CN109216329A - 微型led显示面板及其制备方法 - Google Patents

微型led显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109216329A
CN109216329A CN201810466975.1A CN201810466975A CN109216329A CN 109216329 A CN109216329 A CN 109216329A CN 201810466975 A CN201810466975 A CN 201810466975A CN 109216329 A CN109216329 A CN 109216329A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
led
electrode
type doping
green
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810466975.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109216329B (zh
Inventor
张炜炽
赖宠文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd, Hon Hai Precision Industry Co Ltd filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Publication of CN109216329A publication Critical patent/CN109216329A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109216329B publication Critical patent/CN109216329B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14667—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen characterised by the doping materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种微型LED显示面板，其包括层叠设置的蓝色LED层、绿色LED层、和红色LED层，所述蓝色LED层形成间隔设置的多个蓝色子像素；所述绿色LED层形成间隔设置的多个绿色子像素；所述红色LED层形成间隔设置的多个红色子像素；每一个蓝色子像素、每一个绿色子像素、和每一个红色子像素为相互错开的。本发明还提供该种微型LED显示面板的制备方法。该种结构的微型LED显示面板更方便加工。

Description

微型LED显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种微型LED显示面板及该种微型LED显示面板的制备方法。
背景技术
现有的微型LED(micro light emitting diode)显示面板包括多个像素单元。每一个像素单元通常包括三个子像素，每一个像素单元中的三个子像素分别发红光、蓝光、绿光。然而，现有技术中，像素单元中的子像素通常为水平排布，由于每一个子像素尺寸极小(通常不超过100微米)，导致微型LED显示面板的加工精度要求很高。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种微型LED显示面板及其制备方法，其对加工精度要求相对较低，便于加工。
一种微型LED显示面板，其包括层叠设置的蓝色LED层、绿色LED层和红色LED层，所述蓝色LED层形成间隔设置的多个蓝色微型LED，每一个蓝色微型LED定义一个蓝色子像素；所述绿色LED层形成间隔设置的多个绿色微型LED，每一个绿色微型LED定义一个绿色子像素；所述红色LED层形成间隔设置的多个红色微型LED，每一个红色微型LED定义一个红色子像素；每一个蓝色子像素、每一个绿色子像素、和每一个红色子像素为相互错开的。
一种微型LED显示面板的制备方法，其包括：
形成蓝色LED层，所述蓝色LED层形成间隔设置的多个蓝色微型LED，每一个蓝色微型LED定义一个蓝色子像素；
形成绿色LED层，所述绿色LED层形成间隔设置的多个绿色微型LED，每一个绿色微型LED定义一个绿色子像素；
形成红色LED层，所述红色LED层形成间隔设置的多个红色微型LED，每一个红色微型LED定义一个红色子像素；
层叠所述蓝色LED层、所述绿色LED层、和所述红色LED层，并使每一个蓝色子像素、每一个绿色子像素、和每一个红色子像素相互错开。
本发明通过将不同颜色的微型LED层进行层叠设置，使每一个像素包括上下层叠且相互错开的一个蓝色子像素、一个绿色子像素和一个红色子像素，该种结构的微型LED显示面板更方便加工。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的微型LED显示面板的剖面示意图。
图2是本发明第二实施方式的微型LED显示面板的剖面示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
附图中示出了本发明的实施例，本发明可以通过多种不同形式实现，而并不应解释为仅局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本发明更为全面和完整的公开，并使本领域的技术人员更充分地了解本发明的范围。为了清晰可见，在图中，层和区域的尺寸被放大了。
可以理解，尽管第一、第二等这些术语可以在这里使用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应仅限于这些术语。这些术语只是被用来区分元件、组件、区域、层和/或部分与另外的元件、组件、区域、层和/或部分。因此，只要不脱离本发明的教导，下面所讨论的第一部分、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
这里所用的专有名词仅用于描述特定的实施例而并非意图限定本发明。如这里所用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也意图涵盖复数形式，除非上下文清楚指明是其它情况。还应该理解，当在说明书中使用术语“包含”、“包括”时，指明了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在。
本文中的“微型LED”是指尺寸小于等于几个毫米(如几个毫米、几百微米或小于等于100微米)的LED。
这里参考剖面图描述本发明的实施例，这些剖面图是本发明理想化的实施例(和中间构造)的示意图。因而，由于制造工艺和/或公差而导致的图示的形状不同是可以预见的。因此，本发明的实施例不应解释为限于这里图示的区域的特定形状，而应包括例如由于制造而产生的形状的偏差。图中所示的区域本身仅是示意性的，它们的形状并非用于图示装置的实际形状，并且并非用于限制本发明的范围。
除非另外定义，这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所述领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解，比如在通用的辞典中所定义的那些的术语，应解释为具有与它们在相关领域的环境中的含义相一致的含义，而不应以过度理想化或过度正式的含义来解释，除非在本文中明确地定义。
第一实施例
请参阅图1所示的本发明第一实施例的微型LED显示面板100，其包括从上至下依次层叠设置的蓝色LED层10、绿色LED层20、和红色LED层30。所述蓝色LED层10形成间隔设置的多个蓝色微型LED 11(每一个蓝色微型LED 11定义为一个蓝色子像素110)。所述绿色LED层20形成间隔设置的多个绿色微型LED21(每一个绿色微型LED21定义为一个绿色子像素210)。所述红色LED层30形成间隔设置的多个红色微型LED31(每一个红色微型LED31定义为一个红色子像素310)。每一个蓝色子像素110、每一个绿色子像素210、每一个红色子像素310之间为相互错开的，即，蓝色子像素110、绿色子像素210、红色子像素310之间在沿垂直于该微型LED显示面板100的厚度方向的投影互不重叠，使得在沿垂直于该微型LED显示面板100的厚度方向的投影，相邻的两个蓝色子像素110之间有互不重叠的一个绿色子像素210和一个红色子像素310。
本实施例中，所述绿色LED层20任意相邻的两个绿色子像素210之间的区域设置为透明的，以使位于所述绿色LED层20下方的所述红色LED层30发出的光能够穿过；所述蓝色LED层10中任意相邻的两个蓝色子像素110之间的区域设置为透明的，以使位于所述蓝色LED层10下方的所述绿色LED层20和所述红色LED层30发出的光能够穿过。
如图1所示，所述蓝色LED层10包括依次层叠设置的第一透明导电层13、第一发光层15和第一电极层17，其中所述第一透明导电层13和所述第一电极层17分别作为所述第一发光层15的阴极和阳极。当所述第一透明导电层13和所述第一电极层17之间存在电势差，所述第一发光层15将发蓝光。所述第一发光层15包括依次层叠设置的P型掺杂的无机发光材料层151、活性层153、N型掺杂的无机发光材料层155，所述活性层153位于所述P型掺杂的无机发光材料层151和所述N型掺杂的无机发光材料层155之间，其中P型掺杂的无机发光材料层151相对靠近所述第一透明导电层13，N型掺杂的无机发光材料层155相对靠近所述第一电极层17。
如图1所示，所述蓝色LED层10还包括一第一基板19，所述第一基板19用以承载所述第一透明导电层13、所述第一发光层15和所述第一电极层17。所述第一透明导电层13、所述第一发光层15和所述第一电极层17依次层叠在所述第一基板19上，且所述第一电极层17相对靠近所述第一基板19。所述第一基板19至少部分区域为透明的，以使位于所述蓝色LED层10下方的所述绿色LED层20、和所述红色LED层30发的光能够穿过。
如图1所示，所述第一基板19包括基材(图未示)和设置在基材上的TFT阵列191，每一个第一电极层17电性连接所述TFT阵列191。所述TFT阵列191用以向第一电极层17提供驱动电压。所述TFT阵列191包括至少一个TFT，所述TFT为低温多晶硅TFT、a-si型TFT或金属氧化物型TFT，本实施例为低温多晶硅TFT。
如图1所示，所述第一透明导电层13、所述活性层153和所述N型掺杂的无机发光材料层155均为覆盖所述第一基板19的连续的层。所述P型掺杂的无机发光材料层151为不连续的并包括间隔设置的多个P型掺杂单元1511。所述第一电极层17为不连续的并包括间隔设置的多个电极171。每一个P型掺杂单元1511直接连接且接触所述第一透明导电层13。每一个电极171电性连接所述第一基板19上的TFT阵列191。每一个P型掺杂单元1511对应一个电极171，每一个P型掺杂单元1511在所述第一电极层17上的投影与该P型掺杂单元1511对应的一个电极171至少部分重叠。所述蓝色LED层10中，每一个P型掺杂单元1511及其对应的电极171、以及该P型掺杂单元1511与电极171之间对应的部分的活性层153和部分的N型掺杂的无机发光材料层155定义为所述蓝色LED层10的一个发光区域，即一个蓝色微型LED11(一个蓝色子像素110)。所述蓝色LED层10中除了各个发光区域(即蓝色子像素110)，其余区域均设置为透明的，以使位于所述蓝色LED层10下方的所述绿色LED层20和所述红色LED层30发的光能够穿过。
如图1所示，所述绿色LED层20包括依次层叠设置的第二透明导电层23、第二发光层25和第二电极层27，其中所述第二透明导电层23和所述第二电极层27分别作为所述第二发光层25的阴极和阳极。当所述第二透明导电层23和所述第二电极层27之间存在电势差，所述第二发光层25将发绿光。所述第二发光层25包括依次层叠设置的P型掺杂的无机发光材料层251、活性层253、N型掺杂的无机发光材料层255，所述活性层253位于所述P型掺杂的无机发光材料层251和所述N型掺杂的无机发光材料层255之间，其中P型掺杂的无机发光材料层251相对靠近所述第二透明导电层23，N型掺杂的无机发光材料层255相对靠近所述第二电极层27。
如图1所示，所述绿色LED层20还包括一第二基板29，所述第二基板29用以承载所述第二透明导电层23、所述第二发光层25和所述第二电极层27。本实施例中，所述第二基板29设置在所述红色LED层30和所述绿色LED层20之间，所述第二透明导电层23、所述第二发光层25和所述第二电极层27依次层叠在所述第二基板29上，且所述第二电极层27相对靠近所述第二基板29。所述第二基板29至少部分区域为透明的，以使位于所述绿色LED层20下方的所述红色LED层30发的光能够穿过。
如图1所示，所述第二基板29包括基材(图未示)和设置在基材上的TFT阵列291，每一个第二电极层27电性连接所述TFT阵列291。所述TFT阵列291用以向第二电极层27提供驱动电压。所述TFT阵列291包括至少一个TFT，所述TFT为低温多晶硅TFT、a-si型TFT或金属氧化物型TFT，本实施例为低温多晶硅TFT。
如图1所示，所述第二透明导电层23、所述活性层253、和所述N型掺杂的无机发光材料层255均为覆盖所述第二基板29的连续的层。所述P型掺杂的无机发光材料层251为不连续的并包括间隔设置的多个P型掺杂单元2511。所述第二电极层27为不连续的并包括间隔设置的多个电极271。每一个P型掺杂单元2511直接连接且接触所述第二透明导电层23。每一个电极271电性连接所述第二基板29上的TFT阵列191。每一个P型掺杂单元2511对应一个电极271，每一个P型掺杂单元2511在所述第二电极层27上的投影与该P型掺杂单元2511对应的一个电极271至少部分重叠。所述绿色LED层20中，每一个P型掺杂单元2511及其对应的电极271、以及该P型掺杂单元2511与电极271之间对应的部分的活性层253和部分的N型掺杂的无机发光材料层255定义为所述绿色LED层20的一个发光区域，即一个绿色微型LED21(一个绿色子像素210)。所述第二基板29对应所述绿色子像素210以外的区域为透明的，以使光透过。
如图1所示，所述红色LED层30包括依次层叠设置的第三透明导电层33、第三发光层35和第三电极层37，其中所述第三透明导电层33和所述第三电极层37分别作为所述第三发光层35的阴极和阳极。当所述第三透明导电层33和所述第三电极层37之间存在电势差，所述第三发光层35将发红光。所述第三发光层35包括依次层叠设置的P型掺杂的无机发光材料层351、活性层353、N型掺杂的无机发光材料层355，所述活性层353位于所述P型掺杂的无机发光材料层351和所述N型掺杂的无机发光材料层355之间，其中P型掺杂的无机发光材料层351相对靠近所述第三透明导电层33，N型掺杂的无机发光材料层355相对靠近所述第三电极层37。
如图1所示，所述红色LED层30还包括一第三基板39，所述第三基板39用以承载所述第三透明导电层33、所述第三发光层35和所述第三电极层37。本实施例中，所述第三透明导电层33、所述第三发光层35和所述第三电极层37依次层叠在所述第三基板39上，且所述第三电极层37相对靠近所述第三基板39。所述第三基板39位于最底层，因此其不要求为透明的。
如图1所示，所述第三基板39包括基材(图未示)和设置在基材上的TFT阵列391，每一个第三电极层37电性连接所述TFT阵列391。所述TFT阵列391用以向第三电极层37提供驱动电压。所述TFT阵列391包括至少一个TFT，所述TFT为低温多晶硅TFT、a-si型TFT或金属氧化物型TFT，本实施例为低温多晶硅TFT。
如图1所示，所述第三透明导电层33、所述活性层353和所述N型掺杂的无机发光材料层355均为覆盖所述第三基板39的连续的层。所述P型掺杂的无机发光材料层351为不连续的并包括间隔设置的多个P型掺杂单元3511。所述第三电极层37为不连续的并包括间隔设置的多个电极371。每一个P型掺杂单元3511直接连接且接触所述第三透明导电层33。每一个电极371电性连接所述第三基板39上的TFT阵列391。每一个P型掺杂单元3511对应一个电极371，每一个P型掺杂单元3511在所述第三电极层37上的投影与该P型掺杂单元3511对应的一个电极371至少部分重叠。所述红色LED层30中，每一个P型掺杂单元3511及其对应的电极371以及该P型掺杂单元3511与电极371之间对应的部分的活性层353和部分的N型掺杂的无机发光材料层355定义为所述红色LED层30的一个发光区域，即一个红色微型LED31(一个红色子像素310)。由于所述红色LED层30位于最底层，因此所述红色LED层30不要求设置为透明的。
如图1所示，每一个P型掺杂单元1511、每一个P型掺杂单元2511、每一个P型掺杂单元3511在所述第三基板39上的投影完全不重叠，为上下错开设置。其中所述蓝色LED层10对应每一个P型掺杂单元1511(蓝色子像素110)的周缘设置有透明区域，以使位于所述蓝色LED层10下方的绿色LED层20和红色LED层30发出的绿光和红光能够穿过所述透明区域。其中所述绿色LED层20对应每一个P型掺杂单元2511(绿色子像素210)的周缘对应设置有透明区域，以使位于所述蓝色LED层10下方的红色LED层30发出的红光能够穿过所述透明区域。所述微型LED面板100定义有多个像素101，图1中仅示意性示出两个像素101。每一个像素101包括上下层叠且相互错开的一个蓝色子像素110、一个绿色子像素210和一个红色子像素310。
可以理解的，由于形成在所述第一基板19上的所述第一电极层17为不连续的，因此，所述第一基板19上还可形成有透明绝缘材料，所述透明绝缘材料至少位于间隔设置的所述多个电极171之间，以使多个电极171相互电性绝缘。由于形成在所述活性层153上的所述P型掺杂的无机发光材料层151为不连续的，因此，所述活性层153上还可形成有透明绝缘材料，所述透明绝缘材料至少位于间隔设置的所述多个P型掺杂单元1511之间，以使多个P型掺杂单元1511相互电性绝缘。
可以理解的，相邻层叠的两个颜色的LED层之间还可设置透明绝缘胶500以使相邻层叠的两个颜色的LED层粘结为一体。
可以理解的，由于形成在所述第二基板29上的所述第二电极层27为不连续的，因此，所述第二基板29上还可形成有透明绝缘材料，所述透明绝缘材料至少位于间隔设置的所述多个电极271之间，以使多个电极271相互电性绝缘。由于形成在所述活性层253上的所述P型掺杂的无机发光材料层251为不连续的，因此，所述活性层253上还可形成有透明绝缘材料，所述透明绝缘材料至少位于间隔设置的所述多个P型掺杂单元2511之间，以使多个P型掺杂单元2511相互电性绝缘。
可以理解的，由于形成在所述第三基板39上的所述第三电极层37为不连续的，因此，所述第三基板39上还可形成有透明绝缘材料，所述透明绝缘材料至少位于间隔设置的所述多个电极371之间，以使多个电极371相互电性绝缘。由于形成在所述活性层353上的所述P型掺杂的无机发光材料层351为不连续的，因此，所述活性层353上还可形成有透明绝缘材料，所述透明绝缘材料至少位于间隔设置的所述多个P型掺杂单元3511之间，以使多个P型掺杂单元3511相互电性绝缘。
所述活性层153、所述活性层253、所述活性层353、所述N型掺杂的无机发光材料层155、所述N型掺杂的无机发光材料层255、所述N型掺杂的无机发光材料层355、所述第一透明导电层13、所述第二透明导电层23、和所述第三透明导电层33等均为连续的整层。
第二实施例
请参阅图2所示的本发明第二实施例的微型LED显示面板200，其包括从上至下依次层叠设置的蓝色LED层10、绿色LED层20、和红色LED层30。所述蓝色LED层10形成间隔设置的多个蓝色微型LED 11(每一个蓝色微型LED11定义为一个蓝色子像素110)。所述绿色LED层20形成间隔设置的多个绿色微型LED21(每一个绿色微型LED21定义为一个绿色子像素210)。所述红色LED层30形成间隔设置的多个红色微型LED31(每一个红色微型LED31定义为一个红色子像素310)。每一个蓝色子像素110、每一个绿色子像素210、每一个红色子像素310之间为相互错开的，即，蓝色子像素110、绿色子像素210、红色子像素310之间在沿垂直于该微型LED显示面板100的厚度方向的投影互不重叠，使得在沿垂直于该微型LED显示面板100的厚度方向的投影，相邻的两个蓝色子像素110之间有互不重叠的一个绿色子像素210和一个红色子像素310。
所述微型LED显示面板200与第一实施例的微型LED显示面板100结构基本相同，其区别在于所述蓝色LED层10、所述绿色LED层20和所述红色LED层30中的发光层300的结构有一些不同，每一发光层300包括依次层叠设置的N型掺杂的无机发光材料层360、活性层320、P型掺杂的无机发光材料层330，其中所述N型掺杂的无机发光材料层360连接透明导电层340，所述P型掺杂的无机发光材料层330连接电极层350；所述N型掺杂的无机发光材料层360为不连续的并包括间隔设置的多个N型掺杂单元311；而所述P型掺杂的无机发光材料层为连续的层。
可以理解的，由于本实施例中发光层300中N型掺杂的无机发光材料层360和P型掺杂的无机发光材料层330层叠次序相对所述第一实施例的进行了变更，因此本实施例中，相应的发光层300的阴极和阳极施加的电压要相应进行调整，以使发光层300能够发光。
可以理解的，所述微型LED面板100、微型LED面板200中所述绿色LED层20、蓝色LED层10、和红色LED层30的层叠顺序也可进行变更，例如变更为包括上下依次层叠设置的绿色LED层20、蓝色LED层10、和红色LED层30。可以理解的，不管层叠顺序如何设置，需保证相对更靠近所述微型LED面板的出光面150的两个颜色的LED层中任意相邻的两个相同颜色的子像素之间的区域均需设置为透明的，以使位于最顶层LED层下面其他的LED层发出的光能够穿过。
可以理解的，所述第一基板19、所述第二基板29和所述第三基板39的基材的材质可为各种本领域常规使用的透明的塑料，如PI、PET、PEN。所述第一基板19、所述第二基板29和所述第三基板39的厚度均设置为2-100μm。
可以理解的，本案中蓝色LED层10、绿色LED层20和红色LED层30的发光层均为本领域常规的。例如，所述第一发光层15和所述第二发光层25的P型掺杂的无机发光材料层包含GaN:Mg。所述第一发光层15和所述第二发光层25的活性层包含InGaN。所述第一发光层15和所述第二发光层25的N型掺杂的无机发光材料层包含GaN:Si。所述第三发光层35的P型掺杂的无机发光材料层包含AlInGaP。所述第三发光层35的活性层包含InGaAsP。所述第三发光层35的N型掺杂的无机发光材料层包含AlInGaP。
上述微型LED显示面板100,200的制备方法，其包括：形成蓝色LED层，所述蓝色LED层形成间隔设置的多个蓝色微型LED，每一个蓝色微型LED定义一个蓝色子像素；形成绿色LED层，所述绿色LED层形成间隔设置的多个绿色微型LED，每一个绿色微型LED定义一个绿色子像素；形成红色LED层，所述红色LED层形成间隔设置的多个红色微型LED，每一个红色微型LED定义一个红色子像素；层叠所述蓝色LED层、所述绿色LED层、和所述红色LED层(层叠次序不限)，并使每一个蓝色子像素、每一个绿色子像素、和每一个红色子像素相互错开。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，图示中出现的上、下、左及右方向仅为了方便理解，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种微型LED显示面板，其特征在于：所述微型LED显示面板包括层叠设置的蓝色LED层、绿色LED层和红色LED层，所述蓝色LED层形成间隔设置的多个蓝色微型LED，每一个蓝色微型LED定义一个蓝色子像素；所述绿色LED层形成间隔设置的多个绿色微型LED，每一个绿色微型LED定义一个绿色子像素；所述红色LED层形成间隔设置的多个红色微型LED，每一个红色微型LED定义一个红色子像素；每一个蓝色子像素、每一个绿色子像素、和每一个红色子像素为相互错开的。
2.如权利要求1所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述微型LED显示面板包括出光面，相对靠近所述出光面的两个颜色的LED层中任意相邻的两个相同颜色的子像素之间的区域均设置为透明的。
3.如权利要求1所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述蓝色LED层包括依次层叠设置的第一透明导电层、第一发光层和第一电极层；所述第一发光层包括层叠设置的P型掺杂的无机发光材料层、活性层、N型掺杂的无机发光材料层；其中所述P型掺杂的无机发光材料层为不连续的并包括间隔设置的多个P型掺杂单元，所述第一电极层为不连续的并包括间隔设置的多个电极，每一个P型掺杂单元直接连接且接触所述第一透明导电层，每一个P型掺杂单元在所述电极层上的投影与该P型掺杂单元对应的一个电极至少部分重叠；所述蓝色LED层中对应每一个P型掺杂单元及其对应的一个电极的区域定义为一个蓝色子像素。
4.如权利要求1所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述蓝色LED层包括依次层叠设置的第一透明导电层、第一发光层和第一电极层；所述第一发光层包括层叠设置的N型掺杂的无机发光材料层、活性层、P型掺杂的无机发光材料层；其中所述N型掺杂的无机发光材料层为不连续的并包括间隔设置的多个N型掺杂单元，所述第一电极层为不连续的并包括间隔设置的多个电极，每一个N型掺杂单元直接连接且接触所述第一透明导电层，每一个N型掺杂单元在所述电极层上的投影与该N型掺杂单元对应的一个电极至少部分重叠；所述蓝色LED层中对应每一个N型掺杂单元及其对应的一个电极的区域定义为一个蓝色子像素。
5.如权利要求3或4所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述蓝色LED层还包括一第一基板，所述第一透明导电层、所述第一发光层、和所述第一电极层依次层叠在所述第一基板，且所述第一电极层相对靠近所述第一基板；所述第一基板包括TFT阵列，每一个电极电性连接所述TFT阵列。
6.如权利要求1所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述绿色LED层包括依次层叠设置的第二透明导电层、第二发光层、和第二电极层；所述第二发光层包括层叠设置的P型掺杂的无机发光材料层、活性层、N型掺杂的无机发光材料层；其中所述P型掺杂的无机发光材料层为不连续的并包括间隔设置的多个P型掺杂单元，所述第二电极层为不连续的并包括间隔设置的多个电极，每一个P型掺杂单元直接连接且接触所述第二透明导电层，每一个P型掺杂单元在所述第二电极层上的投影与该P型掺杂单元对应的一个电极至少部分重叠；所述绿色LED层中对应每一个P型掺杂单元及其对应的一个电极的区域定义为一个绿色子像素。
7.如权利要求1所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述绿色LED层包括依次层叠设置的第二透明导电层、第二发光层、和第二电极层；所述第二发光层包括层叠设置的N型掺杂的无机发光材料层、活性层、P型掺杂的无机发光材料层；其中所述N型掺杂的无机发光材料层为不连续的并包括间隔设置的多个N型掺杂单元，所述第二电极层为不连续的并包括间隔设置的多个电极，每一个N型掺杂单元直接连接且接触所述第二透明导电层，每一个N型掺杂单元在所述第二电极层上的投影与该N型掺杂单元对应的一个电极至少部分重叠；所述绿色LED层中对应每一个N型掺杂单元及其对应的一个电极的区域定义为一个绿色子像素。
8.如权利要求6或7所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述绿色LED层还包括一第二基板，所述第二透明导电层、所述第二发光层、和所述第二电极层依次层叠在所述第二基板上，且所述第二电极层相对靠近所述第二基板；所述第二基板包括TFT阵列，每一个电极电性连接所述TFT阵列。
9.如权利要求1所述的微型LED显示面板，其特征在于，如权利要求1所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述红色LED层包括依次层叠设置的第三透明导电层、第三发光层、和第三电极层；所述第三发光层包括层叠设置的P型掺杂的无机发光材料层、活性层、N型掺杂的无机发光材料层；其中所述P型掺杂的无机发光材料层为不连续的并包括间隔设置的多个P型掺杂单元，所述第三电极层为不连续的并包括间隔设置的多个电极，每一个P型掺杂单元直接连接且接触所述第三透明导电层，每一个P型掺杂单元在所述第三电极层上的投影与该P型掺杂单元对应的一个电极至少部分重叠；所述红色LED层中对应每一个P型掺杂单元及其对应的一个电极的区域定义为一个红色子像素。
10.如权利要求1所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述红色LED层包括依次层叠设置的第三透明导电层、第三发光层、和第三电极层；所述第三发光层包括层叠设置的N型掺杂的无机发光材料层、活性层、P型掺杂的无机发光材料层；其中所述N型掺杂的无机发光材料层为不连续的并包括间隔设置的多个N型掺杂单元，所述第三电极层为不连续的并包括间隔设置的多个电极，每一个N型掺杂单元直接连接且接触所述第三透明导电层，每一个N型掺杂单元在所述第三电极层上的投影与该N型掺杂单元对应的一个电极至少部分重叠；所述红色LED层中对应每一个N型掺杂单元及其对应的一个电极的区域定义为一个红色子像素。
11.如权利要求9或10所述的微型LED显示面板，其特征在于，所述红色LED层还包括一第三基板上，所述第三透明导电层、所述第三发光层、和所述第三电极层依次层叠在所述第三基板，且所述第三电极层相对靠近所述第三基板；所述第三基板包括TFT阵列，每一个电极电性连接所述TFT阵列。
12.一种微型LED显示面板的制备方法，其包括：
形成蓝色LED层，所述蓝色LED层形成间隔设置的多个蓝色微型LED，每一个蓝色微型LED定义一个蓝色子像素；
形成绿色LED层，所述绿色LED层形成间隔设置的多个绿色微型LED，每一个绿色微型LED定义一个绿色子像素；
形成红色LED层，所述红色LED层形成间隔设置的多个红色微型LED，每一个红色微型LED定义一个红色子像素；以及
层叠所述蓝色LED层、所述绿色LED层、和所述红色LED层，并使每一个蓝色子像素、每一个绿色子像素、和每一个红色子像素相互错开。
CN201810466975.1A 2017-07-07 2018-05-16 微型led显示面板及其制备方法 Active CN109216329B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762529548P 2017-07-07 2017-07-07
US62/529548 2017-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109216329A true CN109216329A (zh) 2019-01-15
CN109216329B CN109216329B (zh) 2020-09-08

Family

ID=64903412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810466975.1A Active CN109216329B (zh) 2017-07-07 2018-05-16 微型led显示面板及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10559557B2 (zh)
CN (1) CN109216329B (zh)
TW (1) TWI672808B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110459586A (zh) * 2019-08-30 2019-11-15 云谷（固安）科技有限公司 一种阵列基板和显示面板
CN111129327A (zh) * 2019-12-24 2020-05-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种全彩显示面板及全彩显示装置
CN113097189A (zh) * 2019-12-23 2021-07-09 佛山市国星光电股份有限公司 一种全彩化显示模块及显示装置
CN113366561A (zh) * 2019-12-19 2021-09-07 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示背板、显示设备、以及拼接显示设备
CN114078403A (zh) * 2021-11-24 2022-02-22 康佳集团股份有限公司 一种高PPI彩色Micro-LED显示屏及制作方法
CN115588665A (zh) * 2022-12-09 2023-01-10 江西兆驰半导体有限公司 一种Micro LED器件及其制备方法
CN116469985A (zh) * 2023-06-20 2023-07-21 季华实验室 Micro LED结构及其制备方法
WO2023159480A1 (zh) * 2022-02-25 2023-08-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、发光装置及显示装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10892297B2 (en) * 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102006188B1 (ko) * 2017-12-29 2019-08-01 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 및 그 제어방법
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR20200127184A (ko) * 2018-03-06 2020-11-10 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 발광 소자 유닛
TWI692865B (zh) * 2018-11-21 2020-05-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
KR20220097772A (ko) * 2020-12-31 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386200A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 财团法人工业技术研究院 发光单元阵列与投影系统
WO2013147986A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Led lamp using blue and cyan leds and a phosphor
CN103400915A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种微型led阵列芯片
US20160163940A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Industrial Technology Research Institute Package structure for light emitting device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8053770B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-08 Universal Display Corporation Emissive layer patterning for OLED
TW201227942A (en) * 2010-08-27 2012-07-01 Ind Tech Res Inst Light emitting unit array and projection system
CN106898628B (zh) * 2017-04-28 2019-08-02 深圳市华星光电技术有限公司 Led显示面板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102386200A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 财团法人工业技术研究院 发光单元阵列与投影系统
WO2013147986A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Led lamp using blue and cyan leds and a phosphor
CN103400915A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种微型led阵列芯片
US20160163940A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Industrial Technology Research Institute Package structure for light emitting device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110459586A (zh) * 2019-08-30 2019-11-15 云谷（固安）科技有限公司 一种阵列基板和显示面板
CN113366561A (zh) * 2019-12-19 2021-09-07 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示背板、显示设备、以及拼接显示设备
CN113366561B (zh) * 2019-12-19 2022-07-22 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示背板、显示设备、以及拼接显示设备
CN113097189A (zh) * 2019-12-23 2021-07-09 佛山市国星光电股份有限公司 一种全彩化显示模块及显示装置
CN113097189B (zh) * 2019-12-23 2023-11-14 佛山市国星光电股份有限公司 一种全彩化显示模块及显示装置
CN111129327A (zh) * 2019-12-24 2020-05-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种全彩显示面板及全彩显示装置
CN114078403A (zh) * 2021-11-24 2022-02-22 康佳集团股份有限公司 一种高PPI彩色Micro-LED显示屏及制作方法
WO2023159480A1 (zh) * 2022-02-25 2023-08-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、发光装置及显示装置
CN115588665A (zh) * 2022-12-09 2023-01-10 江西兆驰半导体有限公司 一种Micro LED器件及其制备方法
CN116469985A (zh) * 2023-06-20 2023-07-21 季华实验室 Micro LED结构及其制备方法
CN116469985B (zh) * 2023-06-20 2023-08-18 季华实验室 Micro LED结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201907551A (zh) 2019-02-16
US20200144240A1 (en) 2020-05-07
US11069669B2 (en) 2021-07-20
US20190013305A1 (en) 2019-01-10
US10559557B2 (en) 2020-02-11
CN109216329B (zh) 2020-09-08
US20210313308A1 (en) 2021-10-07
US11955469B2 (en) 2024-04-09
TWI672808B (zh) 2019-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109216329A (zh) 微型led显示面板及其制备方法
US11796857B2 (en) Display apparatus
CN106067473B (zh) 显示装置
CN107464831B (zh) 一种像素结构及显示装置
CN110034132B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
US20180166470A1 (en) Display apparatus and connecting method of light emitting part thereof
CN106062858B (zh) 使用半导体发光器件的显示设备
WO2016123943A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN108269830A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN108682324B (zh) 无机发光二极管显示面板和显示装置
CN109817658A (zh) 微型led显示面板
US9501967B2 (en) Display device
CN109216418A (zh) 显示装置及显示装置的制造方法
US10586789B2 (en) Micro LED display panel
US10854587B2 (en) Micro LED display panel with narrowed border area and method for making same
US11309359B2 (en) Display panel comprising display layer
US10115927B2 (en) Display substrate, display panel and display device
US20220367421A1 (en) Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor
CN110491922A (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
CN107658326A (zh) 电致发光显示器件及其像素结构和制作方法
KR20230037523A (ko) 어레이 기판, 패널, 및 이를 포함하는 표시장치
CN106298833B (zh) 像素结构
CN110112187A (zh) 显示面板以及显示装置
CN113921673B (zh) 用于显示的发光二极管
US20230307597A1 (en) Display device using micro led

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant