CN109166872B - 一种cmos图像传感器的形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了CMOS图像传感器的形成方法，该方法包括以下步骤：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底中定义有像素区，所述像素区至少包括用于形成光电二极管的有源区；对所述像素区边缘的部分半导体衬底进行离子注入，以形成像素隔离区；对所述半导体衬底进行热退火工艺，以激活所述像素隔离区注入的离子；对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行离子注入，以形成阈值电压控制区，所述阈值电压区靠近所述有源区；以及在所述阈值电压区的半导体衬底上形成栅极。本发明通过调整工艺顺序，使得像素隔离区注入的离子浓度与阈值电压控制区注入的离子浓度都未受到影响，从而降低了随机电信号噪声。

Description

一种CMOS图像传感器的形成方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及CMOS图像传感器的形成方法。
背景技术
自上世纪60年代末期美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后，固体图像传感器便得到了迅速发展，成为传感技术中的一个重要分支。它是个人计算机多媒体不可缺少的外设，也是监控设备中的核心器件。
近年来，由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CIS(CMOS Image Sensor，互补金属氧化物半导体图像传感器)因其固有的诸如像元内放大、列并行结构，集成度高、采用单电源和低电压供电、成本低和技术门槛低等特点得到更加广泛的应用。并且，低成本、单芯片、功耗低和设计简单等优点，使CIS器件在保安监视系统、可视电话、可拍照手机、玩具、汽车和医疗电子等低端像素产品领域中大出风头。
白色像素(White Pixel，WP)是评估CIS器件性能的一个重要指标，其直接反应器件的成像质量。在为了改善白色像素的现有工艺中，存在随机电信号噪声(RTS noise，Random electrical signal noise)性能变差的问题。
发明内容
本发明目的在于提供一种CMOS图像传感器的形成方法，以提高随机电信号噪声的性能，即，降低随机电信号噪声。
为了实现上述目的，本发明提供了一种CMOS图像传感器的形成方法，包括以下步骤：
提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底中定义有像素区，所述像素区至少包括用于形成光电二极管的有源区；对所述像素区边缘的部分半导体衬底进行离子注入，以形成像素隔离区，所述像素隔离区包围所述有源区；对所述半导体衬底进行热退火工艺，以激活所述像素隔离区注入的离子；对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行离子注入，以形成阈值电压控制区，所述阈值电压区靠近所述有源区；以及在所述阈值电压区的半导体衬底上形成栅极。
可选的，对所述像素区边缘的部分半导体衬底进行P型离子注入，所述P型离子包括硼离子，所述P型离子注入的剂量是1E12-1E13cm2，能量是500KeV-2000KeV。
可选的，对所述半导体衬底进行峰值退火工艺，所述峰值退火工艺的温度为800℃-1200℃。
可选的，对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行N型离子注入，所述N型离子包括磷离子、砷离子、氮离子和锗离子，所述N型离子注入的剂量是1E12-1E13cm2，能量是1KeV-100KeV。
可选的，所述半导体衬底采用单晶硅制成。
本发明的有益效果如下：
本发明通过所提供的一种CMOS图像传感器的形成方法，通过调整工艺顺序，即，通过将对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行离子注入以形成阈值电压控制区调整至对所述半导体衬底进行热退火工艺之后，使得像素隔离区注入的离子在热退火工艺中得到激活，而在热退火工艺之后的阈值电压控制区注入的离子未被激活，因此，所述阈值电压控制区未激活的离子不会与像素隔离区已经激活的离子发生反应，使得阈值电压控制区未激活的离子浓度和像素隔离区已经激活的离子浓度均不受到影响，从而降低了随机电信号噪声。
附图说明
图1为现有技术中工艺顺序修改前的CMOS图像传感器形成方法的流程示意图；
图2为本发明一实施例的CMOS图像传感器的形成方法的流程示意图；
图3为本发明一实施例的CMOS图像传感器的结构示意图。
附图标记说明：
100-半导体衬底；
110-有源区；120-像素隔离区；
130-阈值电压控制区。
具体实施方式
下面结合图1介绍一种工艺顺序修改前的CIS形成方法。
图1为现有技术中工艺顺序修改前的CIS形成方法的流程示意图。如图1所示，首先执行步骤S11，提供一具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底中定义有像素区，所述像素区至少包括用于形成光电二极管的有源区。
接着执行步骤S12，对所述有源区的外侧的部分半导体衬底进行离子注入，以形成阈值电压控制区，所述离子注入中的注入离子例如是N型离子。
接着执行步骤S13，对所述有源区的外侧的部分半导体衬底进行离子注入，以形成像素隔离区，所述离子注入中的注入离子例如是P型离子，所述阈值电压控制区位于所述像素隔离区内，且所述阈值电压控制区靠近所述有源区。
接着执行步骤S14，对所述半导体衬底进行热退火工艺，以激活所述阈值电压控制区和像素隔离区注入的离子。
基于上述工艺步骤，发明人研究发现，由于阈值电压控制区所注入的离子为N型，像素隔离区所注入的离子为P型，且所述阈值电压控制区位于所述像素隔离区内，使得热退火工艺后，所述阈值电压控制区与像素隔离区的交界上的P型带电离子与N型带电离子部分中和，从而降低了阈值电压控制区的N型离子浓度。
发明人还发现，在晶圆的制造过程中，在晶圆的键合界面上每个Si原子的周围都有四对共价键，而键合界面处的硅原子上方没有其它硅原子，此时就构成了一些不饱和的“悬挂键”，当阈值电压控制区所注入的N形离子浓度降低时，阈值电压控制区的电压升高，进而工作电流降低，使得这些悬挂键在通电瞬间短暂的被包围，并且在之后的外电场的作用下被释放出来，导致一瞬时的电流变化即为随机电信号噪声。
基于上述研究，本发明的一种CMOS图像传感器的形成方法，通过调整工艺顺序，即，通过将对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行离子注入，以形成阈值电压控制区调整至对所述半导体衬底进行热退火工艺之后，使得像素隔离区注入的离子在热退火工艺中得到激活，而在热退火工艺之后的阈值电压控制区注入的离子未被激活，因此，所述阈值电压控制区未激活的离子不会与像素隔离区已经激活的离子发生反应，使得阈值电压控制区未激活的离子浓度和像素隔离区已经激活的离子浓度均不受到影响，从而降低了随机电信号噪声。
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本实施例所提供的一种CMOS图像传感器的形成方法。图2为本实施例的CMOS图像传感器的形成方法的流程示意图。如图2所示，该方法包括如下步骤：
步骤S21：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底中定义有像素区，所述像素区至少包括用于形成光电二极管的有源区；
步骤S22：对所述像素区边缘的部分半导体衬底进行离子注入，以形成像素隔离区，所述像素隔离区包围所述有源区；
步骤S23：对所述半导体衬底进行热退火工艺，以激活所述像素隔离区注入的离子；
步骤S24：对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行离子注入，以形成阈值电压控制区，所述阈值电压区靠近所述有源区；以及
步骤S25:在所述阈值电压区的半导体衬底上形成栅极。
下面结合图2-3对本发明实施例所提供的一种CMOS图像传感器的形成方法进行详细介绍。
首先执行步骤S21，如图3所示，提供具有第一导电类型的半导体衬底100，所述半导体衬底100中定义有像素区，所述像素区至少包括用于形成光电二极管的有源区110。
所述半导体衬底100用于为后续工艺提供工作平台。所述半导体衬底100可以是以下所提到的材料中的至少一种：单晶硅硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。第一导电类型可以为N型也可以为P型。所述像素区包括用于形成光电二极管的区域等，以4T型CMOS图像传感器为例。
在本实施例中，所述半导体衬底100例如是为P型单晶硅。
接着执行步骤S22，如图3所示，对所述像素区边缘的部分半导体衬底100进行离子注入，以形成像素隔离区120，所述像素隔离区120包围所述有源区110。
其中，所述离子为P型离子，所述P型离子包括硼离子，所述P型离子注入的剂量是1E12-1E13cm2，能量是500KeV-2000KeV。
接着执行步骤S23，如图3所示，对所述半导体衬底100进行热退火工艺，以激活所述像素隔离区120注入的离子。
所述热退火工艺可以是快速热处理、峰值退火(spike anneal)或闪光退火工艺。由上可知，在本步骤中，通过热退火工艺只激活了步骤S22中对像素隔离区注入的P型离子。
在本实施例中，对所述半导体衬底100进行峰值退火工艺，以激活步骤S22中注入的P型离子，所述峰值退火工艺的温度为800℃-1200℃。
接着执行步骤S24，如图3所示，对所述像素隔离区120的部分半导体衬底100进行离子注入，以形成阈值电压控制区130，所述阈值电压区130靠近所述有源区110。
其中，所述离子为N型离子，所述N型离子包括磷离子、砷离子、氮离子和锗离子等，所述N型离子注入的剂量是1E12-1E13cm2，能量是1KeV-100KeV。
在本步骤中阈值电压控制区130所注入的N型离子因为是在热退火工艺之后注入的，其并未与像素隔离区120注入的P型离子同时被激活。在所述像素隔离区120与所述阈值电压控制区130的交界处未激活的N型离子与已经被激活的P型离子不会发生中和反应，因此，像素隔离区120注入的P型离子浓度与阈值电压控制区130的N型离子浓度都不会由于上述原因而降低，从而降低了随机电信号噪声。
在所述有源区110与所述阈值电压区130之间还形成有隔离结构(图中未示出)，所述隔离结构例如为浅沟槽隔离(STI)结构。
接着执行步骤S25，在所述阈值电压区130的半导体衬底100上形成栅极。
综上可知，本发明通过工艺顺序，即，通过将对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行离子注入，以形成阈值电压控制区调整至对所述半导体衬底进行热退火工艺之后，使得像素隔离区注入的P型离子在热退火工艺中得到激活，而在热退火工艺之后的阈值电压控制区注入的N型离子未被激活，因此，所述阈值电压控制区未激活的离子不会与像素隔离区已经激活的离子发生反应，使得阈值电压控制区未激活的离子浓度和像素隔离区已经激活的离子浓度均不受到影响，从而降低了随机电信号噪声。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底中定义有像素区，所述像素区至少包括用于形成光电二极管的有源区；
对所述像素区边缘的部分半导体衬底进行离子注入，以形成像素隔离区，所述像素隔离区包围所述有源区；
对所述半导体衬底进行热退火工艺，以激活所述像素隔离区注入的离子；
对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行离子注入，以形成阈值电压控制区，所述阈值电压控制区靠近所述有源区；以及
在所述阈值电压控制区的半导体衬底上形成栅极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述像素区边缘的部分半导体衬底进行P型离子注入。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述P型离子包括硼离子。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述P型离子注入的剂量是1E12-1E13cm2，能量是500KeV-2000KeV。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行峰值退火工艺。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述峰值退火工艺的温度为800℃-1200℃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述像素隔离区的部分半导体衬底进行N型离子注入。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述N型离子包括磷离子、砷离子、氮离子和锗离子。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述N型离子注入的剂量是1E12-1E13cm2，能量是1KeV-100KeV。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底采用单晶硅制成。
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