CN216120346U - 一种用于led芯片巨量转移焊接制程的组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种用于LED芯片巨量转移焊接制程的组件，包括转移焊接载板、取放结构以及压合结构。转移焊接载板包括基底和贴设在基底的一表面的粘贴膜，粘贴膜用于粘附LED芯片。取放结构用于拿取转移焊接载板。压合结构用于向转移焊接载板背离粘贴膜的一面施加压力，使所有的LED芯片均能够与目标基板充分接触，以避免由于目标基板板厚不均匀导致的部分LED芯片与目标基板没有接触到位，从而提高LED芯片的转移焊接良率。且，压合结构包括压合块和贴设在压合块面向转移焊接载板的一表面的缓冲膜，缓冲膜起到一次缓冲作用，使压合结构与转移焊接载板为柔性接触，避免过压压坏LED芯片或目标基板。粘贴膜起到二次缓冲作用，进一步提高LED芯片的转移焊接良率。

Description

一种用于LED芯片巨量转移焊接制程的组件

技术领域

本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种用于LED芯片巨量转移焊接制程的组件。

背景技术

LED芯片通常是在特定生长衬底(例如蓝宝石衬底、碳化硅衬底等)制成，制成LED芯片后，需要将LED芯片从生长衬底剥离并转移至目标基板，以进一步制成特定的LED产品。在LED芯片的整个巨量转移焊接制程中，涉及到多次转移，包括首先将LED芯片从生长衬底剥离转移至具有粘贴膜的转移焊接载板，再经该转移焊接载板将LED芯片转移至另一转移焊接载板或者转移至PCB板等目标基板。

在转移LED芯片的焊接过程中，由于目标基板存在翘曲、板厚不均匀等问题，导致LED芯片转移焊接良率低下。例如，在将转移焊接载板上的LED芯片转移至PCB板的制程中，LED芯片与PCB板上的对应焊盘对位焊接时，由于PCB板板厚不均匀，部分LED芯片没有与PCB板上的对应焊盘充分接触，导致LED芯片虚焊，部分LED芯片与PCB板过度贴合造成过压现象，在PCB板上形成压痕且容易损坏LED芯片，LED芯片的转移良率低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种能够在LED芯片巨量转移焊接制程中实现高转移焊接良率的组件。

为实现上述目的，本实用新型提供一种用于LED芯片巨量转移焊接制程的组件，以将LED芯片转移至目标基板。该组件包括转移焊接载板、取放结构以及压合结构。其中，所述转移焊接载板包括基底和贴设在所述基底的一表面的粘贴膜，所述粘贴膜用于粘附LED芯片。所述取放结构用于拿取所述转移焊接载板。所述压合结构用于向所述转移焊接载板背离所述粘贴膜的一面施加压力，使所述转移焊接载板上的LED芯片与目标基板接触，所述压合结构包括压合块和贴设在所述压合块面向所述转移焊接载板的一表面的缓冲膜。

与现有技术相比，本实用新型的转移焊接制程的组件在进行LED芯片转移焊接时，利用压合结构向转移焊接载板施加压力，以使所有的LED芯片均能够与目标基板充分接触，在此过程中，压合结构的缓冲膜起到一次缓冲作用，使压合结构与转移焊接载板为柔性接触，从而调整转移焊接载板上LED芯片与目标基板的接触面，避免过压造成LED芯片或目标基板的损伤；转移焊接载板上的粘贴膜具有粘贴LED芯片和二次缓冲的作用，进一步避免了由于目标基板板厚不均匀导致的部分LED芯片与目标基板没有接触到位，从而提高LED芯片的转移焊接良率，同时，也可以提高转移焊接效率。

较佳地，所述缓冲膜的厚度为100um～500um。

较佳地，所述缓冲膜为PU膜、TPU膜、PET膜、PE膜、PVC膜中的一种。

较佳地，所述粘贴膜的厚度为200um～1000um。此厚度范围下的粘贴膜可以起到较佳的二次缓冲作用，有效避免了过压和接触不良问题。

在一实施例中，所述粘贴膜包括粘贴固定的第一胶膜和第二胶膜，所述第一胶膜包括依次层叠的第一胶层、第一基材层及第二胶层，所述第二胶膜包括依次层叠的第三胶层、第二基材层及第四胶层，所述第三胶层与所述第二胶层粘合，所述第一胶层与所述基底粘合，所述第四胶层用于粘附LED芯片。

较佳地，所述第一胶层、第二胶层、第三胶层、第四胶层为硅胶或橡胶或亚克力胶。

在一实施例中，所述粘贴膜包括依次层叠的第一胶层、第一基材层、第二胶层、第二基材层及第三胶层，所述第一胶层与所述基底粘合，所述第三胶层用于粘附LED芯片。

较佳地，所述第一胶层、第二胶层、第三胶层为硅胶或橡胶或亚克力胶。

在一实施例中，所述目标基板为PCB板，所述粘贴膜、所述压合块以及所述缓冲膜可透过激光。

较佳地，所述取放结构包括多个吸附件，所述多个吸附件设于所述压合块的周侧，所述多个吸附件协同拿取所述转移焊接载板。

附图说明

图1是本实用新型一实施例组件及目标基板的示意图。

图2是本实用新型一实施例粘贴膜的示意图。

图3是本实用新型另一实施例粘贴膜的示意图。

图4是本实用新型又一实施例粘贴膜的示意图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本实用新型和简化描述，因而不能理解为对本实用新型保护内容的限制。

请参阅图1至图4，本实用新型提供一种用于LED芯片巨量转移焊接制程的组件，以将LED芯片40转移至目标基板50。具体的，该组件包括转移焊接载板10、取放结构以及压合结构30。其中，转移焊接载板10包括基底11和贴设在基底11的一表面的粘贴膜12，粘贴膜12用于粘附LED芯片40。取放结构用于拿取转移焊接载板10。压合结构30用于向转移焊接载板10背离粘贴膜12的一面施加压力，使转移焊接载板10上的LED芯片40与目标基板50接触。压合结构30包括压合块31和贴设在压合块31面向转移焊接载板10的一表面的缓冲膜32。

其中，目标基板50可以为PCB板，组件将LED芯片40转移至与目标基板50上的焊盘51对应焊接固定，以制成特定的LED产品。目标基板50也可以为另一转移焊接载板，即是，进行再次倒膜将LED芯片40转移至另一转移焊接载板的粘贴膜所在面，以满足后续工序对转移焊接载板的特性(例如，后续将LED芯片40转移至PCB板时要求承载LED芯片40的转移焊接载板的粘贴膜受激光照射膨胀)和/或LED芯片40的电极方向要求等。

下面，以目标基板50为PCB板为例结合附图图1至图4对本实用新型的组件进行详细说明。

以图1所示角度为例，在将LED芯片40转移至目标基板50时，整个组件置于目标基板50的上方。压合结构30设于转移焊接载板10之上，并可相对转移焊接载板10上下移动，缓冲膜32贴设在压合块31的下表面。基底11包括上下相对设置的上表面和下表面，粘贴膜12贴设在基底11的下表面。在取放结构拿取转移焊接载板10置于目标基板50上方时，利用气缸或者电机等驱动结构驱动压合结构30向下移动压在基底11的上表面，从而给转移焊接载板10施以向下的压力，使转移焊接载板10上的LED芯片40与目标基板50接触。压合结构30的缓冲膜32起到一次缓冲作用，使压合结构30与转移焊接载板10为柔性接触，从而调整转移焊接载板10上LED芯片40与目标基板50的接触面，避免过压造成LED芯片40或目标基板50的损伤，转移焊接载板10上的粘贴膜12具有粘贴LED芯片40和二次缓冲的作用，进而进一步避免由于目标基板50板厚不均匀导致部分LED芯片40与对应的焊盘51没有充分接触，提高LED芯片40焊接良率，进而提高转移良率。

如图1所示，具体的，取放结构包括多个吸附件21，多个吸附件21协同吸附转移焊接载板10。为避免吸附件21影响激光焊接，多个吸附件21设于压合块31的周侧。

在该实施例中，基底11为高透的玻璃板。粘贴膜12、压合块31、缓冲膜32均可透过激光，在通过激光60焊接固定LED芯片40与目标基板50上的对应焊盘51时，依然可以使压合结构30保持压在转移焊接载板10上，以此，避免焊接过程中LED芯片40发生移位，提高焊接良率。具体的，压合块31可选为石英等透明结构。缓冲膜32可选为PU膜、TPU膜、PET膜、PE膜、PVC膜中的一种。

为兼顾压合结构30的压合效果以及缓冲膜32的缓冲效果，作为优选实施例，缓冲膜32的厚度为100um～500um。当然，具体实施中也可以根据实际情况对缓冲膜32的厚度作适应性调整。

进一步的，为提高缓冲效果，进一步避免压合结构30压坏LED芯片40或目标基板50，粘贴膜12的厚度为200um～1000um。

请参阅图2，图2所示实施例中，粘贴膜12为一层双面胶膜，其由基材层121和分别贴设在其基材层121的上表面和下表面的第一胶层122和第二胶层123构成，通过增大基材层121和/或第一胶层122和/或第二胶层123的厚度，使其总厚度达到200um～1000um，从而提高其缓冲效果。

请参阅图3，图3所示实施例中，粘贴膜12为两层双面胶膜粘贴而成，包括粘贴固定的第一胶膜和第二胶膜。第一胶膜由自上向下依次层叠的第一胶层122、第一基材层121及第二胶层123构成，同样的，第二胶膜由自上向下依次层叠的第三胶层125、第二基材层124及第四胶层126构成，第三胶层125与第二胶层123粘合，第一胶层122与基底11粘合，第四胶层126用于粘附LED芯片40。即是，通过将两层普通双面胶膜粘贴固定在一起，使粘贴膜12的厚度为240um～1000um。相较于图2所示实施例的粘贴膜结构，该实施例不存在由于加厚胶层厚度导致的厚度差异增大，影响压合、焊接效果的问题。

请参阅图4，图4所示实施例中，粘贴膜12由自上向下依次层叠的第一胶层122、第一基材层121、第二胶层123、第二基材层124及第三胶层125构成，第一胶层122与基底11粘合，第三胶层125层用于粘附LED芯片40。相较于图3所示实施例的粘贴膜结构，该实施例无需将两双面胶膜粘贴，也不存在图2所示实施例的厚度差异问题。

图2至图4所示实施例中，前述第一胶层122、第二胶层123、第三胶层125、第四胶层126优选为硅胶或橡胶或亚克力胶。当然，具体实施中不以此为限。

下面，结合图1对采用本实用新型一实施例的组件进行LED芯片40转移的过程进行说明。

首先，将目标基板50放置在压合结构30的下方；然后，利用取放结构吸附转移焊接载板10，并使转移焊接载板10靠近目标基板50直至转移焊接载板10上的LED芯片40与目标基板50上的对应焊盘51接触；接着，使压合结构30向下移动给转移焊接载板10施以预设的下压力，以使转移焊接载板10上的各LED芯片40均与目标基板50的对应焊盘51充分接触(LED芯片40能够实现与对应焊盘51稳定焊接的接触状态)；接着，自上向下照射激光60，使LED芯片40与对应的焊盘51焊接固定；然后，压合结构30向上移动至回原，取放结构吸附完成LED芯片40转移的转移焊接载板10从目标基板50上方移开，结束当前转移焊接制程。

综上，本实用新型使用取放结构拿取转移焊接载板10，利用压合结构30向转移焊接载板10背离粘贴膜12的一面施加压力，使转移焊接载板10上的LED芯片40与目标基板50上的对应焊盘51充分接触。具体的，压合块31面向转移焊接载板10的一表面设有缓冲膜32，通过缓冲膜32使压合结构30与转移焊接载板10为柔性接触，使所有的LED芯片40均能够与目标基板50上的对应焊盘51充分接触，避免过压压坏LED芯片40或目标基板50；转移焊接载板10上的粘贴膜12总厚度较厚，也能起到二次缓冲作用，进一步避免了由于目标基板50板厚不均匀导致的部分LED芯片40与目标基板50的焊盘51没有接触到位，提高了LED芯片40的焊接良率，同时也避免了由于目标基板50板厚不均导致的离焦距离不均造成击伤LED芯片40的问题，进而提高了LED芯片40转移焊接良率。

以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实例而已，不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，均属于本实用新型所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种用于LED芯片巨量转移焊接制程的组件，用于将LED芯片转移至目标基板，其特征在于，包括：

转移焊接载板，包括基底和贴设在所述基底的一表面的粘贴膜，所述粘贴膜用于粘附LED芯片；

取放结构，用于拿取所述转移焊接载板；以及

压合结构，用于向所述转移焊接载板背离所述粘贴膜的一面施加压力，使所述转移焊接载板上的LED芯片与目标基板接触，所述压合结构包括压合块和贴设在所述压合块面向所述转移焊接载板的一表面的缓冲膜。

2.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述缓冲膜的厚度为100um～500um。

3.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述缓冲膜为PU膜、TPU膜、PET膜、PE膜、PVC膜中的一种。

4.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述粘贴膜的厚度为200um～1000um。

5.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述粘贴膜包括粘贴固定的第一胶膜和第二胶膜，所述第一胶膜包括依次层叠的第一胶层、第一基材层及第二胶层，所述第二胶膜包括依次层叠的第三胶层、第二基材层及第四胶层，所述第三胶层与所述第二胶层粘合，所述第一胶层与所述基底粘合，所述第四胶层用于粘附LED芯片。

6.如权利要求5所述的组件，其特征在于，所述第一胶层、第二胶层、第三胶层、第四胶层为硅胶或橡胶或亚克力胶。

7.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述粘贴膜包括依次层叠的第一胶层、第一基材层、第二胶层、第二基材层及第三胶层，所述第一胶层与所述基底粘合，所述第三胶层用于粘附LED芯片。

8.如权利要求7所述的组件，其特征在于，所述第一胶层、第二胶层、第三胶层为硅胶或橡胶或亚克力胶。

9.如权利要求1至8任一项所述的组件，其特征在于，所述目标基板为PCB板，所述粘贴膜、所述压合块以及所述缓冲膜可透过激光。

10.如权利要求1至8任一项所述的组件，其特征在于，所述取放结构包括多个吸附件，所述多个吸附件设于所述压合块的周侧，所述多个吸附件协同拿取所述转移焊接载板。

Images