CN109244081B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种阵列基板及显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括具有一坡角的栅极和有源层；其中，所述有源层包括与所述基板平行的第一区域、与所述第一斜面平行的第二区域及与所述第二区域相连并与所述基板平行的第三区域；本申请通过将所述有源层设置为弯折形，使得所述有源层在所述基板上的投影长度减小，减小了每一所述阵列基板中薄膜晶体管单元的面积，增加了所述阵列基板中薄膜晶体管单元的数量，提高了显示面板的分辨率。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示器领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
LCD(Liquid crystal displays，液晶显示器)是一种被广泛应用的平板显示器，主要是通过液晶开关调制背光源光场强度来实现画面显示。
目前市场上小尺寸手机显示屏的显示分辨率在不断提高，并且随着虚拟显示VR的商业化越来越成熟，高分辨高刷新频率的显示产品成为未来发展的制高点。对于提高显示分辨率的关键在于不断缩小TFT器件的显示尺寸，而常规性的对TFT器件进行尺寸缩减，对于产品的可靠性提高挑战性很大。
另外，在高分辨率的阵列基板制备过程中，沟道长度是一个关键因素，特别是对LCD和有机电致发光二极管显示器件中的驱动薄膜晶体管来说，其沟道长度可达几十微米，将占用较大的面积，不利于高分辨的实现。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有显示面板显示分辨率低的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种阵列基板，其包括：
基板；
位于所述基板上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的第一栅极，所述第一栅极包括第一斜面；
位于所述第一栅极上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层包括与所述基板平行的第一区域、与所述第一斜面平行的第二区域及与所述第二区域相连并与所述基板平行的第三区域；
位于所述有源层上的层间绝缘层；
位于所述层间绝缘层上的源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；
位于所述源极和所述漏极上的平坦层。
在本申请的阵列基板中，所述源极与所述有源层的所述第一区域电连接，所述漏极与所述有源层的第三区域电连接。
在本申请的阵列基板中，所述层间绝缘层上设有间隔设置的第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一区域电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第三区域电连接。
在本申请的阵列基板中，所述第一区域包括有第一掺杂区，所述第三区域包括有第二掺杂区，所述源极通过第一过孔与所述第一掺杂区电连接，所述漏极通过第二过孔与所述第二参杂区电连接。
在本申请的阵列基板中，所述第一栅极还包括与所述第一斜面对应的第二斜面。
在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅极同层间隔设置。
在本申请的阵列基板中，所述第二栅极包括与所述第一斜面相对的第三斜面。
在本申请的阵列基板中，所述有源层还包括与所述第三区域连接并与所述第三斜面平行的第四区域，及与所述第四区域连接并与所述基板平行的第五区域。
在本申请的阵列基板中，所述第一区域包括第一掺杂区域，所述第五区域包括第三掺杂区域，所述源极与所述第一掺杂区电连接，所述漏极与所述第三参杂区电连接。
在本申请的阵列基板中，所述第一栅极和第二栅极的剖面为梯形，所述第一栅极的剖面为与所述第一栅极以及所述第一栅极的长度方向垂直的截面，所述第二栅极的剖面为与所述第二栅极以及所述第二栅极的长度方向垂直的截面。
本申请还提出了一种显示面板，所述显示面板还包括上述阵列基板以及位于上述阵列基板上的阳极层、OLED层、阴极层、薄膜封装层、偏光片层、盖板。
有益效果：本申请通过将所述有源层设置为弯折形，使得所述有源层在所述基板上的投影长度减小，减小了每一所述阵列基板中薄膜晶体管单元的面积，增加了所述阵列基板中薄膜晶体管单元的数量，提高了显示面板的分辨率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例一阵列基板的膜层结构图；
图2为图1中栅极区域的放大膜层结构图；
图3为图1中栅极区域的另一放大膜层结构图；
图4为本申请实施例二阵列基板的膜层结构图；
图5为图4中栅极区域的放大膜层结构图；
图6为图4中栅极区域的另一放大膜层结构图；
图7为本申请一种显示面板的膜层结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、 [下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
实施例一
图1所示为本申请优选实施例一种阵列基板的膜层结构图，其中，所述阵列基板包括基板101，以及位于所述基板上的柔性基板薄膜层102、缓冲层103、第一栅极104、栅绝缘层105、有源层106、间绝缘层107、源漏极层108以及平坦层109。
本实施例中，所述基板101的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种，作为所述阵列基板的衬底基板。基板101并不是必要特征，在其他实施例中，也可不设置基板101。
所述柔性基板薄膜层102形成于所述基板101上；优选的，所述柔性基板薄膜层102为聚酰亚胺薄膜，作为柔性显示面板的基底，所述柔性基板薄膜层102的厚度为10～20um；聚酰亚胺薄膜是目前世界上性能最好的薄膜类绝缘材料，具有较强的拉伸强度，由均苯四甲酸二酐和二胺基二苯醚在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。
所述缓冲层103形成于所述柔性基板薄膜层102上，所述缓冲层103覆盖所述柔性基板薄膜层102，起保护作用，缓冲上层膜层向下的压力；所述缓冲层103的材料可以为氧化硅，或氧化硅与氮化硅的复合层结构，所述缓冲层103的厚度为300～800nm。
所述第一栅极104形成于所述缓冲层103上，所述第一栅极 104的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物，优选的，本实施例中所述第一栅极104的金属材料为钼，所述第一栅极104 的优选厚度为500～1000nm；
通过对形成所述第一栅极104的金属层使用第一光罩制程工艺，在该金属层上形成一光阻层，经掩模板(未画出)曝光，显影以及蚀刻的构图工艺处理后，使该金属层形成如图1所示的所述薄膜晶体管单元的所述第一栅极104，并剥离该光阻层；
本实施例中，如图2所示，所述第一栅极104包括第一斜面 aa和第二斜面bb；具体的，所述第一栅极104的剖面为梯形；
其中，所述第一斜面与所述基板101的夹角为A，所述第二斜面与所述基板101的夹角为B，45°≤A＜90°，45°≤B＜90°；优选的，45°≤A≤80°，45°≤B≤80°，且夹角A和夹角B可以相等；另外，所述第一栅极104的剖面为与所述第一栅极104 以及所述第一栅极104的长度方向垂直的截面。
如图1或如图3所示，所述栅绝缘层105形成于所述第一栅极104上，将所述第一栅极104覆盖；所述栅绝缘层105主要用于将所述第一栅极104与其他金属层隔离；优选的，所述栅绝缘层105的材料通常为氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
如图1或如图3所示，所述有源层106形成于所述栅绝缘层105上，所述有源层106由多晶硅构成；所述有源层106包括与所述基板101平行的第一区域1061、与所述第一斜面平行的第二区域1062、及与所述第二区域1062相连接并与所述基板平行的第三区域1063；
本实施例中，所述有源层106还包括第一掺杂区1066和第二掺杂区1067，所述第一掺杂区1066和所述第二掺杂区1067位于所述有源层106的两侧；
具体的，所述第一掺杂区1066位于所述第一区域1061内，即所述第一栅极104上的所述栅绝缘层105上；所述第二掺杂区 1067位于所述第三区域1063内，即远离所述第一栅极104的所述栅绝缘层105上；
所述间绝缘层107形成于所述有源层106上，所述间绝缘层 107将所述有源层106覆盖，所述间绝缘层107主要用于将所述有源层106和所述源漏极层108隔离。
所述源漏极层108形成于所述间绝缘层107上，所述源漏极层包括源极1081和漏极1082；在本实施例中，所述源漏极层108 的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物，优选的，所述源漏极层108的金属材料为钛铝合金；
通过对形成所述源漏极层108的一金属层使用第二光罩制程工艺，在该金属层上形成一光阻层，经掩模板(未画出)曝光，显影以及蚀刻的构图工艺处理后，使该金属层形成如图1所示的所述阵列基板的源极1081和漏极1082，并剥离该光阻层。
所述平坦层109形成于所述源漏极层108上，所述平坦层109 覆盖所述源漏极层108，主要用于保证膜层结构的平整性。
此外，本实施例中，所述阵列基板还包括在所述层间绝缘层上107间隔设置的第一过孔1101和第二过孔1102，所述源极1081 通过所述第一过孔1101与所述第一区域1061电连接，所述漏极 1082通过所述第二过孔1102与所述第三区域1063电连接；具体的，所述源极1081通过第一过孔1101与所述第一掺杂区1066电连接，所述漏极1082通过第二过孔1102与所述第二参杂区1067 电连接。
实施例二
图4所示为在本申请优选实施例二一种阵列基板的膜层结构图，本实施例与具体实施例一相同或相似，不同之处在于：
所述阵列基板还包括第二栅极211，所述第二栅极211与所述第一栅极204同层间隔设置；即所述第二栅极211与所述第一栅极204由同一金属层在同一道光罩制程工艺中制成；
如图5所示，在本申请的阵列基板中，所述第二栅极211包括与所述第一栅极201的第一斜面aa对应的第三斜面cc；具体的，所述第二栅极211的剖面为梯形；
其中，所述第一栅极204和所述第二栅极211的剖面形状可以相同或不同；优选的，所述第一栅极204和所述第二栅极211 的剖面形状大小相同；
在本申请的实施例中，所述第三斜面cc与所述基板201的夹角为C，45°≤C＜90°；优选的，45°≤C≤80°；其中，所述第二栅极211的剖面为与所述第二栅极211以及所述第二栅极211 的长度方向垂直的截面。
如图6所示，本实施例与具体实施例一不同的是：
所述有源层206大体为U形，所述有源层206包括与所述基板201平行的第一区域2061、与所述第一斜面平行的第二区域2062、与所述第二区域2062相连接并与所述基板201平行的第三区域2063、与所述第三区域2063连接并与所述第三斜面平行的第四区域2064、及与所述第四区域2064连接并与所述基板201平行的第五区域2065；其中，所述第一区域2061包括第一掺杂区域 2066，所述第五区域2065包括第三掺杂区域2068，所述源极2081与所述第一掺杂区2066电连接，所述漏极2082与所述第三参杂区2068电连接。
对于具体实施例一和具体实施例二，所述有源层通过采用准分子激光退火(ELA)的结晶方式形成。由于所述阵列基板的栅极具有一定坡角，导致形成的有源层也具有与所述栅极相同的坡角；因此，本申请需要对相应设备激光发出段的出射角度进行一定调整，即在不改变光学分光路径的情况下，增加光学角度调整镜组，使激光最后的出光角度进行偏转，优选的，该偏转角度为10～45°，使激光直接照射到栅极的坡角边缘，保证所述有源层106垂直区域结晶的均一性。
图7所示为本申请一种显示面板的膜层结构图，所述显示面板还包括上述阵列基板以及位于上述阵列基板上的阳极层112、 OLED层113、阴极层114、薄膜封装层115、偏光片层、盖板；
所述阵列基板为实施例一和实施例二任一种，具体结构不再一一赘述，下面以具体实施例一种的阵列基板为例进行说明。
阳极层112，形成于所述平坦层109上，所述阳极层112包括至少两个成阵列排布的阳极，本实施例中，所述OLED器件为顶发射型OLED器件，所述OLED器件为发射白光的白光OLED器件，因此，所述阳极层112非透明的挡光层。
所述OLED层113形成于所述阳极层112上，相邻的OLED 层113被像素定义层116所分离；本实施例中，所述OLED层113 包括第一公共层、发光层以及第二公共层；
其中，所述第一公共层用于所述空穴的注入和传输，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，因此，所述第一公共层可以称为空穴传输功能层；
所述第二公共层形成于所述第一公共层上，所述第一公共层用于所述电子的注入和传输，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层，因此，所述第二公共层可以称为电子传输功能层；
所述发光层位于形成于所述第一公共层和所述第二公共层之间，所述发光层为有机物半导体，其具有特殊的能带结构，可以在吸收所述阳极迁移过来的电子后，再散发出来一定波长的光子，而这些光子进入我们眼睛就是我们看到的色彩。
阴极层114，形成于所述OLED层113上，所述阴极层114 用于提供所述电子；本实施例中，所述阴极层114为透明材料，让发光层产生的光线经过所述阴极层114向外投射。
薄膜封装层115，形成于所述阴极层114上，所述薄膜封装层 115主要起阻水阻氧的作用，防止外部水汽对有机发光层的侵蚀，所述薄膜封装层115包括至少一有机层1151和至少一无机层1152 交替叠加构成；通常有机封装层位于所述薄膜封装层115的中间，无机封装层位于所述薄膜封装层115的两侧，将有机封装层包裹在中间；本实施例中，所述薄膜封装层115包括一有机层1151和两层无机层1152交替排列；
所述有机封装层虽然柔性很好，但阻挡水氧渗透能力非常有限，而致密无针孔的无机封装层阻挡水氧能力虽较高，但达到一定厚度时很难制备出致密高质量的膜层，薄膜性能表现为刚性结构且易碎裂；因此，目前国际上绝大多数的柔性封装材料都是基于有机或无机多层膜交替复合结构的封装结构。
另外，所述薄膜封装层115上还形成有偏光片(未画出)和盖板(未画出)。
本申请提供一种阵列基板及显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括具有一坡角的栅极和有源层；其中，所述有源层包括与所述基板平行的第一区域、与所述第一斜面平行的第二区域及与所述第二区域相连并与所述基板平行的第三区域；本申请通过将所述有源层设置为弯折形，使得所述有源层在所述基板上的投影长度减小，减小了每一所述阵列基板中薄膜晶体管单元的面积，增加了所述阵列基板中薄膜晶体管单元的数量，提高了显示面板的分辨率。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的第一栅极，所述第一栅极包括第一斜面；
位于所述第一栅极上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层包括与所述基板平行的第一区域、与所述第一斜面平行的第二区域及与所述第二区域相连并与所述基板平行的第三区域；
位于所述有源层上的层间绝缘层；
位于所述层间绝缘层上的源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；
位于所述源极和所述漏极上的平坦层；
其中，所述有源层的所述第一区域位于所述第一栅极的正上方，所述源极与所述有源层的所述第一区域直接电连接，所述漏极与所述有源层的第三区域电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层上设有间隔设置的第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一区域电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第三区域电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域包括有第一掺杂区，所述第三区域包括有第二掺杂区，所述源极通过第一过孔与所述第一掺杂区电连接，所述漏极通过第二过孔与所述第二掺杂 区电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极还包括与所述第一斜面对应的第二斜面。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅极同层间隔设置。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极包括与所述第一斜面相对的第三斜面。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还包括与所述第三区域连接并与所述第三斜面平行的第四区域，及与所述第四区域连接并与所述基板平行的第五区域。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域包括第一掺杂区域，所述第五区域包括第三掺杂区域，所述源极与所述第一掺杂区电连接，所述漏极与所述第三掺杂 区电连接。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极和第二栅极的剖面为梯形，所述第一栅极的剖面为与所述第一栅极以及所述第一栅极的长度方向垂直的截面，所述第二栅极的剖面为与所述第二栅极以及所述第二栅极的长度方向垂直的截面。
10.一种包括权利要求1～9任一项所述的阵列基板的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述阵列基板上的阳极层、OLED层、阴极层、薄膜封装层、偏光片层以及盖板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111029342B (zh) * 2019-11-07 2024-04-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158977A (zh) * 2015-05-14 2016-11-23 乐金显示有限公司 薄膜晶体管和显示装置的包括该薄膜晶体管的背板基板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100601370B1 (ko) * 2004-04-28 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 이용한 유기 전계 발광 표시 장치
CN104779272B (zh) * 2015-04-10 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105425493B (zh) * 2016-01-11 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN108321160A (zh) * 2018-03-14 2018-07-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158977A (zh) * 2015-05-14 2016-11-23 乐金显示有限公司 薄膜晶体管和显示装置的包括该薄膜晶体管的背板基板

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