位于所述衬底200逻辑区C的逻辑晶体管。
所述传感晶体管用于将指纹信息转换为电信号；所述逻辑晶体管用于对所述电信号进行逻辑处理。
所述传感晶体管包括：位于所述像素区A衬底200上的像素栅极结构211；分别位于所述像素栅极结构211两侧衬底200中的传感源区212和传感漏区213。
所述逻辑晶体管包括：位于所述逻辑区C衬底200上的逻辑栅极结构251；分别位于所述逻辑栅极结构251两侧衬底200中的逻辑漏区252和逻辑漏区253。
所述传感介质结构包括：位于所述基底像素区A上的多层层叠设置的传感介质层202。
所述传感连接结构220包括：多个交替层叠设置的传感插塞221和传感连接线222，所述传感插塞221位于所述传感介质层202中，且贯穿所述传感介质层202，所述传感连接线222位于传感介质层202上，且连接所述传感插塞221。所述传感介质结构暴露出顶层的传感插塞221顶部。
所述指纹传感器还包括：位于所述逻辑区C基底上的逻辑介质结构，所述逻辑介质结构中具有逻辑连接结构。
所述逻辑介质结构包括：位于所述基底像素区A上的多层层叠设置的逻辑介质层201。
所述逻辑连接结构包括：多个交替层叠设置的逻辑插塞261和逻辑连接线262，所述逻辑插塞261位于所述逻辑介质层201中，且贯穿所述逻辑介质层201，所述逻辑连接线262位于逻辑介质层201上，且连接所述逻辑插塞261。所述逻辑介质结构暴露出顶层的逻辑插塞261顶部。
所述指纹传感器还包括：位于所述隔离区B基底上的隔离介质结构；位于所述隔离介质结构上的隔离结构232；位于所述隔离结构232与隔离介质结构之间的停止层230。
所述电极板241的材料为铜。
本实施例中，所述电极板241的厚度为
所述绝缘介质结构包括：位于所述电极板241上的钝化层251和位于所述钝化层251上的保护层252。
所述钝化层251的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或两种组合；所述保护层252的材料为聚酰亚胺。
本实施例中，所述凸起为半球型，所述凸起的半径为
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (19)
1.一种指纹传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括多个像素区；
在所述基底像素区上形成传感介质结构，所述传感介质结构中具有传感连接结构，所述传感介质结构暴露出所述传感连接结构，所述传感连接结构连接所述基底；
在所述传感介质结构和传感连接结构表面形成电极板；
对所述电极板进行鼓包处理，在电极板表面形成若干凸起；
所述鼓包处理之后，在所述电极板上形成绝缘介质结构；
其中，所述鼓包处理的步骤包括：向所述电极板表面通入鼓包气体，所述鼓包气体为含氮气体；在所述鼓包气体气氛下，对所述电极板进行退火；在对所述电极板进行退火的过程中，所述鼓包气体中的氮原子与电极板反应，使得电极板内部产生应力，在所述电极板表面积聚形成所述凸起。
2.如权利要求1所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述电极板的材料为铜。
3.如权利要求1所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述鼓包气体包括氨气和氮气中的一种或两种组合。
4.如权利要求2所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述鼓包处理的工艺参数包括：鼓包气体包括氨气；氨气的流量为180sccm～220sccm；偏置功率为150W～500W；处理时间为15s～120s；退火温度为300℃～400℃。
5.如权利要求1所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述电极板的厚度为
6.如权利要求1所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述绝缘介质结构包括：位于所述电极板上的钝化层和位于所述钝化层上的保护层。
7.如权利要求6所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述钝化层的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或两种组合；所述保护层的材料包括聚酰亚胺。
8.如权利要求1所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述凸起为半球型，所述凸起的半径为
9.如权利要求1所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述基底还包括：逻辑区以及位于所述逻辑区与像素区之间的隔离区；所述逻辑区基底上具有逻辑介质结构，所述逻辑介质结构中具有逻辑连接结构；所述隔离区基底上具有隔离介质结构；形成所述电极板之前，还包括：在所述隔离区隔离介质结构上形成隔离结构。
10.如权利要求9所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤包括：在所述传感介质结构、传感连接结构、隔离介质结构、逻辑介质结构和逻辑连接结构上形成隔离层；去除所述像素区和逻辑区的隔离层，形成隔离结构。
11.如权利要求10所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述逻辑介质结构和逻辑连接结构表面形成顶层金属层；形成所述电极板和顶层金属层的步骤包括：在所述传感介质结构、传感连接结构、隔离结构、逻辑介质结构和逻辑连接结构表面形成电极层；对所述电极层进行平坦化处理，去除所述隔离结构上的电极层，在所述像素区形成电极板，并在所述逻辑区形成顶层金属层。
12.如权利要求11所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，形成所述电极层的工艺包括电镀工艺。
13.如权利要求10所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层之前，所述形成方法还包括：在所述传感介质结构、传感连接结构、隔离介质结构、逻辑介质结构和逻辑连接结构上形成停止层；去除所述像素区和逻辑区的隔离层之后，所述形成方法还包括：去除所述像素区和逻辑区的停止层。
14.如权利要求13所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅；所述停止层的材料为氮化硅。
15.如权利要求1所述的指纹传感器的形成方法，其特征在于，相邻凸起中心之间的距离为
16.一种指纹传感器，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括多个像素区；
位于所述基底像素区上的传感介质结构；
位于所述传感介质结构中的传感连接结构，所述传感介质结构暴露出所述传感连接结构，所述传感连接结构连接所述基底；
位于所述传感介质结构和传感连接结构表面的电极板，所述电极板表面具有对电极板进行鼓包处理形成的若干凸起；
所述鼓包处理之后，形成位于所述电极板上的绝缘介质结构；
其中，所述鼓包处理的步骤包括：向所述电极板表面通入鼓包气体，所述鼓包气体为含氮气体；在所述鼓包气体气氛下，对所述电极板进行退火；在对所述电极板进行退火的过程中，所述鼓包气体中的氮原子与电极板反应，使得电极板内部产生应力，在所述电极板表面积聚形成所述凸起。
17.如权利要求16所述的指纹传感器，其特征在于，所述电极板的材料为铜。
18.如权利要求16所述的指纹传感器，其特征在于，所述绝缘介质结构包括：位于所述电极板上的钝化层和位于所述钝化层上的保护层；所述钝化层的材料包括氧化硅和氮化硅中的一种或两种组合；所述保护层的材料为聚酰亚胺。
19.如权利要求16所述的指纹传感器，其特征在于，所述凸起为半球型，所述凸起的半径为
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