CN109192793A - 一种硅太阳能电池银电极的制备方法 - Google Patents
一种硅太阳能电池银电极的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109192793A CN109192793A CN201811041691.4A CN201811041691A CN109192793A CN 109192793 A CN109192793 A CN 109192793A CN 201811041691 A CN201811041691 A CN 201811041691A CN 109192793 A CN109192793 A CN 109192793A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- silicon
- silicon wafer
- solar cell
- silver electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 85
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 85
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 85
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007605 air drying Methods 0.000 claims description 3
- 229910017435 S2 In Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 abstract 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 8
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 3
- 230000009514 concussion Effects 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- -1 silver (aluminium) Chemical compound 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010946 fine silver Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅太阳能电池银电极的制备方法:首先对硅片表面预处理,使硅片的表面干净、光滑,然后,将预处理得到的硅片浸入含有硝酸银和氢氟酸的反应液中,用紫外光光照,使得硅片通过吸收光子被激发出电子,使银离子还原生成银并沉积在被氢氟酸腐蚀过的硅片表面上,从而在硅片表面形成银金属薄膜电极,对硅片干燥处理即完成制备。该方法工艺简单;避免了有机溶剂的使用,生产成本低;制备条件易控,银金属薄膜的大小、形状、厚度可控,从而可获得机械性能良好和导电性能优良的银电极,具有较好的实际应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池技术领域,具体涉及一种硅太阳能电池银电极的制备方法。
背景技术
目前,硅太阳能电池已经获得广泛的应用,在大规模应用和工业生产中占据主导地位。为了输出硅太阳能电池的电能,必须在电池上制作正、负两个电极,电极就是与电池p-n结两端形成紧密欧姆接触的导电材料。与n型区接触的电极是电流输出的负极,称正面极,与p型区接触的电极是电流输出的正极,称背电极,其作用是输出电流。
现有技术中,硅太阳能电池电极的制备主要采用银(铝)浆印刷-烧结工艺,制备工序为:丝网印刷→印刷背电极→烘干→印刷背电场→烘干→印刷正电极→烧结→降温→测试分选包装。所用的银浆一般是由超细银粉(80%以上)、无机添加剂(5—10%)、有机粘合剂(10-15%)调合而成。烘干温度:250-400℃;烧结温度750--950℃。
近年,光伏浆料市场需求巨大:2011年我国电池片产能超过30GW,2011年光伏银浆的产值达到100亿左右;2012亚洲电池片占全球85%,中国电池片占全球50%,2012年中国浆料市场超过15亿美元;2015年国内光伏累计装机再次上调50%,达到15GW。
另外,硅太阳能电池电极的银(铝)浆印刷-烧结工艺存在的问题逐渐显现,引起人们的重视。主要问题有:工艺繁杂、产品缺陷多(易造成硅片弯曲、开裂等)、能耗大、成本高、污染大和接触电阻大等等。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种硅太阳能电池银电极的制备方法,用以解决现有硅太阳能电池电极导电性能差、制备过称繁琐、制备成本高、污染大的问题。
为实现上述目的,本发明实施例提供一种硅太阳能电池银电极的制备方法,该制备方法包括以下步骤:
步骤S1,硅片表面预处理;
步骤S2,将预处理得到的硅片浸入含有硝酸银和氢氟酸的反应液中,用紫外光光照;
步骤S3,光照至硅片表面生成银薄膜后,将硅片从反应液中取出,进行干燥处理。
优选地,所述步骤S1主要包括以下步骤:
步骤S11,清洗硅片,在超声波清洗器中,将硅片的表面用等离子水清洗10~20min,然后用丙酮清洗10~20min,再用去离子水冲洗硅片;
步骤S12,硅片抛光处理,将硅片浸入抛光液中抛光3~10min,用去离子水冲洗,然后将硅片至于空气中干燥。
优选地,所述步骤S12中,抛光液包含氢氟酸和稀盐酸,所述氢氟酸和稀盐酸的摩尔百分比为30~50:50~70,
优选地,所述抛光液中包含氢氟酸20~40摩尔。
优选地,所述步骤S2中,反应液中的硝酸银和氢氟酸的摩尔百分比为1~100:3~40。
优选地,所述反应液包含0.01~1.0M硝酸银和0.03~0.4M的氢氟酸。
优选地,所述步骤S2中,紫外光光照的功率密度为1~5w/cm2。
优选地,所述步骤S2中,紫外光光照的时间为1~50min。
本发明实施例具有如下优点:
本发明实施例提供的硅太阳能电池银电极的制备方法,先对硅片表面预处理,从而得到表面光滑、干净的硅片,然后,将预处理得到的硅片浸入含有硝酸银和氢氟酸的反应液中,用紫外光光照,使得硅片通过吸收光子被激发出电子,使银离子还原生成银并沉积在被氢氟酸腐蚀过的硅片表面上,从而在硅片表面形成银金属薄膜电极,对硅片干燥处理即完成制备。该方法工艺简单;避免了有机溶剂的使用,生产成本低;制备条件易控,银金属薄膜的大小、形状、厚度可控,从而可获得机械性能和导电性能良好的银电极。
附图说明
图1为本发明实施例提供的硅太阳能电池银电极的制备方法流程图。
图2为本发明实施例1提供的银电极的电子显微镜扫描图。
图3为本发明实施例2提供的银电极的电子显微镜扫描图。
图4为本发明实施例3提供的银电极的电子显微镜扫描图。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
如图1所示,本发明实施例提供的硅太阳能电池银电极的制备方法包括:
步骤S1,硅片表面预处理:
在超声波清洗器中,将硅片的表面用等离子水清洗15min,以去除硅片表面的灰尘类污染物,然后用丙酮清洗10min,以去除硅片表面的有机物类污染物,之后,再用去离子水冲洗硅片。将硅片浸入抛光液中抛光5min,使硅片表面光滑,用去离子水冲洗,然后将硅片至于空气中干燥。其中,抛光液包含氢氟酸和稀盐酸,氢氟酸和稀盐酸的摩尔百分比为3:5。
步骤S2,将预处理得到的硅片浸入含有硝酸银和氢氟酸的反应液中,用紫外光光照:
首先需要配置反应液,反应液包含0.01M的硝酸银和0.03M的氢氟酸,将反应液震荡均匀后,导入塑料反应器皿中,将预处理得到的硅片浸入反应液,同时开启紫外光固机,紫外光光照的功率密度为1w/cm2,光照的时间为1min。硅片在紫外光的照射下,通过吸收光子从而激发出电子,电子使反应液中的银离子还原生成银,沉积在被氢氟酸腐蚀过的硅片表面上,开始银薄膜的形核和生长,从而实现微纳米颗粒的均匀沉积。
步骤S3,光照至硅片表面生成银薄膜后,将硅片从反应液中取出,进行干燥处理。
将硅片从反应液中取出,先用滤纸吸干硅片上的残留液体,然后将硅片至于干燥的器皿中干燥。
下面通过实施例来进一步说明本发明,但是本发明并不因此而受到任何限制。
实施例1
本实施例提供的硅太阳能电池银电极的制备方法,包括以下步骤:
将单晶硅片先在超声波清洗器中,清洗频率设置为20kHz~30kHz,用等离子水清洗15min,去除其表面的灰尘类污染物,然后用丙酮清洗15min,以去除单晶硅片表面的有机物等污染物,之后,再用大量的去离子水冲洗;然后,将单晶硅片浸入抛光液中抛光5min,使硅片表面光滑,再大量的去离子水冲洗试样,在空气流中干燥。
配置反应液,反应液组成为0.045M的HF和0.02M的AgNO3,震荡均匀后,将反应液导入塑料反应器皿中,再将清洗抛光过的单晶硅片浸入反应液中,同时开启紫外光固机,设置温度为15~25℃,紫外光的波长为365nm、光强为1000mw/cm2、固定功率光照2min。
照射结束后,取出单晶硅片,用滤纸吸干硅片上残留液体,得到银电极,或称银薄膜电极。
将得到的银薄膜电极进行电子显微镜扫描,得到SEM图,如图2(a)和图2(b)所示,可知,沉积在单晶硅片表面的银颗粒的粒径在0.05-0.1μm左右。
实施例2
本实施例提供的硅太阳能电池银电极的制备方法,包括以下步骤:
将多晶硅片先在超声波清洗器中,清洗频率设置为20kHz~30kHz,用等离子水清洗15min,以去除其表面灰尘等污染物,接着在超声波清洗器中用丙酮清洗15min以去除多晶硅片表面的有机物等污染物,再用大量的去离子水冲洗试样,之后,将多晶硅片浸入抛光液中抛光5min,使硅片表面光滑,最后用大量的去离子水冲洗试样,在空气流中干燥。
配置反应液,反应液组成为0.1M的HF和0.2M的AgNO3,震荡均匀后,导入塑料反应器皿中,再将清洗抛光过的多晶硅片浸入反应液中,同时开启紫外光固机,设置温度为15~25℃,紫外光的波长为365nm、光强为2000mw/cm2、固定功率光照10min。
照射结束后,取出多晶硅片,用滤纸吸干硅片上残留液体,得到银电极,或称银薄膜电极。
将得到的银薄膜电极进行电子显微镜扫描,得到SEM图,如图3(a)和图3(b)所示,可知,沉积在多晶硅片表面银颗粒的粒径在0.2-0.5μm左右。
实施例3
本实施例提供的硅太阳能电池银电极的制备方法,包括以下步骤:
将非晶硅片先在超声波清洗器中,清洗频率设置为20kHz~30kHz,用等离子水清洗15min以去除非晶硅片表面灰尘等污染物,接着在超声波清洗器中用丙酮清洗15min以去除其表面的有机物等污染物,再用大量的去离子水冲洗试样,然后将非晶硅片浸入抛光液中抛光5min,使硅片表面光滑,最后,用大量的去离子水冲洗非晶硅片,在空气流中干燥。
配置反应液,反应液组成为0.4M的HF和1.0M的AgNO3,震荡均匀后,将反应液导入塑料反应器皿中,再将上述洗净抛光后的非晶硅片浸入反应液中,同时开启紫外光固机,设置温度为15~25℃,紫外光的波长为365nm、光强为4500mw/cm2、固定功率光照30min。
照射结束后,取出非晶硅片,用滤纸吸干硅片上残留液体,得到银电极,或称微纳米银薄膜电极。
将得到的微纳米银薄膜电极进行电子显微镜扫描,得到SEM图,如图4(a)和图4(b)所示,可见,沉积在非晶硅片上的银颗粒更加细小、更加密集。
虽然,上文中已经用一般性说明及具体实施例对本发明作了详尽的描述,但在本发明基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。
Claims (8)
1.一种硅太阳能电池银电极的制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下步骤:
步骤S1,硅片表面预处理;
步骤S2,将预处理得到的硅片浸入含有硝酸银和氢氟酸的反应液中,用紫外光光照;
步骤S3,光照至硅片表面生成银薄膜后,将硅片从反应液中取出,进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池银电极的制备方法,其特征在于,所述步骤S1主要包括以下步骤:
步骤S11,清洗硅片,在超声波清洗器中,将硅片的表面用等离子水清洗10~20min,然后用丙酮清洗10~20min,再用去离子水冲洗硅片;
步骤S12,硅片抛光处理,将硅片浸入抛光液中抛光3~10min,用去离子水冲洗,然后将硅片至于空气中干燥。
3.根据权利要求2所述的硅太阳能电池银电极的制备方法,其特征在于,所述步骤S12中,抛光液包含氢氟酸和稀盐酸,所述氢氟酸和稀盐酸的摩尔百分比为30~50:50~70。
4.根据权利要求3所述的硅太阳能电池银电极的制备方法,其特征在于,所述抛光液中包含氢氟酸20~40摩尔。
5.根据权利要求1所述的硅太阳能电池银电极的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,反应液中的硝酸银和氢氟酸的摩尔百分比为1~100:3~40。
6.根据权利要求5所述的硅太阳能电池银电极的制备方法,其特征在于,所述反应液包含0.01~1.0M的硝酸银和0.03~0.4M的氢氟酸。
7.根据权利要求1所述的硅太阳能电池银电极的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,紫外光光照的功率密度为1~5w/cm2。
8.根据权利要求1所述的硅太阳能电池银电极的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,紫外光光照的时间为1~50min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811041691.4A CN109192793A (zh) | 2018-09-07 | 2018-09-07 | 一种硅太阳能电池银电极的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811041691.4A CN109192793A (zh) | 2018-09-07 | 2018-09-07 | 一种硅太阳能电池银电极的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109192793A true CN109192793A (zh) | 2019-01-11 |
Family
ID=64915221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811041691.4A Pending CN109192793A (zh) | 2018-09-07 | 2018-09-07 | 一种硅太阳能电池银电极的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109192793A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114664972A (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-24 | 比亚迪股份有限公司 | 一种硅片的抛光方法、太阳能电池片的制备方法及太阳能电池片 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101775594A (zh) * | 2010-02-04 | 2010-07-14 | 西北工业大学 | 一种在硅片表面制备银纳米材料的方法 |
CN102532376A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-04 | 合肥杰事杰新材料股份有限公司 | 利用紫外光辐照制备纳米Ag/PVP复合材料的方法 |
CN102569444A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-11 | 中国科学院半导体研究所 | 广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法 |
CN103367541A (zh) * | 2013-06-26 | 2013-10-23 | 华南师范大学 | 一种基于光刻掩膜法和液相法制备太阳能电池银线网格电极的方法 |
CN103451632A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-12-18 | 深圳信息职业技术学院 | 微纳米银、铜或银铜合金薄膜及其制备方法 |
-
2018
- 2018-09-07 CN CN201811041691.4A patent/CN109192793A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101775594A (zh) * | 2010-02-04 | 2010-07-14 | 西北工业大学 | 一种在硅片表面制备银纳米材料的方法 |
CN102532376A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-04 | 合肥杰事杰新材料股份有限公司 | 利用紫外光辐照制备纳米Ag/PVP复合材料的方法 |
CN102569444A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-11 | 中国科学院半导体研究所 | 广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法 |
CN103451632A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-12-18 | 深圳信息职业技术学院 | 微纳米银、铜或银铜合金薄膜及其制备方法 |
CN103367541A (zh) * | 2013-06-26 | 2013-10-23 | 华南师范大学 | 一种基于光刻掩膜法和液相法制备太阳能电池银线网格电极的方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114664972A (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-24 | 比亚迪股份有限公司 | 一种硅片的抛光方法、太阳能电池片的制备方法及太阳能电池片 |
CN114664972B (zh) * | 2020-12-23 | 2024-04-16 | 比亚迪股份有限公司 | 一种硅片的抛光方法、太阳能电池片的制备方法及太阳能电池片 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106549083B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 | |
CN103456804B (zh) | 在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法 | |
CN102299207B (zh) | 用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法 | |
Putra et al. | 18.78% hierarchical black silicon solar cells achieved with the balance of light-trapping and interfacial contact | |
TW201703277A (zh) | 一種局部背接觸太陽能電池的製備方法 | |
JP2018201016A (ja) | ヘテロ接合型太陽電池の製造方法及びヘテロ接合型太陽電池 | |
CN106159040B (zh) | 一种全湿法制备柔性金属网络透明电极的方法 | |
CN102569530B (zh) | 一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法 | |
CN106229386B (zh) | 一种银铜双金属mace法制备黑硅结构的方法 | |
CN102965710A (zh) | 银和硫化镉纳米粒子共修饰二氧化钛纳米管阵列的制备 | |
CN101937946A (zh) | 一种太阳电池硅片的表面织构方法 | |
CN105140343B (zh) | 一种多晶黑硅结构及其液相制备方法 | |
CN102437234A (zh) | 一种太阳能电池片印刷返工次品的处理方法 | |
CN104993021A (zh) | 一种提升太阳能电池丝印返工片转化效率的方法 | |
CN106340446A (zh) | 一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法 | |
CN109192793A (zh) | 一种硅太阳能电池银电极的制备方法 | |
CN102556953A (zh) | 一种双面硅纳米线阵列的制备方法 | |
CN103357633A (zh) | 一种薄膜太阳能电池玻璃基底的清洗方法 | |
CN106299023A (zh) | 一种抗pid太阳能电池返工片的处理方法 | |
CN105529381B (zh) | 一种高效太阳电池的制备方法 | |
CN105529380A (zh) | 一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法 | |
CN104157739B (zh) | 对不合格硅片的处理方法 | |
CN107268020A (zh) | 一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用 | |
CN105696083A (zh) | 一种太阳能电池绒面的制备方法 | |
CN103022247B (zh) | 一种氧化腐蚀去除硅纳米线太阳能电池表面缺陷层的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190111 |