CN109286380A - 功率放大器 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种功率放大器,所述功率放大器包括:输入端,用于输入不同频率的至少两个信号;功率管,用于将所述输入端输入的所述至少两个信号进行功率放大,并产生所述至少两个信号的第一非线性增量信号;第一抑制电路,用于抑制所述第一非线性增量信号;输出端,用于输出所述功率管放大后的至少两个信号;其中,所述输入端通过所述功率管与所述输出端连接,所述功率管与所述第一抑制电路连接,可以提高功放效率。
Description
技术领域
本申请涉及通信领域,并且更具体地,涉及通信领域中的功率放大器。
背景技术
随着网络系统的发展,通信容量的需求日益增加,电信运营商通过部署多频段无线系统来提升系统容量,无线系统的多频段特性,会使得无线通信设备需要具备多带或宽带射频能力。射频功放模块为无线通信中发射机最耗能的模块,因此,提升功放效率是节能的关键所在,现有的功放器能在单频窄带信号工作模式下功放效率较高,但是在双频或多频并发工作模式下,功放的效率较差,从而导致系统性能较差。
发明内容
本申请提供一种功率放大器,能够提高功放的效率,有助于提高系统性能。
第一方面,提供了一种功率放大器,所述功率放大器包括:输入端,用于输入不同频率的至少两个信号;功率管,用于将所述输入端输入的所述至少两个信号进行功率放大,并产生所述至少两个信号的第一非线性增量信号;第一抑制电路,用于抑制所述第一非线性增量信号;输出端,用于输出所述功率管放大后的至少两个信号;其中,所述输入端通过所述功率管与所述输出端连接,所述功率管与所述第一抑制电路连接。
在本申请实施例中,当第一抑制电路抑制了所述第一非线性增量信号时,可以降低第一非线性增量信号对应的包络阻抗,这样,可以提高功率放大器的功放效率。
可选地,所述功率管可以通过所述第一抑制电路与所述输出端连接,这样使得输出端的包络阻抗很低,能够抑制包络的第一非线性增量的产生,从而提升了双频或多频并发场景下的功放效率。
可选地,当第一抑制电路抑制了所述第一非线性增量信号时,功率管的输出阻抗中就可以没有所述第一非线性增量信号的输出阻抗,从而可以提高功率放大器的功耗。
可选地,不同频率的至少两个信号可以是双频或多频并发的至少两个信号。
可选地,输出端可以将放大后的至少两个信号输出到双工器或天馈等。
可选地,输出端也可以将放大后的至少两个信号输出到下级功率放大器。在本申请实施例中,在双频或多频工作模式下,第一抑制电路可以将功率管在放大双频或多频信号过程中产生的非线性增量信号进行抑制,这样,可以避免输出端将该放大双频或多频信号中产生的非线性增量信号输出到下级功率放大器中,可以避免下级功率放大器放大该非线性增量信号,减少放大器的功耗,从而可以提高下级功率放大器的功放效率。
在某些实现方式中,所述第一抑制电路包括第一电容和第一电感,所述第一电感和所述第一电容用于对所述第一非线性增量信号频率处的阻抗进行短路处理。
可选地,第一非线性增量信号频率处呈现串联谐振,近似对地短路。
可选地,第一抑制电路也可以是集总参数的电容和电感元件,也可以是其他功能与电容和电感类似的等效元件(例如,微带、变容管等)。
可选地,第一电感和第一电容串联连接。
在某些实现方式中,所述第一电感和所述第一电容的谐振频率由所述至少两个信号的频率确定。
在某些实现方式中,所述第一电感和所述第一电容的谐振频率由所述至少两个信号的频率的差值确定。
可选地,输入端输入的至少两个信号的频率固定,则第一电容的电容值和第一电感的电感值固定,第一电容的电容值和第一电感的电感值根据至少两个信号的频率确定,从而第一电容和第一电感组成的第一抑制电路的谐振频率固定;输入端输入的至少两个信号的的频率不固定,例如,在第一次输入的至少两个信号的频率与第二次输入的至少两个信号的频率至少有一个频率不同,则第一电感的电感值和第一电容的电容值可调,随着输入信号的频率不同而不同,从而使得第一抑制电路的谐振频率可调。
可选地,若第一非线性增量信号为一个分量,则第第一抑制电路可以包括一组第一电容和第一电感;若第第一非线性增量信号为M个分量,则第二抑制电路包括M组第一电容和第一电感;可选地,M组第一电容和第一电感中每组的第一电容的电容值可以不同,P组第一电感中每组的第一电感的电感值可以不同,M为大于或等于1的整数。
可选地,若输入的信号为两个不同的频率的信号,则第一抑制电路包括一组第一电感和第一电容;若输入的信号为三个不同的频率的信号,则第一抑制电路包括三组第一电容和第一电感,若输入信号为N个不同频率的信号,则第一抑制电路包括组第一电容和第一电感,N为大于或等于2的整数。
可选地,若输入信号为载波频率为F1和F2的双频并发场景下输入的信号,功放产生的频谱主要包含如下频谱分量:基频分量F1和F2,包络分量F2-F1,三阶互调分量2*F2-F1和2*F1-F2,二次谐波分量2*F1、2*F2、F1+F2,三次谐波分量3*F1、3*F2、2*F1+F2、2*F2+F1等,可选地,本申请实施例的第一抑制电路可以抑制包络分量;可选地,本申请实施例的第一抑制电路可以抑制包络分量、三阶互调分量、二次谐波分量中的至少一种。当第一抑制电路抑制两个以上的分量时,第一抑制电路可以包括两组以上的第一电容和第一电感。
可选地,第一抑制电路包括的第一电感和第一电容的组数可以根据需要确定,例如第一抑制电路需要抑制几个分量就可以包括几组第一电容和第一电感,第一电容和第一电感的组数并不局限于输入信号的频率。
在某些实现方式中,所述输入端还用于:向所述功率管输入上级功率放大器产生的第二非线性增量信号;所述功率放大器还包括:第二抑制电路,用于抑制所述第二非线性增量信号;其中,所述输入端与所述第二抑制电路连接。
可选地,所述输入端通过所述第二抑制电路与所述功率管连接,可以使得输入端输入的包括阻抗很低,能够抑制包络的第二非线性增量的产生,从而提升了双频或多频并发场景下的功放效率。
在某些实现方式中,所述第二抑制电路包括第二电容和第二电感,所述第二电容和所述第二电感用于对所述第二非线性增量信号的频率处的阻抗进行短路处理。
可选地,第二非线性增量信号频率处呈现串联谐振,近似对地短路。
可选地,第二抑制电路也可以是集总参数的电容和电感元件,也可以是其他功能与电容和电感类似的等效元件(例如,比如微带、变容管等等)。
可选地,所述第二电容和所述第二电感串联连接。
可选地,若第二非线性增量信号为一个分量,则第二抑制电路可以包括一组第二电容和第二电感;若第二非线性增量信号为P个分量,则第二抑制电路包括P组第二电容和第二电感;可选地,P组第二电容和第二电感中每组的第二电容的电容值可以不同,P组第二电感中每组的第二电感的电感值可以不同,P为大于或等于1的整数。
在某些实现方式中,所述第二电感和所述第二电容的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率确定。
在某些实现方式中,所述第二电感和所述第二电容的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率的差值确定。
可选地,上级功率放大器的输入信号也可以是不同频率的至少两个信号。
在某些实现方式中,所述功率放大器还包括:输入匹配电路,用于将所述输入端的第一阻抗匹配为所述功率管输入的第二阻抗;输出匹配电路,用于将所述功率管输出的第三阻抗匹配为所述输出端的第四阻抗;其中,所述输入端通过所述输入匹配电路与所述功率管连接,所述功率管通过所述输出匹配电路与所述输出端连接。
在某些实现方式中,所述功率放大器还包括:输入偏置电路,用于通过所述输入匹配电路向所述功率管供电;输出偏置电路,用于通过所述输出匹配电路向所述功率管供电。
可选地,所述输入偏置电路可以与所述功率管直接连接,所述输出偏置电路可以与所述功率管直接连接。
第二方面,提供了一种功率放大器,包括:输入端,用于输入不同频率的至少两个信号和上级功率放大器产生的第二非线性增量信号;第二抑制电路,用于抑制所述输入端输入所述第二非线性增量信号;功率管,用于将所述输入端输入的所述不同频率的至少两个信号进行功率放大得到放大后的至少两个信号;输出端,用于输出所述放大后的至少两个信号;其中,所述输入端抑制电路与所述功率管连接,所述抑制电路输入端通过所述功率管与所述输出端连接。
可选地,所述输入端通过所述第二抑制电路与所述功率管连接,可以使得输入端输入的包括阻抗很低,能够抑制包络的第二非线性增量的产生,从而提升了双频或多频并发场景下的功放效率。
在某些实现方式中,所述第二抑制电路包括第二电容和第二电感,所述第二电感和所述第二电容用于对所述第二非线性增量信号的频率处的阻抗进行短路处理。
在某些实现方式中,所述第二电感和所述第二电容的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率确定。
在某些实现方式中,所述第二电感和所述第二电容的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率的差值确定。
可选地,第二方面中的第二电容和第二电感可以参照第一方面中的第二电容和第二电感。
第三方面,所述第一方面或所述第一方面中任一种实现方式中的功率放大器都可以是Doherty功率放大器或者异相放大器。可选地,所述第二方面或所述第二方面中任一种实现方式中的功率放大器都可以是Doherty功率放大器或者异相放大器
附图说明
图1是本申请实施例的应用场景示意图。
图2示出了本申请实施例提供的功率放大器。
图3示出了本申请实施例提供的另一功率放大器。
图4示出了现有技术的功率放大器的效果示意图。
图5示出了本申请实施例提供的功率放大器的效率示意图。
图6示出了本申请实施例提供的又一功率放大器。
图7示出了本申请实施例提供的又一功率放大器。
图8示出了本申请实施例提供的又一功率放大器。
图9示出了本申请实施例提供的又一功率放大器。
图10示出了本申请实施例提供的又一功率放大器。
图11示出了本申请实施例提供的又一功率放大器。
图12示出了本申请实施例提供的又一功率放大器。
具体实施方式
本申请提供的功率放大器可以应用于各种通信系统中的发送端的射频模块,例如:全球移动通讯(global system of mobile communication,GSM)系统、码分多址(codedivision multiple access,CDMA)系统、宽带码分多址(wideband code divisionmultiple access,WCDMA)系统、通用分组无线业务(general packet radio service,GPRS)、长期演进(long term evolution,LTE)系统、LTE频分双工(frequency divisionduplex,FDD)系统、LTE时分双工(time division duplex,TDD)、通用移动通信系统(universal mobile telecommunication system,UMTS)、全球互联微波接入(worldwideinteroperability for microwave access,WiMAX)通信系统、无线局域网(wirelesslocal area network,WLAN)或未来第五代无线通信系统(the fifth Generation,5G)等。
现有的功率放大器在单频窄带信号工作模式下,功率放大器放大的信号为窄带信号,例如1840MHz处的调制信号,或者2140MHz处的调制信号,功放的效率较高。现有的功率放大器在双频或多频并发工作模式下,功率放大器放大的信号为宽带信号,例如为1840MHz+2140MHz处的调制信号。由于在双频或多频工作模式下,由于功率管的非线性特性,功放输出频谱分量非常丰富。例如,在载波频率分为F1和F2的双频并发场景下,功放产生的频谱主要包含如下频谱分量:基频分量F1和F2,包络分量F2-F1,三阶互调分量2*F2-F1和2*F1-F2,二次谐波分量2*F1、2*F2、F1+F2,三次谐波分量3*F1、3*F2、2*F1+F2、2*F2+F1等,其中基频分量是有用信号,功率放大器产生的其他分量是非线性增量信号,这些非线性增量是无用的信号,这些分量会干扰其他的设备的信号,放大器在放大的过程中也会放大非线性增量信号,这样,放大后的非线性增量信号对其他设备的干扰会更大,并且,非线性增量会显著恶化功功率放大器的效率,会导致在双频或多频工作模式下放大器的效率降低。实验证明,其中包络分量对宽带放大器的效率影响尤为重要。例如表1所示的一个功率放大器在单频和双频工作模式下效率对比。功放效率表示输出功率与功耗的比值,应理解,在本申请实施例中,功放效率也可以为输出功率和输入功率之差与功耗的比值,表1中的功放效率为前一种定义。
表1
针对上述问题,本申请实施例提供的功率放大器,可以在放大的过程中将非线性增量信号进行抑制,可以避免功率放大器在放大的过程中也放大非线性增量信号的功率,从而可以提高功率放大器的功放效率。
应理解,本申请实施例中的功率放大器可以应用在Doherty功放架构、异相(Outphasing)放大器、包络跟踪放大器等功放架构中,或者是应用到其他的高效功放架构中,本申请实施例对此不作限定。
应理解,本申请实施例中的A与B连接,表示A与B可以串联连接或并联连接,或者A与B通过其他的器件,本申请实施例对此不作限定。
应理解,本申请实施例中的第一非线性增量、第二非线性增量或非线性增量可以是包络分量,可以是放大器在放大信号的过程中产生的全部或部分包络分量,本申请实施例对此不作限定。
本申请实施例可以应用到多级放大器的场景中,当然也不限于是多级放大器,也可以是一级放大器,例如,如图1所示,放大电路中包括n级放大器,n为大于或等于1的整数,图1中的放大器都可以工作在双频或多频工作模式下。例如,本申请实施例中的放大器可以是第一级放大器,该放大器中的第一抑制电路与该放大器的输出端连接,该第一抑制电路用于抑制该放大器中产生的非线性增量信号,所述输出端与第一抑制电路连接时,可以使得输入端输入的包络阻抗很低,能够抑制包络的第一非线性增量的产生,从而提升了双频或多频并发场景下的功放效率;或者当该第一级放大器输出的信号输入到第二级放大器中时,第二级放大器就可以避免放大第一级放大器产生的非线性增量信号,从而可以降低第二级放大器的功耗。又例如,本申请实施例中的放大器可以是第二级放大器,该放大器中的第二抑制电路与该放大器的输入端连接,该第二抑制电路用于抑制第一级放大器产生的非线性增量信号,这样,在该放大器放大信号之前,可以抑制第二非线性增量的产生,可以使得输入端输入的包络阻抗很低,从而可以提升双频或多频并发场景下的功放效率;或者该第二级放大器包括第一抑制电路和第二抑制电路,第一抑制电路与输出端连接,使得输出端包络阻抗很低,能够抑制包络的第一非线性增量的产生,可以提高第二级放大器的功放效率和/或提高第三级放大器的功放效率,第二抑制电路与输入端连接,可以抑制第一级放大器产生的包络非线性增量信号,可以使得输入端的输入的包络阻抗很低,可以提高第二级放大器的功放效率。再例如,本申请实施例中的放大器可以是第n级放大器,该放大器中的第二抑制电路与该放大器的输入端连接,该第二抑制电路用于抑制第n-1级放大器产生的非线性增量信号,这样,在放大器放大信号之前,就可以将第n-1级放大器产生的非线性增量信号进行抑制,使得输入端的包络阻抗很低,从而可以避免该放大器放大第n-1级放大器产生的非线性增量信号,从而可以提高该放大器的功放效率。又例如,本申请实施例中的放大器可以是第n级放大器,该放大器中的第一抑制电路与该放大器的输出端连接,该放大器的第一抑制电路用于抑制该放大器产生的非线性增量信号,该第n级放大器中功率管的输出端输出的包络阻抗很低,从而可以提高第n级放大器的功放效率;又例如,本申请实施例中的放大器可以是第n级放大器,该放大器中的第一抑制电路与该放大器的输出端连接,该放大器中的第二抑制电路与该放大器的输入端连接,第一抑制电路用于抑制第n-1级放大器产生的非线性增量信号,可以避免第n级放大器放大第n-1级放大器产生的非线性增量信号,也可以使得第n级放大器的输入端包络阻抗很低,第二抑制电路用于抑制第n级放大器产生的非线性增量信号,可以使得该第n级放大器的输出端的包络阻抗很低,能够显著抑制包络分量的产生,从而提升了在双频或多频频发场景下的功放效率。
应理解,在图1中第n-1级放大器可以称为第n级放大器的上级功率放大器,第n级放大器可以称为第n-1级放大器的下级功率放大器,例如,第一级放大器可以称为第二级放大器的上级功率放大器,第二级放大器可以称为第一级放大器的下级功率放大器。
下面结合附图描述本申请实施例提供的功率放大器。
图2示出了本申请实施例提供的功率放大器200,例如,该功率放大器200可以是图1中的n个功率放大器中的任意一个功率放大器,例如,可以是图1中的第n级放大器,该功率放大器200包括:输入端210、功率管220,第一抑制电路230和输出端240。
输入端210,用于输入不同频率的至少两个信号,该至少两个信号可以是相同的信号也可以是不同的信号,本申请实施例对此不作限定;
功率管220,用于将所述输入端210输入的所述至少两个信号进行功率放大,并产生所述至少两个信号的第一非线性增量信号,例如,功率管220可以将所述输入端210输入的不同频率的至少两个信号进行放大得到放大后的至少两个信号,功率管220在放大所述不同频率的至少两个信号时会产生该至少两个信号的第一非线性增量信号;
第一抑制电路230,用于抑制所述第一非线性增量信号。
输出端240,用于输出所述功率管220放大后的至少两个信号。
其中,所述输入端210通过所述功率管220与所述输出端240单元连接,所述功率管220与所述第一抑制电路230连接,例如图1中的连接方式,或者所述功率管220通过所述第一抑制电路230与所述输出端240连接,第一抑制电路230的作用是将功率管230输出的第一非线性增量信号进行抑制,只要连接在功率管230之后,输出端240之前即可,本申请对具体的连接关系并不作限定。
因此,在双频或多频工作模式下,第一抑制电路230可以将功率管220在放大双频或多频信号过程中产生的非线性增量信号进行抑制,当第一抑制电路230抑制了所述第一非线性增量信号时,输出端的包络阻抗就很低,能够显著抑制包络的第一非线性增量信号这样可以提高功率放大器在双频或多频并发场景下的功放效率。
可选地,输出端240与双工器或天馈等连接。
可选地,当所述输出端240与下级功率放大器连接时,第一抑制电路230可以将功率管220在放大双频或多频信号过程中产生的非线性增量信号进行抑制,可以避免输出端将该放大双频或多频信号中产生的非线性增量信号输出,可以避免下一级网络放大该非线性增量信号,减少放大器的功耗,从而可以提高下一级网络的功放效率。
作为一个可选实施例,如图3所示,所述第一抑制电路230包括第一电感231和第一电容232,其中,所述第一电感231和所述第一电容232用于对所述第一非线性增量信号频率处的阻抗进行短路处理。例如,第一电感231和第一电容232可以串联连接。
可选地,第一抑制电路也可以是集总参数的电容和电感元件,也可以是其他功能与电容和电感类似的等效元件(例如,比如微带、变容管等等)。
作为一个可选实施例,所述第一电感231和所述第一电容232的谐振频率由所述至少两个信号的频率确定,具体来说,所述第一电感231和所述第一电容232的谐振频率由所述至少两个信号的频率的差值确定。当输入端210输入的信号的频率是固定的,则第一电感231和第一电容232的谐振频率固定,例如,当输入端210输入的两个信号的频率分别是1840MHz和2140MHz时,第一电感231和第一电容232的谐振频率为300MHz(2140MHz-1840MHz),可以减少双频并发是功放输出的300MHz的非线性信号增量,如图4和图5所示,图4和图5中横坐标表示输出功率,纵坐标表示功放效率,其中,图4表示增加第一抑制电路230之前下级放大器的功放效率,图5表示增加第一抑制电路230之后下级放大器的功放效率,可以看出,在增加第一抑制电路230之后功放效率提高了五个百分点。又例如,当输入端210输入的三个不同频率的三个信号时,假设三个信号的频率从大到小分别是A、B和C,则根据需要可以增加三组电容和电感组合电路,每组电容和电感都可以是第一电容232和第一电感231,三组电容和电感的谐振频率分别为A-B、A-C、B-C。当输入端输入的信号的频率不固定时,第一电感231和第一电容232可以随着输入端输入的信号的频率的变化而变化,即,第一电感231的电感值和第一电容232的电容值的自适应可调,从而达到谐振频率随输入信号频率自适应可调。
作为一个可选实施例,所述输入端210还用于:向所述功率管220输入上级功率放大器产生的第二非线性增量信号;所述功率放大器200还包括:第二抑制电路250,用于抑制所述第二非线性增量信号;其中,所述输入端210与所述第二抑制电路250连接。例如图6中的连接方式,或者所述输入端210通过所述第二抑制电路230与所述功率管220连接,第二抑制电路230的作用是将输入端210输入的上级功率放大器的第二非线性增量信号进行抑制,只要连接在输出端2100之后,功率管220之前即可,本申请对具体的连接关系并不作限定。该功率放大器可以是,图1中的除了第一级功率放大器之外的功率放大器。
作为一个可选实施例,如图7所示,所述第二抑制电路250包括第二电感251和第二电容252,所述第二电感251和所述第二电容252用于对所述第二非线性增量信号的频率处的阻抗进行短路处理。例如,第二电感251和第二电容252的连接关系可以与图4中的第一电感231和第一电容232的连接关系类似。
作为一个可选实施例,所述第二电感251和所述第二电容252的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率确定。可选地,所述第二电感251和所述第二电容252的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率的差值确定。具体来说,上级功率放大器输入的信号是双频或多频并发信号,则放大器200的所述第二电感251和所述第二电容252的谐振频率由上级功率放大器的双频或多频并发信号的频率确定,若上级功率放大器输入的信号是的频率是固定的,则第二电感251和第二电容的谐振频率固定,例如,当上级功率放大器输入的两个信号的频率分别是1840MHz和2140MHz时,第二电感251和第二电容252的谐振频率为300MHz(2140MHz-1840MHz)。当上级功率放大器输入的双频或多频并发信号的频率不固定时,第二电感251和第二电容252的谐振频率可以随着上级功率放大器的并发信号的频率的变化而变化,即,第二电感251和第二电容252的谐振频率自适应可调。
作为一个可选实施例,如图8所示,所述功率放大器200还包括:输入匹配电路260,用于将所述输入端210的第一阻抗匹配为所述功率管220输入的第二阻抗;输出匹配电路270,用于将所述功率管220输出的第三阻抗匹配为所述输出端240的第四阻抗;其中,所述输入端210通过所述输入匹配电路260与所述功率管连接,所述功率管220通过所述输出匹配电路270与所述输出端240连接,例如,在输入匹配电路260上可以串联第二抑制电250包括的第二电感251和第二电容252,在输出匹配电路270上可以串联第一抑制电路230包括的第一电感231和第一电容232。可选地,如图8所示第二抑制电路250可以与输入匹配电路260连接,当然,输入端210也可以通过第二抑制电路250与所述输入匹配电路260连接,所述输入匹配电路260通过功率管220与所述输出匹配电路270连接。可选地,第一抑制电路230可以输出匹配电路270连接,当然,功率管220也可以通过输出匹配电路270与所述第一抑制电路230连接,所述输出匹配电路270通过所述第一抑制电路230与所述输出端240连接。
作为一个可选实施例,如图9所示,所述功率放大器200还包括:输入偏置电路280,用于通过所述输入匹配电路260向所述功率管供电;输出偏置电路290,用于通过所述输出匹配电路270向所述功率管供电。
应理解,本申请实施例中前述的图的放大器各个部件之间的连接关系为示意性举例,并不对本申请实施例造成任何限制。
图10示出了本申请实施例提供的另一功率放大器300,包括:
输入端310,用于输入不同频率的至少两个信号和上级功率放大器产生的第二非线性增量信号;
第二抑制电路320,用于抑制所述输入端310输入所述第二非线性增量信号;
功率管330,用于将所述输入端310输入的所述不同频率的至少两个信号进行功率放大得到放大后的至少两个信号;
输出端340,用于输出所述放大后的至少两个信号;
其中,所述输入端310与所述功率管320连接,所述输入端310通过所述功率管320与所述输出端340连接。例如图9中的连接方式,或者所述输入端310通过所述第二抑制电路320与所述功率管330连接,第二抑制电路320的作用是将输入端310输入的上级功率放大器产生的第二非线性增量信号进行抑制,只要连接在输入端310之后,功率管330之前即可,本申请对具体的连接关系并不作限定。
因此,在双频或多频工作模式下,第二抑制电路320可以将上级功率放大器在放大双频或多频信号过程中产生的非线性增量信号进行抑制,这样,可以避免功率放大器300将上级功率放大器产生的非线性增量信号进行放大,从而可以使得输入端输入的包络阻抗很低,从而减少功率放大器300的功耗,从而可以提高功率放大器300的功放效率。
作为一个可选实施例,如图11所示,所述第二抑制电路320包括第二电感321和第二电容322,所述第二电感321和所述第二电容322用于对所述第二非线性增量信号的频率处的阻抗进行短路处理。
作为一个可选实施例,所述第二电感321和所述第二电容322的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率确定。
作为一个可选实施例,所述第二电感321和所述第二电容322的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率的差值确定。
应理解,功率放大器300中的第二抑制电路320包括的第二电感321和第二电容322与功率放大器200中的第二抑制电路250包括的第二电感251和第二电容252类似,为避免赘述,在此不详细说明。
可选地,功率放大器300也可以包括输入匹配电路,输出匹配电路,输入偏置电路和输出偏置电路等,具体的连接关系,参见功率放大器200中的连接关系,为避免赘述,本申请实施例对此不作详细描述。
作为一个例子,图12示出了本申请实施例在Doherty功放架构下的功率放大器400,包括:
输入端401,用于输入上级功率放大器输出的非线性增量信号和需要放大的双频或多频并发信号,或者输入不同频率的至少两个信号。
功分器402,用于将所述输入端401输入的信号进行复制,得到第一分支信号和第二分支信号,第一分支信号为输入端401输入的非线性增量信号和需要放大的双频或多频并发信号,第二分支信号为输入端401输入的非线性增量信号和需要放大的双频或多频并发信号。
输入匹配电路403,用于将功分器402输出的第一分支信号的阻抗匹配为功率管406的阻抗。
输入偏置电路404,用于给功率管406进行供电。
第二抑制电路405,当输入端401输入的是上级功率放大器输出的非线性增量信号和需要放大的信号,该第二抑制电路405用于抑制功分器420分配给第一分支的非线性增量信号,该非线性增量信号属于上级功率放大器产生的非线性增量信号。
功率管406,用于将第一分支的不同频率的信号进行放大,可选地,功率管406还用于放大第二抑制电路405未抑制的非线性增量信号。
输出匹配电路407,用于将所述功率管406输出的阻抗匹配为所述合成器417的阻抗。
输出偏置电路408,用于给功率管406供电。
第一抑制电路409,用于抑制功率管406产生的非线性增量信号以及第二抑制电路405未抑制的非线性增量信号放大之后的非线性增量信号。
输入匹配电路410,用于将功分器402输出的第二分支信号的第一阻抗匹配为功率管413的第二阻抗。
输入偏置电路411,用于给功率管413进行供电。
第二抑制电路412,当输入端401输入的是上级功率放大器输出的非线性增量信号和需要放大的信号,该第二抑制电路412用于抑制功分器420分配给第二分支的非线性增量信号,该非线性增量信号属于上级功率放大器产生的非线性增量信号。
功率管413,用于将第一分支的不同频率的信号进行放大,可选地,还用于放大第二抑制电路412未抑制的非线性增量信号。
输出匹配电路414,用于将所述功率管413输出的阻抗匹配为所述合成器417的阻抗。
输出偏置电路415,用于给功率管413进行供电。
第一抑制电路416,用于抑制功率管415产生的非线性增量信号以及第二抑制电路412未抑制的非线性增量信号放大之后的非线性增量信号。
合成器417,用于合成第一分支和第二分支的信号,可选地,还可以用于阻抗变换,用于将输出匹配电路407和输出匹配电路414的阻抗匹配为输出端418的阻抗。
输出端418,用于输出合成器417合成的放大之后的信号。
其中,输入端401可以是前述的输入端210,或者输入端310;输入匹配电路403或输入匹配电路410可以是前述的输入匹配电路260;输入偏置电路404或输入偏置电路411可以是前述的输入偏置电路280;第二抑制电路405或第二抑制电路412可以是前述的第二抑制电路250或第二抑制电路320;功率管406或功率管413可以是前述的功率管220或功率管330;输出匹配电路407或输出匹配电路414可以是前述的输出匹配电路270;输出偏置电压408或输出偏置电压415可以是前述的输出偏置电压290;第一抑制电路409或第一抑制电路416可以是前述的第一抑制电路230;输出端418可以是前述的输出端240或输出端340。输入端401通过功分器402与输入匹配电路403和输入匹配电路410连接。功分器402通过输入匹配电路403与功率管406连接。输入偏置电压404通过输入匹配电路403与功率管406连接。第二抑制电路405与输入匹配电路403连接。功率管406通过输出匹配电路407与合成器417连接,所述输出偏置电路408通过输出匹配电路408与功率管406。第一抑制电路409与输出匹配电路407连接。功分器402通过输入匹配电路410与功率管413连接。输入偏置电压411通过输入匹配电路410与功率管413连接。第二抑制电路412与输入匹配电路410连接。功率管413通过输出匹配电路414与合成器417连接,所述输出偏置电路415通过输出匹配电路414与功率管413。第一抑制电路416与输出匹配电路414连接。
应理解,本申请实施例中抑制非线性增量信号可以是非线性增量信号的频率处呈现串联谐振,近似对地短路;或者抑制非线性增量信号可以是对非线性增量信号的阻抗进行短路处理,但本申请实施例不限于此,可以是其他方式的抑制处理。
应理解,前述的功率放大器200、功率放大器300或功率放大器400可以为分立器件,也可以作为一个电路单元,也可以组合成一个高效功放模块,例如Doherty功率放大器或者异相放大器。
本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统、装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (14)
1.一种功率放大器,其特征在于,所述功率放大器包括:
输入端,用于输入不同频率的至少两个信号;
功率管,用于将所述输入端输入的所述至少两个信号进行功率放大,并产生所述至少两个信号的第一非线性增量信号;
第一抑制电路,用于抑制所述第一非线性增量信号;
输出端,用于输出所述功率管放大后的至少两个信号;
其中,所述输入端通过所述功率管与所述输出端连接,所述功率管与所述第一抑制电路连接。
2.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,所述第一抑制电路包括第一电容和第一电感,所述第一电感和所述第一电容用于对所述第一非线性增量信号频率处的阻抗进行短路处理。
3.根据权利要求2所述的功率放大器,其特征在于,所述第一电感和所述第一电容的谐振频率由所述至少两个信号的频率确定。
4.根据权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,所述第一电感和所述第一电容的谐振频率由所述至少两个信号的频率的差值确定。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率放大器,其特征在于,所述输入端还用于:
向所述功率管输入上级功率放大器产生的第二非线性增量信号;
所述功率放大器还包括:
第二抑制电路,用于抑制所述第二非线性增量信号;
其中,所述输入端与所述第二抑制电路连接。
6.根据权利要求5所述的功率放大器,其特征在于,所述第二抑制电路包括第二电容和第二电感,所述第二电容和所述第二电感用于对所述第二非线性增量信号的频率处的阻抗进行短路处理。
7.根据权利要求6所述的功率放大器,其特征在于,所述第二电感和所述第二电容的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率确定。
8.根据权利要求7所述的功率放大器,其特征在于,所述第二电感和所述第二电容的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率的差值确定。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的功率放大器,其特征在于,所述功率放大器还包括:
输入匹配电路,用于将所述输入端的第一阻抗匹配为所述功率管输入的第二阻抗;
输出匹配电路,用于将所述功率管输出的第三阻抗匹配为所述输出端的第四阻抗;
其中,所述输入端通过所述输入匹配电路与所述功率管连接,所述功率管通过所述输出匹配电路与所述输出端连接。
10.根据权利要求9所述的功率放大器,其特征在于,所述功率放大器还包括:
输入偏置电路,用于通过所述输入匹配电路向所述功率管供电;
输出偏置电路,用于通过所述输出匹配电路向所述功率管供电。
11.一种功率放大器,其特征在于,所述功率放大器包括:
输入端,用于输入不同频率的至少两个信号和上级功率放大器产生的第二非线性增量信号;
第二抑制电路,用于抑制所述输入端输入所述第二非线性增量信号;
功率管,用于将所述输入端输入的所述不同频率的至少两个信号进行功率放大得到放大后的至少两个信号;
输出端,用于输出所述放大后的至少两个信号;
其中,所述输入端抑制电路与所述功率管连接,所述抑制电路输入端通过所述功率管与所述输出端连接。
12.根据权利要求11所述的功率放大器,其特征在于,所述第二抑制电路包括第二电容和第二电感,所述第二电感和所述第二电容用于对所述第二非线性增量信号的频率处的阻抗进行短路处理。
13.根据权利要求12所述的功率放大器,其特征在于,所述第二电感和所述第二电容的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率确定。
14.根据权利要求13所述的功率放大器,其特征在于,所述第二电感和所述第二电容的谐振频率由所述上级功率放大器的输入信号的频率的差值确定。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5767743A (en) * | 1995-10-13 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio frequency power amplifier having a tertiary harmonic wave feedback circuit |
CN1302480A (zh) * | 1998-05-22 | 2001-07-04 | 艾利森电话股份有限公司 | 双频段移动电话中的谐波抑制 |
US20010013809A1 (en) * | 2000-02-03 | 2001-08-16 | Seiji Fujiwara | Predistortion circuit and power amplifier |
CN102332886A (zh) * | 2011-08-16 | 2012-01-25 | 雷良军 | 多频带功率放大器 |
CN103490733A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-01 | 华东交通大学 | 一种频率比1.25至2.85的双频带Doherty功率放大器 |
CN104518742A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-15 | 天津大学 | 一种高效率双频带f类功率放大器 |
CN105262446A (zh) * | 2015-10-23 | 2016-01-20 | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 | 一种多级射频功率放大电路 |
CN106464223A (zh) * | 2014-06-09 | 2017-02-22 | 三菱电机株式会社 | 包括第一谐振回路、第二谐振回路以及分路电容器的装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002171138A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Nec Corp | マイクロ波電力増幅器 |
US7345534B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-03-18 | M/A-Com Eurotec Bv | Efficient power amplification system |
US8611834B2 (en) * | 2010-11-01 | 2013-12-17 | Cree, Inc. | Matching network for transmission circuitry |
WO2013071152A2 (en) * | 2011-11-11 | 2013-05-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Flip-chip linear power amplifier with high power added efficiency |
CN104753476B (zh) * | 2013-12-30 | 2018-05-18 | 国民技术股份有限公司 | 多模多频功率放大器 |
US9882587B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-01-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-band power amplifier |
CN105811888A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-07-27 | 广东工业大学 | 一种射频功率放大器输出匹配电路结构及其设计方法 |
CN106656076B (zh) * | 2016-12-31 | 2023-05-12 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 一种支持多模多频的射频功率放大器、芯片及通信终端 |
-
2017
- 2017-07-21 CN CN201710602258.2A patent/CN109286380A/zh active Pending
-
2018
- 2018-07-20 BR BR112020001104-5A patent/BR112020001104A2/pt unknown
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- 2018-07-20 EP EP18835340.3A patent/EP3648345A4/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5767743A (en) * | 1995-10-13 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio frequency power amplifier having a tertiary harmonic wave feedback circuit |
CN1302480A (zh) * | 1998-05-22 | 2001-07-04 | 艾利森电话股份有限公司 | 双频段移动电话中的谐波抑制 |
US20010013809A1 (en) * | 2000-02-03 | 2001-08-16 | Seiji Fujiwara | Predistortion circuit and power amplifier |
CN102332886A (zh) * | 2011-08-16 | 2012-01-25 | 雷良军 | 多频带功率放大器 |
CN103490733A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-01 | 华东交通大学 | 一种频率比1.25至2.85的双频带Doherty功率放大器 |
CN106464223A (zh) * | 2014-06-09 | 2017-02-22 | 三菱电机株式会社 | 包括第一谐振回路、第二谐振回路以及分路电容器的装置 |
CN104518742A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-15 | 天津大学 | 一种高效率双频带f类功率放大器 |
CN105262446A (zh) * | 2015-10-23 | 2016-01-20 | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 | 一种多级射频功率放大电路 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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