CN109285971B

CN109285971B - 一种贴膜治具及其贴合方法

Info

Publication number: CN109285971B
Application number: CN201811124496.8A
Authority: CN
Inventors: 田彪; 赵利豪; 潘天峰; 李杰威
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2018-09-26
Filing date: 2018-09-26
Publication date: 2021-02-09
Anticipated expiration: 2038-09-26
Also published as: CN109285971A

Abstract

本发明提供一种贴膜治具及其贴合方法，属于OLED制作技术领域，其可至少部分解决现有的贴膜的过程中金属层与玻璃基板中存在大量气泡的问题。本发明的一种贴膜治具，用于向衬底基板贴附层结构，包括：工作台；记忆层，安装于工作台上，在特定条件下，记忆层由处于第一形态和第二形态相互转换；其中，第一形态为沿背离工作台的方向外凸的形态，第二形态为与衬底基板的形态相同的形态；且记忆层由第一形态转换至第二形态的过程中，能够将位于记忆层背离工作台一侧的待贴附的层结构贴附于衬底基板上。

Description

一种贴膜治具及其贴合方法

技术领域

本发明属于OLED制作技术领域，具体涉及一种贴膜治具及其贴合方法。

背景技术

目前，随着有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode， OLED)的不断发展，使得其运用范围越来越广泛。其中，OLED 结构层中至少包括：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层 (ETL)、玻璃基板。其中，电子传输层(ETL)一般为金属层，并且贴附于玻璃基板上。

在OLED制作过程中，需要将金属层(电子传输层)贴附于玻璃基板上。现有技术的一种贴膜治具，采用滚轮的贴附方式将金属层贴附于玻璃基板上，也就是说，首先将金属层一个边缘贴附在玻璃基板上，随着滚轮的滚动将金属层逐渐贴附于玻璃基板上，直至与上述边缘对应的边缘也完全贴附在玻璃基板上。然而，滚轮的贴附方式只能对于单片金属层进行贴附，这样使得工作效率低，从而提高制作成本。

现有技术的另一种贴膜治具的贴合方法中，首先将多个金属层放置在贴膜治具的工作台上，再将玻璃基板的贴附面靠近多个金属层，直至将该多个金属层贴附在玻璃基板上。这种方式可以在玻璃基板上一次贴附多个金属层，从而可以提高工作效率。但是，该方法由硬质的玻璃基板的平面与硬质的工作台的平面的相互作用而实现贴附，可能导致已经贴附好的金属层与玻璃基板之间存在大量气泡，从而影响产品良率。此外，该方法在贴附完成之后的将金属层与工作台分离的工艺比较复杂，不易操作，从而增加OLED制作的难度。

发明内容

本发明至少部分解决现有的贴膜的过程中金属层与玻璃基板中存在大量气泡的问题，提供一种减少金属层与玻璃基板中的气泡的贴膜治具。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种贴膜治具，用于向衬底基板贴附层结构，包括：

工作台；

记忆层，安装于所述工作台上；在特定条件下，所述记忆层由处于第一形态和第二形态相互转换；其中，所述第一形态为沿背离所述工作台的方向外凸的形态，所述第二形态为与所述衬底基板的形态相同的形态；且所述记忆层由第一形态转换至第二形态的过程中，能够将位于所述记忆层背离所述工作台一侧的待贴附的层结构贴附于衬底基板上。

进一步优选的是，该贴膜治具还包括：驱动结构，用于驱动所述记忆层，以使所述记忆层由处于第一形态和第二形态相互转换。

进一步优选的是，所述驱动结构包括：传导层，设于所述记忆层靠近所述工作台的一侧；变温单元，设于所述传导层靠近所述工作台的一侧，所述变温单元包括P型半导体层、N型半导体层以及设于所述P型半导体层与N型半导体层之间的分隔层，所述P型半导体层的一端与N型半导体层的一端电连接，所述P型半导体层的另一端和N型半导体层的另一端分别连接电源的不同电极。

进一步优选的是，所述驱动结构包括：第一电磁铁；多个第二电磁铁，所述第一电磁铁和所述第二电磁铁这与所述记忆层和所述工作台之间，且所述第二电磁铁设于所述第一电磁铁背离所述工作台的一侧。

进一步优选的是，该贴膜治具还包括：分离层，设于所述记忆层远离所述工作台的一侧，用于将所述待贴附的层结构与所述记忆层分离。

进一步优选的是，所述分离层为从中心区域至边缘区域，由薄至厚渐变的层状结构。

进一步优选的是，该贴膜治具还包括：限位结构，设于所述工作台上，用于限定所述待贴附的层结构。

进一步优选的是，所述限位结构为与所述工作台一体成型的凹槽。

进一步优选的是，所述记忆层为多个，所述限位结构为多个；所述记忆层与所述限位结构一一对应设置。

进一步优选的是，所述记忆层为记忆金属层或者记忆橡胶层中的至少一种。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种上述贴膜治具的贴合方法，包括：

将所述待贴附的层结构放置在所述工作台上的所述记忆层上，所述记忆处于所述第一形态；

将所述衬底基板的贴附面移动至接近所述记忆层，并且使得所述待贴附的层结构凸表面的最高位置接触；

所述记忆层由所述第一形态变为所述第二形态，以使所述待贴附的层结构贴附于所述衬底基板。

附图说明

图1a为本发明的实施例的一种贴膜治具在贴附时的侧视结构图；

图1b为本发明的实施例的一种贴膜治具的俯视结构图；

图2a-图2c为本发明的实施例的另一种贴膜治具贴附过程的侧视结构图；

其中，附图标记为：10工作台；20记忆层；31a P型半导体层；32a N型半导体层；33a分隔层；34传导层；31b第一电磁铁；32b第二电磁铁；40分离层；50凹槽；60待贴附的层结构；70衬底基板。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。

实施例1：

如图1a和图1b所示，本实施例提供一种贴膜治具，用于向衬底基板70贴附层结构，包括：工作台10和记忆层20。其中，安装于工作台10上，而且在特定条件下，记忆层20由处于第一形态和第二形态相互转换；其中，第一形态为沿背离工作台10的方向外凸的形态，第二形态为与衬底基板70的形态相同的形态；且记忆层20由第一形态转换至第二形态的过程中，能够将位于记忆层20背离工作台10一侧的待贴附的层结构60贴附于衬底基板 70上。

其中，记忆层20设置在工作台10的主要是为了方便衬底基板70移动至接近记忆层20。由于在贴附过程中记忆层20至少部分相对于工作台10的位置会发生变化，因此记忆层20可以通过弹性连接件(例如弹簧等)与工作台10连接，或者合适的连接件连接。

其中，衬底基板70可以为平板形或者是其他根据实际情况需要的形状，在本实施例中，以衬底基板70为平板形为例描述。

其中，待贴附的层结构60位于记忆层20的上表面时，待贴附的层结构60与记忆层20同形，当记忆层20处于第一形态时，待贴附的层结构60为沿背离工作台10的方向外凸的形态；当记忆层20处于第二形态时，待贴附的层结构60为与衬底基板70的形态相同的平面形态，从而实现待贴附的层结构60随着记忆层20 由第一形态转换至第二形态最终贴附于衬底基板70上。

本实施例的贴膜治具主要是利用的记忆层20的对形态的记忆性能将待贴附的层结构60贴附于衬底基板70上。这主要是由衬底基板70的平面与记忆层20的曲面相互作用来实现层结构贴附，可以避免已经贴附好的层结构60与衬底基板70之间存在大量气泡，从而提高产品良率。

具体的，本实施例的贴膜治具的贴合的过程中，待贴附的层结构60位于处于外凸的记忆层20上，当衬底基板70与待贴附的层结构60的最高点的位置接触时贴附开始；随后记忆层20由外凸形态逐渐转变为平面形态，即待贴附的层结构60从中间位置至边缘位置逐渐贴附至衬底基板70上，在此过程中，记忆层20最高点相对于工作台10的位置不变，而记忆层20的边缘会逐渐与记忆层20的最高点位于同一高度，也就是说记忆层20的边缘相对于工作台10的位置发生变化；当记忆层20变为平面形态时，待贴附的层结构60全部贴附于衬底基板70上。

优选的，待贴附的层结构60包括金属层以及设于金属层上表面的胶膜层，在贴附过程中，待贴附的层结构60与记忆层20同形，且金属层与记忆层20接触，胶膜层与衬底基板70接触。

其中，也就是说金属层通过胶膜层贴附于衬底基板70上，这样可以保证金属层与衬底基板70的紧密贴合，保证产品的性能。

本实施例的贴膜治具还包括：分离层40，设于记忆层20远离工作台10的一侧，用于将待贴附的层结构60与记忆层20分离。

其中，也就是说分离层40位于记忆层20的上表面，在贴附的过程中，分离层40与待贴附的层结构60直接接触。

在贴附完成后，分离层40可以将已经贴附在衬底基板70上的层结构与记忆层20顺利分离，避免由于层结构与记忆层20的部分粘连过于紧密而影响贴附效果，从而可以进一步提高产品良率。

优选的，分离层40为从中心区域至边缘区域，由薄至厚渐变的层状结构。

其中，也就说分离层40的厚度是不同的，位于中心区域比较薄，即分离层40处于第一形态时凸起的区域比较薄，而越到边缘区域越厚。

当衬底基板70刚接触待贴附的层结构60时，衬底基板70对待贴附的层结构60的胶膜层的中心区域的作用力大于其对胶膜层的边缘区域的作用力，使得胶膜层发生形变，为了补偿胶膜层的形变将分离层40设置为中间薄边缘厚，这样可以保证贴附过程的顺利进行，从而可以保证产品良率。

本实施例的贴膜治具还包括:限位结构，设于工作台10上，用于限定待贴附的层结构60。

通过对待贴附的层结构60位置的限定，可以避免在贴附过程中待贴附的层结构60由于外界因素而发生位置变化，从而可以保证待贴附的层结构60贴附在衬底基板70的正确的位置上，进一步提高产品良率。

优选的，限位结构为与工作台10一体成型的凹槽50。

其中，当限位结构为凹槽50时，记忆层20可以安装在凹槽 50的底面。并且凹槽50侧壁的高度小于位于记忆层20上的待贴附的层结构60所在的高度，以实现贴附过程的顺利进行。

将限位结构设计为工作台10上的凹槽50，不仅使得限位结构在工作台10上的更加稳固，而且这种限位结构制作简便，容易形成。

实际上限位结构也不局限于上述的凹槽50，也可以是固定支架等结构，或者其他适合的限位结构。

优选的，记忆层20为多个，限位结构为多个；记忆层20与限位结构一一对应设置。

其中，也就是说每一个凹槽50中都放置一个待贴附的层结构 60，衬底基板70可以同时贴附阵列分布的多个层结构。

这样可以在保证产品良率的前提下，提高工作效率，从而降低制作成本。

本实施例的贴膜治具还包括：驱动结构，用于驱动记忆层20，以使记忆层20由处于第一形态和第二形态相互转换。

其中，这里所说的驱动结构可以设置于工作台10中，并且与记忆层20连接，以使记忆层20由第一形态逐渐变为第二形态，从而保证贴附过程的顺利进行。

优选的，记忆层20为记忆金属层。驱动结构包括：传导层 34，设于记忆层20靠近工作台10的一侧；变温单元，设于传导层34靠近工作台10的一侧，变温单元包括P型半导体层31a、N 型半导体层32a以及设于P型半导体层31a与N型半导体层32a 之间的分隔层33a，P型半导体层31a的一端与N型半导体层32a 的一端电连接，P型半导体层31a的另一端和N型半导体层32a 的另一端分别连接电源的不同电极。

其中，也就是说驱动结构通过改变记忆金属层的温度来改变记忆金属层的形态。例如，当变温单元的温度较高时，通过传导层34将高温传导至记忆层20，从而记忆金属层处于第一形态；当变温单元的温度由高变低时，通过传导层34温度传导记忆层20 的温度也由高变低，记忆金属层由第一形态向第二形态转变；变温单元的温度较低时，通过传导层34将低温传导至记忆层20，从而记忆金属层处于第二形态。具体的，变温单元可以通过改变P 型半导体层31a的另一端和N型半导体层32a的另一端所连接的电源的电极以及改变P型半导体层31a和N型半导体层32a中的电流大小来改变变温单元的温度。此外，P型半导体层31a与N 型半导体层32a的位置可以互换。

通过可控温的驱动结构控制记忆金属层的形态容易实现、操作简便，从而可以提高工作效率。

此外，本实施例的贴膜治具可以用于在制作OLED中将OLED 金属层贴附在OLED的玻璃基板上。本实施例的贴膜治具也可以安装在OLED的封装治具上，即贴膜治具为OLED的封装治具的一部分。

实施例2：

如图1和图2所示，本实施例提供另一种贴膜治具，其具有与实施例1(如图1所示)的贴膜治具结构类似，其与实施例1 的区别在于：记忆层20为记忆橡胶层。驱动结构包括：第一电磁铁31b；多个第二电磁铁32b，第一电磁铁31b和第二电磁铁32b 这与记忆层20和工作台10之间，且第二电磁铁32b设于第一电磁铁31b背离所述工作台10的一侧，即第一电磁铁31b和第二电磁铁32b相对设置。

具体的，第二电磁铁32b可以贴附于记忆橡胶层的下表面，当第一电磁铁31b和第二电磁铁32b通电时，第一电磁铁31b会对第二电磁铁32b的不同部分产生不同的磁力。又由于第二电磁铁32b由至少两个电磁铁排列构成，第一电磁铁31b会对第二电磁铁32b的磁力可以使得记忆橡胶层处于第一形态或者第二形态。例如，通过改变第一电磁铁31b和第二电磁铁32b的电流的大小或者方向，可以使得第二电磁铁32b带动记忆橡胶层由处于第一形态和第二形态相互转换。

具体的，如图2a、图2b和图2c所示，记忆橡胶层随着驱动结构由上凸形状逐渐变为平面形状，从而完成层结构60的在衬底基板70上的贴附。

本实施的贴膜治具中，通过驱动结构控制记忆橡胶层的形态容易实现、操作简便，从而可以提高工作效率。

实施例3：

本实施例提供一种上述实施例的贴膜治具的贴合方法，包括：

S10，将待贴附的层结构60放置在工作台10上的记忆层20 上，此时记忆处于第一形态。

S20，将衬底基板70的贴附面移动至接近记忆层20，并且使得待贴附的层结构60凸表面的最高位置接触。

S30，记忆层20由第一形态变为第二形态，以使待贴附的层结构60逐渐贴附于衬底基板。

本实施例的贴膜治具的贴合方法，主要是利用的记忆层20的对形态的记忆性能将待贴附的层结构60贴附于衬底基板70上。在记忆层20的作用下，待贴附的层结构60的凸表面的最高点的位置首先与衬底基板70贴附，随着记忆层20形态的变化，使得待贴附的层结构60由最高点的位置向其边缘逐渐贴附于衬底基板 70上。由于这是由衬底基板70的平面与记忆层20的曲面相互作用来实现层结构贴附，可以避免已经贴附好的层结构与衬底基板70之间存在大量气泡，从而提高产品良率。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种贴膜治具，用于向衬底基板贴附层结构，其特征在于，包括：

工作台；

记忆层，安装于所述工作台上；在特定条件下，所述记忆层由处于第一形态和第二形态相互转换；其中，所述第一形态为沿背离所述工作台的方向外凸的形态，所述第二形态为与所述衬底基板的形态相同的形态；且所述记忆层由第一形态转换至第二形态的过程中，能够将位于所述记忆层背离所述工作台一侧的待贴附的层结构贴附于衬底基板上；

还包括：

驱动结构，用于驱动所述记忆层，以使所述记忆层由处于第一形态和第二形态相互转换；

所述驱动结构包括：

第一电磁铁；

多个第二电磁铁，所述第一电磁铁和所述第二电磁铁设于所述记忆层和所述工作台之间，且所述第二电磁铁设于所述第一电磁铁背离所述工作台的一侧。

2.根据权利要求1所述的贴膜治具，其特征在于，所述驱动结构包括：

传导层，设于所述记忆层靠近所述工作台的一侧；

变温单元，设于所述传导层靠近所述工作台的一侧，所述变温单元包括P型半导体层、N型半导体层以及设于所述P型半导体层与N型半导体层之间的分隔层，所述P型半导体层的一端与N型半导体层的一端电连接，所述P型半导体层的另一端和N型半导体层的另一端分别连接电源的不同电极。

3.根据权利要求1所述的贴膜治具，其特征在于，还包括：

分离层，设于所述记忆层远离所述工作台的一侧，用于将所述待贴附的层结构与所述记忆层分离。

4.根据权利要求3所述的贴膜治具，其特征在于，所述分离层为从中心区域至边缘区域，由薄至厚渐变的层状结构。

5.根据权利要求1所述的贴膜治具，其特征在于，还包括：

限位结构，设于所述工作台上，用于限定所述待贴附的层结构。

6.根据权利要求5所述的贴膜治具，其特征在于，所述限位结构为与所述工作台一体成型的凹槽。

7.根据权利要求5所述的贴膜治具，其特征在于，所述记忆层为多个，所述限位结构为多个；所述记忆层与所述限位结构一一对应设置。

8.根据权利要求1所述的贴膜治具，其特征在于，所述记忆层为记忆金属层或者记忆橡胶层中的至少一种。