CN109212800B - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板及其制造方法、显示装置。该显示面板包括阵列基板、与阵列基板相对设置的对置基板以及设置在所述阵列基板和所述对置基板之间的至少一个传感器，所述对置基板具有连通所述传感器与外部环境的至少一个开口。该显示面板可实现传感与显示功能的集成，另外还可以提升包括该显示面板的显示装置的屏占比。
Description
技术领域
本公开实施例涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着科技的发展，在各种显示领域产品中尤其是移动显示终端上集成的传感器越来越多，以满足人们的各种需求。目前传感器主要以模组的形式组装到显示产品上，集成度较低，同时会造成显示产品的屏占比较低，影响用户体验。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示面板及其制造方法、显示装置。该显示面板可实现传感与显示功能的集成，另外还可以提升包括该显示面板的显示装置的屏占比。
本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括：阵列基板、与阵列基板相对设置的对置基板，以及设置在所述阵列基板和所述对置基板之间的至少一个传感器。所述对置基板具有连通所述传感器与外部环境的至少一个开口。
例如，在本公开一实施例提供的显示面板中，所述传感器为传感用TFT，所述传感用TFT包括：设置在所述阵列基板上的栅极，与所述传感用TFT的栅极通过绝缘层相绝缘的源极和漏极，以及与所述传感用TFT的源极和漏极电连接的感测结构。所述开口贯穿所述对置基板并暴露所述感测结构。
例如，本公开一实施例提供的显示面板还包括：设置在所述阵列基板上的显示用TFT。所述传感用TFT的栅极与所述显示用TFT的栅极同层形成，所述传感用TFT的绝缘层与所述显示用TFT的栅极绝缘层同层形成，所述传感用TFT的源极和漏极与所述显示用TFT的源极和漏极同层形成。
例如，本公开一实施例提供的显示面板还包括：与所述显示用TFT的栅极和所述传感用TFT的栅极连接的栅信号线，与所述显示用TFT的源极和所述传感用TFT的源极连接的数据信号线，以及与所述传感用TFT的漏极连接的传感器检测信号线。
例如，在本公开一实施例提供的显示面板中，所述传感器包括气体传感器。
例如，本公开一实施例提供的显示面板还包括设置在所述开口中的缓冲层。
例如，在本公开一实施例提供的显示面板中，所述缓冲层的材料包括膨体聚四氟乙烯。
例如，在本公开一实施例提供的显示面板中，所述传感器设置在所述显示面板的显示区域中。
例如，在本公开一实施例提供的显示面板中，所述传感器设置在所述显示面板的显示区域外的周边区域中且紧邻所述显示区域。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括本公开任一实施例所述的显示面板。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板的制造方法，包括：提供阵列基板，提供对置基板且使得所述对置基板与所述阵列基板相对设置。所述阵列基板上设置有至少一个传感器，且组合之后所述至少一个传感器位于所述阵列基板和所述对置基板之间，所述对置基板具有连通所述传感器与外部环境的至少一个开口。
例如，本公开一实施例提供的制造方法还包括：在所述阵列基板上形成显示用TFT，所述传感器为传感用TFT。使用同一工艺形成所述传感用TFT的栅极与所述显示用TFT的栅极，使用同一工艺形成所述传感用TFT的绝缘层与所述显示用TFT的栅极绝缘层，使用同一工艺形成所述传感用TFT的源极和漏极与所述显示用TFT的源极和漏极。
例如，本公开一实施例提供的制造方法还包括：在所述阵列基板上，形成与所述显示用TFT的栅极和所述传感用TFT的栅极连接的栅信号线，形成与所述显示用TFT的源极和所述传感用TFT的源极连接的数据信号线，以及形成与所述传感用TFT的漏极连接的传感器检测信号线。
例如，本公开一实施例提供的制造方法还包括：在所述传感用TFT的周围涂布封框胶。
例如，本公开一实施例提供的制造方法还包括：在所述传感用TFT的周围使用薄膜封装工艺进行封装。
例如，本公开一实施例提供的制造方法还包括：在所述对置基板上打孔以形成暴露所述传感用TFT的源极和漏极的开口。
例如，本公开一实施例提供的制造方法还包括：在所述开口中形成所述传感用TFT的感测结构。所述感测结构与所述传感用TFT的源极和漏极电连接。
例如，本公开一实施例提供的制造方法还包括：在所述开口中形成覆盖所述感测结构的缓冲层。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为集成有传感器的显示面板俯视图；
图2为沿图1中I-I'线的剖视图；
图3为集成有传感器的LCD剖视图；
图4为集成有传感器并采用薄膜封装工艺封装的OLED剖视图；
图5为集成有传感器并采用封装玻璃封装的OLED剖视图；
图6为集成有传感器的阵列结构俯视图。
附图标记：
100-显示面板； 101-显示区域；
102-周边区域； 110-阵列基板；
120-对置基板； 130-下偏光板；
140-上偏光板； 150-液晶层；
160-薄膜封装层； 170-封装玻璃；
111-显示用TFT栅极； 112-栅极绝缘层；
113-有源层； 114-显示用TFT源极；
115-显示用TFT漏极； 116-像素电极；
117-公共电极； 118-平坦层；
119-取向层； 121-色阻层；
131-阴极； 132-阳极；
133-像素定义层； 134-有机发光层；
200-传感器； 211-传感用TFT栅极；
214-传感用TFT源极； 215-传感用TFT漏极；
220-感测结构； 230-缓冲层；
300-封框胶； 310-玻璃粉；
410-栅信号线； 420-数据信号线；
430-检测信号线； 500-开口
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括：阵列基板与阵列基板相对设置以彼此组合的对置基板，以及设置在所述阵列基板和所述对置基板之间的至少一个传感器。所述对置基板具有连通所述传感器与外部环境的至少一个开口。本公开至少一实施例还提供对应于上述显示面板的制造方法及显示装置。
该显示面板以及显示装置可实现传感与显示功能的集成，另外还可以提升包括该显示面板的显示装置的屏占比。下面通过几个实施例进行说明。
实施例一
本公开至少一实施例提供一种显示面板，如图1和图2所示(图2为沿图1中I-I'线的剖视图)，该显示面板100包括：阵列基板110与阵列基板110相对设置以彼此组合的对置基板120，以及设置在阵列基板110和对置基板120之间的至少一个传感器200。该对置基板120具有连通传感器200与外部环境的至少一个开口500。
例如，如图1所示，在显示面板100中设置了三个传感器200。需要说明的是，图1中仅示例性的示出了三个传感器200，在不与显示面板本身的其它结构冲突且不影响显示面板显示效果的前提下，传感器200的数量可以根据需要进行设置。例如，可以仅设置一个，又例如，可以设置两个、四个或者更多。在每个传感器200的位置处，均设置一个开口以暴露传感器200，使得传感器200与外部环境具有至少一定程度的连通(不限于直接暴露式的连通)，开口的数量与传感器200的数量一致。需要说明的是，图1中所示的传感器200的形状及尺寸只是示意性的，不反映其真实比例。另外，需要说明的是，为了表示清楚，图1中未标识出开口。
例如，继续参见图1，传感器200可以设置在显示面板100的显示区域101中；或者，也可以设置在显示面板100的显示区域101外的周边区域102中。本公开实施例对此不作限定，以下各实施例与此相同。例如，当传感器200设置在显示面板100的显示区域101中时，在设置传感器的位置处会牺牲掉一部分像素区域，但当开口500的尺寸相对于显示面板100的显示区域101的尺寸足够小时，例如超出了用户眼睛能够分辨的最小尺寸范围，此时对视觉效果则不会产生影响；同时，这种方式由于不占用周边区域102的空间，所以可以实现窄边框，进而还可以提升包括该显示面板的显示装置的屏占比。
例如，如图2所示，显示面板100包括阵列基板110，与阵列基板110相对设置以彼此组合的对置基板120，以及设置在阵列基板110和对置基板120之间的一个传感器200。在对置基板120上具有一个连通传感器200与外部环境的一个开口500。需要说明的是，本公开实施例对显示面板100的类型不作限定，例如，显示面板100可以是LCD显示面板；又例如，显示面板100可以是OLED显示面板。
例如，如图2所示，当显示面板100为LCD显示面板时，对置基板120可以为彩膜基板，在阵列基板110和对置基板120之间还设置有液晶层150。另外在阵列基板110背向对置基板120的一侧还可以设置有下偏光板130，在对置基板120背向阵列基板110的一侧还可以设置有上偏光板140。传感器200设置在阵列基板110上，开口500贯穿上偏光板140和对置基板120以暴露传感器200，使得传感器200与外部环境连通。
需要说明的是，开口500的尺寸可以与传感器200的尺寸一致，也可以比传感器200的尺寸小，只要使得传感器200可以与外部环境连通即可。当然，开口500的大小要根据实际需要进行设置，不能过于狭小，以保证传感器具有足够的检测灵敏度。
在本实施例中，在显示面板的阵列基板和对置基板之间集成有传感器，传感器通过开口与外部环境接触，可以感知外部环境的变化，获取用户所需的各种信息，例如，特定气体成分信息等。该显示面板在实现显示功能的同时还可实现传感功能，即实现传感与显示的功能集成，可提高集成度。
在本公开至少一实施例中，如图3、图4和图5所示(图中虚拟框内表示传感器200)，传感器可以为传感用TFT(薄膜晶体管)。传感用TFT包括设置在阵列基板110上的栅极211，与传感用TFT的栅极211通过绝缘层相绝缘的源极214和漏极215，以及与传感用TFT的源极214和漏极215电连接且作为TFT的有源层的感测结构220，这里感测结构220形成为层状结构，但本公开的实施例不限于此。开口500贯穿对置基板120并暴露感测结构220。需要说明的是，此处所述传感用TFT是相对于下文中所述显示用TFT而言的，即传感用TFT具有类似TFT的结构同时又具备传感功能，并且下文中所述传感用TFT即表示传感器200。下文中所述传感用TFT均与此相同，不再赘述。
例如，本实施例提供的显示面板还可以包括设置在阵列基板110上的显示用TFT。此处的显示用TFT是相对于上述传感用TFT而言的，例如，显示用TFT可以是显示区域中与像素单元的像素电极连接的显示TFT，或者用于OLED像素电路的补偿晶体管、开关晶体管等；又例如，显示用TFT可以是设置在阵列基板上的GOA单元中的驱动TFT等。本公开实施例以显示用TFT为显示区域中与像素单元的像素电极连接的显示TFT为例进行说明。以下各实施例与此相同，不再赘述。
如图3、图4和图5所示，显示用TFT包括依次形成在阵列基板110上的栅极111、栅极绝缘层112、有源层113、源极114以及漏极115。传感用TFT的栅极211与显示用TFT的栅极111同层形成，即可以使用例如同一材料层通过一次构图工艺同层形成。传感用TFT的绝缘层与显示用TFT的栅极绝缘层112同层形成，即形成显示用TFT的栅极绝缘层112时，同时形成覆盖传感用TFT的栅极211的绝缘层。传感用TFT的源极214和漏极215分别与显示用TFT的源极114和漏极115同层形成，即可以使用例如同一材料层通过一次构图工艺同层形成。需要说明的是，由于传感用TFT的绝缘层和栅极绝缘层112可以使用例如同一材料层通过一次构图工艺同层形成，所以图3、图4和图5中未标识出传感用TFT的绝缘层。
在本实施例的一个示例中，如图3所示，显示面板100可以是LCD显示面板，此时对置基板120为彩膜基板。在该LCD显示面板的阵列基板110上还可以包括与显示用TFT的漏极115连接的像素电极116，以及覆盖显示用TFT的源/漏极和像素电极116的平坦层118。在该LCD显示面板的彩膜基板上还可以包括公共电极117和色阻层121，彩膜基板还可以包括黑矩阵等，图3中未示出。该LCD显示面板还包括取向层119，填充在阵列基板与彩膜基板之间的液晶层150，以及在阵列基板与彩膜基板对盒中用于黏附阵列基板与彩膜基板的封框胶300。需要说明的是，在传感器200的周围，为了确保结构的密封性以及防止液晶溢出，也需要设置例如封框胶300以界定相应地用于传感器200的区域。
例如，在本实施例的另一个示例中，如图4和图5所示，显示面板100还可以是OLED显示面板，此时对置基板120为薄膜封装层160或封装玻璃170。如图所示，该OLED显示面板还包括与显示用TFT的漏极115连接的阴极131、覆盖显示用TFT的源极114和漏极115的平坦层118、像素定义层133、与阴极131连接的有机发光层134，以及与有机发光层134连接的阳极132。
需要说明的是，由于OLED显示面板中的有机材料、金属材料等对氧气和水气相当敏感，故在传感器200的周围，为了确保结构的密封性，需要进行封装。例如，如图4所示，OLED显示面板可以采用TFE(薄膜封装)工艺进行封装，在形成薄膜封装层160时，同时在传感器200周围进行封装；又例如，如图5所示，OLED显示面板也可以采用封装玻璃170进行封装，在这种情况下，在传感器200的周围，可以使用玻璃粉310进行封装。
在本实施例中，传感用TFT的栅极、绝缘层以及源/漏极可以分别和显示用TFT的栅极、栅绝缘层、以及源/漏极通过一次构图工艺形成，可以不增加工序和掩膜数量，从而可节约制程成本和掩膜成本。
例如，如图6所示(图中虚线框内表示传感用TFT，即传感器200)，本实施例提供的显示面板还包括：与显示用TFT的栅极和传感用TFT的栅极连接的栅信号线(Gate线)410、与显示用TFT的源极和传感用TFT的源极连接的数据信号线(Data线)420以及与传感用TFT的漏极连接的传感器检测信号线430。
例如，如图6所示，在显示面板的显示区域中设置有传感用TFT，图中示出了六个传感用TFT，需要说明的是，传感用TFT的数量可以根据需要进行设置，此处仅是示例性的。如图6所示，传感用TFT的栅极和显示用TFT的栅极共同连接到栅信号线410，例如，显示面板在通过栅信号线410向显示用TFT加载开启信号时，同时开启传感用TFT。传感用TFT的源极和显示用TFT的源极共同连接到数据信号线420，例如，显示面板在通过数据信号线420向显示用TFT的源极加载灰阶电压信号时，同时向传感用TFT的源极提供一激励信号。
例如，当栅信号线410提供开启电压时，显示用TFT和传感用TFT共同开启，显示用TFT的源极接受数据信号线420提供的灰阶电压信号使对应像素单元显示相应灰阶亮度，同时传感用TFT的源极接受数据信号线420提供的电压信号用作自身的激励信号。
由于传感用TFT的感测结构和传感用的源极和漏极连接，故在传感用TFT开启的时间周期内，传感用TFT的感测结构接受传感用TFT的源极传递过来的激励信号，通过开口与外部环境发生反应，激励信号通过传感用TFT的感测结构后产生变化，最后通过与传感用TFT的漏极连接的传感器检测信号线430可以检测信号变化，进而可获得所需要的外部环境信息。
需要说明的是，上述通过数据信号线420向传感用TFT提供激励信号的方式，本公开实施例包括但不限于此。容易理解，数据信号线420上提供的灰阶电压信号是根据要显示的图像实时变化的，不是一个固定不变的信号。当把此灰阶电压信号同时用作传感用TFT的激励信号时，因为是变化的，故传感器要同时获取数据信号线420和检测信号线430在同一时序下的信号值才能得到感测结构相应的信号变化值。例如，可以通过DSP(数字信号处理)单元实现信号采样及处理，DSP单元可以单独设置，也可以集成在显示器外部用于控制图像显示的计算机CPU或者显示器图像驱动装置中的时序控制电路(Timing Controller,TCON)中的微控制单元(MCU)中。此方式只需要在显示面板的显示区域中增加一条信号线(即传感器检测信号线)。
例如，还可以单独设置一传感器激励信号线，用于向传感用TFT的源极提供一固定不变的激励信号。这样对于后续数字信号处理较容易，但在显示面板的显示区域有限的空间资源里，同时增加两条信号线(传感器激励信号线和传感器检测信号线)，会增加阵列基板的布线密度。
另外，需要说明的是，本公开实施例不限定显示用TFT和传感用TFT的类型。例如，显示用TFT和传感用TFT为N型晶体管时，开启电压为高电平电压(例如，5V)，关闭电压为低电平电压(例如，0V)；又例如，显示用TFT和传感用TFT为P型晶体管时，开启电压为低电平电压(例如，0V)，关闭电压为高电平电压(例如，5V)。
在本实施例中，传感用TFT和显示用TFT可以共用一条信号线(数据信号线)，可有效降低工艺难度。
在本公开至少一实施例中，如图3、图4和图5所示，传感器200可以是气体传感器，感测结构220可以通过开口与外部环境中的目标气体发生反应，进而感知外部环境中目标气体浓度的变化。例如，感测结构220与目标气体发生反应，从而改变其迁移率，通过传感器检测信号线检测传感器的漏极电流信号变化，进而可以识别目标气体的浓度，以实现对目标气体的检测功能。
例如，目标气体可以是SO2(二氧化硫)，相应的感测结构的材料可采用CuPc(酞菁铜)；又例如，目标气体可以是NO2(二氧化氮)，相应的感测结构的材料可采用DTBDT-Cn(苯并噻吩类分子)。
例如，如图3、图4和图5所示，显示面板100还可以包括填充在开口500中的缓冲层230。如果气体传感器的感测结构采用的材料特性不易于保持稳定，则缓冲层可以起到一定的保护作用。例如，缓冲层230的材料可以采用ePTFE(膨体聚四氟乙烯)，该材料具有防水防尘、透气透湿的效果。需要说明的是，为了清楚地示出缓冲层230和开口500，图3、图4和图5中所示的缓冲层的大小仅是示意性的。例如，缓冲层230可以与传感用TFT的感测结构220直接接触或不直接接触，本公开实施例对此不作限定。
实施例二
本实施例提供一种显示面板的制造方法，如图1和图2所示，该方法包括：提供一阵列基板110；提供一对置基板120且使得对置基板120与阵列基板110相对设置以彼此组合。
阵列基板110上设置有至少一个传感器200，且组合之后传感器200位于阵列基板110和对置基板120之间，对置基板120具有连通传感器200与外部环境的至少一个开口500。关于传感器数量、位置以及开口的设置方式可参见实施例一中相应描述，在此不再赘述。
该显示面板在阵列基板和对置基板之间集成有传感器，传感器通过开口与外部环境发生反应，可以感知外部环境的变化，获取用户所需的各种信息，例如，特定气体成分信息等。该显示面板在实现显示功能的同时还可实现传感功能，即实现传感与显示的功能集成，可提高集成度。
例如，如图3、图4和图5所示，本实施例提供的制造方法还包括在阵列基板110上形成显示用TFT，且传感器200为传感用TFT。关于传感用TFT和显示用TFT的描述可参加实施例一中相应描述，在此不再赘述。
例如，如图3、图4和图5所示，在制备阵列基板110上的显示用TFT时，可以同时制备传感用TFT的部分结构。例如，在阵列基板110上使用半导体工艺形成显示用TFT的栅极111时，可以同时在阵列基板110上形成传感用TFT的栅极211，即使用同一工艺形成显示用TFT的栅极与传感用TFT的栅极。例如，可以采用光刻工艺对同一材料层构图以同时制备显示用TFT的栅极与传感用TFT的栅极。
需要说明的是，本公开所有实施例所提到的“同一工艺”是指同一次工艺。在同一次工艺中形成至少两种结构，从而可以节省工艺流程。
例如，在阵列基板110上继续形成覆盖显示用TFT的栅极111的栅极绝缘层112时，可以使栅极绝缘层112同时覆盖传感用TFT的栅极211，即使用同一工艺形成所述传感用TFT的绝缘层与所述显示用TFT的栅极绝缘层112。例如，可以采用薄膜沉积工艺制备显示用TFT的栅极绝缘层112。
例如，在形成有栅极绝缘层112的阵列基板110上，继续形成显示用TFT的有源层113，在此步骤中，不形成传感用TFT的相关结构。
例如，在显示用TFT的有源层113上继续形成显示用TFT的源极114和漏极115时，可以同时在传感用TFT的绝缘层上形成传感用TFT的源极214和漏极215，即使用同一工艺形成传感用TFT的源/漏极与显示用TFT的源/漏极。
例如，如图6所示，本实施例提供的制造方法还包括：在阵列基板上形成与显示用TFT的栅极和传感用TFT的栅极连接的栅信号线(Gate)410，与显示用TFT的源极和传感用TFT的源极连接的数据信号线(Data)420，以及与传感用TFT的漏极连接的传感器检测信号线430。例如，栅信号线可以与显示用TFT的栅极以及传感用TFT的栅极同时制备；数据信号线和传感器检测信号线可以与显示用TFT的源/漏极以及传感用TFT的源/漏极同时制备。
本实施例中关于栅信号线、数据信号线以及传感器检测信号线的描述可参见实施例一中相应描述，在此不再赘述。
在本实施例的一个示例中，如图3所示，显示面板100可以是LCD显示面板，此时对置基板120为彩膜基板。本示例提供的制造方法还包括形成与显示用TFT的漏极115连接的像素电极116，覆盖显示用TFT的源/漏极及像素电极116的平坦层118，以及在该显示面板的彩膜基板上形成公共电极117和色阻层121，在彩膜基板中还可以形成黑矩阵等，图中未示出。
在阵列基板和彩膜基板制备完成后，经过清洗工艺，然后在阵列基板上朝向彩膜基板的一侧以及在彩膜基板上朝向阵列基板的一侧涂布取向层119并摩擦，最后进行液晶滴注、封框胶涂布及真空对盒等工艺。为了避免液晶滴注到彩膜基板上时出现滴注Mura不良的发生，一般液晶滴注在阵列基板上，封框胶涂布在彩膜基板上。需要说明的是，在阵列基板上进行液晶滴注时，在传感用TFT上不需要进行液晶滴注。另外，需要说明的是，在后续步骤中，需要在传感用TFT的位置处打孔以形成暴露传感用TFT的源/漏极的开口，该开口贯穿彩膜基板和液晶层，故在阵列基板和彩膜基板的周围涂布封框胶时，在传感用TFT的周围也需要涂布封框胶，将传感用TFT与液晶层隔绝开，以防止液晶层的泄露，保证结构的密封性。
例如，如图3所示，本示例提供的制造方法还包括：在阵列基板和彩膜基板真空对盒后，在显示面板的彩膜基板一侧进行打孔以形成暴露传感用TFT的源极214和漏极215的开口500。例如，可以通过光刻工艺进行刻蚀形成开口500；又例如，可以通过激光切割工艺形成开口500。
例如，在打孔后，还需要在阵列基板背向彩膜基板的一侧和在彩膜基板背向阵列基板的一侧分别贴附下偏光板和上偏光板，图3中未示出。需要注意的是，上偏光板在贴附前需要在对应于开口500的位置处进行打孔后再进行贴附，当然也可以在贴附后使用激光切割工艺对上偏光板的对应于开口500的位置处进行打孔。
例如，在本实施例的另一个示例中，如图4和图5所示，该显示面板100还可以是OLED显示面板，此时对置基板120为薄膜封装层160或封装玻璃170。
例如，如图4和图5所示，本示例提供的制造方法还包括：使用蒸镀工艺或喷墨打印工艺在形成有显示用TFT的阵列基板上形成OLED的阴极131、有机发光层134以及阳极132。制备阳极时可采用透明导电材料，例如，ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等。制备阴极时可采用金属合金，例如镁银合金(Mg-Ag)等。
另外，由于OLED显示面板的有机材料及金属对氧气及水气相当敏感，制备完成后，还需经过封装工艺进行保护处理。
例如，如图4所示，OLED显示面板可以采用TFE(薄膜封装)工艺进行封装。例如，采用喷墨打印工艺形成薄膜封装层160。需要说明的是，薄膜封装层160同时形成在传感用TFT的周围，将OLED的敏感结构与外部环境隔绝开，保证结构的密封性。另外，需要说明的是，当采用TFE工艺对OLED显示面板进行封装时，由于采用喷墨打印工艺，可以选择在形成有传感用TFT的位置处不进行打印，在这种情况下，在后续步骤中就不需要在传感用TFT的位置处进行打孔。
又例如，如图5所示，OLED显示面板也可以采用封装玻璃170进行封装。在这种情况下，在传感用TFT的周围，需要使用玻璃粉310进行封装，以将OLED的敏感结构与外部环境隔绝开，保证结构的密封性。
例如，如图5所示，采用封装玻璃170进行封装后，还需在封装玻璃170上的相应位置处进行打孔以形成暴露传感用TFT的源极214和漏极215的开口500。例如，可以通过光刻工艺进行刻蚀形成开口500；又例如，可以通过激光切割工艺形成开口500。
例如，如图3、图4和图5所示，本实施例提供的制造方法还包括：在开口500中形成传感用TFT的感测结构220，该感测结构220与传感用TFT的源极214和漏极215电连接。例如，可以通过喷墨打印工艺将所需有机材料打印到开口500中以形成传感用TFT的感测结构220。又例如，传感器200可以是气体传感器。关于气体传感器的描述可参见实施例一中相应描述，在此不再赘述。
例如，如图3、图4和图5所示，本实施例提供的制造方法还包括：在开口500中形成覆盖传感用TFT的感测结构220的缓冲层230。如果感测结构220所采用的材料特性不易于保持稳定，则缓冲层230可以起到一定的保护作用。例如，当传感器是气体传感器时，缓冲层可以是气体缓冲层。例如，气体缓冲层的材料可以采用ePTFE(膨体聚四氟乙烯)，该材料具有防水防尘、透气透湿的效果。
关于本实施例中的其它相关描述以及技术效果可参见实施例一中相应描述，在此不再赘述。
实施例三
本实施例提供一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示面板或由上述任一实施例提供的制造方法制造的显示面板。
该显示装置可以包括LCD显示面板，如液晶电视、手机、电子书、平板电脑等，也可以包括OLED显示面板。
本实施例提供的显示装置可以将传感与显示功能集成，可提升显示装置的屏占比。
本实施例提供的显示装置的其他技术效果可参见上述任一实施例中的相应描述，在此不再赘述。
综上所述，本公开实施例提供的显示面板及其制造方法、显示装置，具有以下至少一项有益效果。
(1)本公开至少一实施例中，显示面板可实现传感与显示的功能集成，可提高显示面板的集成度。
(2)在至少一实施例中，显示装置可实现窄边框，进而提升显示装置的屏占比。
(3)在至少一实施例中，传感用TFT的栅极、绝缘层以及源/漏极可以分别和显示用TFT的栅极、栅绝缘层、以及源/漏极通过一次构图工艺形成，不增加工序和掩膜数量，从而可节约制程成本和掩膜成本。
(4)在至少一实施例中，传感用TFT和显示用TFT可以共用一条信号线(即数据信号线)，可有效降低工艺难度。
(5)在至少一实施例中，在开口中可以设置缓冲层，由此可有效保护传感用TFT的感测结构。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (16)
1.一种显示面板，包括：
阵列基板，
与阵列基板相对设置的对置基板，以及
设置在所述阵列基板和所述对置基板之间的至少一个传感器，其中，
所述对置基板具有连通所述传感器与外部环境的至少一个开口；
所述传感器为传感用TFT，所述传感用TFT包括：
设置在所述阵列基板上的栅极，以及
与所述传感用TFT的栅极通过绝缘层相绝缘的源极和漏极；
所述显示面板还包括设置在所述阵列基板上的显示用TFT，所述显示用TFT包括：
设置在所述阵列基板上的栅极，以及
与所述显示用TFT的栅极通过绝缘层相绝缘的源极和漏极；
所述显示面板还包括：
与所述显示用TFT的栅极和所述传感用TFT的栅极连接的栅信号线，
与所述显示用TFT的源极和所述传感用TFT的源极连接的数据信号线，以及
与所述传感用TFT的漏极连接的传感器检测信号线。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述传感用TFT还包括：
与所述传感用TFT的源极和漏极电连接的感测结构，其中，
所述开口贯穿所述对置基板并暴露所述感测结构。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述传感用TFT的栅极与所述显示用TFT的栅极同层形成，
所述传感用TFT的绝缘层与所述显示用TFT的栅极绝缘层同层形成，
所述传感用TFT的源极和漏极与所述显示用TFT的源极和漏极同层形成。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述传感器包括气体传感器。
5.根据权利要求4所述的显示面板，还包括设置在所述开口中的缓冲层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述缓冲层的材料包括膨体聚四氟乙烯。
7.根据权利要求1-6任一所述的显示面板，其中，所述传感器设置在所述显示面板的显示区域中。
8.根据权利要求1-6任一所述的显示面板，其中，所述传感器设置在所述显示面板的显示区域外的周边区域中且紧邻所述显示区域。
9.一种显示装置，包括权利要求1-8任一所述的显示面板。
10.一种显示面板的制造方法，包括：
提供阵列基板；
提供对置基板且使得所述对置基板与所述阵列基板相对设置；
其中，所述阵列基板上设置有至少一个传感器，且组合之后所述至少一个传感器位于所述阵列基板和所述对置基板之间，所述对置基板具有连通所述传感器与外部环境的至少一个开口；
所述传感器为传感用TFT，所述传感用TFT包括：
设置在所述阵列基板上的栅极，以及
与所述传感用TFT的栅极通过绝缘层相绝缘的源极和漏极；
所述制造方法还包括在所述阵列基板上形成显示用TFT，所述显示用TFT包括：
设置在所述阵列基板上的栅极，以及
与所述显示用TFT的栅极通过绝缘层相绝缘的源极和漏极；
所述制造方法还包括：在所述阵列基板上，形成与所述显示用TFT的栅极和所述传感用TFT的栅极连接的栅信号线，形成与所述显示用TFT的源极和所述传感用TFT的源极连接的数据信号线，以及形成与所述传感用TFT的漏极连接的传感器检测信号线。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，
使用同一工艺形成所述传感用TFT的栅极与所述显示用TFT的栅极，
使用同一工艺形成所述传感用TFT的绝缘层与所述显示用TFT的栅极绝缘层，
使用同一工艺形成所述传感用TFT的源极和漏极与所述显示用TFT的源极和漏极。
12.根据权利要求11所述的制造方法，还包括：
在所述传感用TFT的周围涂布封框胶。
13.根据权利要求11所述的制造方法，还包括：
在所述传感用TFT的周围使用薄膜封装工艺进行封装。
14.根据权利要求12或13所述的制造方法，还包括：
在所述对置基板上打孔以形成暴露所述传感用TFT的源极和漏极的开口。
15.根据权利要求14所述的制造方法，还包括：
在所述开口中形成所述传感用TFT的感测结构，其中，所述感测结构与所述传感用TFT的源极和漏极电连接。
16.根据权利要求15所述的制造方法，还包括：
在所述开口中形成覆盖所述感测结构的缓冲层。
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