CN111508989A - 显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本公开的显示基板，包括基底和依次叠置在基底上的驱动电路、绝缘层和绑定电极，绑定电极被配置为连接待绑定微型无机发光二极管芯片的正负极，还包括弹性层，弹性层夹设于绑定电极与绝缘层之间，且弹性层在基底上的正投影至少覆盖绑定电极在基底上的正投影。本公开的显示面板，包括上述显示基板，还包括微型无机发光二极管芯片，微型无机发光二极管芯片的正极和负极与显示基板上的绑定电极连接。

Description

显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法
技术领域
本公开实施例属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法。
背景技术
微型无机发光二极管技术，即发光二极管微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的发光二极管阵列，如发光二极管显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮。
現行微型无机发光二极管技术主要通过巨量转移技术将微型无机发光二极管芯片与驱动电路基板进行绑定连接。巨量转移技术受到工艺能力限制，转移时间是一重大开发瓶颈，转移时间问题主要来自于微型无机发光二极管进行巨量转移时，受限于微型无机发光二极管芯片载板和驱动电路基板的平整度，微型无机发光二极管芯片载板和驱动电路基板的平整度不均匀会对微型无机发光二极管芯片巨量转移造成重大困难。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法。
第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括基底和依次叠置在所述基底上的驱动电路、绝缘层和绑定电极，所述绑定电极被配置为连接待绑定微型无机发光二极管芯片的正负极，还包括弹性层，所述弹性层夹设于所述绑定电极与所述绝缘层之间，且所述弹性层在所述基底上的正投影至少覆盖所述绑定电极在所述基底上的正投影。
在一些实施例中，所述弹性层的材料包括光刻胶、天然橡胶、聚二甲基硅氧烷中的任意一种。
在一些实施例中，所述弹性层的材料包括导电光刻胶。
在一些实施例中，所述弹性层的最小膜厚为：[(压力/应力)]/弹性模量*[(X1/L1-X2/L2)L1]；
其中，压力为将载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板与所述显示基板绑定压合时的压力；应力为所述显示基板的内部应力；弹性模量为所述弹性层的弹性模量；X1为载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板的最大翘曲位置点与未发生翘曲时该位置点之间的间距；L1为载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板垂直于其翘曲方向的宽度；X2为所述显示基板的最大翘曲位置点与未发生翘曲时该位置点之间的间距；L2为所述显示基板垂直于其翘曲方向的宽度。
在一些实施例中，所述绑定电极包括间隔设置的第一电极和第二电极，所述弹性层在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极在所述基底上的正投影，还覆盖所述第二电极在所述基底上的正投影以及所述第一电极和所述第二电极在所述基底上正投影间的间隔区。
在一些实施例中，还包括第一连接线和第二连接线；所述绝缘层中开设有第一过孔和第二过孔，所述第一连接线通过所述第一过孔连接所述第一电极与所述驱动电路的第一端；所述第二连接线通过所述第二过孔连接所述第二电极与所述驱动电路的第二端。
在一些实施例中，所述绑定电极包括间隔设置的第一电极和第二电极，所述弹性层包括间隔设置的第一分部和第二分部，所述第一分部在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极在所述基底上的正投影，所述第二分部在所述基底上的正投影覆盖所述第二电极在所述基底上的正投影。
在一些实施例中，所述绝缘层中开设有第一过孔和第二过孔，所述第一分部延伸通过所述第一过孔并连接所述驱动电路的第一端；所述第二分部延伸通过所述第二过孔并连接所述驱动电路的第二端。
在一些实施例中，所述第一电极的材料包括钛、镍、铜、金中的任意一种或几种；
所述第二电极的材料包括钛、镍、铜、金中的任意一种或几种。
第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括上述显示基板，还包括微型无机发光二极管芯片，所述微型无机发光二极管芯片的正极和负极与所述显示基板上的绑定电极连接。
在一些实施例中，微型无机发光二极管芯片包括多个，多个所述微型无机发光二极管芯片呈阵列排布；所述微型无机发光二极管芯片的发光颜色相同；
所述显示面板还包括光线转换层，所述光线转换层设置于所述微型无机发光二极管芯片的背离所述显示基板的一侧，且所述光线转换层对应所述微型无机发光二极管芯片分布。
在一些实施例中，所述显示基板具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区彼此相邻并间隔；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区内分别设置有一个所述微型无机发光二极管芯片；
所述光线转换层包括红色量子点图案、绿色量子点图案和透明胶膜图案；
所述红色量子点图案设置于所述第一子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧，所述绿色量子点图案设置于所述第二子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧，所述透明胶膜图案设置于所述第三子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧。
在一些实施例中，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区之间设置有不透光的像素界定层。
在一些实施例中，所述显示基板中的绝缘层不透光。
第三方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括在基底上依次制备驱动电路、绝缘层和绑定电极，所述绑定电极被配置为连接待绑定微型无机发光二极管芯片的正负极，在所述绝缘层制备完成后且在制备所述绑定电极之前还包括制备弹性层，所述弹性层在所述基底上的正投影至少覆盖所述绑定电极在所述基底上的正投影。
在一些实施例中，制备所述弹性层包括：
计算所述弹性层的最小膜厚，根据所述最小膜厚确定所述弹性层的最小工艺膜厚；
涂敷形成最小工艺膜厚的弹性层膜；
曝光、显影形成所述弹性层的图形；
烘干固化所述弹性层。
第四方面，本公开实施例提供一种显示面板的制备方法，包括将上述制备的显示基板与微型无机发光二极管芯片进行绑定连接，其中，所述微型无机发光二极管芯片的正极和负极与所述显示基板上的绑定电极连接。
在一些实施例中，所述微型无机发光二极管芯片包括多个，多个所述微型无机发光二极管芯片呈阵列排布；所述微型无机发光二极管芯片的发光颜色相同；
所述显示面板的制备方法还包括制备光线转换层；所述光线转换层制备于所述微型无机发光二极管芯片的背离所述显示基板的一侧，且所述光线转换层对应所述微型无机发光二极管芯片分布。
在一些实施例中，所述显示基板具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区彼此相邻并间隔；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区内分别形成有一个所述微型无机发光二极管芯片；
制备光线转换层包括制备红色量子点图案、绿色量子点图案和透明胶膜图案；
所述制备方法还包括在所述第一子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧形成红色量子点图案；在所述第二子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧形成绿色量子点图案；在所述第三子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧形成透明胶膜图案。
在一些实施例中，还包括在所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区之间形成不透光的像素界定层。
附图说明
附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开，并不构成对本公开的限制。通过参考附图对详细示例实施例进行描述，以上和其它特征和优点对本领域技术人员将变得更加显而易见，在附图中：
图1为微型无机发光二极管芯片进行巨量转移绑定连接的工艺过程示意图；
图2为驱动电路基板产生翘曲的示意图；
图3为本公开实施例中一种显示基板的局部结构俯视图；
图4为图3中显示基板沿AA剖切线的局部结构剖视图；
图5为本公开实施例中2T1C驱动电路的电路图；
图6为发生翘曲的转移载板和显示基板的侧视图；
图7为本公开实施例中另一种显示基板的局部结构俯视图；
图8为图7中显示基板沿BB剖切线的局部结构剖视图；
图9为本公开实施例中一种显示面板的局部结构剖视图。
其中附图标记为：
1、基底；2、驱动电路；3、绝缘层；31、第一过孔；32、第二过孔；4、弹性层；41、第一分部；42、第二分部；5、转移载板；61、第一子像素区；62、第二子像素区；63、第三子像素区；7、第一电极；8、第二电极；9、第一连接线；10、第二连接线；11、微型无机发光二极管芯片；111、正极；112、负极； 13、红色量子点图案；14、绿色量子点图案；15、透明胶膜图案；16、像素界定层；17、驱动电路基板；18、晶圆衬底。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开实施例的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开实施例提供的一种显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法作进一步详细描述。
在下文中将参考附图更充分地描述本公开实施例，但是所示的实施例可以以不同形式来体现，且不应当被解释为限于本公开阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。
本公开实施例不限于附图中所示的实施例，而是包括基于制造工艺而形成的配置的修改。因此，附图中例示的区具有属性，并且图中所示区的形状例示了区的具体形状，但并不是旨在限制性的。
在相关技术中，如图1所示，a、转移载板5放置于晶圆衬底18具有微型无机发光二极管芯片11的一侧；b、将微型无机发光二极管芯片11从晶圆衬底 18转移到转移载板5；c、将带有微型无机发光二极管芯片11的转移载板5放置于驱动电路基板17的一侧；d、通过对位压合的设备和工艺将微型无机发光二极管芯片11对位压合至驱动电路基板17上，以使微型无机发光二极管芯片 11的正负极分别与驱动电路基板17上的相应绑定电极压合焊接或者粘结固化，再剥离掉转移载板5。
上述微型无机发光二极管芯片的巨量转移过程，受限于微型无机发光二极管芯片转移载板和驱动电路基板的平整度，由于微型无机发光二极管芯片转移载板和驱动电路基板会在不同位置存在不同程度的翘曲，使微型无机发光二极管芯片转移载版和驱动电路基板的平整度不均匀，这会对微型无机发光二极管芯片巨量转移造成重大困难。
一般低温多晶硅驱动电路基板和氧化物驱动电路基板的表层需要进行绝缘钝化处理，而钝化膜通常为多层膜结构，且受限于设备制程的不均性，导致整个驱动电路基板17会产生向待绑定微型无机发光二极管芯片侧翘曲的现象，如图2所示，导致驱动电路基板的平整度不均匀，这对于巨量转移将造成重大困难。
针对上述的微型无机发光二极管芯片载板和驱动电路基板的平整度不均匀导致的微型无机发光二极管芯片巨量转移困难、效率低的问题，本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法。
本发明的一实施例提供一种显示基板，如图3和图4所示，包括基底1和依次叠置在基底1上的驱动电路2、绝缘层3和绑定电极，绑定电极被配置为连接待绑定微型无机发光二极管芯片的正负极，还包括弹性层4，弹性层4夹设于绑定电极与绝缘层3之间，且弹性层4在基底1上的正投影至少覆盖绑定电极在基底1上的正投影。
其中，设置在基底上的驱动电路2包括薄膜晶体管等元器件，如2T1C(如图5所示)、3T1C等驱动电路。驱动电路2中的晶体管可以为低温多晶硅晶体管 (LTPS TFT)，也可以为铟镓锌氧化物晶体管(IGZO TFT)。绝缘层3可以为单层结构，也可以为多层结构；绝缘层3采用无机绝缘材料，如氧化硅、氮化硅等，可以较好地防止水氧入侵驱动电路2，以免水氧对驱动电路2中的电气元件造成氧化损坏。在一些实施例中，绝缘层3的厚度可以大约为300nm。
弹性层4具有一定的弹性和柔性性能，如弹性层4的弹性模量通常在2.0 MPa～10Mpa范围内，通过在绑定电极与绝缘层3之间设置弹性层4，且弹性层 4在基底1上的正投影至少覆盖绑定电极在基底1上的正投影，在巨量转移微型无机发光二极管芯片与显示基板的绑定过程中，能够弥补和缓冲绑定电极与微型无机发光二极管芯片正负极之间的对合绑定压力，降低由于显示基板的平整度不均匀以及微型无机发光二极管芯片的转移载板的平整度不均匀所导致的微型无机发光二极管芯片的正负极与显示基板上的绑定电极之间的绑定难度，从而使微型无机发光二极管芯片的巨量转移无需缩减转移载板的转移面积就能实现相同精度的微型无机发光二极管芯片绑定，同时还缩短了巨量转移时间并提高了巨量转移效率。
在一些实施例中，弹性层4的材料包括光刻胶、天然橡胶、聚二甲基硅氧烷中的任意一种。
在一些实施例中，弹性层4的最小膜厚为：[(压力/应力)]/弹性模量 *[(X1/L1-X2/L2)L1]；其中，如图6所示，压力为将载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板5与显示基板6绑定压合时的压力；应力为显示基板6 的内部应力；弹性模量为弹性层4的弹性模量；X1为载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板5的最大翘曲位置点P与未发生翘曲时该位置点P'之间的间距；L1为载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板5垂直于其翘曲方向X的宽度；X2为显示基板6的最大翘曲位置点Q与未发生翘曲时该位置点Q'之间的间距；L2为显示基板6垂直于其翘曲方向Y的宽度。
在一些实施例中，绑定电极包括间隔设置的第一电极7和第二电极8，弹性层4在基底1上的正投影覆盖第一电极7在基底1上的正投影，还覆盖第二电极8在基底1上的正投影以及第一电极7和第二电极8在基底1上正投影间的间隔区。如此设置，能够更好地弥补和缓冲绑定电极与微型无机发光二极管芯片正负极之间的对合绑定压力，降低由于显示基板的平整度不均匀以及微型无机发光二极管芯片的转移载板的平整度不均匀所导致的微型无机发光二极管芯片的正负极与显示基板上的绑定电极之间的绑定难度。
本实施例中，显示基板还包括第一连接线9和第二连接线10；绝缘层3中开设有第一过孔31和第二过孔32，第一连接线9通过第一过孔31连接第一电极7与驱动电路2的第一端；第二连接线10通过第二过孔32连接第二电极8 与驱动电路2的第二端。其中，驱动电路2的第一端和第二端指的是驱动电路2 的用于与微型无机发光二极管芯片的正负极分别连接的两个电极端，用于为微型无机发光二极管芯片提供驱动电压。
本实施例中，第一电极7的材料包括钛、镍、铜、金中的任意一种或几种；第二电极8的材料包括钛、镍、铜、金中的任意一种或几种。其中，第一电极7 可以采用某种金属材料构成的单层结构，如第一电极7为钛、镍、铜、金中的任意一种金属材料的单层结构；也可以采用几种不同金属材料层所构成的叠层结构，如第一电极7为钛/镍/金的叠层结构或者钛/镍/铜的叠层结构。第二电极8同样可以采用某种金属材料构成的单层结构，如第二电极8为钛、镍、铜、金中的任意一种金属材料的单层结构；也可以采用几种不同金属材料层所构成的叠层结构，如第二电极8为钛/镍/金的叠层结构或者钛/镍/铜的叠层结构。
基于显示基板的上述结构，本发明的一实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括在基底上依次制备驱动电路、绝缘层和绑定电极，绑定电极被配置为连接待绑定微型无机发光二极管芯片的正负极，在绝缘层制备完成后且在制备绑定电极之前还包括制备弹性层，弹性层在基底上的正投影至少覆盖绑定电极在基底上的正投影。
其中，制备弹性层包括：
S01：计算弹性层的最小膜厚，根据最小膜厚确定弹性层的最小工艺膜厚。
该步骤中，测量转移载板的翘曲和显示基板的翘曲，获得X1、L1、X2、L2；载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板与显示基板绑定压合时的压力可以提前设定；显示基板的内部应力也可以根据显示基板的翘曲程度计算获得；弹性模量根据弹性层的使用材料可获得。根据公式[(压力/应力)]/弹性模量 *[(X1/L1-X2/L2)L1]可计算获得弹性层的最小膜厚。如：测量得到X1＝2μm； X2＝15μm；L1＝10mm；L2＝101.6mm；弹性层使用SU8-3000型光刻胶，其弹性模量为2.0MPa；预计使用的绑定压合时的压力为2Mpa；显示基板的内部应力为1 Mpa。计算弹性层的最小膜厚为 [(2MPa/1MPa)]/2*[(2/10000-15/101600)*10000]＝0.052μm；因此可确定弹性层的最小工艺膜厚为1-2μm。
S02：涂敷形成最小工艺膜厚的弹性层膜。
该步骤中，可以使用4000rpm的速度旋涂SU8-3000型光刻胶形成2μm膜厚的弹性层膜。
S03：曝光、显影形成弹性层的图形。
S04：烘干固化弹性层。
该步骤中，如采用200℃的温度烘干固化弹性层。
另外，本实施例中显示基板的制备方法中，驱动电路、绝缘层和绑定电极的制备均采用传统的构图工艺，这里不再赘述。
本发明的另一实施例提供一种显示基板，与上述实施例中的显示基板不同的是，弹性层的材料包括导电光刻胶。如在光刻胶中掺入纳米银粉和碳粉，形成导电光刻胶。
在一些实施例中，如图7和图8所示，绑定电极包括间隔设置的第一电极7 和第二电极8，弹性层的材料包括导电光刻胶时，弹性层包括间隔设置的第一分部41和第二分部42，第一分部41在基底1上的正投影覆盖第一电极7在基底 1上的正投影，第二分部42在基底1上的正投影覆盖第二电极8在基底1上的正投影。其中，由于弹性层采用导电材料，所以分设在第一电极7和第二电极8 下方的弹性层的第一分部41和第二分部42相互间隔绝缘。
通过使第一分部41在基底1上的正投影覆盖第一电极7在基底1上的正投影，第二分部42在基底1上的正投影覆盖第二电极8在基底1上的正投影，能够更好地弥补和缓冲绑定电极与微型无机发光二极管芯片正负极之间的对合绑定压力，降低由于显示基板的平整度不均匀以及微型无机发光二极管芯片的转移载板的平整度不均匀所导致的微型无机发光二极管芯片的正负极与显示基板上的绑定电极之间的绑定难度。
本实施例中，绝缘层3中开设有第一过孔31和第二过孔32，第一分部41 延伸通过第一过孔31并连接驱动电路2的第一端；第二分部42延伸通过第二过孔32并连接驱动电路2的第二端。其中，驱动电路2的第一端和第二端指的是驱动电路2的用于与微型无机发光二极管芯片的正负极分别连接的两个电极端，用于为微型无机发光二极管芯片提供驱动电压。
本实施例中显示基板的其他结构与上述实施例中相同，此处不再赘述。
基于本实施例中显示基板的上述结构，本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法，该制备方法与上述实施例中的制备方法只是弹性层所使用的材料不同，其他制备方法均相同，这里不再赘述。
本发明上述实施例中所提供的显示基板，由于弹性层具有一定的弹性和柔性性能，通过在绑定电极与绝缘层之间设置弹性层，且弹性层在基底上的正投影至少覆盖绑定电极在基底上的正投影，在微型无机发光二极管芯片与显示基板的绑定过程中，能够弥补和缓冲绑定电极与微型无机发光二极管芯片正负极之间的对合绑定压力，降低由于显示基板的平整度不均匀以及微型无机发光二极管芯片的转移载板的平整度不均匀所导致的微型无机发光二极管芯片的正负极与显示基板上的绑定电极之间的绑定难度，从而使微型无机发光二极管芯片的巨量转移无需缩减转移载板的转移面积就能实现相同精度的微型无机发光二极管芯片绑定，同时还缩短了巨量转移时间并提高了巨量转移效率。
本发明的另一实施例提供一种显示面板，如图9所示，包括上述任一实施例中的显示基板，还包括微型无机发光二极管芯片11，微型无机发光二极管芯片11的正极111和负极112与显示基板上的绑定电极连接。
在一些实施例中，微型无机发光二极管芯片11包括多个，多个微型无机发光二极管芯片11呈阵列排布；微型无机发光二极管芯片11的发光颜色相同；显示面板还包括光线转换层，光线转换层设置于微型无机发光二极管芯片11的背离显示基板的一侧，且光线转换层对应微型无机发光二极管芯片11分布。
在一些实施例中，显示基板具有第一子像素区61、第二子像素区62和第三子像素区63，第一子像素区61、第二子像素区62和第三子像素区63彼此相邻并间隔；第一子像素区61、第二子像素区62和第三子像素区63内分别设置有一个微型无机发光二极管芯片11；光线转换层包括红色量子点图案13、绿色量子点图案14和透明胶膜图案15；红色量子点图案13设置于第一子像素区61内微型无机发光二极管芯片11的出光侧，绿色量子点图案14设置于第二子像素区62内微型无机发光二极管芯片11的出光侧，透明胶膜图案15设置于第三子像素区63内微型无机发光二极管芯片11的出光侧。
在一些实施例中，红色量子点图案13的厚度范围为10～50μm；绿色量子点图案14的厚度范围为15～50μm；透明胶膜图案15的厚度范围为5～50μm。
其中，目前的红绿蓝三色发光二极管显示面板，易受发光二极管bin分布 (即同生产条件下生产的发光二极管存在色差)影响，导致色纯度不佳的问题。本实施例中，微型无机发光二极管芯片11发蓝光，红色量子点图案13和绿色量子点图案14在接受微型无机发光二极管芯片11发出的蓝光照射后，会达到激发态，从而分别发出红色光和绿色光，且红色量子点图案13和绿色量子点图案14能使量子点达到激发态的光谱范围较宽，只要激发光能量高于阈值，即可使量子点激发，且不论激发光的波长为多少，固定材料和尺寸的量子点的发射光谱是固定的，发射光谱范围较窄且对称。另外，可以通过显示基板上的驱动电路控制蓝光微型无机发光二极管芯片11的发光量，进而控制红色量子点图案 13和绿色量子点图案14光致激发形成灰阶。对于本身发蓝光的微型无机发光二极管芯片11，由于其发射光谱范围本身较窄，且蓝光微型无机发光二极管芯片 11的色差并不明显，所以在第三子像素区63内微型无机发光二极管芯片11的出光侧只需设置有透明胶膜图案15即可。因此，红色量子点图案13和绿色量子点图案14的设置，不仅能够实现该发光二极管显示面板的彩色显示，而且还能提升该显示面板的显示效果。
在一些实施例中，第一子像素区61、第二子像素区62和第三子像素区63 之间设置有不透光的像素界定层16。像素界定层16采用如白色不透光的聚酰亚胺材料，甚至可以采用能够反射光线的材料。可以理解的是，像素界定层16的高度，可以等于或者略高于光线转换层在垂直于基底方向上的厚度。通过设置像素界定层16，能够防止相邻微型无机发光二极管芯片11之间的颜色串扰，提升显示效果。
本实施例中，微型无机发光二极管芯片11的正极111和负极112采用镍、金或铜等材料，另外在正极111和负极112上通常还会设置金属焊盘，金属焊盘是为了使正极111和负极112与绑定电极的绑定连接更加牢固，且接触电阻更小，以提升微型无机发光二极管芯片11的点亮效果。金属焊盘通常也采用镍、金或铜等材料。其中，微型无机发光二极管芯片11的正负极也可以采用透明的氧化铟锡材料，但在氧化铟锡层上设置金属焊盘黏附性不够，所以需要在氧化铟锡层上设置氧化锌层，然后再在氧化锌层上设置金属焊盘。氧化锌层能够增强透明氧化铟锡层与金属焊盘之间的黏结牢固性，使微型无机发光二极管芯片 11的导电性能更好。
在一些实施例中，显示基板中的绝缘层不透光。如此能够实现显示面板的单侧发光。
需要说明的是，为了实现显示面板的单侧发光，也可以将显示基板中的弹性层4设置为不透光，或者，在显示基板上另外设置遮光层。
另外，也可以使显示基板为透光基板，如此能够实现显示面板的双面发光。显示面板的具体显示模式这里不做限定。
基于显示面板的上述结构，本发明另一实施例提供一种显示面板的制备方法，包括将上述实施例中制备的显示基板与微型无机发光二极管芯片进行绑定连接，其中，微型无机发光二极管芯片的正极和负极与显示基板上的绑定电极连接。
将显示基板与微型无机发光二极管芯片进行绑定连接的工艺过程为：(1) 通过转移载板将制备于晶圆衬底上的微型无机发光二极管芯片进行转移；(2) 转移载板从晶圆衬底上吸附大量微型无机发光二极管芯片；(3)转移载板吸附微型无机发光二极管芯片并将其向显示基板上转移；(4)通过对位压合的设备和工艺将微型无机发光二极管芯片对位压合至显示基板上，并使微型无机发光二极管芯片的正负极分别与显示基板上驱动电路的相应绑定电极压合焊接或者粘结固化。即采用巨量转移方法将微型无机发光二极管芯片转移到显示基板上并绑定连接。例如，巨量转移绑定的压力大于1Mpa；微型无机发光二极管芯片的正负极与显示基板上驱动电路的相应绑定电极粘结固化绑定时采用导电胶，粘结固化的温度为180℃～220℃；持温持压时间大于300s。
其中，转移载板可以采用PDMS(聚二甲基硅氧烷)吸附板或者静电吸附板，即通过PDMS板吸附或者静电吸附微型无机发光二极管芯片进行转移。发光二极管巨量转移工艺为比较成熟的工艺，这里不再赘述。
在一些实施例中，微型无机发光二极管芯片包括多个，多个微型无机发光二极管芯片呈阵列排布；微型无机发光二极管芯片的发光颜色相同；显示面板的制备方法还包括制备光线转换层；光线转换层制备于微型无机发光二极管芯片的背离显示基板的一侧，且光线转换层对应微型无机发光二极管芯片分布。
在一些实施例中，显示基板具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区彼此相邻并间隔；第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区内分别形成有一个微型无机发光二极管芯片；制备光线转换层包括制备红色量子点图案、绿色量子点图案和透明胶膜图案；显示面板的制备方法还包括在第一子像素区内微型无机发光二极管芯片的出光侧形成红色量子点图案；在第二子像素区内微型无机发光二极管芯片的出光侧形成绿色量子点图案；在第三子像素区内微型无机发光二极管芯片的出光侧形成透明胶膜图案。
其中，红色量子点图案、绿色量子点图案和透明胶膜图案采用光刻工艺或者喷墨打印的工艺方法制备。光刻工艺包括膜层涂敷、曝光和显影的工艺步骤。
在一些实施例中，显示面板的制备方法还包括在第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区之间内形成不透光的像素界定层。其中，像素界定层采用打印的方法制备。像素界定层在微型无机发光二极管芯片与显示基板完成绑定且量子点彩膜制备完成后再进行制备，能够很好地防止相邻微型无机发光二极管芯片之间的光线串扰。
最后通过打印或光刻的方法进行薄膜封装工艺，从而完成该显示面板的制备。
上述实施例中所提供的显示面板，通过采用上述实施例中的显示基板，降低了该显示面板的制备难度，提高了该显示面板的制备效率。
本发明实施例所提供的显示面板可以为微型无机发光二极管面板、微型无机发光二极管电视、Mini-发光二极管面板、Mini-发光二极管电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (20)

1.一种显示基板，包括基底和依次叠置在所述基底上的驱动电路、绝缘层和绑定电极，所述绑定电极被配置为连接待绑定微型无机发光二极管芯片的正负极，其特征在于，还包括弹性层，所述弹性层夹设于所述绑定电极与所述绝缘层之间，且所述弹性层在所述基底上的正投影至少覆盖所述绑定电极在所述基底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述弹性层的材料包括光刻胶、天然橡胶、聚二甲基硅氧烷中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述弹性层的材料包括导电光刻胶。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述弹性层的最小膜厚为：[(压力/应力)]/弹性模量*[(X1/L1-X2/L2)L1]；
其中，压力为将载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板与所述显示基板绑定压合时的压力；应力为所述显示基板的内部应力；弹性模量为所述弹性层的弹性模量；X1为载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板的最大翘曲位置点与未发生翘曲时该位置点之间的间距；L1为载有待绑定微型无机发光二极管芯片的转移载板垂直于其翘曲方向的宽度；X2为所述显示基板的最大翘曲位置点与未发生翘曲时该位置点之间的间距；L2为所述显示基板垂直于其翘曲方向的宽度。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述绑定电极包括间隔设置的第一电极和第二电极，所述弹性层在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极在所述基底上的正投影，还覆盖所述第二电极在所述基底上的正投影以及所述第一电极和所述第二电极在所述基底上正投影间的间隔区。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括第一连接线和第二连接线；所述绝缘层中开设有第一过孔和第二过孔，所述第一连接线通过所述第一过孔连接所述第一电极与所述驱动电路的第一端；所述第二连接线通过所述第二过孔连接所述第二电极与所述驱动电路的第二端。
7.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述绑定电极包括间隔设置的第一电极和第二电极，所述弹性层包括间隔设置的第一分部和第二分部，所述第一分部在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极在所述基底上的正投影，所述第二分部在所述基底上的正投影覆盖所述第二电极在所述基底上的正投影。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层中开设有第一过孔和第二过孔，所述第一分部延伸通过所述第一过孔并连接所述驱动电路的第一端；所述第二分部延伸通过所述第二过孔并连接所述驱动电路的第二端。
9.根据权利要求5或7所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极的材料包括钛、镍、铜、金中的任意一种或几种；
所述第二电极的材料包括钛、镍、铜、金中的任意一种或几种。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的显示基板，还包括微型无机发光二极管芯片，所述微型无机发光二极管芯片的正极和负极与所述显示基板上的绑定电极连接。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述微型无机发光二极管芯片包括多个，多个所述微型无机发光二极管芯片呈阵列排布；多个所述微型无机发光二极管芯片的发光颜色相同；
所述显示面板还包括光线转换层，所述光线转换层设置于所述微型无机发光二极管芯片的背离所述显示基板的一侧。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示基板具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区依次间隔排布；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区内分别设置有一个所述微型无机发光二极管芯片；
所述光线转换层包括红色量子点图案、绿色量子点图案和透明胶膜图案；
所述红色量子点图案设置于所述第一子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧，所述绿色量子点图案设置于所述第二子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧，所述透明胶膜图案设置于所述第三子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区之间设置有不透光的像素界定层。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述显示基板中的绝缘层不透光。
15.一种显示基板的制备方法，包括在基底上依次制备驱动电路、绝缘层和绑定电极，所述绑定电极被配置为连接待绑定微型无机发光二极管芯片的正负极，其特征在于，在所述绝缘层制备完成后且在制备所述绑定电极之前还包括制备弹性层，所述弹性层在所述基底上的正投影至少覆盖所述绑定电极在所述基底上的正投影。
16.根据权利要求15所述的显示基板的制备方法，其特征在于，制备所述弹性层包括：
计算所述弹性层的最小膜厚，根据所述最小膜厚确定所述弹性层的最小工艺膜厚；
涂敷形成最小工艺膜厚的弹性层膜；
曝光、显影形成所述弹性层的图形；
烘干固化所述弹性层。
17.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括将权利要求15-16任一中制备的显示基板与微型无机发光二极管芯片进行绑定连接，其中，所述微型无机发光二极管芯片的正极和负极与所述显示基板上的绑定电极连接。
18.根据权利要求17所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述微型无机发光二极管芯片包括多个，多个所述微型无机发光二极管芯片呈阵列排布；所述微型无机发光二极管芯片的发光颜色相同；
所述显示面板的制备方法还包括制备光线转换层；所述光线转换层制备于所述微型无机发光二极管芯片的背离所述显示基板的一侧，且所述光线转换层对应所述微型无机发光二极管芯片分布。
19.根据权利要求18所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示基板具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区彼此相邻并间隔；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区内分别形成有一个所述微型无机发光二极管芯片；
制备光线转换层，包括制备红色量子点图案、绿色量子点图案和透明胶膜图案；
所述制备方法还包括在所述第一子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧形成红色量子点图案；在所述第二子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧形成绿色量子点图案；在所述第三子像素区内所述微型无机发光二极管芯片的出光侧形成透明胶膜图案。
20.根据权利要求19所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括在所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区之间形成不透光的像素界定层。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021190052A1 (zh) * 2020-03-24 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN113571532A (zh) * 2021-07-14 2021-10-29 惠州华星光电显示有限公司 Tft背板与led显示面板及其制作方法
CN114038869A (zh) * 2021-05-14 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板、显示背板及其制作方法
CN114078403A (zh) * 2021-11-24 2022-02-22 康佳集团股份有限公司 一种高PPI彩色Micro-LED显示屏及制作方法
CN114078403B (zh) * 2021-11-24 2024-05-28 康佳集团股份有限公司 一种高PPI彩色Micro-LED显示屏及制作方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210074880A1 (en) * 2018-12-18 2021-03-11 Bolb Inc. Light-output-power self-awareness light-emitting device
CN115084337B (zh) * 2022-07-21 2022-11-04 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 一种微型发光二极管芯片的巨量转移方法
CN115832149A (zh) * 2023-02-15 2023-03-21 季华实验室 Led芯片结构的制作方法及led芯片结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109004036A (zh) * 2017-06-06 2018-12-14 财团法人工业技术研究院 光电元件封装体
CN110504290A (zh) * 2019-08-27 2019-11-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100607777B1 (ko) * 2004-12-27 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
CN107168589B (zh) * 2017-07-20 2020-09-18 上海天马微电子有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
US10437402B1 (en) * 2018-03-27 2019-10-08 Shaoher Pan Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding
JP2020013954A (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 株式会社ブイ・テクノロジー 基板接続構造、マイクロｌｅｄディスプレイ及び部品実装方法
CN109148506B (zh) * 2018-08-24 2021-04-13 上海天马微电子有限公司 Micro LED转移方法及显示面板、显示装置
CN110190084B (zh) * 2019-06-04 2021-10-15 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111508989B (zh) * 2020-03-24 2023-10-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109004036A (zh) * 2017-06-06 2018-12-14 财团法人工业技术研究院 光电元件封装体
CN110504290A (zh) * 2019-08-27 2019-11-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021190052A1 (zh) * 2020-03-24 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法
CN114038869A (zh) * 2021-05-14 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板、显示背板及其制作方法
CN113571532A (zh) * 2021-07-14 2021-10-29 惠州华星光电显示有限公司 Tft背板与led显示面板及其制作方法
CN114078403A (zh) * 2021-11-24 2022-02-22 康佳集团股份有限公司 一种高PPI彩色Micro-LED显示屏及制作方法
CN114078403B (zh) * 2021-11-24 2024-05-28 康佳集团股份有限公司 一种高PPI彩色Micro-LED显示屏及制作方法

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