CN109211428A - 温度传感器及制备方法 - Google Patents

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CN109211428A CN201810955488.1A CN201810955488A CN109211428A CN 109211428 A CN109211428 A CN 109211428A CN 201810955488 A CN201810955488 A CN 201810955488A CN 109211428 A CN109211428 A CN 109211428A
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刘儒平
李舟
王晓宇
王慰
李路海
封红青
光芳草
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    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G01K1/143—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations for measuring surface temperatures

Abstract

本发明涉及温度测量技术领域，为了解决温度传感器很难在弯曲界面使用的问题，本发明提供了一种温度传感器及制备方法，其中，温度传感器，包括可降解柔性薄膜基材，所述的可降解柔性薄膜基材上设置有热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，所述的第一引线可降解，所述的第二引线可降解。本发明的温度传感器柔性好，与待测曲面有较好的贴合度，可以安装在弯曲界面实现精准测量。

Description

温度传感器及制备方法
技术领域
本发明涉及温度测量技术领域，具体涉及一种温度传感器及制备方法。
背景技术
本发明对于背景技术的描述属于与本发明相关的相关技术，仅仅是用于说明和便于理解本发明的内容，不应理解为申请人明确认为或推定申请人认为是本发明在首次提出申请的申请日的现有技术。
传统的热电偶传感器多数采用不同材质的金属丝电极制成，可贴附性差，属于刚性器件。在阀门、弯头、管道等异性曲面设备表面安装热电偶时，由于热电偶的测量端与被测异形曲面没有充分接触而测量误差较大，所以传统的热电偶传感器不能满足弯曲界面的测温需求。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种温度传感器及制备方法，本发明提供的温度传感器采用可降解柔性薄膜基材和可降解引线，不仅降低了成本而且大大减少了环境污染。能够很好地贴附于被测曲面，热电偶的测量端与被测介质之间可以进行充分热交换，提高了测量精度。
本发明实施例的目的是通过如下技术方案实现的。
第一方面，本发明实施例提供了一种温度传感器，包括可降解柔性薄膜基材，所述的可降解柔性薄膜基材上设置有热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；
所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，所述的第一引线可降解，所述的第二引线可降解。
进一步的，所述的热电偶电极的数量为至少两个，所述的热电偶电极单独使用或彼此串联或并联使用。
进一步的，所述的可降解柔性薄膜基材的材质为聚乙交酯薄膜、聚己内酯薄膜、聚碳酸亚丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。
进一步的，所述的第一金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜，所述的第二金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜。
进一步的，所述的保护膜的材质为碳化硅、氮化硅或二氧化硅。
第二方面，本发明实施例提供了一种温度传感器的制备方法，包括如下步骤：
清洗可降解柔性薄膜基材；
在所述的可降解柔性薄膜基材上设置热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；
将所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，得到所述的温度传感器。
进一步的，所述的热电偶电极的数量为至少两个，所述的热电偶电极单独使用或彼此串联或并联使用。
进一步的，所述的可降解柔性薄膜基材的材质为聚乙交酯薄膜、聚己内酯薄膜、聚碳酸亚丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。
进一步的，所述的可降解柔性薄膜基材采用电晕放电处理、辉光放电处理、低温火焰处理、紫外处理、皂化处理中的任意一种或几种方法相结合进行处理。
进一步的，所述的在可降解柔性薄膜基材上设置热电偶电极的第一金属电极本体和第二金属电极本体采用原子层沉积法或射频磁控溅射法制备。
进一步的，所述的第一金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜，所述的第二金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜。
进一步的，所述的保护膜的材质为碳化硅、氮化硅或二氧化硅。
借由上述方案，本发明温度传感器及制备方法至少具备如下有益效果：
本发明申请采用柔性薄膜基材，具有很好的柔性和贴附性，可以与各种形状的接触面都能很好地接触，测量精度高。
本发明申请采用可降解柔性薄膜基材和可降解引线结构，第一金属电极本体表面和第二金属电极本体表面均设置有对人体无害的保护膜，降低了危害性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍：
图1为本发明温度传感器及制备方法实施例1中温度传感器结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步的详细介绍，应当理解，附图和实施例是为了本领域技术人员更容易理解本发明的技术方案，而不能作为本发明保护范围的限定。
在下述介绍中，术语“第一”、“第二”仅为用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。下述介绍提供了本发明的多个实施例，不同实施例之间可以替换或者合并组合，因此本发明也可认为包含所记载的相同和/或不同实施例的所有可能组合。因而，如果一个实施例包含特征A、B、C，另一个实施例包含特征B、D，那么本发明也应视为包括含有A、B、C、D的一个或多个所有其他可能的组合的实施例，尽管该实施例可能并未在以下内容中有明确的文字记载。
一种温度传感器，包括可降解柔性薄膜基材，所述的可降解柔性薄膜基材上设置有热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，所述的第一引线可降解，所述的第二引线可降解。
上述方案已经可以实现本发明申请的目的，使温度传感器与待测曲面有较好的贴合度进而与被测介质之间进行充分热交换；下面在此基础上给出优选方案。
这里要说明的是：在一个柔性薄膜基材上设有两个或多个热电偶电极，这些热电偶电极可以单独使用，当一个电极出现问题时，其他电偶还可以正常工作，增加器件的安全性，减少测量误差；这些热电偶电极也可以串联或并联使用。
本发明对可降解柔性薄膜基材的具体材质不作具体限定，这里要说明的是：可降解柔性薄膜作为基材，大大减少了环境污染，提高了材料的再利用率。
在本发明的一些实施例中，所述的可降解柔性薄膜基材的材质为聚乙交酯薄膜、聚己内酯薄膜、聚碳酸亚丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。
这里要说明的是：上述的可降解柔性薄膜基材成本低廉、柔性好、弯曲半径小、材料容易获取。
本发明对可降解柔性薄膜基材上设有热电偶电极至少两个，但对热电偶电极的具体数量不作限定，在本发明的一些实施例中，所述的可降解柔性薄膜基材上设有热电偶电极至少两个，热电偶的数量可以为2个，3个或4个等。
这里要说明的是：在一个柔性薄膜基材上设有两个或多个热电偶电极，这些热电偶电极可以单独使用，当一个电极出现问题时，其他电偶还可以正常工作，增加器件的安全性，减少测量误差；这些热电偶电极也可以串联或并联使用。
本发明实施例对电极的具体构造不作具体限定，在本发明的一些实施例中，所述的第一金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜，所述的第二金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜。这里要说明的是：在金属电极本体表面设置保护膜可以有效防止电极之间的相互干扰，进一步保证传感器测量结果的准确性和安全性。
在本发明的另一些实施例中，每个热电偶电极上的保护膜的材质为碳化硅、氮化硅或二氧化硅。
本发明实施例提供了一种温度传感器的制备方法，包括如下步骤：
清洗可降解柔性薄膜基材；
在所述的可降解柔性薄膜基材上设置热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；
将所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，得到所述的温度传感器。
作为优选，所述的可降解柔性薄膜基材采用电晕放电处理、辉光放电处理、低温火焰处理、紫外处理、皂化处理中的任意一种或几种方法相结合进行处理。
作为优选，所述的在可降解柔性薄膜基材上制备热电偶电极的第一金属电极本体和第二金属电极本体采用原子层沉积技术法或射频磁控溅射法制备。
本发明实施例采用可降解柔性薄膜基材和可降解的引线结构，具有很好的环境安全性，与被测异形曲面很好地接触，可满足弯曲界面的测温需求。
在本发明的一些实施例中，可降解柔性基材厚度为80μm-300μm，热电偶电极的第一金属电极本体和第二金属电极本体为两条相交的金属带，该金属带的夹角为0到180度，金属带的厚度为50nm-300nm，相交区域厚度为100nm-600nm，相交区域大小为1mm×1mm-5mm×5mm，两条金属带的材质不同，可分别为铂铑合金(铑含量10％)-纯铂、铂铑合金(铑含量13％)-纯铂、铂铑合金(铑含量30％)-铂铑合金(铑含量6％)、镍铬-镍硅、纯铜-铜镍、铁-铜镍、铁-镍、铱-铑、镍-钼、钨-铼、镍铬硅-镍硅、镍铬-铜镍、镍铬-镍、镍铬-康铜、铜-康铜、铅-氧化铟锡、金-钯中的任意一种。
在本发明的另一些实施例中，可降解引线的材质为镁铝合金、镁钙合金、镁锌铜合金中的任意一种。
工作原理：本发明一种温度传感器，当第一金属电极本体和第二金属电极本体通过引线形成闭合回路时，第一金属电极本体的第一端与第二金属电极本体的第一端彼此连接处的温度为T，第一金属电极本体的第二端与第二金属电极本体的第二端的温度为T0,当T≠T0时，回路中产生的热电势可以通过显示仪器或配套仪表显示出来，实现温度检测。
本发明一种温度传感器采用可降解柔性薄膜基材，减少了器件废弃时造成的环境污染，也提高了材料的可利用率。本发明厚度为1μm-5μm的保护膜的材质为碳化硅膜、氮化硅膜或二氧化硅膜，对人体也是无害的，整个器件可以在弯曲、拉伸，甚至在褶皱状态下工作。本发明一种柔性温度传感器设有热电偶电极至少两个，这些热电偶电极可以单独使用，当一个热电偶电极出现问题时，其他热电偶电极还可以正常工作，增加器件的安全性，减少测量误差；这些热电偶电极也可以串联或并联使用。
下面结合具体实施例对本发明申请方案作进一步介绍：
实施例1
图1为本发明温度传感器及制备方法实施例1中温度传感器结构示意图。结合图1，一种温度传感器，包括：
圆形聚乳酸薄膜基材1，聚乳酸薄膜基材具有很好的柔性，使温度传感器可以很好地用于各种接触面，可降解，减少了环境污染，成本低，易获得，降低了温度传感器的成本；
在厚度为150μm的聚乳酸薄膜基材上设置有两个热电偶电极，这两个热电偶电极可以单独使用，当一个热电偶电极出现问题时，第二个热电偶电极还可以正常工作，增加器件的安全性，减少测量误差；这两个热电偶电极也可以串联或并联使用。
第一个热电偶电极包括金属电极本体2和金属电极本体4，金属电极本体2和金属电极本体4采用等离子体增强原子层沉积技术制作，金属电极本体2为50nm厚的铜金属带，金属电极本体4为50nm厚的铜镍金属带，金属电极本体2一端与金属电极本体4一端连接形成热结点区3，热结点区3相对的另一端上焊接有可降解镁铝合金引线5，焊接区域为图1中标记6所示。第二个热电偶电极包括两个金属本体7和9，金属本体7为50nm厚的铁金属带，金属本体9为50nm厚的镍金属带，金属本体7一端与金属本体9一端连接形成热结点区8，金属本体7和金属本体9连接形成的热结点区8相对的另一端上焊接有可降解镁钙合金引线10，焊接区域为图1中标记11所示。
实施例2
一种温度传感器的制备方法，包括如下步骤：
首先对100μm厚的方形聚乙交酯薄膜基材进行清理，以便去除附着在基材上的杂质；
将所述的基材进行电晕处理后，采用射频磁控溅射法在该薄膜基材镀上两个热电偶电极，其中一个热电偶电极的两条金属带分别是60nm厚的金金属带和60nm厚的钯金属带，另外一个热电偶电极的金属带分别是60nm厚的铁金属带和60nm厚的镍金属带；最后使用无铅锡条将两个热电偶电极中的金属带自由端与镁钙合金引线焊接起来，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。在射频功率为1.5KW，溅射气压为0.5Pa，基片温度100℃时，通过射频磁控溅射法制备厚度为2μm的二氧化硅保护膜，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。
实施例3
一种柔性温度传感器及制备方法，可降解柔性基材是120μm厚的聚碳酸亚丙酯薄膜，通过磁控溅射法在该薄膜基材镀上三个热电偶电极，其中第一个热电偶电极的两条金属带分别是100nm厚的铜金属带和100nm厚的康铜金属带，第二个热电偶电极的金属带分别是100nm厚的铁金属带和100nm厚的镍金属带，第三个热电偶电极的金属带分别是100nm厚的铱金属带和100nm厚的铑金属带。最后使用焊锡膏将热电偶电极中金属带的自由端与镁锌铜合金引线焊接起来。在高纯氮气保护气体氛围下，以高纯碳化硅烧结块作为靶材料，通过射频磁控溅射法制备厚度为2μm的碳化硅保护膜，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。
实施例4
一种温度传感器及制备方法，可降解柔性基材是120μm厚的淀粉填充聚乙烯薄膜，形状为正方形，通过原子层沉积技术在该薄膜基材镀上四个热电偶电极，其中第一个热电偶电极的两条金属带分别是120nm厚的镍金属带和120nm厚的钼金属带，第二个热电偶电极的金属带分别是120nm厚的钨金属带和120nm厚的铼金属带，第三个热电偶电极的金属带分别是120nm厚的镍铬硅金属带和120nm厚的镍硅金属带，第四个热电偶电极的金属带分别是120nm厚的镍铬金属带和120nm厚的铜镍金属带。最后使用焊锡膏将热电偶电极中金属带的自由端与镁钙合金引线焊接起来。在NH3和SiH4的流量比为3:1，射频电源功率150W时，采用等离子体增强化学气相沉积制备厚度为4μm的氮化硅保护膜，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。
实施例5
一种温度传感器及制备方法，可降解柔性基材是100μm厚的淀粉填充聚乙烯薄膜，形状为圆形，通过磁控溅射法在该薄膜基材上制作四个热电偶电极，其中第一个热电偶电极的两条金属带分别是150nm厚的钨金属带和150nm厚的铼金属带，第二个热电偶电极的金属带分别是150nm厚的铂铑合金(10％铑)金属带和150nm厚的纯铂金属带，第三个热电偶电极的金属带分别是150nm厚的铂铑合金(13％铑)金属带和150nm厚的纯铂金属带，第四个热电偶电极的金属带分别是150nm厚的铅金属带和150nm厚的氧化铟锡金属带。最后使用焊锡膏将热电偶电极中金属带的自由端与镁钙合金引线焊接起来。将紫外汞灯作为辐射源，60℃时，将该器件在SiH4和N2O的混合气体中进行光化学气相沉积反应，制备厚度4μm的二氧化硅保护膜，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。
实施例6
一种柔性薄膜温度传感器及制备方法，可降解柔性基材是120μm厚的淀粉填充聚丙烯薄膜，形状为正方形，通过磁控溅射法法在该薄膜基材镀上四个热电偶电极，其中第一个热电偶电极的两条金属带分别是180nm厚的镍铬硅金属带和180nm厚的镍硅金属带，第二个热电偶电极的金属带分别是180nm厚的铁金属带和180nm厚的铜镍金属带，第三个热电偶电极的金属带分别是180nm厚的铱金属带和180nm厚的铑金属带，一个热电偶电极的金属带分别是180nm厚的镍铬金属带和180nm厚的康铜金属带。最后使用焊锡膏将热电偶电极中金属带的自由端与镁铝合金引线焊接起来。在室温下将SiH4和O2作为反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积法制备3μm的二氧化硅保护膜，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。
实施例7
一种柔性薄膜温度传感器及制备方法，可降解柔性基材是是200μm厚的淀粉填充聚氯乙烯薄膜，形状为正方形，通过原子层沉积技术在该薄膜基材镀上四个热电偶电极，其中第一个热电偶电极的两条金属带分别是250nm厚的铂铑合金(30％铑)金属带和250nm厚的铂铑合金(含6％铑)金属带，第二个热电偶电极的金属带分别是250nm厚的铜金属带和250nm厚的康铜金属带，第三个热电偶电极的金属带分别是250nm厚的镍金属带和250nm厚的钼金属带，第四个热电偶电极的金属带分别是250nm厚的镍铬金属带和250nm厚的铜镍金属带。最后使用焊锡膏将热电偶电极中金属带的自由端与镁锌铜合金引线焊接起来。在室温下将SiH4和O2作为反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积法制备5μm的二氧化硅保护膜，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。
实施例8
本发明一种柔性薄膜温度传感器及制备方法，可降解柔性基材是150μm厚的淀粉填充聚苯乙烯，形状为正六边形，通过磁控溅射法在该薄膜基材镀上三个热电偶电极，其中第一个热电偶电极的两条金属带分别是180nm厚的铜金属带和180nm厚的康铜金属带，第二个热电偶电极的金属带分别是180nm nm厚的镍金属带和180nm厚的钼金属带，第三个热电偶电极的金属带分别是180nm厚的铅金属带和180nm厚的氧化铟锡金属带。最后使用焊锡膏将热电偶电极中金属带的自由端与镁钙合金引线焊接起来。在NH3和SiH4的流量比为1:1，射频电源功率180W时，采用等离子体增强化学气相沉积制备厚度为5μm的氮化硅保护膜，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。
实施例9
本发明一种柔性薄膜温度传感器及制备方法，可降解柔性基材是260μm厚的淀粉填充聚苯乙烯，形状为正方形，通过原子层沉积技术在该薄膜基材镀上两个热电偶电极，第一个热电偶电极的金属带分别是300nm厚的镍金属带和300nm厚的钼金属带，第二个热电偶电极的金属带分别是300nm厚的铁金属带和300nm厚的镍金属带。最后使用焊锡膏将热电偶电极中金属带的自由端与镁锌铜引线焊接起来。在高纯氮气保护气体氛围下，以直径为100mm的高纯碳化硅烧结块作为靶材料，通过射频磁控溅射法制备厚度为3μm的碳化硅保护膜，这样就制备了一种柔性薄膜温度传感器。
以上介绍仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种温度传感器，其特征在于，包括可降解柔性薄膜基材，所述的可降解柔性薄膜基材上设置有热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；
所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，所述的第一引线可降解，所述的第二引线可降解。
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述的热电偶电极的数量为至少两个，所述的热电偶电极单独使用或彼此串联或并联使用。
3.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材的材质为聚乙交酯薄膜、聚己内酯薄膜、聚碳酸亚丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。
4.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述的第一金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜，所述的第二金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜。
5.根据权利要求4所述的温度传感器，其特征在于，所述的保护膜的材质为碳化硅、氮化硅或二氧化硅。
6.一种温度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
清洗可降解柔性薄膜基材；
在所述的可降解柔性薄膜基材上设置热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；
将所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，得到所述的温度传感器。
7.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的热电偶电极的数量为至少两个，所述的热电偶电极单独使用或彼此串联或并联使用。
8.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材的材质为聚乙交酯薄膜、聚己内酯薄膜、聚碳酸亚丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。
9.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材采用电晕放电处理、辉光放电处理、低温火焰处理、紫外处理、皂化处理中的任意一种或几种方法相结合进行处理。
10.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的在可降解柔性薄膜基材上设置热电偶电极的第一金属电极本体和第二金属电极本体采用原子层沉积法或射频磁控溅射法制备。
11.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的第一金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜，所述的第二金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜。
12.根据权利要求11所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的保护膜的材质为碳化硅、氮化硅或二氧化硅。
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