CN109257018A - 一种单线可配置的晶体振荡电路 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种单线可配置的晶体振荡电路，包括：一晶体；一振荡电路，连接晶体的两端；振荡电路包括：输出引脚端；编码器，与输出引脚端连接；一次性可编程存储器；一可调单元，与一次性可编程存储器的输出端连接；一放大器，连接于可调单元与输出引脚端之间。上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过一个单线的烧录程式，针对不同的晶体配置不同的负阻抗，适用于与不同的晶体进行匹配振荡。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种单线可配置的晶体振荡电路。
背景技术
晶体振荡电路是各种电子设备电路的重要组成部分。目前，晶体振荡电路已经被广泛用于彩电、计算机、遥控器及通信设备中，为数据处理设备产生时钟信号并为特定系统提供基准信号。一般的晶体振荡器是由晶体和震荡电路两个部分组成，晶体提供一个正向阻抗，震荡电路提供一个反向阻抗，当两个阻抗匹配的时候，整个晶体就振荡起来了，但是由于不同频率晶体阻抗不同，需要搭配很多种震荡电路。
发明内容
本发明针对现有技术的局限性，提供一种单线可配置的晶体振荡电路，旨在通过一个单线的烧录程式，针对不同的晶体配置不同的负阻抗，适用于与不同的晶体进行匹配振荡。
上述技术方案具体包括：
一种单线可配置的晶体振荡电路，其中，包括一晶体，提供一正向阻抗；
一振荡电路，连接所述晶体的两端，用于可调节地提供一与所述正向阻抗匹配的反向阻抗；所述振荡电路包括：
输出引脚端；
编码器，与所述输出引脚端连接，用于对所述输出引脚端的信号变换为数字识别码；
一次性可编程存储器，存储有晶体的特性参数及与所述晶体的特性参数相匹配的调节参数；
一可调单元，与所述一次性可编程存储器的输出端连接，于所述调节参数作用下改变输出特性，进而改变所述振荡电路的反向阻抗；
一放大器，连接于所述可调单元与所述输出引脚端之间，用于对所述可调单元输出信号进行信号放大处理。
较佳的，上述单线可配置的晶体振荡电路中，所述可调单元包括：
一反相器，于所述调节参数作用下改变所述反相器的延迟时间；
一可调电阻器，连接于所述反相器和所述放大器之间，于所述调节参数作用下改变所述可调电阻器的电阻值。
较佳的，上述单线可配置的晶体振荡电路中，所述振荡电路集成于一专用集成电路芯片中。
较佳的，上述单线可配置的晶体振荡电路中，所述编码器为串行编码器。
较佳的，上述单线可配置的晶体振荡电路中，所述一次性可编程存储器连接一外部的控制器，所述控制器于烧录模式下向所述一次性可编程存储器烧录所述特性参数及所述调节参数。
较佳的，上述单线可配置的晶体振荡电路中，所述振荡电路包括一电阻器，所述可调单元并联于所述电阻器的两边。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过一个单线的烧录程式，针对不同的晶体配置不同的负阻抗，适用于与不同的晶体进行匹配振荡。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。需要注意的是，附图中并未按照比例绘制相关部件，重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明的一种的实施例中，一种单线可配置的晶体振荡电路的示意图；
图2本发明的另一种实施例中，一种单线可配置的晶体振荡电路的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
实施例一：
如图1所示，在本发明的较佳的实施例中，一种单线可配置的晶体振荡电路，包括：
一晶体X，用于提供一正向阻抗；
一振荡电路1，连接晶体X的两端，用于可调节地提供一与正向阻抗匹配的反向阻抗。
当晶体X提供的正向阻抗和振荡电路1提供的反向阻抗相互匹配的时候，整个晶体就振荡就能起来。
振荡电路1包括：
输出引脚端OUT；
编码器(Decoder)，与输出引脚端OUT连接，用于将输出引脚端OUT的信号变换为数字识别码；
一次性可编程存储器(One-time Programable，简称OTP)，与编码器(Decoder)连接，用于存储晶体X的特性参数及与晶体X的特性参数相匹配的调节参数；
一可调单元3，与一次性可编程存储器(OTP)的输出端连接，于调节参数作用下改变输出特性，进而改变振荡电路1的反向阻抗；
一放大器(Amp)，连接于可调单元3与输出引脚端OUT之间，用于对可调单元3输出信号进行信号放大处理。
在本发明的较佳的实施例中，可调单元3包括：
一反相器(INV)，反相器(INV)的延迟时间在调节参数作用下可以发生改变；
一可调电阻器R2，连接于反相器(INV)和放大器(Amp)之间，可调电阻器R2的电阻值在调节参数的作用下可以发生改变。
在本发明的较佳的实施例中，振荡电路1集成于一专用集成电路芯片2。
在本发明的较佳的实施例中，编码器(Decoder)为串行编码器。串行编码器具有输出连接线少，传输距离远的优点，能大大提高对编码器的保护，提高编码器(Decoder)的可靠性。
在本发明的较佳的实施例中，振荡电路1还包括一电阻器R1，可调单元3并联在电阻器R1的两边。
由于反相器(INV)的延迟可以改变，因此在某个频率点的负阻抗可以改变。当晶体振荡电路的振荡频率发生变化时，通过一次性可编程存储器(OTP)中存储的晶体X的特性参数及与晶体X的特性参数相匹配的调节参数，可调节反相器(INV)调节延迟时间，可调节电阻器R2调节电阻值，通过改变反相器(INV)的延迟参数及驱动参数来匹配不同的晶体，适用于与不同的晶体进行匹配振荡。
实施例二：
如图1所示，在本发明的较佳的实施例中，一种单线可配置的晶体振荡电路，包括：
一晶体X，用于提供一正向阻抗；
一振荡电路1，连接晶体X的两端，用于可调节地提供一与正向阻抗匹配的反向阻抗。
当晶体X提供的正向阻抗和振荡电路1提供的反向阻抗相互匹配的时候，整个晶体就振荡就能起来。
振荡电路1包括：
输出引脚端OUT；
编码器(Decoder)，与输出引脚端OUT连接，用于将输出引脚端OUT的信号变换为数字识别码；
一次性可编程存储器(One-time Programable，简称OTP)，与编码器(Decoder)连接，用于存储晶体X的特性参数及与晶体X的特性参数相匹配的调节参数；
一可调单元3，与一次性可编程存储器(OTP)的输出端连接，于调节参数作用下改变输出特性，进而改变振荡电路1的反向阻抗；
一放大器(Amp)，连接于可调单元3与输出引脚端OUT之间，用于对可调单元3输出信号进行信号放大处理。
在本发明的较佳的实施例中，可调单元3包括：
一反相器(INV)，反相器(INV)的延迟时间在调节参数作用下可以发生改变；
一可调电阻器R2，连接于反相器(INV)和放大器(Amp)之间，可调电阻器R2的电阻值在调节参数的作用下可以发生改变。
在本发明的较佳的实施例中，振荡电路1集成于一专用集成电路芯片2。
传统的晶振中采用比如频率为20MHz的晶体和频率为40MHz的晶体的正向阻抗是不同的，需要配置不同的振荡电路，具体体现为振荡电路为专有集成电路芯片时，需要配置不同的专用集成电路芯片,这样就造成材料无法有效管控。本发明可以采用一专用集成电路芯片，通过烧录实现调整。适用于与不同的晶体进行匹配振荡。
在本发明的较佳的实施例中，编码器(Decoder)为串行编码器。串行编码器具有输出连接线少，传输距离远的优点，能大大提高对编码器的保护，提高编码器(Decoder)的可靠性。
在本发明的较佳的实施例中，振荡电路1还包括一电阻器R1，可调单元3并联在电阻器R1的两边。
如图2所示，一次性可编程存储器(OTP)连接一外部的控制器4，控制器4用于在烧录模式下向一次性可编程存储器(OTP)烧录晶体X的特性参数及调节参数。
本技术方案通过在晶体振荡电路1的输入端集成一次性可编程存储器(OTP)，这个一次性可编程存储器(OTP)可以由熔丝构成。由于现有的晶体振荡器的集成电路(ASIC)设有GND引脚、VDD引脚、OUT引脚，可以通过现有的封装引脚直接配置反向阻抗，依据OUT引脚的电压信号大小控制一次性可编程存储器(OTP)进行烧录配置，控制对一次性可编程存储器(OTP)的读写操作。
由于反相器(INV)的延迟可以改变，因此在某个频率点的负阻抗可以改变。当晶体振荡电路的振荡频率发生变化时，控制器4在烧录模式下向一次性编程存储器(OTP)烧录晶体X的特性参数及与晶体1的特性参数相匹配的调节参数，可调节反相器(INV)调节延迟时间，可调节电阻器R2调节电阻值，通过改变反相器(INV)的延迟参数及驱动参数来匹配不同的晶体，适用于与不同的晶体进行匹配振荡。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现各种变化例，这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (6)
1.一种单线可配置的晶体振荡电路，其特征在于，包括：
一晶体，提供一正向阻抗；
一振荡电路，连接所述晶体的两端，用于可调节地提供一与所述正向阻抗匹配的反向阻抗；所述振荡电路包括：
输出引脚端；
编码器，与所述输出引脚端连接，用于对所述输出引脚端的信号变换为数字识别码；
一次性可编程存储器，存储所述晶体的特性参数及与所述晶体的特性参数相匹配的调节参数；
一可调单元，与所述一次性可编程存储器的输出端连接，于所述调节参数作用下改变输出特性，进而改变所述振荡电路的反向阻抗；
一放大器，连接于所述可调单元与所述输出引脚端之间，用于对所述可调单元输出信号进行信号放大处理。
2.如权利要求1所示的一种单线可配置的晶体振荡电路，其特征在于，所述可调单元包括：
一反相器，于所述调节参数作用下改变所述反相器的延迟时间；
一可调电阻器，连接于所述反相器和所述放大器之间，于所述调节参数作用下改变所述可调电阻器的电阻值。
3.如权利要求1所示的一种单线可配置的晶体振荡电路，其特征在于，所述振荡电路集成于一专用集成电路芯片中。
4.如权利要求1所示的一种单线可配置的晶体振荡电路，其特征在于，所述编码器为串行编码器。
5.如权利要求1所示的一种单线可配置的晶体振荡电路，其特征在于，所述一次性可编程存储器连接一外部的控制器，所述控制器于烧录模式下向所述一次性可编程存储器烧录所述特性参数及所述调节参数。
6.如权利要求1所示的一种单线可配置的晶体振荡电路，其特征在于，所述振荡电路包括一电阻器，所述可调单元并联于所述电阻器的两边。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201710571998.4A CN109257018A (zh) | 2017-07-13 | 2017-07-13 | 一种单线可配置的晶体振荡电路 |
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|---|---|
| CN109257018A true CN109257018A (zh) | 2019-01-22 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710571998.4A Pending CN109257018A (zh) | 2017-07-13 | 2017-07-13 | 一种单线可配置的晶体振荡电路 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN109257018A (zh) |
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