CN109213246B - 供电电路、生成方法和控制方法 - Google Patents

供电电路、生成方法和控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明提出一种供电电路、生成方法和控制方法，涉及智能穿戴技术领域。其中，本发明的一种供电电路，包括：带隙基准电压源Bandgap；实时检测控制模块；和替代电压源模块；其中，实时检测控制模块根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，实时检测控制模块关闭Bandgap，采用替代电压源模块供电。这样的供电电路中Bandgap在完成替代电压源模块输出点电压的调整后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。

Description

供电电路、生成方法和控制方法
技术领域
本申请涉及智能穿戴技术领域，特别是一种供电电路、生成方法和控制方法。
背景技术
随着穿戴式电子技术的演进，降低功耗以延长使用时间显得越来越重要。带隙基准电压源Bandgap作为稳定电压的提供来源，若能降低其功耗，则能够更适合用于穿戴式电子上。
根据Bandgap的耗电及抗噪程度可以将Bandgap电路分为许多不同类型，但通常低耗电会伴随着抗噪性的程度下降，例如，Bandgap可分为10uA(抗噪强，可适用于各种设备)、5uA(抗噪稍弱，不适用于高速设备中ex:CPU、RF…)以及1uA(抗噪弱，仅适用于低速设备中)三种类型，1uA为目前技术极限，无法做得更小，但即使是1uA的Bandgap对于应用于穿戴式电子设备中来说也是一个巨大的损耗，影响了穿戴式电子设备的发展。
发明内容
本申请的一个目的在于提出一种在提供稳定电压的基础上降低Bandgap耗电量的方案。
根据本申请的一个方面，提出一种供电电路，包括：带隙基准电压源Bandgap；实时检测控制模块；和替代电压源模块；其中，实时检测控制模块与Bandgap和替代电压源模块连接，根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，采用替代电压源模块供电。
可选地，替代电压源模块具有多个输出点电压，多个输出点电压相同或不同。
可选地，供电电路包括多个替代电压源模块，多个替代电压源模块的输出点电压相同或不同。
可选地，实时检测控制模块包括：检测控制单元；和，标准单元；其中，检测控制单元与Bandgap和标准单元连接，根据Bandgap的输出电压调整标准单元的分压电路，使标准单元的标识点电压与Bandgap的输出电压相等；实时检测单元根据标准单元分压电路调整替代电压源模块的分压电路，以使替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。
可选地，还包括：当替代电压源模块供电时间达到预定时长后，实时检测控制模块重新根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压，以使替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。
可选地，替代电压源模块包括：PMOS管；NMOS管；第一电阻；第二电阻；和电容；其中，PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和第一电阻的第一端连接；NMOS管的源极和漏极分别与地和第二电阻的第二端连接；第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接，第一电阻和第二电阻中的至少一个为可变电阻，可变电阻的控制端与实时检测控制模块的电阻控制端连接；电容与地和第二电阻的第一端连接；输出点位于第二电阻上，且输出点到地之间的阻值与第二电阻的比值等于目标电压与Bandgap输出电压的比值。
可选地，标准单元包括：PMOS管；NMOS管；标准单元第一电阻；和标准单元第二电阻；其中，PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和标准单元第一电阻的第一端连接；NMOS管的源极和漏极分别与地和标准单元第二电阻的第二端连接；标准单元第一电阻为可变电阻，标准单元第一电阻的控制端与检测控制单元的电阻控制端连接；检测控制单元控制调节标准单元第一电阻的阻值以使标准单元第一电阻的第二端和/或标准单元第二电阻的第一端的输出电压与Bandgap的输出电压相同。
可选地，替代电压源模块包括：PMOS管；NMOS管；替代电压源模块第一电阻；和替代电压源模块第二电阻；电容；其中，PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和替代电压源模块第一电阻的第一端连接；NMOS管的源极和漏极分别与地和替代电压源模块第二电阻的第二端连接；替代电压源模块第一电阻的第二端与替代电压源模块第二电阻的第一端连接；电容与地和替代电压源模块的输出点连接，输出点位于替代电压源模块第二电阻上，且输出点到地之间的阻值与标准单元第二电阻的比值等于目标电压与Bandgap输出电压的比值；替代电压源模块第二电阻与标准单元第二电阻的阻值相等；替代电压源模块第一电阻为控制端与检测控制单元的电阻控制端连接的可变电阻，检测控制单元将替代电压源模块第一电阻调节为与标准单元第一电阻的阻值相同。
可选地，替代电压源模块第二电阻R2由多个电阻R2、R22……R2n串联而成，n为不小于2的正整数；R21的第一端与替代电压源模块第一电阻的第二端连接，R21的第二端与R22的第一端连接；R2k的第一端与R2(k-1)的第二端连接，R2k的第二端与R2(k+1)的第一端连接，k为正整数，且1<k<n；R2n的第一端与R2(n-1)的第二端连接，R2n的第二端接NMOS的漏极；R2j的第一端与另一端接地的电容连接，j为正整数，且1≤j≤n；其中，R2j+R2(j+1)+……R2n与标准单元第二电阻的比值分别等于单个目标电压与Bandgap输出电压的比值。
可选地，根据Bandgap的输出电压调整标准单元的分压电路，使标准单元的标识点电压与Bandgap的输出电压相等包括：将Bandgap的输出点与标准单元第一电阻的第二端连接；检测控制单元调整标准单元第一电阻的阻值，以使Bandgap的输出点与标准单元第一电阻的第二端之间的电流为0，其中，标准单元第一电阻的第二端的电压为标识点电压。
可选地，当检测控制单元调整标准单元第一电阻和/或调整替代电压源模块第一电阻时，PMOS管的栅极为低电平、NMOS管的栅极为高电平。
可选地，还包括：当采用替代电压源模块供电时，以预定脉冲分别向PMOS管和NMOS管的栅极提供控制电平；其中，向PMOS管和NMOS管的栅极提供的控制电平相反。
这样的供电电路能够根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压，进而采用替代电压源模块供电，而Bandgap在完成替代电压源模块输出点电压的调整后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。
根据本申请的另一个方面，提出一种形成供电电路的方法，包括：将带隙基准电压源Bandgap与实时检测控制模块连接；将替代电压源模块与实时检测控制模块连接；其中，实时检测控制模块根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，采用替代电压源模块供电。
可选地，替代电压源模块具有多个输出点电压，多个输出点电压相同或不同。
可选地，供电电路包括多个替代电压源模块，多个替代电压源模块的输出点电压相同或不同。
可选地，还包括：生成实时检测控制模块，包括：生成检测控制单元；和，生成标准单元；将检测控制单元与Bandgap和标准单元连接；将检测控制单元与替代电压源模块连接。
可选地，生成标准单元包括：将PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和标准单元第一电阻的第一端连接；将NMOS管的源极和漏极分别与地和标准单元第二电阻的第二端连接；将标准单元第一电阻的第二端与标准单元第二电阻的第一端连接，其中，第一电阻为可变电阻；将第一电阻的控制端与检测控制单元的电阻控制端连接；将电容与地和第二电阻的第一端连接。
可选地，还包括：生成替代电压源模块，包括：将PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和替代电压源模块第一电阻的第一端连接；将NMOS管的源极和漏极分别与地和替代电压源模块第二电阻的第二端连接；将替代电压源模块第一电阻的第二端与替代电压源模块第二电阻的第一端连接，其中，第一电阻为可变电阻；将第一电阻的控制端与实时检测控制模块的电阻控制端连接；将电容与地和替代电压源模块第二电阻的第一端连接；在替代电压源模块第二电阻上设置输出点。
可选地，还包括：将PMOS管的栅极与脉冲控制器连接；将NMOS管的栅极经过反相器与脉冲控制器连接。
可选地，将NMOS管的栅极与脉冲控制器连接；将PMOS管的栅极经过反相器与脉冲控制器连接。
通过这样的方法生成的供电电路能够根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压，进而采用替代电压源模块供电，而Bandgap在完成替代电压源模块输出点电压的调整后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。
根据本申请的又一个方面，提出一种供电电路的控制方法，包括：根据带隙基准电压源Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，采用替代电压源模块供电；其中，替代电压源模块具有多个输出点电压，多个输出点电压相同或不同。
可选地，供电电路包括多个替代电压源模块，多个替代电压源模块的输出点电压相同或不同。
可选地，根据带隙基准电压源Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压包括：将Bandgap的输出点与标准单元第一电阻的标识点连接；调整标准单元的分压电路，以使Bandgap的输出点与标准单元第一电阻的标识点之间的电流为0；根据标准单元分压电路调整替代电压源模块的分压电路，以使替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。
可选地，还包括：替代电压源模块供电时间达到预定时长后，重新根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压，以使替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。
可选地，调整标准单元的分压电路，以使Bandgap的输出点与标准单元第一电阻的标识点之间的电流为0包括：向标准单元的PMOS管的栅极输出低电平、向标准单元的NMOS管的栅极提供高电平；调整标准单元第一电阻的阻值，以使Bandgap的输出点与标准单元标识点之间的电流为0；其中，Bandgap的输出点与标准单元第一电阻第二端连接；其中，标准单元包括：PMOS管；NMOS管；标准单元第一电阻；和标准单元第二电阻；PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和标准单元第一电阻的第一端连接；NMOS管的源极和漏极分别与地和标准单元第二电阻的第二端连接；标准单元第一电阻的第二端与标准单元第二电阻的第一端连接，标准单元第一电阻为可变电阻；电容与地和第二电阻的第一端连接；第一电阻的第二端和/或第二电阻的第一端为标准单元的标识点。
可选地，根据标准单元分压电路调整替代电压源模块的分压电路，以使替代电压源模块的输出点电压达到目标电压包括：向替代电压源模块的PMOS管的栅极提供低电平、向标准单元的NMOS管的栅极提供高电平；调整替代电压源模块第一电阻的阻值，以使替代电压源模块第一电阻与标准单元第一电阻的阻值相等；其中，替代电压源模块包括：PMOS管；NMOS管；电容；替代电压源模块第一电阻；和，替代电压源模块第二电阻，替代电压源模块第二电阻与标准单元第二电阻的阻值相等；PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和替代电压源模块第一电阻的第一端连接；NMOS管的源极和漏极分别与地和替代电压源模块第二电阻的第二端连接；替代电压源模块第一电阻的第二端与替代电压源模块第二电阻的第一端连接，替代电压源模块第一电阻为可变电阻；电容与地和替代电压源模块的输出点连接，输出点位于替代电压源模块第二电阻上，且输出点到地之间的阻值与标准单元第二电阻的比值等于目标电压与Bandgap输出电压的比值。
可选地，还包括：当采用替代电压源模块供电时，以预定脉冲分别向PMOS管和NMOS管的栅极输出控制电平；其中，向PMOS管和NMOS管的栅极提供的控制电平相反。
这样的控制方法能够使供电电路根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压，进而采用替代电压源模块供电，而Bandgap在完成替代电压源模块输出电压的调整后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1A为现有技术中采用Bandgap进行供电的示意图。
图1B为现有技术中采用Bandgap进行供电的流程图。
图1C为现有技术中采用Bandgap进行供电的电路模块图。
图1D为现有技术中采用Bandgap进行供电的耗电示意图。
图2为本发明的供电电路的一个实施例的示意图。
图3为本发明的供电电路的另一个实施例的示意图。
图4为本发明的供电电路中替代电压源模块的一个实施例的示意图。
图5为本发明的供电电路中实时检测控制模块的一个实施例的示意图。
图6为本发明的供电电路的另一个实施例的原理图。
图7为本发明的供电电路中替代电压源模块的另一个实施例的示意图。
图8为本发明的供电电路的一个实施例的仿真图。
图9为如图8所示的供电电路的仿真结果图。
图10为现有技术中采用Bandgap进行供电与本发明的供电电路的能耗对比图。
图11为本发明的形成供电电路的方法的一个实施例的流程图。
图12为本发明的供电电路的控制方法的一个实施例的流程图。
图13为本发明的供电电路的控制方法的另一个实施例的流程图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应理解，除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不应被理解为对本申请范围的限制。
此外，应当理解，为了便于描述，附图中所示出的各个部件的尺寸并不必然按照实际的比例关系绘制，例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大。
以下对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，在任何意义上都不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和装置可能不作详细讨论，但在适用这些技术、方法和装置情况下，这些技术、方法和装置应当被视为本说明书的一部分。
应注意，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义或说明，则在随后的附图的说明中将不需要对其进行进一步讨论。
如图1A-1D所示，为了降低采用Bandgap的耗电量，专利US7,579,822提出了一种方案，即设置高功率Bandgap电路和低功率Bandgap电路。从图1B的步骤101～107中可以看出，现有技术中的方案是通过选择高功率Bandgap电路和/或低功率Bandgap电路的方式进行供电，在无需过高功率的情况下，能够采用低功率Bandgap电路提供电压，从而降低了Bandgap的功率损耗。具体功率损耗状况如图1D所示，其中，低功率Bandgap电路处于持续供电状态，当需要高功率时，激活高功率Bandgap电路。传统的高功率Bandgap电路电流一般在5uA左右，低功率Bandgap电路电流一般在1uA左右，因此平均电流在1～5uA之间。
本发明的供电电路的一个实施例的示意图如图2所示。Bandgap21与实时检测控制模块22连接，且实时检测控制模块22与替代电压源模块23连接，实时检测控制模块能够根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压，调整替代电压源模块的电路参数使得替代电压源模块的输出点电压达到目标电压，该目标电压可以与Bandgap的输出电压相同，也可以与如Bandgap的输出电压有倍数关系等；在一个实施例中，可以通过调整替代电压源模块的分压电阻调整替代电压源模块的输出点电压。当替代电压源模块的输出点电压与Bandgap的输出电压相同时，实时检测控制模块关闭Bandgap，采用替代电压源模块供电。
这样的供电电路能够根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压，进而采用替代电压源模块供电，而Bandgap在完成替代电压源模块输出点电压的调整后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。
在一个实施例中，如图3所示，替代电压源模块331可以具有多个输出点电压，如V11～V1k，其中，k为正整数。多个输出点电压相同或不同。这样的供电电路能够同时为多个需要的电压相同或不相同的用电设备、模块提供基准电压，从而减少了设备中Bandgap的需求量。
在一个实施例中，如图3所示，供电电路包括多个替代电压源模块331～33n，n为正整数，多个替代电压源模块的输出点电压相同或不同。这样的供电电路能够同时为多个需要的电压相同或不相同的用电设备、模块提供基准电压，从而减少了设备中Bandgap的需求量。
在一个实施例中，如图3所示，供电电路包括多个替代电压源模块331～33n，n为正整数；可以具有多个输出点电压，如V11～V1k、V21～V2j……Vn1～Vni，其中，k、j、i为正整数。这样的供电电路能够同时为多个需要的电压相同或不相同的用电设备、模块提供基准电压，当用电设备、模块相距较近时，可以利用单个替代电压源模块的不同接口供电，从而减小供电电路的体积；当不同的用电设备、模块相距位置较远时，利用不同替代电压源模块供电，从而减少供电电路的电压衰减，提高电压的准确性。
本发明的替代电压源模块的一个实施例的示意图如图4所示，包括PMOS管、NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2和电容。R1与R2之间即为替代电压源模块的标识点，标识点电压为V0。R1通过PMOS管连接高电平VDD，R2通过NMOS管接地。输出点还连接有另一端接地的电容。R1、R2中至少一个为可变电阻。根据公式：
V0＝R2*VDD/(R1+R2)
调节可变电阻阻值，使Vout与Bandgap的输出电压VBG相同。
可以在R2上设置不同的输出点，输出点电压为Vout，输出点到地之间电阻阻值为R3：
R3/R2＝Vout/V0＝Vout/VBG
这样的替代电压源模块能够利用电阻R1、R2的分压调整V0，使V0与VBG相同，进而利用R2上的分压，能够保证供电电路满足用电设备的需求。在一个实施例中，R1、R2可以为能够起到分压作用的电路模块，并不仅限于可变电阻。
本发明的实时检测控制模块的一个实施例的示意图如图5所示，实时检测控制模块可以包括检测控制单元51和标准单元。其中，检测控制单元与Bandgap和标准单元连接，根据Bandgap的输出电压调整标准单元的分压电路，使标准单元的标识点电压与Bandgap的输出电压相等；检测单元根据标准单元分压电路调整替代电压源模块的分压电路，以使替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。如图5所示，标准单元包括PMOS管、NMOS管、标准单元第一电阻R1、标准单元第二电阻R2和电容。R1与R2之间即为标准单元的标识点，输出电压为V1。R1通过PMOS管连接高电平VDD，R2通过NMOS管接地。R1为可变电阻。根据公式：
V1＝R2*VDD/(R1+R2)
调节R1，使V1与Bandgap的输出电压相同。
检测控制单元可以将Bandgap的输出点与标准单元的标识点连接，根据Bandgap的输出点与标准单元的标识点之间电流的大小判断压降。若电流大小不为0，则调整R1，使得Bandgap的输出点与标准单元的标识点之间的电流为0。当电流为0时，实时检测控制模块完成标准单元电压校准，切断Bandgap的输出点与标准单元的输出点的连接。在一个实施例中，Bandgap的输出点与标准单元的输出点之间可以有电阻，以避免电压差过大导致的电流过大而损伤设备。
这样的供电电路能够利用电流的检测判断Bandgap的输出电压与标准单元的电压是否相同，判断精准；进而根据标准单元的调节参数进行替代电压源模块，从而提高了替代电压源模块输出点电压的准确性，保证供电电路满足用电设备的需求。
在一个实施例中，本发明的供电电路的原理图如图6所示。在对标准单元62的标识点电压进行校准的阶段，S1闭合，S2断开，图中PMOS管的栅极为低电平，NMOS管的栅极为高电平。图中两R1之间的连线标识两者的电阻均可进行调节，且始终保持电阻相等。标准单元62第二电阻R2、替代电压源模块63第二电阻的阻值R2相等。替代电压源模块63的输出点位于替代电压源模块第二电阻上，且输出点到地之间的阻值Rx与标准单元第二电阻R2的比值等于目标电压Vout与Bandgap输出电压VBG的比值，即
Vout＝Rx*VDD/(R1+R2)
VBG＝V1＝R2*VDD/(R1+R2)
因此，VBG/Vout＝Rx/R2
在一个实施例中，可以通过上文中图5所示实施例中的方式调节R1，使标准单元的标识点电压与Bandgap的输出电压相等。
这样的供电电路能够利用电阻R1、R2的分压调整Vout，利用电阻的比值得到目标电压，从而保证供电电路满足用电设备的需求。同时，可以拉远替代电压源模块与标准单元、Bandgap的距离，从而实现替代电压源模块近距离为设备供电，防止电压衰减，提高了准确性。在一个实施例中，R1、R2可以为能够起到分压作用的电路模块，并不仅限于可变电阻。
在一个实施例中，当完成调整R1后，为标准单元的PMOS管栅极提供高电平、为标准单元的NMOS管栅极提供低电平，从而停止标准单元的工作，进一步达到节能的效果。
在一个实施例中，如图6所示，输出点与另一端接地的电容连接。在电阻调整阶段，替代电压源模块的PMOS管栅极为低电平，NMOS管栅极为高电平；当Vout超过预定高门限时，调整提供给MOS管的栅极电压，使PMOS管栅极为高电平，NMOS管栅极为低电平，电容放电；当Vout低于预定低门限时，调整提供给MOS管的栅极电压，使PMOS管栅极为低电平，NMOS管栅极为高电平，电容充电，从而使Vout稳定在预定低门限与预定高门限之间，一方面保证了用电设备的性能，另一方面也避免由于电压不稳定造成的用电设备的损伤。
在一个实施例中，可以根据仿真或测试确定MOS管栅极电平的调整周期，进而使用脉冲信号为MOS管栅极提供电平。在一个实施例中，可以采用同一个时钟信号提供脉冲信号，且该时钟信号与替代电压源模块的PMOS管栅极或NMOS管栅极之中的一个连接，通过反相器连接另一个。这样的供电电路无需实时检测Vout，降低了实施检测控制模块的运算负担，减小了电路的复杂度。
在一个实施例中，为了防止由于时钟信号不够精准，随着时间的流逝误差逐渐积累导致输出点电压不够准确的问题，可以设置预定时长。当采用替代电压源模块供电达到预定时长后，重新将Bandgap与标准单元连接进行分压电阻校准，调整标准单元第一电阻和替代电压源第一电阻的阻值，从而进一步保证了输出电压的准确性和稳定性。在一个实施例中，可以利用第二时钟信号提供脉冲信号，且该时钟信号与标准单元的PMOS管栅极或NMOS管栅极之中的一个连接，通过反相器连接另一个，其中，脉冲信号的周期不大于预定时长。
这样的供电电路能够通过时钟信号及时校准，降低了实施检测控制模块的运算负担，减小了电路的复杂度。
本发明的供电电路中替代电压源模块的另一个实施例的示意图如图7所示。替代电压源模块第二电阻R2由多个电阻R2、R22……R2n串联而成，其中，n为不小于2的正整数；R21的第一端与替代电压源模块第一电阻的第二端连接，R21的第二端与R22的第一端连接；R2k的第一端与R2(k-1)的第二端连接，R2k的第二端与R2(k+1)的第一端连接，k为正整数，且1<k<n；R2n的第一端与R2(n-1)的第二端连接，R2n的第二端接NMOS的漏极；R2j的第一端与另一端接地的电容连接，j为正整数，且1≤j≤n。其中，R2j的第一端为输出点，为保证得到目标电压Voutj，需要设置：
(R2j+R2(j+1)+……R2n)/R2＝Voutj/VBG
这样的供电电路中，单个替代电压源模块能够提供多个目标电压输出，从而满足了不同用电设备、用电设备不同模块的用电需求，极大的减小了供电电路的体积，有利于设备的微型化、轻便化。
本发明的供电电路的仿真图如图8所示，仿真结果图如图9所示，该图中，OUT、OUT1、OUT2分别为三个不同点的输出点电压，可以看出，输出点电压稳定在一定范围内，且三者并不相同。vrefi、vrefo分别为标准单元中MOS管的控制时钟信号和替代电压源模块中MOS管的控制时钟信号。可以看出，时钟信号发出脉冲时，输出点电压重新进行了调节，之后缓慢的降低。现有技术中采用Bandgap进行供电与本发明的供电电路的供电电流损耗对比图如图10所示。通过图10可以明显看出，本发明的Bandgap输出电流明显减少，在采用替代电压源模块进行供电的情况下，Bandgap仅由于漏电等情况产生能量损失，从而极大的降低了Bandgap的耗电量，提高了Bandgap在用电设备中的可用时长。例如，当单个Bandgap的功耗为5uA，使用一个替代电压源模块时，平均电流约为3nA。当需要N个Bandgap时，传统方法的电流就是5N uA，而本方法由于只增加N个分压电路，每个的平均电流为2.5nA，因此总共约为(0.5+2.5N)nA，故当需要的输出电压越多时，本发明能够减少的功耗越多。
本发明的形成供电电路的方法的一个实施例的流程图如图11所示。
在步骤1101中，将带隙基准电压源Bandgap与实时检测控制模块连接。
在步骤1102中，将替代电压源模块与实时检测控制模块连接。其中，实时检测控制模块能够根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，实时检测控制模块关闭Bandgap，采用替代电压源模块供电。
通过这样的方法生成的供电电路能够根据Bandgap的输出电压校准替代电压源模块的输出点电压，进而采用替代电压源模块供电，而Bandgap在完成电压校准后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。
在一个实施例中，替代电压源模块如图4所示，生成替代电压源模块的过程包括将PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和第一电阻的第一端连接；将NMOS管的源极和漏极分别与地和第二电阻的第二端连接；将第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接，其中，第一电阻和第二电阻中的至少一个为可变电阻，将可变电阻的控制端与实时检测控制模块的电阻控制端连接；将电容与地和第二电阻的第一端连接。
通过这样的方法生成的替代电压源模块能够利用第一、二电阻的分压调整替代电压源模块的输出点电压，使替代电压源模块的输出电压与Bandgap的输出电压相同，从而保证供电电路满足需要Bandgap的输出电压的用电设备的需求。
在一个实施例中，实时检测控制模块的一个实施例的示意图如图5所示，生成实时检测控制模块中标准单元的过程包括：将PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和第一电阻的第一端连接；将NMOS管的源极和漏极分别与地和第二电阻的第二端连接；将第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接，其中，第一电阻为可变电阻，将可变电阻的控制端与检测控制单元的电阻控制端连接。
通过这样的方法，能够生成具有与Bandgap输出电压的电压值相同的电路，根据其电阻阻值能够对替代电压源模块的电阻进行调整，从而提高了生成的替代电压源模块输出点电压的准确性，保证供电电路满足用电设备多样化的用电需求。
本发明的供电电路的控制方法的一个实施例的流程图如图12所示。
在步骤1201中，根据带隙基准电压源Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压以使替代电压源模块的输出点电压达到目标电压，如，调整替代电压源模块的分压电阻实现输出点电压调节。
在步骤1202中，当替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，关闭Bandgap，采用替代电压源模块供电。
通过这样的控制方法，供电电路能够根据Bandgap的输出电压校准替代电压源模块的输出点电压，进而采用替代电压源模块供电，而Bandgap在完成电压校准后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。
在一个实施例中，可以将Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点连接，根据Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点之间电流的大小判断压降。若电流大小不为0，则调整替代电压源模块，例如调整其分压电阻的大小，使得Bandgap的标识点与替代电压源模块的输出点之间的电流为0。当电流为0时，完成电压校准，切断Bandgap的输出点与替代电压源模块的标识点的连接，采用替代电压源模块对外供电，其中，替代电压源模块输出点位于标识点与地之间。
通过这样的控制方法，供电电路能够利用电流的检测判断Bandgap的输出点与替代电压源模块的输出点的电压是否相同，判断精准，从而提高了替代电压源模块输出电压的准确性，保证供电电路满足用电设备的需求。
在一个实施例中，供电电路可以包括标准单元，可以根据Bandgap的输出电压调整标准单元的分压电路，使标准单元的标识点电压与Bandgap的输出电压相等；再根据标准单元分压电路调整替代电压源模块的分压电路，以使替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。
通过这样的控制方法，供电电路能够利用电流的检测判断Bandgap的输出电压与标准单元的电压是否相同，判断精准；进而根据标准单元的调节参数进行替代电压源模块，从而提高了替代电压源模块输出电压的准确性，保证供电电路满足用电设备的需求。
在一个实施例中，如图6所示。在对标准单元62的标识点电压进行校准的阶段，控制PMOS管的栅极为低电平，NMOS管的栅极为高电平。调节两R1使两者始终保持电阻相等。标准单元第二电阻R2、替代电压源模块第二电阻的阻值R2相等。
通过这样的控制方法，供电电路能够利用电阻R1、R2的分压调整Vout，利用电阻的比值得到目标电压，从而保证供电电路满足用电设备的需求。同时，可以拉远替代电压源模块与标准单元、Bandgap的距离，从而实现替代电压源模块近距离为设备供电，防止电压衰减，提高了准确性。
在一个实施例中，当完成调整R1后，控制为标准单元的PMOS管栅极提供高电平、为标准单元的NMOS管栅极提供低电平，从而停止标准单元的工作，进一步达到节能的效果。
在一个实施例中，如图6所示，输出点与另一端接地的电容连接。在电阻调整阶段，替代电压源模块的PMOS管栅极为低电平，NMOS管栅极为高电平；当Vout超过预定高门限时，调整提供给MOS管的栅极电压，使PMOS管栅极为高电平，NMOS管栅极为低电平，电容放电；当Vout低于预定低门限时，调整提供给MOS管的栅极电压，使PMOS管栅极为低电平，NMOS管栅极为高电平，电容充电，从而使Vout稳定在预定低门限与预定高门限之间，一方面保证了用电设备的性能，另一方面也避免由于电压不稳定造成的用电设备的损伤。
在一个实施例中，可以根据仿真或测试确定MOS管栅极电平的调整周期，进而使用脉冲信号为MOS管栅极提供电平。在一个实施例中，可以采用同一个时钟信号提供脉冲信号，且该时钟信号与替代电压源模块的PMOS管栅极或NMOS管栅极之中的一个连接，通过反相器连接另一个。这样的供电电路无需实时检测Vout，降低了实施检测控制模块的运算负担，减小了电路的复杂度。
在一个实施例中，为了防止由于时钟信号不够精准，随着时间的流逝误差逐渐积累导致输出电压不够准确的问题，可以设置预定时长。当采用替代电压源模块供电达到预定时长后，重新将Bandgap与标准单元连接进行分压电阻校准，调整标准单元第一电阻和替代电压源第一电阻的阻值，从而进一步保证了输出电压的准确性和稳定性。在一个实施例中，可以利用第二时钟信号提供脉冲信号，且该时钟信号与标准单元的PMOS管栅极或NMOS管栅极之中的一个连接，通过反相器连接另一个，其中，脉冲信号的周期不大于预定时长。
通过这样的控制方法，供电电路能够通过时钟信号及时校准，降低了实施检测控制模块的运算负担，减小了电路的复杂度。
本发明的供电电路的控制方法的另一个实施例的流程图如图13所示。
在步骤1301中，导通Bandgap的输出点与标准单元的标识点之间的连接。
在步骤1302中，监控Bandgap的输出点与标准单元的标识点之间的电流。在一个实施例中，两点之间具有电阻，以防止电流过大损伤电路。
在步骤1303中，判断Bandgap的输出点与标准单元的标识点之间的电流是否为0。若电流为0，则完成调节，执行步骤1305；若电流不为0，则执行步骤1304。
在步骤1304中，调节标准单元的可变电阻的阻值，以减小Bandgap的输出点与标准单元的标识点之间的电流。
在步骤1305中，完成标准单元的标识点电压校准的过程，切断Bandgap的输出点与标准单元的标识点之间的连接，关闭Bandgap模块和标准单元，为替代电压源的PMOS管的栅极提供低电平，为替代电压源的NMOS管的栅极提供高电平。
在步骤1306中，根据标准单元的分压电阻调整替代电压源模块的分压电阻，使二者相等。
在步骤1307中，采用替代电压源模块供电。在此过程中，采用时钟信号控制替代电压源的PMOS管、NMOS管的栅极电压，使替代电压源模块的输出点电压稳定在预定范围内。
在步骤1308中，判断采用替代电压源模块供电的时间是否达到预定时长。若达到预定时长，则执行步骤1301，重新进行校准；若未达到预定时长，则继续执行步骤1307。
通过这样的控制方法，能够实时调整、校准替代电压源模块的输出点电压，一方面保证了用电设备的性能，另一方面也避免由于电压不稳定造成的用电设备的损伤。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。

Claims (20)

1.一种供电电路，包括：
带隙基准电压源Bandgap；
实时检测控制模块，包括：检测控制单元和标准单元；和
替代电压源模块；
其中，所述实时检测控制模块与所述Bandgap和所述替代电压源模块连接，根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压，包括：所述检测控制单元与所述Bandgap和所述标准单元连接，根据所述Bandgap的输出电压调整所述标准单元的分压电路，使所述标准单元的标识点电压与所述Bandgap的输出电压相等；
当所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，所述实时检测控制模块关闭所述Bandgap，采用所述替代电压源模块供电，包括：所述检测控制单元根据所述标准单元分压电路调整所述替代电压源模块的分压电路，以使所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。
2.根据权利要求1所述的供电电路，其中，
所述替代电压源模块具有多个输出点电压，多个所述输出点电压相同或不同；和/或，
所述供电电路包括多个所述替代电压源模块，多个所述替代电压源模块的所述输出点电压相同或不同。
3.根据权利要求1所述的供电电路，还包括：
当所述替代电压源模块供电时间达到预定时长后，所述实时检测控制模块重新根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压，以使所述替代电压源模块的输出点电压达到所述目标电压。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的供电电路，其中，
所述替代电压源模块包括：
PMOS管；
NMOS管；
第一电阻；
第二电阻；和
电容；
其中，所述PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和所述第一电阻的第一端连接；
所述NMOS管的源极和漏极分别与地和所述第二电阻的第二端连接；
所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第一电阻和所述第二电阻中的至少一个为可变电阻，所述可变电阻的控制端与所述实时检测控制模块的电阻控制端连接；
所述电容与地和所述第二电阻的第一端连接；
替代电压源模块的输出点位于所述第二电阻上，且输出点到地之间的阻值与所述第二电阻的比值等于所述目标电压与Bandgap输出电压的比值。
5.根据权利要求1所述的供电电路，其中，
所述标准单元包括：
PMOS管；
NMOS管；
标准单元第一电阻；和
标准单元第二电阻；
其中，所述PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和所述标准单元第一电阻的第一端连接；
所述NMOS管的源极和漏极分别与地和所述标准单元第二电阻的第二端连接；
所述标准单元第一电阻为可变电阻，所述标准单元第一电阻的控制端与所述检测控制单元的电阻控制端连接；
所述检测控制单元控制调节所述标准单元第一电阻的阻值以使所述标准单元第一电阻的第二端和/或所述标准单元第二电阻的第一端的输出电压与所述Bandgap的输出电压相同。
6.根据权利要求5所述的供电电路，其中，所述替代电压源模块包括：
PMOS管；
NMOS管；
替代电压源模块第一电阻；
替代电压源模块第二电阻；和
电容；
其中，所述PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和所述替代电压源模块第一电阻的第一端连接；
所述NMOS管的源极和漏极分别与地和所述替代电压源模块第二电阻的第二端连接；
所述替代电压源模块第一电阻的第二端与所述替代电压源模块第二电阻的第一端连接；
所述电容与地和所述替代电压源模块的输出点连接，所述输出点位于所述替代电压源模块第二电阻上，且所述输出点到地之间的阻值与所述标准单元第二电阻的比值等于所述目标电压与所述Bandgap输出电压的比值；
所述替代电压源模块第二电阻与所述标准单元第二电阻的阻值相等；
所述替代电压源模块第一电阻为控制端与所述检测控制单元的电阻控制端连接的可变电阻，所述检测控制单元将所述替代电压源模块第一电阻调节为与所述标准单元第一电阻的阻值相同。
7.根据权利要求6所述的供电电路，其中，
所述替代电压源模块第二电阻R2由多个电阻R21、R22……R2n串联而成，n为不小于2的正整数；
所述R21的第一端与所述替代电压源模块第一电阻的第二端连接，所述R21的第二端与所述R22的第一端连接；
R2k的第一端与R2(k-1)的第二端连接，R2k的第二端与R2(k+1)的第一端连接，k为正整数，且1<k<n；
R2n的第一端与R2(n-1)的第二端连接，R2n的第二端接NMOS的漏极；
R2j的第一端与另一端接地的电容连接，j为正整数，且1≤j≤n；
其中，R2j+R2(j+1)+……R2n与所述标准单元第二电阻的比值分别等于单个所述目标电压与所述Bandgap输出电压的比值。
8.根据权利要求5所述的供电电路，其中，所述根据所述Bandgap的输出电压调整所述标准单元的分压电路，使所述标准单元的标识点电压与所述Bandgap的输出电压相等包括：
将所述Bandgap的输出点与所述标准单元第一电阻的第二端连接；
所述检测控制单元调整所述标准单元第一电阻的阻值，以使所述Bandgap的输出点与所述标准单元第一电阻的第二端之间的电流为0，其中，所述标准单元第一电阻的第二端的电压为所述标识点电压。
9.根据权利要求5所述的供电电路，当检测控制单元调整所述标准单元第一电阻和/或调整所述替代电压源模块第一电阻时，所述PMOS管的栅极为低电平、所述NMOS管的栅极为高电平。
10.根据权利要求6所述的供电电路，还包括：
当采用所述替代电压源模块供电时，以预定脉冲分别向所述PMOS管和所述NMOS管的栅极提供控制电平；
其中，向所述PMOS管和所述NMOS管的栅极提供的控制电平相反。
11.一种形成供电电路的方法，包括：
生成实时检测控制模块，包括：
生成检测控制单元；和，
生成标准单元；将带隙基准电压源Bandgap与实时检测控制模块的所述检测控制单元连接；
将替代电压源模块与所述实时检测控制模块的所述检测控制单元连接；
其中，所述实时检测控制模块根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压；
当所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，采用所述替代电压源模块供电。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，
所述替代电压源模块具有多个输出点电压，多个所述输出点电压相同或不同；和/或，
所述供电电路包括多个所述替代电压源模块，多个所述替代电压源模块的所述输出点电压相同或不同。
13.根据权利要求11所述的方法，所述生成标准单元包括：
将PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和标准单元第一电阻的第一端连接；
将NMOS管的源极和漏极分别与地和标准单元第二电阻的第二端连接；
将所述标准单元第一电阻的第二端与所述标准单元第二电阻的第一端连接，其中，所述第一电阻为可变电阻；
将所述第一电阻的控制端与所述检测控制单元的电阻控制端连接；
将电容与地和所述第二电阻的第一端连接。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括：
生成所述替代电压源模块，包括：
将PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和替代电压源模块第一电阻的第一端连接；
将NMOS管的源极和漏极分别与地和替代电压源模块第二电阻的第二端连接；
将所述替代电压源模块第一电阻的第二端与所述替代电压源模块第二电阻的第一端连接，其中，所述第一电阻为可变电阻；
将所述第一电阻的控制端与所述实时检测控制模块的电阻控制端连接；
将所述电容与地和所述替代电压源模块第二电阻的第一端连接；
在所述替代电压源模块第二电阻上设置输出点。
15.根据权利要求13或14所述的方法，还包括：
将PMOS管的栅极与脉冲控制器连接；
将NMOS管的栅极经过反相器与所述脉冲控制器连接；
或
将NMOS管的栅极与脉冲控制器连接；
将PMOS管的栅极经过反相器与所述脉冲控制器连接。
16.一种供电电路的控制方法，包括：
根据带隙基准电压源Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压，包括：
将所述Bandgap的输出点与标准单元第一电阻的标识点连接，其中，标准单元包括：PMOS管；NMOS管；标准单元第一电阻；和标准单元第二电阻；所述PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和所述标准单元第一电阻的第一端连接；所述NMOS管的源极和漏极分别与地和所述标准单元第二电阻的第二端连接；所述标准单元第一电阻的第二端与所述标准单元第二电阻的第一端连接，所述标准单元第一电阻为可变电阻；电容与地和所述第二电阻的第一端连接；所述第一电阻的第二端和/或所述第二电阻的第一端为所述标准单元的标识点；
调整所述标准单元的分压电路，以使所述Bandgap的输出点与标准单元第一电阻的标识点之间的电流为0；
根据标准单元分压电路调整所述替代电压源模块的分压电路，以使所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压；
当所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压时，采用所述替代电压源模块供电；
其中，所述替代电压源模块具有多个输出点电压，多个所述输出点电压相同或不同；和/或，
供电电路包括多个所述替代电压源模块，多个所述替代电压源模块的所述输出点电压相同或不同。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
所述替代电压源模块供电时间达到预定时长后，重新根据所述Bandgap的输出电压调整所述替代电压源模块的输出点电压，以使所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压。
18.根据权利要求16所述的方法，所述调整所述标准单元的分压电路，以使所述Bandgap的输出点与所述标准单元第一电阻的标识点之间的电流为0包括：
向所述标准单元的PMOS管的栅极输出低电平、向所述标准单元的NMOS管的栅极提供高电平；
调整标准单元第一电阻的阻值，以使所述Bandgap的输出点与所述标准单元标识点之间的电流为0；其中，所述Bandgap的输出点与所述标准单元第一电阻第二端连接。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，
所述根据所述标准单元分压电路调整所述替代电压源模块的分压电路，以使所述替代电压源模块的输出点电压达到目标电压包括：
向所述替代电压源模块的PMOS管的栅极提供低电平、向所述标准单元的NMOS管的栅极提供高电平；
调整替代电压源模块第一电阻的阻值，以使所述替代电压源模块第一电阻与所述标准单元第一电阻的阻值相等；
其中，所述替代电压源模块包括：
PMOS管；
NMOS管；
电容；
替代电压源模块第一电阻；和，
替代电压源模块第二电阻，所述替代电压源模块第二电阻与所述标准单元第二电阻的阻值相等；
所述PMOS管的源极和漏极分别与输入高电平和所述替代电压源模块第一电阻的第一端连接；所述NMOS管的源极和漏极分别与地和所述替代电压源模块第二电阻的第二端连接；所述替代电压源模块第一电阻的第二端与所述替代电压源模块第二电阻的第一端连接，所述替代电压源模块第一电阻为可变电阻；所述电容与地和所述替代电压源模块的输出点连接，所述输出点位于所述替代电压源模块第二电阻上，且所述输出点到地之间的阻值与所述标准单元第二电阻的比值等于所述目标电压与所述Bandgap输出电压的比值。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：
当采用所述替代电压源模块供电时，以预定脉冲分别向所述PMOS管和所述NMOS管的栅极输出控制电平；
其中，向所述PMOS管和所述NMOS管的栅极提供的控制电平相反。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5929692A (en) * 1997-07-11 1999-07-27 Computer Products Inc. Ripple cancellation circuit with fast load response for switch mode voltage regulators with synchronous rectification
US6844711B1 (en) * 2003-04-15 2005-01-18 Marvell International Ltd. Low power and high accuracy band gap voltage circuit
US8324875B2 (en) * 2008-10-30 2012-12-04 Rohm Co., Ltd. Multiphase DC/DC converter with output phases deviated from or aligned with each other and driven with fixed on time
US20130234692A1 (en) * 2012-03-07 2013-09-12 Medtronic, Inc. Voltage supply and method with two references having differing accuracy and power consumption
US9229467B2 (en) * 2013-08-22 2016-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bandgap reference circuit and related method
US9419588B1 (en) * 2015-02-21 2016-08-16 Integrated Device Technology, Inc. Output driver having output impedance adaptable to supply voltage and method of use
US20170160763A1 (en) * 2015-12-03 2017-06-08 Marvell World Trade Ltd. Low-power pulsed bandgap reference

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