CN109155249A - 局部区域研磨系统以及用于研磨系统的研磨垫组件 - Google Patents
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Abstract
一种研磨模块包含：夹具，所述夹具具有基板接收表面和；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件绕着所述夹具的所述周边定位，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合至致动器，所述致动器提供相应的研磨垫组件相对于所述基板接收表面在以下中的一个或更多个上的移动：扫动方向、径向方向、和震荡模式，且在径向移动中限制为约小于从所述夹具的所述周边所测量的所述夹具的半径的一半。
Description
背景
技术领域
本公开的实施例一般涉及用于研磨基板(例如，半导体晶片)的方法及设备。更具体地，涉及用于在电子装置制造处理中研磨基板的局部区域的方法及设备。
背景技术
化学机械研磨是在高密度整合电路制造中经常使用的一个处理，以在研磨流体出现的情况下通过移动基板的特征侧(即，沉积接收表面)接触研磨垫来平面化或研磨基板上沉积的材料层。在典型的研磨处理中，基板保持在承载头中，该承载头促使或压迫基板背侧朝向研磨垫。全局地跨过基板的特征侧表面移除材料，该基板与研磨垫经由化学及机械活动的组合而接触。
承载头可包含多个个别控制的压力区以对基板的不同区应用差别的压力。例如，相较于基板中央处所需材料移除，如果基板的周边边缘处需要更大的材料移除，可使用承载头以对基板的周边边缘应用更多的压力。然而，基板的刚性倾向于通过承载头来重新分配应用于基板的局部区的压力，使得应用于基板的压力一般可跨过整体基板扩散或平缓。平缓效应使得针对局部材料移除的局部压力应用为困难的，否则是不可能的。
因此，存在有针对便于自基板局部区域移除材料的方法及设备的需求。
发明内容
本公开的实施例一般涉及用于研磨基板(例如，半导体晶片)的局部区域的方法及设备。在一个实施例中，提供一种研磨模块。该研磨模块包含：夹具，该夹具具有基板接收表面和周边；及一个或更多个研磨垫组件，该一个或更多个研磨垫组件绕着夹具的周边定位，其中该一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合至致动器，该致动器提供相应的研磨垫组件相对于该基板接收表面在扫动方向、径向方向、及振荡模式中的一个或多个中的移动，且该研磨垫组件的径向移动被限制至小于从夹具的周边起所测量的该夹具的半径的一半。
在另一个实施例中，提供一种研磨模块。该模块包含：夹具，该夹具具有基板接收表面和周边；研磨头，该研磨头绕着周边定位；及研磨垫组件，在外壳中设置该研磨垫组件，该外壳耦合至该研磨头，其中每一研磨头耦合至致动器，该致动器提供相应的研磨垫组件在扫动方向及径向方向上的移动，该径向方向上的移动小于该夹具的半径的大约一半，并且该研磨头包含一致动器组件，该致动器组件提供该研磨垫组件与该外壳之间的震荡移动。
在另一个实施例中，提供一种研磨模块。该模块包含：夹具，该夹具具有基板接收表面和周边；以及绕着夹具的周边定位的多个研磨头，每一研磨头耦合至相应的外壳，该外壳具有设置于该外壳上的研磨垫组件，其中每一研磨头耦合至致动器，该致动器提供相应的研磨垫组件在扫动方向和径向方向中的移动，该径向方向中的移动小于该夹具的半径的大约一半，且该研磨头包含电机及转子，该电机耦合至轴件，该转子提供该研磨垫组件和该外壳之间的震荡移动；至少一个研磨头为弧形，且至少一个研磨垫组件为圆形或多边形。
附图说明[0008]为了可以详细理解本公开的上述特征中的方式，可通过参考实施例而得到简短总结如上的本公开的更具体描述，其中一些实施例图示于所附附图中。然而，注意所附附图仅图示本公开的典型的实施例，因此不视为限制其范围，因为本公开可允许其他等效实施例。
图1是研磨模块的一个实施例的截面示意图。
图2A是研磨模块的另一个实施例的横截面侧视图。
图2B是图2A中所示出的研磨模块的等距俯视图。
图3是研磨头的一个实施例的等距仰视图。
图4是沿着图3的线4-4的研磨头的横截面视图。
图5是沿着图4的线5-5的研磨头的横截面视图。
图6是图3的研磨头的外壳基底的等距俯视图。
图7是根据一个实施例的研磨垫组件的横截面视图。
图8A至8C是用于可以形成图3至图6中所示的研磨头的外壳基底的研磨垫组件的实施例的多种外壳组件的等距仰视图。
图9A至10B是示出可以用作图2A和图2B中示出的一个或多个研磨头的研磨头的不同实施例的多种视图。
为了便于理解，尽可能使用相同附图标记，以标示附图中公共的相同组件。构想到在一个实施例中公开的组件可有利地用于其他实施例，而无须特定叙述。
具体实施方式
本公开的实施例提供用于研磨基板的局部区域的研磨模块。本公开的益处包含对在局部区域中具有有限的凹陷和/或侵蚀的改进的局部研磨控制。本文描述的研磨模块的实施例可移除基板上厚度约至约的材料，且在一些实施例中，可移除厚度约至约的材料。在一些实施例中，可以以约+/-的精确度来移除材料。在此描述的实施例可以用于执行在基板局部区域上任何薄膜或硅上的厚度修正，且也可用于边缘斜角研磨。基板的局部区域可限定为基板上约6毫米(mm)乘约6 mm的表面区域，或更大，如高达约20 mm乘约20 mm。在一些实施例中，基板的局部区域可以是由一个管芯所占据的表面区域。
图1是研磨模块100的一个实施例的示意截面图。研磨模块100包含支撑夹具110的基底105，夹具110旋转地支撑夹具110上的基板115。在一个实施例中，夹具110可以是真空夹具。夹具110耦合至驱动装置120(可以是电机或致动器)，至少提供夹具110绕着轴A(定向于Z方向上)的旋转移动。可在传统研磨处理之前或传统研磨处理之后使用研磨模块100以研磨基板115的局部区域和/或执行基板115上的厚度修正。在一些实施例中，可使用研磨模块100以在基板115上的个别芯片上方区域中研磨和/或移除材料。
在夹具110上以“面朝上”定向来设置基板115，使得基板115的特征侧面向一个或更多个研磨垫组件125。使用一个或更多个研磨垫组件125的每一个以研磨基板115或自基板115移除材料。可使用研磨垫组件125以自基板115的局部区域移除材料和/或在传统化学机械研磨(CMP)系统中在研磨基板115之前或之后研磨基板115的周边边缘。一个或更多个研磨垫组件125包括市售的CMP研磨垫材料，例如通常用于CMP处理中的基于聚合物的垫材料。
一个或更多个研磨垫组件125的每一个耦合至支撑臂130，支撑臂130相对于基板115移动研磨垫组件125。每一支撑臂130可耦合至致动器系统135，致动器系统135相对于安装在夹具110上的基板115垂直地(Z方向)以及侧向地(X和/或Y方向)移动支撑臂130(及安装在支撑臂130上的研磨垫组件125)。也可使用致动器系统135以相对于基板115以轨道的、圆形的或震荡动作来移动支撑臂130(及安装在支撑臂130上的研磨垫组件125)。也可使用致动器系统135以绕着轴B及B’移动支撑臂130(及安装在支撑臂130上的研磨垫组件125)以在θ(theta)方向上提供扫动动作。
在一个实施例中，来自流体源140的研磨流体可应用至研磨垫组件125和/或基板115。流体源140也可提供去离子水(DIW)至研磨垫组件125和/或基板115以便于清理。流体源140也可提供气体(例如清洁干燥空气，CDA)至研磨垫组件125以便调整施加到研磨垫组件125的压力。基底165可用作盆器以收集研磨流体和/或DIW。
图2A是研磨模块200的另一个实施例的横截面侧视图。图2B是图2A中所展示的研磨模块200的等距俯视图。研磨模块200包含夹具110，在此实施例中，夹具110耦合至真空源。夹具110包含基板接收表面205，基板接收表面205包含与真空源连通的多个开口(未示出)，使得设置于基板支撑表面205上的基板(在图1中示出)可被固定于基板支撑表面205上。夹具110也包含驱动装置120，驱动装置120旋转夹具110。每一支撑臂130包括研磨头222，研磨头222包含研磨垫组件125。
度量装置215(在图2B中示出)也可耦合至基底165。可在研磨期间通过测量基板(未示出)上的金属或介电薄膜的厚度来使用度量装置215以提供研磨进度的原位(in-situ)测度。度量装置215可以是涡电流传感器、光学传感器、或其他可使用以决定金属或介电薄膜厚度的感应装置。用于非原位(ex-situ)度量反馈的其他方法包含预先决定参数，例如晶片上沉积厚/薄区域的位置、针对夹具110和/或研磨垫组件125的动作配方、研磨时间、以及欲使用的下压力或压力。也可使用非原位反馈以决定所研磨薄膜的最终剖面。可使用原位度量以通过监视由非原位度量所确定的参数的进度来优化研磨。
每一支撑臂130可移动地通过致动器组件220来安装在基底165上。致动器组件220包含第一致动器225A和第二致动器225B。可使用第一致动器225A以垂直地(Z方向)移动每一支撑臂130(与各自的研磨头222)，且可使用第二致动器225B以侧向地(X方向、Y方向、或其组合)移动每一支撑臂130(与各自的研磨头222)。也可使用第一致动器225A以提供可控制的下压力以促使研磨垫组件125朝向基板(未示出)。虽然图2A和2B中仅示出两个支撑臂130及在研磨头222上具有研磨垫组件125的研磨头222，研磨模块200不限定为此配置。研磨模块200可包含任何数量的支撑臂130及研磨头222，只要夹具110的圆周及针对度量装置215的足够空间留量以及针对支撑臂130(具有研磨头222及安装在研磨头222上的研磨垫组件125)的扫动移动的空间所允许。
致动器组件220可包括线性移动机制227，线性移动机制227可以是耦合至第二致动器225B的滑动机制或滚珠螺杆。相似地，每一第一致动器225A可包括线性滑动机制、滚珠螺杆、或圆柱滑动机制以垂直移动支撑臂130。致动器组件220也包含在第一致动器225A及线性移动机制227之间耦合的支撑臂235A、235B。每一支撑臂235A、235B可通过第二致动器225B同时或个别致动。因此，支撑臂130(及安装在支撑臂130上的研磨垫组件125)的侧向移动可径向地以同步或异步方式在基板(未示出)上扫动。动态密封240可绕着支撑轴件242设置，支撑轴件242可以是第一致动器225A的部分。动态密封240可以是在支撑轴件242及基底165之间耦合的曲径密封。
支撑轴件242设置于在基底165中形成的开口244中，以允许支撑臂130的侧向移动(基于致动器组件220所提供的移动)。调整开口244的大小以允许支撑轴件242足够的侧向移动，使得支撑臂130(及安装在支撑臂130上的研磨头222)可自基板接收表面205的周边246朝向基板接收表面205的中央移动至基板接收表面205的半径的约一半。在一个实施例中，基板接收表面205具有与基板直径实质相同的直径(该基板在处理期间安装在基板接收表面205上)。例如，如果基板接收表面205的半径为150mm，支撑臂130(特定地，安装在支撑臂130上的研磨垫组件125)可自约150mm(例如，周边246)至约75mm向内朝向中央径向地移动且返回周边246。术语“约”可限定为超过基板接收表面205的半径的一半0.00mm(0mm)至不高于5mm，在上述示例中为约75mm。
此外，调整开口244的大小以允许支撑轴件242足够的侧向移动，使得支撑臂130的末端248可移动超过夹具110的周边250。因此，当研磨头222向外移动以清洁周边250，可将基板传输至基板接收表面205上或离开基板接收表面205。基板可在全局CMP处理之前或之后通过机器人手臂或末端效应器传输至传统研磨站或从传统研磨站传输。
图3是研磨头300的一个实施例的等距仰视图，且图4是沿着图3的线4-4的研磨头300的横截面视图。可使用研磨头300为图2A和2B中所示的一和或更多个研磨头222。研磨头300包含可相对于外壳305移动的研磨垫组件125。研磨垫组件125可以是圆的(如所示)，或卵形，或包含多边形，例如正方形或矩形。外壳305可包含坚硬壁310和柔性或半柔性的外壳基底315。外壳基底315可接触基板表面且一般顺势而使外壳基底315弯曲以回应于该接触。外壳305以及外壳基底315可由聚合物材料制成，例如聚氨酯、PET(聚对苯二甲酸)、或具有足够硬度的其他合适的聚合物。在一些实施例中，硬度可以是约95肖氏A(Shore A)或更大。研磨垫组件125经由外壳基底315中的开口延伸。
在研磨处理期间外壳基底315及研磨垫组件125相对于彼此皆可以是可移动的。外壳305耦合至支撑构件320，支撑构件320接着耦合至个别的支撑臂130(在图1至2B中展示)。外壳305可侧向地相对于支撑构件320移动(例如，在X和/或Y方向上)且通过一个或更多个柔性柱325耦合在一起。每一研磨头300的柔性柱325数量可以是四个，虽然图3和图4中仅示出两个。使用柔性柱325以维持外壳305的平面330A及支撑构件320的平面330B之间的平行关系。柔性柱325可由塑料材料制成，例如尼龙或其他柔性塑料材料。可通过外壳基底315及基板(未示出)表面之间的摩擦来提供侧向移动。然而，可通过柔性柱325来控制侧向移动。此外，可通过设置于研磨头300中的致动器组件(在下文中描述)来提供侧向移动。
可通过外壳305中所提供的压力腔室400来提供研磨垫组件125另一程度的相对移动。可通过轴承盖405及耦合至研磨垫组件125的柔性膜410来对压力腔室400设界。可经由流体入口415提供压缩流体(例如，清洁干燥空气)至压力腔室400，流体入口415与压力腔室400通过气室420流体连通，气室420相对于压力腔室400侧向地放置。可通过外壳305的表面及柔性膜410来对气室420设界。压力腔室400和气室420的容积可与柔性膜410及外壳基底315之间的容积425流体地分隔，使得流体被包含于其中和/或容积425处于低于气室420压力的压力(以及气室420，例如，处于大气或室内压力、或稍高于室内压力)。提供至气室420的流体通过施加可控制力对抗柔性膜410来提供下压力至研磨垫组件125。可视需求变化下压力，使得研磨垫组件125的移动被提供或控制在Z方向上。
可通过设置在研磨头300中的致动器组件430来提供研磨垫组件125另一程度的相对移动。例如，可使用致动器组件430以便于研磨头300相对于基板表面的移动(在图5中更详细描述)。
图5是沿着图4的线5-5的研磨头300的横截面视图。致动器组件430包含电机500和环绕轴件510的轴承505。轴件510耦合至转子515，且转子515和轴件510中的一个是偏心地(eccentrically)塑形的构件。例如，轴件510和转子515中的一个是偏心的，使得当轴件510旋转时，转子515间歇地接触压力腔室400的内壁520。偏心动作可以是距电机500的中央线525约+/-1毫米(mm)的维度522。在操作期间可通过轴件510的旋转速度(例如，轴件510每分钟的转数)来控制间歇接触。在操作期间间歇接触可侧向地移动外壳305(在X/Y平面中)，使得研磨垫组件125以所需速度震荡。该震荡可提供从基板(未示出)表面的额外材料移除。可通过柔性柱325(在图4中示出)来控制外壳305的移动以及外壳305与支撑构件320的平行性。
图6是图3的研磨头300的外壳基底315的等距俯视图。外壳基底315内和经过外壳基底315的流体流动将参照图3、4、及6来说明。
参照图4，外壳305包含耦合至外壳305的第一入口440和第二入口445。第一入口440可耦合至水源450，例如去离子水(DIW)，且第二入口445可耦合至研磨流体源455，研磨流体源455可以是用于研磨处理中的浆料。第一入口440和第二入口445皆与柔性膜410和外壳基底315之间的容积425通过一个或更多个通道600(在图6中示出)来流体连通。以虚线示出在外壳基底315的壁605中形成的通道600的部分，但通道600开启进入外壳基底315的内表面610。
在研磨处理期间，可经由第二入口445提供来自研磨流体源455的研磨流体至容积425。研磨流体流经通道600进入容积425。在一些实施例中，在外壳基底315的内表面610中形成开口615，开口615容纳开口615中的研磨垫组件125。可调整开口615的大小为较研磨垫组件125稍大，使得研磨流体可绕着研磨垫组件125流经开口615。
相似地，来自第一入口440的流体(例如DIW)可从第一入口440流动至通道600且流动至开口615。可使用来自第一入口440的流体以在研磨处理之前或之后清理研磨垫组件125。
在一些实施例中，外壳基底315包含形成突出部335的凹陷部分620，突出部335从外壳基底315的外表面340凸起，如图3中所示。凹陷部分620可以是便于从通道600流体传输至开口615的通道。在一些实施例中，凹陷部分620(以及突出部335)可以是弧形。在一些实施例中，外壳基底315可包含挡板625以减缓和/或控制容积425中的流体流动。挡板625的壁可延伸至柔性膜410(如图4中所示)。挡板625可包含一个或更多个开口630以提供经过开口630的流体流动。
图7是根据一个实施例的研磨垫组件125的横截面视图。研磨垫组件125包含第一或接触部分700及第二或支撑部分705。接触部分700可以是传统垫材料，例如市售垫材料，例如在CMP处理中通常使用的基于聚合物的垫材料。聚合物材料可以是聚氨酯、聚碳酸酯、含氟聚合物、聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯硫醚(PPS)、或其组合。接触部分700可进一步包括开启或关闭的气室发泡体聚合物、柔性体、毡、浸渍毡、塑料、及可以与处理化学物质兼容的相似材料。在另一实施例中，接触部分700是以多孔质涂布浸渍的毡材料。在另一实施例中，接触部分700包括可由取得的垫材料(以商品名称IC1010TM贩卖)。
支撑部分705可以是聚合物材料，例如聚氨酯，或具有足够硬度的其他合适的聚合物。在一些实施例中，硬度可以是约55肖氏A至约65肖氏A。接触部分700可通过黏着剂(例如压力感应黏着剂、环氧化合物、或其他合适的黏着剂)耦合至支撑部分705。相似地，研磨垫组件125可通过合适的黏着剂来黏着至柔性膜410。在一些实施例中，研磨垫组件125的支撑部分705设置于凹陷710中，凹陷710在柔性膜410中形成。
在一些实施例中，柔性膜410的厚度715为约1.45mm至约1.55mm。在一些实施例中，支撑部分705的长度720为约4.2mm至约4.5mm。在所示的实施例中，其中接触部分700为圆形，接触部分700的直径730可以是约5mm。然而，在其他实施例中，接触部分700可具有不同形状和/或不同大小(取决于例如芯片大小和/或所需移除量的因素)。在一些示例中，接触部分700的直径730可以是约2mm、约3mm、约5mm高达约10mm、或更大，包含约2mm至约10mm之间的增幅。
图8A至8C是用于研磨垫组件805、810、及815的多种外壳组件800A至800C(可形成图3至6中所展示的研磨头300的外壳基底315)的等距仰视图。例如，外壳组件800A、800C的外壳基底315可耦合至图6中所展示的壁605，且外表面820(与图6的内表面610相对)面对基板(未示处)。经由在各个外壳基底315中形成的开口615来设置研磨垫组件805、810和815且每一个都包含接触部分700和支撑部分705，如图7中所描述。
图8A示出可与上述研磨垫组件125相似的研磨垫组件805。然而，外壳基底315的外表面820可包含多个凸起部分825以及凹陷部分830。凸起部分825可以是相对于凹陷部分830横截面更厚的外壳基底315区域。此外，凸起部分825和凹陷部分830具有实质相同的横截面厚度。外壳组件800B的外壳基底315可包含凸起部分825和凹陷部分830。
图8B示出了与外壳组件800A实质相似的外壳组件800B，除了研磨垫组件810具有不同的形状。在此实施例中，研磨垫组件810为多边形(即，矩形)。可根据待研磨的芯片大小来调整接触部分700的表面区域的大小。虽然示出单一研磨垫组件810，可存在有多于一个研磨垫组件810，例如总共或在研磨垫组件810的每一侧上有三个或四个研磨垫组件810。
图8C示出了包含研磨垫组件815的另一实施例的外壳组件800C，包括经由一个或更多个开口615(在外壳基底315中形成)设置的多个垫组件柱835。每一垫组件柱835可包含相似于此处描述的其他研磨垫组件的接触部分700和支撑部分705。在如所示的一些实施例中，垫组件柱835可沿着弧840放置。根据此实施例，可使用研磨垫组件815以研磨基板(未示出)的可以是非均匀的径向区域。
图9A至10B是示出研磨头的不同实施例的多种视图，该研磨头可用作图2A和2B中所示出的一个或更多个研磨头222。
图9A是研磨头900的俯视平面图，且图9B是图9A的研磨头900的仰视透视图。根据此实施例，研磨头900包含圆形的接触部分700。在一些实施例中，研磨头900包含具有第一区910和第二区915的支撑构件905(即，外壳基底315)。第二区915可环绕第一区910。第一区910可包含不同于第二区915的柔性属性的柔性属性。例如，第一区910可较第二区915柔性更小，反之亦然。第一区910和第二区915可从外壳305的表面延伸不同距离。例如，第二区915可从第一区910的表面凸起。在一些实施例中，支撑构件905包含设置在第一区910和第二区915之间的转换区920。转换区920可具有与第一区910和第二区915中的其中一个或两个的柔性属性不同的柔性属性。例如，转换区920可在横截面上较薄(相较于第一区910和/或第二区915的横截面)，使得第二区915相对于第一区910弯曲。转换区920也可以是第一区910和第二区915的表面之间的步阶区。在一些实施例中，支撑构件905是整体的(即，不包含在图6中描述的开口615)，使得支撑构件905的内表面与压力腔室400(在图4中示出)流体连通和/或与转子515(在图5中示出)接触。虽然未示出，可使用研磨头900与图8A至8C的研磨垫组件805、810和815的任一个的部分(带有或不带有开口615)。
图10A是研磨头1000的俯视平面图，且图10B是图10A的研磨头1000的仰视透视图。根据此实施例，研磨头1000包含弧形的接触部分700。虽然未示出，可使用研磨头1000与图8A至8C的研磨垫组件805、810及815的任一个的部分(带有或不带有开口615)。
虽然前述内容针对本公开的实施例，但是可修改本公开的其他和进一步的实施例而不背离其基本范围，且本公开的范围由所附的权利要求所决定。
Claims (15)
1.一种研磨模块，包括：
夹具，所述夹具具有基板接收表面和周边；以及
研磨垫组件，所述研磨垫组件绕着所述夹具的所述周边定位，其中所述研磨垫组件耦合至致动器，所述致动器提供相应的研磨垫组件相对于所述基板接收表面在以下中的一个或更多个上的移动：扫动方向、径向方向、和震荡模式，且在径向移动中限制为约小于从所述夹具的所述周边所测量的所述夹具的半径的一半。
2.如权利要求1所述的模块，其中所述研磨垫组件的每一个耦合至研磨头。
3.如权利要求2所述的模块，其中所述研磨头为圆形。
4.如权利要求3所述的模块，其中所述研磨垫组件为圆形。
5.如权利要求3所述的模块，其中所述研磨垫组件为多边形。
6.如权利要求3所述的模块，其中所述研磨垫组件包括多个垫组件柱。
7.一种研磨模块，包括：
夹具，所述夹具具有基板接收表面和周边；
研磨头，所述研磨头绕着所述周边设置；以及
研磨垫组件，在外壳中设置所述研磨垫组件，所述外壳耦合至所述研磨头，其中所述研磨头耦合至致动器，所述致动器被配置成提供所述研磨垫组件在扫动方向和径向方向上的移动，所述径向方向上的移动小于所述夹具的半径的约一半，且所述研磨头包含致动器组件，所述致动器组件提供所述研磨垫组件和所述外壳之间的震荡移动。
8.如权利要求7所述的模块，其中所述研磨头为圆形。
9.如权利要求8所述的模块，其中所述研磨垫组件为圆形。
10.如权利要求8所述的模块，其中所述研磨垫组件为多边形。
11.如权利要求7所述的模块，其中所述研磨垫组件为圆形。
12.如权利要求7所述的模块，其中所述研磨垫组件包括多个垫组件柱。
13.一种研磨模块，包括：
夹具，所述夹具具有基板接收表面和周边；以及
研磨头，所述研磨头绕着所述夹具的所述周边定位，所述研磨头耦合至外壳，所述外壳具有设置于所述外壳上的研磨垫组件，其中：
所述研磨头耦合至致动器，所述致动器提供所述研磨垫组件在扫动方向及径向方向上的移动，所述径向方向上的移动小于所述夹具的半径的约一半，并且所述研磨头包含电机和转子，所述电机耦合至轴件，所述转子提供所述研磨垫组件和所述外壳之间的震荡移动；
所述研磨头为圆形；并且
所述研磨垫组件为圆形。
14.如权利要求13所述的模块，其中，所述研磨垫组件包括第一区和第二区，所述第一区具有第一柔性属性，所述第二区具有与所述第一柔性属性不同的第二柔性属性。
15.如权利要求14所述的模块，其中，所述第一区围绕所述第二区。
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