CN109143951B - 制程监控方法与制程监控系统 - Google Patents
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Abstract
一种制程监控方法，包括以下步骤：接收设定参数；于蚀刻时间中的侦测指定时间内接收制程参数；于侦测指定时间中每隔取样时间内处理制程参数，在制程取样范围内以产生制程参数的特征码；判断制程补偿时间，依据制程参数的特征码，搜寻相似的设定参数，以决定蚀刻时间的制程补偿时间；更新制程参数的特征码至资料库参数。此外，一种制程监控系统亦被提出。
Description
技术领域
本发明是有关于一种制程监控方法与制程监控系统，且特别是有关于一种对基板蚀刻时间动态改善的制程监控方法与制程监控系统。
背景技术
半导体元件或液晶显示装置等电子装置是以多个精密图案集积而成，这种图案是通过多个制程步骤而成，其中有一种蚀刻步骤。在微电子制程中主要有两种蚀刻型态，一种为利用液体蚀刻剂的湿式蚀刻法，而另一种则为利用电浆的干式蚀刻法。
就湿式蚀刻法来说，湿蚀刻能力的控制影响产品品质与元件效能甚巨。现有湿蚀刻的方法在设定在一固定蚀刻时间内借由控制液体浓度来加速或减低来达到所欲蚀刻膜厚，然而蚀刻速率会因为液体浓度与反应的温度随时间变化而改变，使得蚀刻制程(蚀刻工艺)显得难以控制。因此，如何提供一种“制程监控方法与系统”来解决上述问题，是相关技术领域亟需解决的课题。
发明内容
本发明的一目的在于，能对基板蚀刻时间进行动态改善，以实现蚀刻的最佳化。
本发明另一目的在于，滤除光感测元件因污染、湿气、反射等因素所侦测到的杂讯，以提升收取资料的品质，降低后续计算上的判断失误机率。
本发明另一目的在于，通过同步过程，降低因光感测元件通讯时间上的落差，也可避免造成量测同一时间点资料的时间误差，更可降低后续计算上的错误率。
本发明的一实施例提出一种制程监控方法，包括以下步骤：接收一设定参数，其中设定参数包括一配方参数与一资料库参数，配方参数包含一蚀刻时间；于蚀刻时间中的一侦测指定时间内接收一制程参数，其中制程参数产生自光感测元件；于侦测指定时间中每隔一取样时间内处理制程参数，在一制程取样范围内以产生相应的制程参数的特征码；判断制程补偿时间，依据制程参数的特征码，搜寻相似的设定参数，以决定蚀刻时间的一制程补偿时间；更新制程参数的特征码至资料库参数。
本发明的一实施例提出一种制程监控系统，包括一资料处理单元、一制程单元以及一PLC控制单元。资料处理单元用以接收一设定参数，设定参数包括一配方参数与一资料库参数，配方参数包括一蚀刻时间。制程单元用以传输一制程参数。PLC控制单元信号连接制程单元与资料处理单元，PLC控制单元接收制程参数，且PLC控制单元传输制程参数至资料处理单元，其中在蚀刻时间中的一侦测指定时间内，资料处理单元处理制程参数以产生相应的制程参数的特征码，资料处理单元依据制程参数的特征码，搜寻相似的设定参数，以决定蚀刻时间的制程补偿时间指令，资料处理单元传输制程补偿时间指令至PLC控制单元，且PLC控制单元控制制程单元的制程补偿时间。
基于上述，在本发明的制程监控方法与制程监控系统，在蚀刻时间中的侦测指定时间内分析处理所侦测的制程参数，来决定是否要对蚀刻时间进行制程补偿时间，对基板蚀刻时间进行动态改善。
附图说明
图1为本发明的制程监控系统的示意图。
图2为本发明的制程监控方法的流程图。
图3为图2中接收设定参数的流程图。
图4为图3中处理配方参数的流程图。
图5为图2中于蚀刻时间中的侦测指定时间内接收制程参数的流程图。
图6为图5中接收透光率数值的流程图。
图7为图2中处理制程参数的流程图。
图8为图2中判断制程补偿时间的流程图。
符号说明：
100 制程监控系统
110 制程单元
112 光感测元件
120 PLC控制单元
130 资料处理单元
132 资料收集模组
134 杂讯滤波模组
136 判断演算模组
138 信号控制模组
140 人机介面单元
150 资料库单元
S100 制程监控方法
S110～S150 步骤
S112～S116 步骤
S1142～S1148 步骤
S122～S126 步骤
S1262～S1266 步骤
S131～S137 步骤
S141～S145 步骤。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此限制本发明的保护范围。
图1为本发明的制程监控系统的示意图。请参考图1。本实施例的制程监控系统100例如为一监控蚀刻制程之系统。制程监控系统100包括一制程单元110、一PLC控制单元120、一资料处理单元(数据处理单元)130、一人机介面单元140以及一资料库单元(数据库单元)150。
制程单元110用以制成基板，制程单元110例如为一蚀刻机，以蚀刻基板。制程单元110用以传输一制程参数，本实施例的制程单元110内包含数个光感测元件112，制程参数产生自光感测元件112，光感测元件112用以侦测基板的透光率，以获得透光率数值，通过透光率数值可分析计算相应的制程参数，光感测元件112用以传输制程参数至PLC控制单元120，本实施例的光感测元件112的数量例如为三个，其端视实际制程所需(如基板的尺寸)而可择定光感测件元件的数量与型态。
PLC控制单元120为一可程式(Programmable Logic Controller，可编程)控制器，PLC控制单元120信号连接制程单元110，PLC控制单元120接收自光感测元件112传输的制程参数，PLC控制单元120传输制程参数至资料处理单元130。
人机介面单元140信号连接资料处理单元130，人机介面单元140用以显示使用者介面，并供使用者输入所需配方参数至资料处理单元130。配方参数例如为蚀刻药水、压力、设定温度、基板厚度、传送速度、蚀刻时间、侦测指定时间、取样时间等参数，其中蚀刻时间包含一连续的一第一时间区间与一第二时间区间，取样时间与侦测指定时间界定在第二时间区间，可端视实际机台与制程所需来调整配方参数的项目。资料库单元150信号连接资料处理单元130，资料库单元150用以储存并提取资料库参数至资料处理单元130。
资料处理单元130用以接收一设定参数，设定参数包括一配方参数与一资料库参数，其中配方参数接收自人机介面单元140，资料库参数接收自资料库单元150。
详细而言，资料处理单元130包括一资料收集模组(资料收集模块)132、一杂讯滤波模组(噪声滤波模块)134、一判断演算模组(判断演算模块)136以及一信号控制模组(信号控制模块)138，资料收集模组132信号连接杂讯滤波模组134，杂讯滤波模组134信号连接判断演算模组136，判断演算模组136信号连接信号控制模组138。
资料收集模组132信号连接PLC控制单元120，在蚀刻时间中的一侦测指定时间内，资料收集模组132用以接收自PLC控制单元120所传输的制程参数。杂讯滤波模组134依据制程参数与资料库参数以产生一最终信号曲线，判断演算模组136依据最终信号曲线与资料库参数以产生相对应的制程参数的特征码，依据制程参数的特征码，搜寻资料库单元150中相似的设定参数，搜寻到相似的设定参数后可由资料库单元150提取相对应的特征码，所述相对应的特征码有对应的蚀刻延长时间，借此决定制程补偿时间。
若达蚀刻时间内的侦测指定时间，判断演算模组136将演算后的制程补偿时间指令传输至信号控制模组138，信号控制模组138用以更新制程参数的特征码至资料库单元150中的资料库参数，且信号控制模组138用以传输制程补偿时间指令至PLC控制单元120，PLC控制单元120用以控制制程单元110，使该制程单元110延长该所需补偿时间。
举例而言，在蚀刻时间内制程单元110制成基板，蚀刻时间例如设定在120秒，其中第一时间区间为40秒，第二时间区间为80秒，在第一时间区间内制成基板后，在第二时间区间内指定侦测指定时间为77秒。据此，制程单元制成基板经过40秒后，在77秒之前，光感测元件112侦测基板的透光率，并传输制程参数至PLC控制单元120。PLC控制单元120传输制程参数至资料处理单元130。
若达侦测指定时间的77秒，资料处理单元130中的判断演算模组136处理制程参数来决定制程补偿时间，资料处理单元130中信号控制模组138用以传输制程补偿时间至PLC控制单元120，通过PLC控制单元120控制制程单元110的制程补偿时间，以回授制程单元110所需补偿时间，使得在120秒的蚀刻时间之内，能在77秒的侦测指定时间内接收并补偿后续所需蚀刻补偿时间，以对基板蚀刻时间进行动态改善。此外，信号控制模组138更新制程参数的特征码至资料库单元150中的资料库参数。
图2为本发明的制程监控方法的流程图。图3为图2中接收设定参数的流程图。图4为图3中处理配方参数的流程图。图5为图2中于蚀刻时间中的侦测指定时间内接收制程参数的流程图。图6为图5中接收透光率数值的流程图。图7为图2中处理制程参数的流程图。图8为图2中判断制程补偿时间的流程图。本实施例的制程监控方法S100可用于如图1所示制程监控系统100。制程监控方法S100包括以下步骤S110～S150。
请先参阅图2，首先，进行步骤S110，接收一设定参数。以图1而言，资料处理单元130用以接收设定参数。步骤S110可包括以下步骤S112～步骤S116，请参阅图3，进行步骤S112，接收配方参数。以图1而言，配方参数是资料处理单元130中的资料收集模组132接收自人机介面单元140，例如为蚀刻药水、压力、设定温度、基板厚度、传送速度、蚀刻时间、侦测指定时间、取样时间等参数，其中蚀刻时间包含一连续的一第一时间区间与一第二时间区间，取样时间与侦测指定时间界定在蚀刻时间中的第二时间区间，可端视实际机台与制程所需来调整配方参数的项目。
接着，进行步骤S114，处理配方参数，以产生相应的一基准特征曲线，详细而言，请参阅图4，步骤S114包括以下步骤S1142～步骤S1148，进行步骤S1142，将配方参数转换成相应的配方特征码，以图1而言，资料收集模组132传输配方参数至杂讯滤波模组134，杂讯滤波模组134依据配方参数转换成相应的配方特征码。接着，进行步骤S1144，依据配方特征码，搜寻资料库参数中相应的特征码，以图1而言，杂讯滤波模组134依据配方特征码，搜寻资料库单元150中资料库参数是否有相应的特征码。
接着，进行步骤S1146，若无资料库参数中相应的特征码，将配方特征码更新至资料库参数，以图1而言，此时若资料库单元150并无相应的特征码，这个配方特征码可能为最新制程，故杂讯滤波模组134便能将此配方特征码更新至资料库单元150。反之，进行步骤S1148，若有资料库参数中相应的特征码，依据资料库参数中相应的特征码，以取得相对应的基准特征曲线。因此，杂讯滤波模组134若搜寻到资料库单元150中符合配方特征码相应的特征码，便能取得相对应的基准特征曲线。
经由上述步骤S1142～步骤S1148取得基准特征曲线后，请复参阅图3，接着进行步骤S116，界定制程取样范围，其中每隔取样时间内在基准特征曲线上界定制程取样范围。举例而言，取样时间例如为0.5秒，故每隔0.5秒，在基准特征曲线上界定出所需的制程取样范围。
请复参阅图2，接着进行步骤S120，于蚀刻时间中的一侦测指定时间内接收一制程参数，其中制程参数产生自光感测元件。详细而言，请参阅图5，步骤S120包括以下步骤S122～步骤S126，进行步骤S122，依据配方参数，于第二时间区间制成基板，其中设定参数包含一已制程参数，已制程参数产生在第一时间区间内，以图1而言，制程单元110在第一时间区间内制成基板后，产生已制程参数，PLC控制单元120能接收自制程单元110传输的已制程参数，资料收集模组132能接收自PLC控制单元120传输的已制程参数，资料收集模组132将已制程参数传输至杂讯滤波模组134，杂讯滤波模组134依据已制程参数转换成相应的已制程特征码，依据已制程特征码，搜寻资料库单元150中相似的特征码。
接着进行步骤S124，侦测基板的透光率以获得透光率数值。以图1而言，制程单元110继续在第二时间区间内制成基板，于此同时，制程单元110中的光感测元件112于侦测指定时间内侦测基板的透光率以获得透光率数值，借由透光率数值可以分析计算基板被蚀刻的膜厚程度。
接着，进行步骤S126，接收透光率数值，以获得制程参数。详细而言，请参阅图6，步骤S126包括以下步骤S1262～步骤S1266，进行步骤S1262，设定数个接收区间。接着，进行步骤S1264，接收数个光感测元件所传输的透光率数值，以图1而言，光感测元件112的数量例如为3个，这三个光感测元件112分别传输透光率数值至PLC控制单元120，资料收集模组132接收三个光感测元件112相对应的透光率数值并存取。
接着，进行步骤S1266，将符合各接收区间的透光率数值结合成相对应的制程参数。举例而言，由于每个光感测元件112传输的时间不尽相同，进而使资料收集模组132接收相对应的透光率数值时间也不尽相同，因此，通过步骤S1262至步骤S1266将一接收区间内的透光率数值结构成相对应的制程参数，如此可以使得三个光感测元件112的制程参数同步发送至信号滤波模组134，借此降低因光感测元件112通讯时间上的落差，也可避免造成量测同一时间点资料的时间误差，更可降低后续分析计算上的错误率。
在上述步骤S120接收制程参数后，请复参阅图2，接着进行步骤S130，于侦测指定时间中每隔取样时间内处理制程参数，在制程取样范围内以产生相应的制程参数的特征码。详细而言，请参阅图7，步骤S130包括以下步骤S131～步骤S137，进行步骤S131，于每隔取样时间内接收制程参数，以图1而言，取样时间例如为0.5秒，故每隔0.5秒信号滤波模组134接收自资料收集模组132传输的制程参数。
接着，进行步骤S132，产生一制程特征码，其中制程特征码系产生自制程参数。以图1而言，信号滤波模组134将制程参数转换成相对应的制程特征码，制程特征码例如有多项式函数值、斜率、总积分或差值并具有相对应的权重值，制程特征码可依据实际应用与演算需求而可定，本实施例不对此加以限制。
接着，进行步骤S133，依据制程特征码，搜寻资料库参数中相似的一特征码。以图1而言，信号滤波模组134依据制程参数转换的制程特征码，搜寻资料库单元150的资料库参数中是否有相似的特征码。接着，若无资料库参数中相应的特征码，进行步骤S134，将制程特征码更新至资料库参数。反之，若有资料库参数中相应的特征码，进行步骤S135，产生数个分类信号曲线。
以图1而言，若资料库单元150内资料库参数并无相应的特征码，将制程特征码更新至资料库单元150内资料库参数，反之，若资料库单元150内资料库参数有相应的特征码，依据特征码可产生分类信号曲线，分类信号曲线的数量可依据实际资料收取而决定。
接着进行步骤S136，获得一最终信号曲线，最终信号曲线系平均自符合制程取样范围内的数个分类信号曲线。以图1而言，信号滤波模组134依据前述步骤S116所界定制程取样范围，撷取符合在制程取样范围内的分类信号曲线，此举可类似于滤波过程，以滤除光感测元件112因污染、湿气、反射等因素所侦测到的杂讯，以提升收取资料的品质，降低后续分析计算上的判断失误机率。撷取符合在制程取样范围内的分类信号曲线后，平均这些分类信号曲线以获得最终信号曲线。
接着进行步骤S137，产生制程参数的特征码，其中制程参数的特征码系产生自最终信号曲线。以图1而言，信号滤波模组134将最终信号曲线转换成相对应的制程参数的特征码，信号滤波模组134将制程参数的特征码分别传输至资料库单元150以及判断演算模组136。
获得制程参数的特征码后，请复参阅图2，接着进行步骤S140，判断制程补偿时间，依据制程参数的特征码，搜寻相似的设定参数，以决定蚀刻时间的一制程补偿时间。详细而言，请参阅图8，步骤S140包括以下步骤S141～步骤S145，进行步骤S141，判断是否到达侦测指定时间。接着进行步骤S142，若达侦测指定时间，执行判断制程补偿时间的步骤，传输制程补偿时间。
以图1而言，若达侦测指定时间的77秒，判断演算模组136处理制程参数来决定制程补偿时间，判断演算模组136依据制程参数的特征码，搜寻资料库单元150中相似之设定参数，以决定制程补偿时间。举例而言，制程参数的特征码经搜寻后，找到相似的设定参数后可由资料库单元150中提取相对应的特征码，所述相对应的特征码是有对应的蚀刻延长时间，故可由相对应的特征码计算并回授补偿多久时间，判断演算模组136将制程补偿时间传输至信号控制模组138，信号控制模组138将制程补偿时间指令传输至PLC控制单元120，PLC控制单元120传输制程补偿时间指令至制程单元110。因此，本实施例通过上述步骤S140，可以在蚀刻时间之内的侦测指定时间回授至制程单元110所需蚀刻补偿时间，以对基板蚀刻时间进行动态改善，而不是在基板蚀刻过后才进行分析。此外，通过产生制程参数的特征码的方式，来比对资料库单元150中特征码，可减少资料量并加速后续搜寻时间。接着如图2所示进行步骤S150，更新制程参数的特征码至资料库参数，据此，信号控制模组138更新制程参数的特征码至资料库单元150中的资料库参数。
此外，若判断演算模组136经上述步骤S140判断不需要制程补偿时间，判断演算模组136会传输移出基板的指令至信号控制模组138，信号控制模组138传输移出基板的指令至PLC控制单元，PLC控制单元接收信号控制模组138传输的移出基板的指令，PLC控制单元将移出基板的指令传输至制程单元110，制程单元110接收移出基板的指令后，将基板移出。
请复参阅图8，若未达侦测指定时间，进行步骤S143，判断是否在取样时间范围内。若未达取样时间范围内，进行步骤S144，执行步骤S110设定参数中接收配方参数的步骤S112，若达取样时间范围内，进行步骤S145，执行步骤S120接收制程参数中侦测基板的透光率的步骤S124。
综上所述，在本发明的制程监控方法与制程监控系统，在蚀刻时间中的侦测指定时间内分析处理所侦测的制程参数，来决定是否要对蚀刻时间进行制程补偿时间，对基板蚀刻时间进行动态改善。
再者，本发明透过撷取符合在制程取样范围内的分类信号曲线，此举可类似于滤波过程，以滤除光感测元件因污染、湿气、反射等因素所侦测到的杂讯，以提升收取资料的品质，降低后续计算上的判断失误机率。
此外，本发明透过将不同光感测元件的制程参数同步发送，借此降低因光感测元件通讯时间上的落差，也可避免造成量测同一时间点资料的时间误差，更可降低后续计算上的错误率。
以上所述，乃仅记载本发明为呈现解决问题所采用的技术手段的较佳实施方式或实施例而已，并非用来限定本发明专利实施的范围。即凡与本发明权利要求文义相符，或依本发明专利范围所做的均等变化与修饰，皆为本发明专利范围所涵盖。
Claims (15)
1.一种制程监控方法，其特征在于，其包括以下步骤：
接收一设定参数，其中该设定参数包括一配方参数与一资料库参数，该配方参数包含一蚀刻时间；
于该蚀刻时间中的一侦测指定时间内接收一制程参数，其中该制程参数产生自光感测元件；
于该侦测指定时间中每隔一取样时间内处理该制程参数，在一制程取样范围内以产生相应的该制程参数的特征码；
判断制程补偿时间，依据该制程参数的特征码，搜寻相似的该设定参数，以决定该蚀刻时间的一制程补偿时间；以及
更新该制程参数的特征码至该资料库参数。
2.如权利要求1所述的制程监控方法，其特征在于，接收该设定参数的步骤中，包括以下步骤：
接收该配方参数；
处理该配方参数，以产生相应的一基准特征曲线；以及
界定该制程取样范围，其中每隔该取样时间内在该基准特征曲线上界定该制程取样范围。
3.如权利要求2所述的制程监控方法，其特征在于，处理该配方参数的步骤中，包括以下步骤：
将该配方参数转换成相应的配方特征码；
依据该配方特征码，搜寻该资料库参数中相应的特征码；
若无该资料库参数中相应的特征码，将该配方特征码更新至该资料库参数；以及
若有该资料库参数中相应的特征码，依据该资料库参数中相应的特征码，以取得相对应的该基准特征曲线。
4.如权利要求1所述的制程监控方法，其特征在于，该蚀刻时间包含一连续的一第一时间区间与一第二时间区间，于该蚀刻时间中的该侦测指定时间内接收该制程参数的步骤，包括以下步骤：
依据该配方参数，于该第二时间区间制成基板，其中该设定参数包含一已制程参数，该已制程参数系产生在该第一时间区间内；以及
侦测该基板的透光率以获得透光率数值；
接收该透光率数值，以获得该制程参数。
5.如权利要求4所述的制程监控方法，其特征在于，接收该透光率数值的步骤，包括以下步骤：
设定数个接收区间；
接收数个光感测元件所传输的该透光率数值；以及
将符合各该接收区间的该透光率数值结合成相对应的该制程参数。
6.如权利要求1所述的制程监控方法，其特征在于，于该侦测指定时间中每隔该取样时间内处理该制程参数的步骤，包括以下步骤：
于每隔该取样时间内接收该制程参数；
产生一制程特征码，其中该制程特征码系产生自该制程参数；
依据该制程特征码，搜寻该资料库参数中相似之一特征码；
若无该资料库参数中相应的特征码，将该制程特征码更新至该资料库参数；
若有该资料库参数中相应的特征码，产生数个分类信号曲线，其中该数个分类信号曲线产生自该特征码；
获得一最终信号曲线，其中该最终信号曲线平均自符合该制程取样范围内的该数个分类信号曲线；
产生该制程参数的特征码，其中该制程参数的特征码产生自该最终信号曲线。
7.如权利要求1所述的制程监控方法，其特征在于，判断制程补偿时间的步骤，包括以下步骤：
判断是否到达该侦测指定时间；
若达该侦测指定时间，执行判断制程补偿时间的步骤，传输该制程补偿时间；
若未到达该侦测指定时间，判断是否到达该取样时间范围内；
若未达该取样时间范围内，执行接收该设定参数的步骤；以及
若达该取样时间，执行接收该制程参数的步骤。
8.一种制程监控系统，其特征在于，其包括：
一资料处理单元，用以接收一设定参数，该设定参数包括一配方参数与一资料库参数，该配方参数包括一蚀刻时间；
一制程单元，用以传输一制程参数；以及
一PLC控制单元，信号连接该制程单元与该资料处理单元，该PLC控制单元接收该制程参数，且该PLC控制单元传输该制程参数至该资料处理单元，其中在该蚀刻时间中的一侦测指定时间内，该资料处理单元处理该制程参数以产生相应的该制程参数的特征码，该资料处理单元依据该制程参数的特征码，搜寻相似的该设定参数，以决定该蚀刻时间的一制程补偿时间指令，该资料处理单元传输该制程补偿时间指令至该PLC控制单元，且该PLC控制单元控制该制程单元的该制程补偿时间。
9.如权利要求8所述的制程监控系统，其特征在于，其还包括：
一资料库单元，信号连接该资料处理单元，该资料库单元用以储存并提取该资料库参数至该资料处理单元。
10.如权利要求9所述的制程监控系统，其特征在于，该资料处理单元包括一杂讯滤波模组，该杂讯滤波模组信号连接该资料库单元，该杂讯滤波模组依据该制程参数与该资料库参数以产生一最终信号曲线。
11.如权利要求10所述的制程监控系统，其特征在于，该资料处理单元包括一判断演算模组，该判断演算模组信号连接于该杂讯滤波模组与该资料库单元，该判断演算模组依据该最终信号曲线与该资料库参数以产生相对应的该制程参数的特征码。
12.如权利要求11所述的制程监控系统，其特征在于，该资料处理单元包括一信号控制模组，该信号控制模组信号连接该资料库单元与该PLC控制单元，该判断演算模组用以将制程补偿时间指令传输至该信号控制模组，若达该蚀刻时间内的该侦测指定时间，该信号控制模组用以传输该制程补偿时间指令至该PLC控制单元，且该信号控制模组更新该制程参数的特征码至该资料库单元中的该资料库参数。
13.如权利要求10所述的制程监控系统，其特征在于，该资料处理单元包括一资料收集模组，该PLC控制单元信号连接该资料收集模组，该PLC控制单元传输该制程参数至该资料收集模组，该资料收集模组信号连接该杂讯滤波模组，该资料收集模组传输该制程参数至该杂讯滤波模组。
14.如权利要求8所述的制程监控系统，其特征在于，该PLC控制单元传输该制程参数至该资料处理单元，该制程单元包括数个光感测元件，该制程参数产生自该数个光感测元件，该数个光感测元件用以侦测基板的透光率。
15.如权利要求8所述的制程监控系统，其特征在于，其还包括：
一人机介面单元，信号连接该资料处理单元，该人机介面单元用以供使用者输入该配方参数至该资料处理单元。
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