CN109143441A - 光学层叠体的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于，提供一种光学层叠体的制造方法，该方法会减少制造工序中产生的来自于构成光学层叠体的材料的异物在制造现场的残留量。本发明提供一种光学层叠体的制造方法，是制造具备光学膜(1)和由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、且将所述聚合物层(2)夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)与所述光学膜(1)层叠而成的光学层叠体(4)的方法。

Description

光学层叠体的制造方法

技术领域

本发明涉及一种光学层叠体的制造方法。

背景技术

以往，在光学领域中所用的各种聚合物膜的制造中，作为生产效率好的量产方式，广泛地采用可以使用卷绕成卷筒状的带状的基材、进行连续的加工至最终产品的所谓卷对卷(Roll to Roll)方式。例如，专利文献1中记载有一边运送长尺寸的聚合物膜一边沿长度方向拉伸而制造光学膜的方法。另外，专利文献2及3中记载有在利用卷对卷方式运送的膜上形成硬涂层、金属膜的方法。在这些方法中记载，以防止对膜、或形成于膜上的层或膜的损伤等为目的，包含以使运送中的膜的带电量为给定的值以下的方式进行除静电的工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017－39291号公报

专利文献2：日本特开2015－196322号公报

专利文献3：日本特开2014－214365号公报

发明内容

发明所要解决的问题

椭圆偏振板等光学层叠体可以通过将相位差膜、偏振膜等各种光学膜层叠而制造。对于此种光学领域中所用的光学层叠体的制造，为了防止异物的混入，通常在悬浮于空气中的异物少的洁净室内进行。然而，在光学膜的层叠工序中会有光学膜的端部等剥离的情况，剥离了的膜片成为异物而附着于所得的光学层叠体的外表面，由此在所得的光学层叠体中产生缺陷，而且剥离了的膜片等异物残留于洁净室内，由此有可能因残留的异物而在其后制造的光学层叠体中产生连续的缺陷。

因此，在光学层叠体的制造工序中，除了需要防止由异物造成的制造中的光学层叠体自身的损伤以外，还需要尽可能减少洁净室内的异物的残留量。另一方面，伴随着近年的图像显示装置的薄型化，开发出包含通过将聚合性液晶化合物涂布于基材或取向膜上、并在取向状态下使之固化而得的液晶固化膜的相位差膜等光学膜。发现在此种包含液晶固化膜的光学膜中，特别容易因液晶固化膜的端部剥落而产生异物。

因而，本发明的目的在于，提供一种光学层叠体的制造方法，该方法会减少在制造工序中产生的来自于构成光学层叠体的材料的异物在制造现场的残留量。

用于解决问题的方法

本发明提供以下的适合的方式。

[1]一种光学层叠体的制造方法，是制造具备光学膜(1)和由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、并将所述聚合物层(2)夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)与所述光学膜(1)层叠而成的光学层叠体(4)的方法，

该方法包括：

带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)，将具备长尺寸的基材膜(5)和层叠于所述基材膜(5)上的所述聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边沿长度方向运送；

贴合工序(B)，对利用所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)运送的所述带有基材膜的聚合物层(6)，在所述聚合物层(2)侧夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合长尺寸的光学膜(1)，得到具备长尺寸的基材膜(5)、所述聚合物层(2)、和夹隔着所述粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)；以及

剥离工序(C)，从所述贴合工序(B)中得到的带有基材膜的光学层叠体(7)剥离所述基材膜(5)而得到所述光学层叠体(4)，

并且包括基材膜除静电运送工序(D)，将所述剥离工序(C)中被剥离后的所述基材膜(5)一边除静电一边沿长度方向运送，

所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)中的除静电后的所述带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下，或者所述基材膜除静电运送工序(D)中的除静电后的所述基材膜(5)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。

[2]根据所述[1]中记载的制造方法，其中，在所述带有基材膜的聚合物层(6)中，所述聚合物层(2)遍及该聚合物层(2)的宽度方向的整体地设于所述基材膜(5)上，所述基材膜(5)的宽度大于所述聚合物层(2)的宽度。

[3]根据所述[1]或[2]中记载的制造方法，其中，在所述带有基材膜的聚合物层(6)中，在所述基材膜(5)上夹隔着取向层(8)层叠所述聚合物层(2)，所述取向层(8)遍及宽度方向的整体地层叠于所述基材膜(5)上，所述基材膜(5)的宽度大于所述取向层(8)的宽度。

[4]根据所述[1]～[3]中任一项记载的制造方法，其中，在所述带有基材膜的光学层叠体(7)中，所述聚合物层(2)的宽度大于所述粘合剂或粘接剂层(3)的宽度。

[5]根据所述[1]～[4]中任一项记载的制造方法，其中，在所述带有基材膜的光学层叠体(7)中，在所述基材膜(5)上夹隔着取向层(8)层叠所述聚合物层(2)，所述取向层(8)的宽度大于所述粘合剂或粘接剂层(3)的宽度。

[6]一种带有基材膜的聚合物层的运送方法，是将具备长尺寸的基材膜(5)和层叠于所述基材膜(5)上的由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边沿长度方向运送的方法，

除静电后的所述带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。

[7]一种带有基材膜的光学层叠体的制造方法，是制造具备长尺寸的基材膜(5)、由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、和夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)的方法，

该方法包括：

带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)，将具备所述长尺寸的基材膜(5)和层叠于该基材膜(5)上的所述聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边沿长度方向运送；以及

工序(B)，对利用所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)运送的所述带有基材膜的聚合物层(6)，在所述聚合物层(2)侧夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合长尺寸的光学膜(1)，得到具备长尺寸的基材膜(5)、所述聚合物层(2)、和夹隔着所述粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)，

所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)中的除静电后的所述带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。

[8]一种光学层叠体的制造方法，是制造具备长尺寸的光学膜(1)和由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、且所述聚合物层(2)被夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)与所述光学膜(1)层叠的光学层叠体(4)的方法，

该方法具备剥离工序(C)，从具备长尺寸的基材膜(5)、所述聚合物层(2)、和夹隔着所述粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)剥离所述基材膜(5)而得到所述光学层叠体(4)，

并且具备基材膜除静电运送工序(D)，将所述剥离工序(C)中被剥离后的所述基材膜(5)一边除静电一边沿长度方向运送，

所述基材膜除静电运送工序(D)中的除静电后的所述基材膜(5)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。

发明效果

根据本发明，可以提供一种减少在制造工序中产生的来自于构成光学层叠体的材料的异物在制造现场的残留量的光学层叠体的制造方法。

附图说明

图1是用于说明本发明的光学层叠体的制造方法的一个实施方式的示意图。

图2是表示利用本发明的光学层叠体的制造方法制造的光学层叠体的层构成的一例的示意性剖视图。

图3是表示本发明的光学层叠体的制造方法中所用的带有基材膜的聚合物层的层构成的一例的示意性剖视图。

图4是表示本发明的光学层叠体的制造方法中所用的带有基材膜的光学层叠体的层构成的一例的示意性剖视图。

图5是将作为本发明的光学层叠体的制造方法中所用的一个实施方式的带有基材膜的聚合物层沿着宽度方向切割时的示意性剖视图。

图6是将作为本发明的光学层叠体的制造方法中所用的一个实施方式的带有基材膜的聚合物层沿着宽度方向切割时的示意性剖视图。

图7是将作为本发明的光学层叠体的制造方法中所用的一个实施方式的带有基材膜的光学层叠体沿着宽度方向切割时的示意性剖视图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。需要说明的是，本发明的范围并不限定于此处说明的实施方式，可以在不损害本发明的主旨的范围中进行各种变更。

＜光学层叠体的制造方法＞

本发明涉及一种光学层叠体的制造方法，该光学层叠体具备夹隔着粘合剂或粘接剂层层叠的光学膜及由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层。例如，如果依照表示利用本发明的光学层叠体的制造方法得到的代表性的光学层叠体的层构成的一例的图2进行说明，则可以利用本发明的光学层叠体的制造方法，制造包含在光学膜(1)的一面夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)层叠的由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)(以下也简称为“聚合物层(2)”)的光学层叠体(4)。光学层叠体(4)也可以在聚合物层(2)的与粘合剂或粘接剂层(3)相反一侧的面具有取向层(8)。

图1是说明本发明的光学层叠体的制造方法的代表性的一个实施方式的示意图。以下，依照图1，对本发明的光学层叠体的制造方法进行说明。

本发明的光学层叠体的制造方法包括带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)(以下也简称为“工序(A)”)，将具备长尺寸的基材膜(5)和层叠于所述基材膜(5)上的聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)(图3)一边除静电一边沿长度方向运送。本发明的一个实施方式中，长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)在卷绕在卷出辊上的状态下用于工序(A)中，在卷出辊1(11)上卷绕成卷筒状的带有基材膜的聚合物层(6)被从卷出辊1(11)中连续地送出，由运送用辊(12)沿长度方向连续地运送。

本发明中，基材膜(5)只要是由最终能够从层叠于该基材膜上的聚合物层(2)或取向层(8)剥离的材料形成的膜，就没有特别限制。作为基材膜(5)，可以使用光学膜中所用的公知的材料，优选由树脂基材形成的长尺寸的膜卷筒。作为构成由树脂基材形成的基材膜(5)的树脂，例如可以举出聚乙烯、聚丙烯、降冰片烯系聚合物等聚烯烃；聚乙烯醇；聚对苯二甲酸乙二醇酯；聚甲基丙烯酸酯；聚丙烯酸酯；纤维素酯；聚萘二甲酸乙二醇酯；聚碳酸酯；聚砜；聚醚砜；聚醚酮；聚苯硫醚；以及聚苯醚等。

此种由树脂基材形成的基材膜一般为具有容易带电的性质的带电性的树脂基材膜，例如在卷绕成卷筒状的带有基材膜的聚合物层(6)从卷出辊1(11)中送出而运送时因带有基材膜的聚合物层(6)之间剥离，另外，因被送出的带有基材膜的聚合物层(6)与运送用辊(12)接触、剥离，而使运送中的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量变高。例如，在带有基材膜的聚合物层(6)作为基材膜(5)包含树脂基材的情况下，被送出后的带有基材膜的聚合物层(6)在未进行除静电的情况下具有绝对值大于7kV的带电量。在此种具有高带电量的状态下制造光学层叠体不仅有可能对操作者产生危险、对所用的机械等带来不佳状况，还会因存在于空气中的灰土、飞尘等附着、卷入制造中的层叠体上而成为在所得的光学层叠体中产生缺陷的原因。因此，本发明中，从卷出辊1(11)送出的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边被沿长度方向连续地运送。

工序(A)中，优选以使除静电后的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下的方式除静电。如果带电量为所述下限值以上，则带有基材膜的聚合物层(6)在被运送的过程中因构成带有基材膜的聚合物层(6)的材料、特别是聚合物层(2)或取向层(8)等的端部剥落而产生的异物容易附着于基材膜(5)上，另外，由于差点要脱落的端部容易因带电所致的吸附没有脱落而留在基材膜(5)上，因此可以在其后的工序中与被剥离的基材膜(5)一起将异物从制造现场(洁净室)(20)排出。由此，就可以减少制造现场的来自于构成带有基材膜的聚合物层(6)的材料的异物的残留量。

以往，从防止空气中的灰土、飞尘的附着、防止异常放电的观点出发，认为利用卷对卷方式运送的膜的带电量越低越好(理想的情况为0kV)(例如上述专利文献等)。然而，在像本发明那样的含有由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层、取向层等的光学层叠体的制造方法中，在使带电量尽可能接近0kV的情况下，存在于空气中的灰土、飞尘等难以附着于制造中的层叠体(膜)上，而另一方面，主要在制造工序中产生的来自于构成作为目标的光学层叠体自身的材料而产生的异物也难以吸附。此种异物残留于制造现场内，有可能在其后制造的光学层叠体中产生连续的缺陷。本发明中，从使此种来自于构成光学层叠体的材料而产生的异物更加有效地吸附于基材膜(5)上、减少异物在制造现场内的残留量的观点出发，工序(A)中的除静电后的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值的下限值更优选为0.03kV以上，进一步优选为0.05kV以上，特别优选为0.07kV以上。此外工序(A)中的除静电后的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量(绝对值)优选维持在上述下限值以上，更优选维持在0.5kV以上，特别优选维持在1.0kV以上。

另外，从防止异常放电、安全性等观点出发，工序(A)中的除静电后的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值的上限值更优选为5kV以下，进一步优选为3kV以下，特别优选为1kV以下。

带有基材膜的聚合物层(6)的带电量例如可以通过使用公知的除静电装置等来控制。作为除静电装置，例如可以举出产生离子风的离子风除静电装置、利用紫外线或软X射线的光照射式除静电装置、自放电式除静电装置、除静电刷、除静电绳、接地(earth)等，只要与所用的卷对卷的设备等匹配地适当选择即可。除静电装置可以仅使用1种，也可以组合使用多种。本发明中，作为除静电装置，由于可以迅速并且可靠地进行除静电，因此优选离子风除静电装置及光照射式除静电装置。根据本发明，即使在使用了离子风除静电装置的情况下，也可以抑制剥离了的膜片的由离子风造成的飞散，因此更优选利用离子风除静电装置。在使用离子风除静电装置的情况下，优选以使离子风打到带有基材膜的聚合物层(6)的基材膜(5)侧的方式将离子风除静电装置沿着运送路径设置。

工序(A)中，优选以遍及运送中的带有基材膜的聚合物层(6)的全长地使其带电量维持上述范围的方式进行控制。因此，优选在刚刚从卷出辊1(11)送出带有基材膜的聚合物层(6)后设置除静电装置(13)，例如，为了可以控制与容易因摩擦而使带电量变高的运送用辊(12)接触后的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量，优选设于运送用辊(12)的下游侧等，沿着带有基材膜的聚合物层(6)的运送路径适当地设置除静电装置，由此来控制运送中的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量。另外，对于除静电后的带有基材膜的聚合物层(6)，为了可以维持上述的带电量(绝对值)的下限值，也可以不使之接地(earth)地运送，只要基材膜是带电性的树脂基材膜，就可以不进行进一步的除静电地直接运送。

需要说明的是，带有基材膜的聚合物层(6)的带电量可以通过在除静电装置的下游区域设置表面电位(电场)测试仪等带电量测定装置来测定。

本发明的光学层叠体的制造方法包括贴合工序(B)(以下也简称为“工序(B)”)，对利用所述工序(A)运送的带有基材膜的聚合物层(6)，在聚合物层(2)侧夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合长尺寸的光学膜(1)，得到具备长尺寸的基材膜(5)、聚合物层(2)、和夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合在该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)(图4)。

本发明的一个实施方式中，工序(B)中，在构成利用工序(A)连续地运送的带有基材膜的聚合物层(6)的聚合物层(2)的与基材膜(5)侧相反一侧的面，一边运送该带有基材膜的聚合物层(6)一边连续地设置粘合剂或粘接剂层(3)。粘合剂或粘合剂层(3)例如可以通过涂布粘合剂或粘接剂(3’)来设置。粘合剂或粘接剂的涂布可以利用通常的方法，例如将用溶剂稀释了的粘接剂、或者未稀释的粘接剂利用凹版涂布机、模涂机等涂布的方法来进行。工序(B)中，粘合剂或粘接剂只要涂布在与构成带有基材膜的聚合物层(6)的基材膜(5)相反一侧的层的最外面(例如图3中为聚合物层(2)侧)即可，然而也可以涂布在贴合于带有基材膜的聚合物层(6)上的光学膜(1)侧。然后，一边运送涂布有粘合剂或粘接剂的带有基材膜的聚合物层(6)，一边在带有基材膜的聚合物层(6)的聚合物层(2)侧重叠从卷出辊2(14)连续地送出的光学膜(1)，利用夹持辊(15)压接，由此可以连续地得到包含夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合于带有基材膜的聚合物层(6)上的光学膜(1)的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)。

在聚合物层(2)上或光学膜(1)上形成粘合剂或粘接剂层(3)时，可以以与聚合物层(2)的宽度相同的宽度涂布粘合剂或粘接剂(3’)，然而由于在使粘合剂或粘接剂层(3)与聚合物层(2)压接时，粘合剂或粘接剂不易向层叠体的侧面渗出，漂亮地完成所得的光学层叠体，因此优选以小于聚合物层(2)的宽度的宽度涂布粘合剂或粘接剂，在所得的带有基材膜的光学层叠体(7)中聚合物层(2)的宽度大于粘合剂或粘接剂层(3)的宽度。

为了能够将工序(A)中附着于基材膜(5)上的异物向制造现场(洁净室)外可靠地排出，另外，为了使在工序(B)中可能新产生的来自于带有基材膜的光学层叠体(7)的构成材料的异物附着于基材膜(5)上，向制造现场(洁净室)外排出，则在工序(B)中，优选将被运送的带有基材膜的聚合物层(6)及带有基材膜的光学层叠体(7)的带电量的绝对值控制为0.01kV以上且6kV以下，更优选为0.03kV以上且5kV以下，进一步优选为0.05kV以上且3kV以下，特别优选为0.07kV以上。此外优选将工序(B)中被运送的带有基材膜的聚合物层(6)及带有基材膜的光学层叠体(7)的带电量(绝对值)维持在上述下限值以上，更优选维持在0.5kV以上，特别优选维持在1.0kV以上。工序(B)中的带有基材膜的聚合物层(6)及带有基材膜的光学层叠体(7)的带电量可以利用与工序(A)的方法相同的方法控制。优选遍及工序(B)的全部区域，将带有基材膜的聚合物层(6)及带有基材膜的光学层叠体(7)的带电量控制并且维持在上述范围。另外，为了可以维持上述带电量(绝对值)的下限值，也可以不使除静电后的带有基材膜的聚合物层(6)及带有基材膜的光学层叠体(7)接地地运送，只要基材膜为带电性的树脂基材膜，则也可以不进行进一步的除静电地直接运送。

此外，本发明的光学层叠体的制造方法包括剥离工序(C)(以下、也简称为“工序(C)”)，从工序(B)中得到的带有基材膜的光学层叠体(7)剥离基材膜(5)，得到光学层叠体(4)，并且还包括基材膜除静电运送工序(D)(以下也简称为“工序(D)”)，将工序(C)中剥离后的基材膜(5)一边除静电一边沿长度方向运送。为了将附着于基材膜(5)上的异物与基材膜(5)一起向制造现场(洁净室)外排出，通常同时地进行工序(C)和工序(D)。通过一边在工序(C)中从层叠体剥离基材膜(5)，一边在工序(D)中将剥离后的基材膜(5)的带电量控制在特定的范围，就能够使异物附着于基材膜(5)上不变地向制造现场(洁净室)外排出。

本发明的一个实施方式中，通过将工序(B)中得到的带有基材膜的光学层叠体(7)使基材膜(5)侧抱住剥离用辊(16)而不使光学层叠体(4)侧抱住地沿长度方向连续地运送，从带有基材膜的光学层叠体(7)连续地剥离基材膜(5)。此时，如图7所示，如果聚合物层(2)的宽度大于粘合剂或粘接剂层(3)的宽度，则在聚合物层(2)中就会存在不与粘合剂或粘接剂层(3)粘接的区域(2a)，在剥离下基材膜(5)的情况下，所述区域(2a)容易残留于基材膜(5)上。残留于基材膜(5)上的所述区域(2a)由于与基材膜(5)的密合性低，因此容易从与带有基材膜的光学层叠体(7)剥离后的基材膜(5)，作为微细的剥离片脱落。另外，在聚合物层(2)夹隔着取向层(8)层叠于基材膜(5)上的情况下，在取向层(8)与基材膜(5)的关系中，容易产生同上述聚合物层(2)与基材膜(5)的关系相同的问题。

为了防止此种从与带有基材膜的光学层叠体(7)剥离基材膜(5)，聚合物层(2)的残留区域(2a)等容易作为剥离片(异物)脱落，优选在工序(D)中，工序(C)中被剥离后的基材膜(5)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。从防止上述聚合物层(2)的残留区域(2a)的脱落、并且使工序(A)、(B)等中已经附着于基材膜(5)上的异物仍旧吸附于基材膜(5)上不变地向制造现场(洁净室)外排出、减少异物在制造现场内的残留量的观点出发，工序(D)中的剥离后的基材膜(5)的带电量的绝对值的下限值更优选为0.03kV以上，进一步优选为0.05kV以上，特别优选为0.07kV以上。此外优选将工序(D)中的剥离后的基材膜(5)的带电量(绝对值)维持在上述下限值以上，更优选维持在0.5kV以上，特别优选维持在0.6kV以上，尤其优选维持在0.7kV以上。另外，从防止异常放电、安全性等观点出发，工序(D)中的剥离后的基材膜(5)的带电量的绝对值的上限值更优选为5kV以下，进一步优选为3kV以下，特别优选为1kV以下。另外，为了可以维持上述带电量(绝对值)的下限值，也可以不使之接地地运送基材膜(5)，如果基材膜为带电性的树脂基材膜，则可以原样不变地运送。

优选工序(A)中的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量与工序(D)中的剥离后的基材膜(5)的带电量为相同程度，或工序(D)中的剥离后的基材膜(5)的带电量的绝对值大于工序(A)中的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值。如果工序(D)中的剥离后的基材膜(5)的带电量的绝对值足够大，则可以使异物附着于被剥离的基材膜(5)上不变地向制造现场(洁净室)外排出，可以有效地减少制造现场内的异物的残留量。另外，如果在工序(A)～工序(D)的全部工序中，制造中的层叠体(膜)的带电量被控制维持在0.01kV以上且6kV以下的范围，则暂时附着于基材膜(5)上的异物就很难洒落在制造现场内，与被剥离的基材膜(5)一起向制造现场外排出，因此优选。

工序(D)中，剥离后的基材膜(5)的带电量可以通过与工序(A)的方法相同地使用公知的除静电装置等来控制。为了不在制造现场内残留异物，优选在工序(D)中，剥离后的基材膜(5)的带电量直至基材膜被向制造现场(洁净室)(20)外排出为止都被控制、维持在上述范围。本发明的一个实施方式中，在工序(D)中可以将除静电装置(13)根据需要设置于剥离用辊(16)的下游侧，可以优选设置于紧后方。

另外，优选工序(D)中的剥离后的基材膜(5)的带电量的绝对值大于工序(C)中得到的光学层叠体(4)的带电量的绝对值。如果基材膜(5)的带电量大于光学层叠体(4)的带电量，则异物更容易附着于基材膜(5)上，可以降低在所得的光学层叠体(4)上附着异物而产生缺陷的可能性。本发明的一个实施方式中，相对于工序(C)中的光学层叠体(4)的带电量的绝对值，工序(D)中的剥离后的基材膜(5)的带电量的绝对值优选为0.02kV以上的大值，更优选为0.05kV以上的大值。

本发明的一个实施方式中，构成带有基材膜的聚合物层(6)或带有基材膜的光学层叠体(7)的聚合物层(2)遍及该聚合物层(2)的宽度方向整体地设于基材膜(5)上，所述基材膜(5)的宽度大于所述聚合物层(2)的宽度。该方式中，聚合物层(2)如图5所示，以在基材膜(5)的宽度方向的一端或两端存在有没有层叠聚合物层(2)的区域(5a)的方式层叠。

另外，本发明的另一个实施方式中，聚合物层(2)夹隔着取向层(8)层叠于基材膜(5)上，构成带有基材膜的聚合物层(6)或带有基材膜的光学层叠体(7)的取向层(8)遍及该取向层(8)的宽度方向整体地设于基材膜(5)上，所述基材膜(5)的宽度大于所述取向层(8)的宽度。该方式中，取向层(8)如图6所示，以在基材膜(5)的宽度方向的一端或两端存在有没有层叠取向层(8)的区域(5a)的方式层叠。在该带有基材膜的聚合物层(6)或带有基材膜的光学层叠体(7)中，聚合物层(2)通常是形成于取向层(8)上的层，因此聚合物层(2)的宽度优选与所述取向层(8)的宽度相同或更窄。

在具有此种层构成的带有基材膜的聚合物层(6)或带有基材膜的光学层叠体(7)中，在基材膜(5)与聚合物层(2)或取向层(8)的端部接触的交界(5b)附近聚合物层(2)或取向层(8)容易从基材膜(5)剥离，在制造工序中容易成为异物而产生微细的剥离片。本发明的光学层叠体的制造方法中，通过控制工序(A)、优选控制工序(A)及(B)的带有基材膜的聚合物层(6)的带电量，就可以使制造中产生的异物附着于基材膜(5)上向制造现场(洁净室)外排出，因此特别适于使用具有如上所述的层构成的带有基材膜的聚合物层(6)或带有基材膜的光学层叠体(7)的光学层叠体的制造方法。此外，通过在基材膜(5)的宽度方向的两端存在没有层叠聚合物层(2)或取向层(8)的区域(5a)，因所层叠的聚合物层(2)或取向层(8)的端部剥落而产生的微细的异物就容易附着于基材膜(5)的所述区域(5a)，从而可以期待高的减少制造现场内的异物的残留量的效果。

构成带有基材膜的聚合物层(6)及带有基材膜的光学层叠体(7)的基材膜(5)的宽度优选比层叠于该基材膜(5)上的聚合物层(2)或取向层(8)的宽度大0.5～10％，更优选大0.7～5％。

利用工序(C)得到的光学层叠体(4)可以利用位于其下游侧的卷绕辊(17)卷绕。所得的光学层叠体(4)根据需要可以通过实施狭缝加工、冲裁、切屑、端面研磨等外形加工而制成所期望的形状，同时可以除去附着于光学层叠体(4)的侧面或端部的异物。

本发明的光学层叠体的制造方法中，工序(A)及工序(B)、以及工序(C)和(D)可以分别连续地进行，也可以独立地进行。例如，本发明中，可以将工序(B)中得到的带有基材膜的光学层叠体(7)从工序(B)连续地运送到工序(C)而得到光学层叠体(4)，也可以在将工序(B)中制造的带有基材膜的光学层叠体(7)暂时卷绕在卷绕辊上后，用与工序(A)及(B)不同的生产线进行工序(C)及(D)。

因而，本发明也以利用所述工序(A)的带有基材膜的聚合物层的运送方法、包括所述工序(A)及(B)的带有基材膜的光学层叠体的制造方法、以及包括所述工序(C)及(D)的光学层叠体的制造方法为对象。以下，也将这些方法集中称作“本发明的方法”。上述运送方法及制造方法中采用的各工序的条件等可以举出与先前记载的本发明的光学层叠体的制造方法相同的条件。

通过连续地进行工序(A)～(D)，可以降低因附着于基材膜(5)上的异物卷入制造中的层叠体而产生最终得到的光学层叠体的缺陷的可能性。

本发明的方法适于作为具有端部容易剥落而产生异物的由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层、取向层的各种光学层叠体的制造方法。因而，本发明的方法只要是使用具有由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层的层叠体的方法，构成层叠体的各层的构成成分就没有特别限定，可以使用以往公知的成分及材料等。

以下，举出能够构成本发明的方法中所用的带有基材膜的聚合物层(6)及带有基材膜的光学层叠体(7)中所含的各层的成分、材料等的一例。

本发明的方法中，构成聚合物层(2)的聚合性液晶化合物没有特别限定，然而优选通过涂布于基材膜上或取向层上并取向而体现出光学各向异性的聚合性液晶化合物。此处，本发明中所谓聚合性液晶化合物，是指具有聚合性官能团、特别是光聚合性官能团的液晶化合物。所谓光聚合性官能团，是指能够利用从光聚合引发剂中产生的活性自由基、酸等参与聚合反应的基团。作为光聚合性官能团，可以举出乙烯基、乙烯氧基、1－氯乙烯基、异丙烯基、4－乙烯基苯基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、环氧乙基、氧杂环丁烷基等。其中，优选丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯氧基、环氧乙基及氧杂环丁烷基，更优选丙烯酰氧基。液晶性可以是热致性液晶也可以是溶致性液晶，然而从能够实现致密的膜厚控制这一点考虑，优选热致性液晶。另外，作为热致性液晶的相有序结构可以是向列型液晶也可以是近晶型液晶。

作为本发明的方法中所用的聚合性液晶化合物，例如可以举出具有下述式(I)的结构的化合物。

化1

式(I)中，Ar表示2价的芳香族基团，在该2价的芳香族基团中包含氮原子、氧原子、硫原子中的至少1个以上。

G¹及G²各自独立地表示2价的芳香族基团或2价的脂环式烃基。此处，该2价的芳香族基团或2价的脂环式烃基中所含的氢原子也可以被取代为卤素原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的氟烷基、碳原子数1～4的烷氧基、氰基或硝基，构成该2价的芳香族基团或2价的脂环式烃基的碳原子也可以被取代为氧原子、硫原子或氮原子。

L¹、L²、B¹及B²各自独立地为单键或二价的连接基团。

k、l各自独立地表示0～3的整数，满足1≤k+l的关系。此处，在2≤k+l的情况下，B¹及B²、G¹及G²分别可以彼此相同，也可以不同。

E¹及E²各自独立地表示碳原子数1～17的烷烃二基，此处，烷烃二基中所含的氢原子也可以由卤素原子取代，该烷烃二基中所含的－CH₂－也可以由－O－、－Si－取代。

P¹及P²各自独立地表示聚合性基团或氢原子，至少1个为聚合性基团。

G¹及G²各自独立地优选为可以由选自卤素原子及碳原子数1～4的烷基中的至少1个取代基取代的1，4－苯基、可以由选自卤素原子及碳原子数1～4的烷基中的至少1个取代基取代的1，4－环己基，更优选为由甲基取代了的1，4－苯基、未取代的1，4－苯基、或未取代的1，4－反式－环己基，特别优选为未取代的1，4－苯基、或未取代的1，4－反式－环己基。

另外，优选存在有多个的G¹及G²中的至少1个为2价的脂环式烃基，另外，更优选与L¹或L²键合的G¹及G²中的至少1个为2价的脂环式烃基。

L¹及L²各自独立地优选为单键、－O－、－CH₂CH₂－、－CH₂O－、－COO－、－OCO－、－N＝N－、－CR^a＝CR^b－、或－C≡C－。此处R^a及R^b表示碳原子数1～4的烷基或氢原子。L¹及L²各自独立地更优选为单键、－O－、－CH₂CH₂－、－COO－、或－OCO－。

B¹及B²各自独立地优选为单键、－O－、－S－、－CH₂O－、－COO－、或－OCO－，更优选为单键、－O－、－COO－、或－OCO－。

从体现逆波长分散性的观点出发，k及l优选为2≤k+l≤6的范围，更优选为k+l＝4，进一步优选为k＝2并且l＝2。如果k＝2并且l＝2，则会成为对称结构，因此优选。

E¹及E²各自独立地优选为碳原子数1～17的烷烃二基，更优选为碳原子数4～12的烷烃二基。

作为以P¹或P²表示的聚合性基团，可以举出环氧基、乙烯基、乙烯氧基、1－氯乙烯基、异丙烯基、4－乙烯基苯基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、环氧乙基、以及氧杂环丁烷基等。其中，优选丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯氧基、环氧乙基及氧杂环丁烷基，更优选丙烯酰氧基。

优选Ar具有芳香族杂环。作为该芳香族杂环，可以举出呋喃环、苯并呋喃环、吡咯环、噻吩环、吡啶环、噻唑环、苯并噻唑环、噻吩并噻唑环、噁唑环、苯并噁唑环、以及菲咯啉环等。其中，优选具有噻唑环、苯并噻唑环、或苯并呋喃环，更优选具有苯并噻唑基。另外，在Ar中包含氮原子的情况下，优选该氮原子具有π电子。

式(I)中，以Ar表示的2价的芳香族基团中所含的π电子的合计数N_π优选为10以上，更优选为14以上，进一步优选为18以上。另外，优选为30以下，更优选为26以下，进一步优选为24以下。

作为以Ar表示的芳香族基团，例如可以举出以下的基团。

化2

式(Ar－1)～式(Ar－22)中，＊标记表示连接部，Z⁰、Z¹及Z²各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳原子数1～12的烷基、氰基、硝基、碳原子数1～12的烷基亚磺酰基、碳原子数1～12的烷基磺酰基、羧基、碳原子数1～12的氟烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～12的烷硫基、碳原子数1～12的N－烷基氨基、碳原子数2～12的N，N－二烷基氨基、碳原子数1～12的N－烷基氨磺酰基或碳原子数2～12的N，N－二烷基氨磺酰基。

Q¹及Q²各自独立地表示－CR^2’R^3’－、－S－、－NH－、－NR^2’－、－CO－或－O－，R^2’及R^3’各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。

Y¹、Y²及Y³各自独立地表示可以被取代的芳香族烃基或芳香族杂环基。

W¹及W²各自独立地表示氢原子、氰基、甲基或卤素原子，m表示0～6的整数。

作为Y¹、Y²及Y³中的芳香族烃基，可以举出苯基、萘基、蒽基、菲基、联苯基等碳原子数6～20的芳香族烃基，优选苯基、萘基，更优选苯基。作为芳香族杂环基，可以举出呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、噻唑基、苯并噻唑基等包含至少1个氮原子、氧原子、硫原子等杂原子的碳原子数4～20的芳香族杂环基，优选呋喃基、噻吩基、吡啶基、噻唑基、苯并噻唑基。

Y¹、Y²及Y³各自独立地为可以被取代的多环系芳香族烃基或多环系芳香族杂环基。多环系芳香族烃基是指来自于稠合多环系芳香族烃基、或芳香环集合的基团。多环系芳香族杂环基是指来自于稠合多环系芳香族杂环基、或芳香环集合的基团。

Z⁰、Z¹及Z²优选各自独立地为氢原子、卤素原子、碳原子数1～6的烷基、氰基、硝基、碳原子数1～12的烷氧基，Z⁰更优选为氢原子、碳原子数1～12的烷基、氰基，Z¹及Z²更优选为氢原子、氟原子、氯原子、甲基、氰基。

Q¹及Q²优选为－NH－、－S－、－NR^2’－、－O－，R^2’优选为氢原子。其中特别优选为－S－、－O－、－NH－。

在式(Ar－1)～(Ar－22)中，从分子的稳定性的观点出发优选式(Ar－6)及式(Ar－7)。

在式(Ar－16)～(Ar－22)中，Y¹也可以与其所键合的氮原子及Z⁰一起形成芳香族杂环基。例如可以举出吡咯环、咪唑环、吡咯啉环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、吲哚环、喹啉环、异喹啉环、嘌呤环、吡咯烷环等。该芳香族杂环基也可以具有取代基。另外，Y¹也可以与其所键合的氮原子及Z⁰一起是前述的也可以被取代的多环系芳香族烃基或多环系芳香族杂环基。

作为以Ar表示的芳香族基团，也可以举出以下面的式(Ar－23)表示的基团。

化3

式(Ar－23)中，＊、Z¹、Z²、Q¹及Q²表示与前述相同的意味，U¹表示也可以键合取代基的第四主族～第六主族(第14属～第16属)的非金属原子。作为第四主族～第六主族的非金属原子，例如可以举出碳原子、氮原子、氧原子及硫原子，优选举出＝O、＝S、＝NR’及＝C(R’)R’等。作为取代基R’，例如可以举出氢原子、卤素原子、烷基、卤代烷基、烯基、芳基、氰基、氨基、硝基、亚硝基、羧基、碳原子数1～6的烷基亚磺酰基、碳原子数1～6的烷基磺酰基、碳原子数1～6的氟烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的烷基硫烷基、碳原子数1～6的N－烷基氨基、碳原子数2～12的N，N－二烷基氨基、碳原子数1～6的N－烷基氨磺酰基、碳原子数2～12的二烷基氨磺酰基等，非金属原子为碳原子(C)时的2个R’彼此既可以相同也可以不同。

通过使此种聚合性液晶化合物取向、形成聚合性液晶化合物的取向状态下的聚合物，就可以制作具有逆波长分散性的聚合物层(2)。此时，可以单独使用所述聚合性液晶化合物，也可以混合使用分子结构不同的两种以上。

另外，在以取向状态使之聚合的情况下，也可以使用显示出正波长分散性的聚合性液晶化合物。作为此种聚合性液晶化合物的具体例，可以举出液晶手册(液晶便覧)(液晶手册编辑委员会编、丸善(株)平成12年10月30日发行)的“3.8.6网络(完全交联型)”、“6.5.1液晶材料b.聚合性网络液晶材料”中记载的化合物中具有聚合性基团的化合物。作为这些聚合性液晶化合物，也可以使用市售的制品。

本发明的方法中所用的构成带有基材膜的聚合物层(6)或带有基材膜的光学层叠体(7)的聚合物层(2)可以通过如下操作来获得，即，在基材膜(5)或取向层(8)上，涂布根据情况用溶剂稀释而含有聚合性液晶化合物的组合物(以下也称作“光学各向异性层形成用组合物”)，根据需要将溶剂干燥后使之聚合而得到。通过将聚合性液晶化合物维持取向状态不变地聚合，而得到维持了取向状态的液晶固化膜，具有该液晶固化膜的层叠体(带有基材膜的聚合物层)作为相位差板发挥作用。

对于光学各向异性层形成用组合物中的聚合性液晶化合物的含量(在包含多种的情况下是其合计量)，从提高聚合性液晶化合物的取向性的观点出发，相对于光学各向异性层形成用组合物的固体成分100质量份，通常为70～99.9质量份，例如优选为80～99质量份，更优选为85～97质量份，进一步优选为85～95质量份。需要说明的是，此处所说的所谓固体成分，是指从光学各向异性层形成用组合物中除去了溶剂的成分的合计量。

光学各向异性层形成用组合物也可以在聚合性液晶化合物以外还包含溶剂、聚合引发剂、阻聚剂、光敏剂、流平剂等公知的成分。这些成分可以根据所用的聚合性液晶化合物的种类等适当地选择。以下例示出作为构成聚合物层(2)的聚合性液晶化合物使用了以上述式(I)表示的聚合性液晶化合物时合适的成分。

作为溶剂，优选能够溶解聚合性液晶化合物等光学各向异性层形成用组合物的构成成分的有机溶剂，更优选能够溶解聚合性液晶化合物等光学各向异性层形成用组合物的构成成分、并且对于聚合性液晶化合物的聚合反应而言非活性的溶剂。具体而言，可以举出水、甲醇、乙醇、乙二醇、异丙醇、丙二醇、甲基溶纤剂、丁基溶纤剂、丙二醇单甲醚、苯酚等醇溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ－丁内酯、丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯等酯溶剂；丙酮、甲乙酮、环戊酮、环己酮、甲基戊基酮、甲基异丁基酮等酮溶剂；戊烷、己烷、庚烷等非氯化脂肪族烃溶剂；甲苯、二甲苯等非氯化芳香族烃溶剂；乙腈等腈溶剂；四氢呋喃、二甲氧基乙烷等醚溶剂；以及氯仿、氯苯等氯化烃溶剂。也可以组合使用两种以上的有机溶剂。其中，优选醇溶剂、酯溶剂、酮溶剂、非氯化脂肪族烃溶剂及非氯化芳香族烃溶剂。

溶剂的含量相对于光学各向异性层形成用组合物的固体成分100质量份例如优选为10～10000质量份，更优选为100～5000质量份，进一步优选为100～2000。光学各向异性层形成用组合物中的固体成分浓度优选为2～50质量％，更优选为5～50质量％，进一步优选为5～30％。

聚合引发剂是能够引发聚合性液晶等的聚合反应的化合物。作为聚合引发剂，优选通过光照射产生自由基的光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以举出苯偶姻化合物、二苯甲酮化合物、联苯酰缩酮化合物、α－羟基酮化合物、α－氨基酮化合物、α－苯乙酮化合物、三嗪化合物、碘鎓盐及锍盐。具体而言，可以举出Irgacure(注册商标)907、Irgacure184、Irgacure651、Irgacure 819、Irgacure 250、Irgacure 369(以上均为Ciba Japan株式会社制)、SEIKUOL(注册商标)BZ、SEIKUOL Z、SEIKUOL BEE(以上均为精工化学株式会社制)、kayacure(注册商标)BP100(日本化药株式会社制)、kayacure UVI－6992(Dow公司制)、Adeka Optomer(注册商标)SP－152、Adeka Optomer SP－170(以上均为株式会社ADEKA制)、TAZ－A、TAZ－PP(以上为日本Siber Hegner公司制)及TAZ－104(SanwaChemical公司制)等。其中，优选α－苯乙酮化合物，作为α－苯乙酮化合物，可以举出2－甲基－2－吗啉基－1－(4－甲基硫基苯基)丙烷－1－酮、2－二甲基氨基－1－(4－吗啉基苯基)－2－苄基丁烷－1－酮及2－二甲基氨基－1－(4－吗啉基苯基)－2－(4－甲基苯基甲基)丁烷－1－酮等，更优选举出2－甲基－2－吗啉基－1－(4－甲基硫基苯基)丙烷－1－酮及2－二甲基氨基－1－(4－吗啉基苯基)－2－苄基丁烷－1－酮。作为α－苯乙酮化合物的市售品，可以举出Irgacure 369、379EG、907(以上为BASF Japan(株)制)及SEIKUOL BEE(精工化学公司制)等。

为了可以充分地利用从光源发出的能量、生产率优异，光聚合引发剂的极大吸收波长优选为300nm～380nm，更优选为300nm～360nm。

为了不扰乱聚合性液晶化合物的取向地将聚合性液晶化合物聚合，聚合引发剂的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份通常为0.1～30质量份，优选为0.5～10质量份。

通过配合阻聚剂，可以控制聚合性液晶化合物的聚合反应。作为阻聚剂，可以举出对苯二酚及具有烷基醚等取代基的对苯二酚类；丁基儿茶酚等具有烷基醚等取代基的儿茶酚类；焦棓酚类、2，2，6，6－四甲基－1－哌啶氧自由基等自由基捕捉剂；苯硫酚类；β－萘基胺类及β－萘酚类。

为了不扰乱聚合性液晶化合物的取向地将聚合性液晶化合物聚合，阻聚剂的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份通常为0.1～30质量份，优选为0.5～10质量份。

作为光敏剂，例如可以举出氧杂蒽酮、噻吨酮等氧杂蒽酮类；蒽及具有烷基醚等取代基的蒽类；吩噻嗪；红荧烯。

通过使用光敏剂，可以将光聚合引发剂高灵敏度化。光敏剂的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份通常为0.1～30质量份，优选为0.5～10质量份。

作为流平剂，例如可以举出有机改性硅油系、聚丙烯酸酯系及全氟烷基系的流平剂。具体而言，可以举出DC3PA、SH7PA、DC11PA、SH28PA、SH29PA、SH30PA、ST80PA、ST86PA、SH8400、SH8700、FZ2123(以上均为Toray Dow Corning(株)制)、KP321、KP323、KP324、KP326、KP340、KP341、X22－161A、KF6001(以上均为信越化学工业(株)制)、TSF400、TSF401、TSF410、TSF4300、TSF4440、TSF4445、TSF－4446、TSF4452、TSF4460(以上均为MomentivePerformance Materials Japan合同会社制)、Fluorinert(注册商标)FC－72、FluorinertFC－40、Fluorinert FC－43、Fluorinert FC－3283(以上均为住友3M(株)制)、Megafac(注册商标)R－08、Megafac R－30、Megafac R－90、Megafac F－410、Megafac F－411、Megafac F－443、Megafac F－445、Megafac F－470、Megafac F－477、Megafac F－479、Megafac F－482、Megafac F－483(以上均为DIC(株)制)、EFTOP(商品名)EF301、EFTOPEF303、EFTOP EF351、EFTOP EF352(以上均为Mitsubishi Materials ElectronicChemicals(株)制)、Surflon(注册商标)S－381、Surflon S－382、Surflon S－383、Surflon S－393、Surflon SC－101、Surflon SC－105、KH－40、SA－100(以上均为AGCSemi Chemical(株)制)、商品名E1830、商品名E5844((株)Daikin Fine Chemical研究所制)、BM－1000、BM－1100、BYK－352、BYK－353及BYK－361N(均为商品名：BM Chemie公司制)等。也可以组合两种以上的流平剂。

通过使用流平剂，可以形成更加平滑的光学各向异性层。另外，在相位差板的制造过程中，可以控制光学各向异性层形成用组合物的流动性、调整相位差板的交联密度。流平剂的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份通常为0.1～30质量份，优选为0.1～10质量份。

本发明的方法中所用的构成带有基材膜的聚合物层(6)或带有基材膜的光学层叠体(7)的取向层(8)优选具有使构成聚合物层(2)的聚合性液晶化合物沿所期望的方向取向的取向限制力，具有不会因包含该聚合性液晶化合物的光学各向异性层形成用组合物的涂布等而溶解的溶剂耐性，另外，具有用于溶剂的除去、聚合性液晶化合物的取向的加热处理中的耐热性。作为取向层，可以举出包含取向性聚合物的取向层、光取向层及在表面具有凹凸图案或多个槽的沟槽取向层等。

在包含取向性聚合物的情况下，作为取向性聚合物，例如可以举出具有酰胺键的聚酰胺或明胶类、具有酰亚胺键的聚酰亚胺及作为其水解物的聚酰胺酸、聚乙烯醇、烷基改性聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、聚噁唑、聚亚乙基亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸及聚丙烯酸酯类。其中，优选聚乙烯醇。也可以组合两种以上的取向性聚合物。

包含取向性聚合物的取向层通常可以通过如下操作得到，即，将在溶剂中溶解有取向性聚合物的取向性聚合物组合物涂布于基材上，除去溶剂而形成涂布膜；或将取向性聚合物组合物涂布于基材上，除去溶剂而形成涂布膜，摩擦该涂布膜而得到。

取向性聚合物组合物中的取向性聚合物的浓度只要是取向性聚合物完全溶解于溶剂中的范围即可。相对于取向性聚合物组合物而言的取向性聚合物的含量优选为0.1～20质量％，更优选为0.1～10质量％。

取向性聚合物组合物可以从市场上买到。作为市售的取向性聚合物组合物，可以举出SUNEVER(注册商标、日产化学工业(株)制)、OPTMER(注册商标、JSR(株)制)等。

作为将取向性聚合物组合物涂布于基材上的方法，可以举出与后述的将光学各向异性层形成用组合物涂布于基材上的方法相同的方法。作为除去取向性聚合物组合物中所含的溶剂的方法，可以举出自然干燥法、通风干燥法、加热干燥及减压干燥法等。

也可以对由取向性聚合物组合物形成的涂布膜实施摩擦处理。通过实施摩擦处理，可以对所述涂布膜赋予取向限制力。

作为摩擦处理的方法，例如可以举出使所述涂布膜接触卷绕有摩擦布并旋转着的摩擦辊的方法。在进行摩擦处理时，如果进行掩模处理，则也可以在取向膜中形成取向的方向不同的多个区域(图案)。

光取向膜通常可以通过将包含具有光反应性基团的聚合物或单体和溶剂的光取向膜形成用组合物涂布于基材上、在除去溶剂后照射偏振光(优选为偏振UV)而得到。光取向膜可以通过选择所照射的偏振光的偏振方向而任意地控制取向限制力的方向。

所谓光反应性基团，是指通过光照射而产生取向能力的基团。具体而言，可以举出参与通过光照射而产生的分子的取向诱发反应、异构化反应、光二聚反应、光交联反应或光分解反应等成为取向能力的起源的光反应的基团。作为光反应性基团，优选具有不饱和键、特别是双键的基团，特别优选具有选自碳－碳双键(C＝C键)、碳－氮双键(C＝N键)、氮－氮双键(N＝N键)及碳－氧双键(C＝O键)中的至少一个的基团。

作为具有C＝C键的光反应性基团，例如可以举出乙烯基、多烯基、茋基、茋唑基(stilbazole)、茋唑鎓基(stilbazolium)、查尔酮基及肉桂酰基。作为具有C＝N键的光反应性基团，例如可以举出具有芳香族席夫碱、芳香族腙等结构的基团。作为具有N＝N键的光反应性基团，例如可以举出偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族杂环偶氮基、双偶氮基、甲臜基(formazane)、以及具有氧化偶氮苯结构的基团。作为具有C＝O键的光反应性基团，例如可以举出二苯甲酮基、香豆素基、蒽醌基及马来酰亚胺基。这些基团也可以具有烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、氰基、烷氧基羰基、羟基、磺酸基、卤代烷基等取代基。

从取向性优异的方面考虑，优选参与光二聚反应或光交联反应的基团。其中，优选参与光二聚反应的光反应性基团，从取向所必需的偏振光照射量较少、并且容易获得热稳定性、经时稳定性优异的光取向膜的方面考虑，优选肉桂酰基及查尔酮基。作为具有光反应性基团的聚合物，特别优选该聚合物侧链的末端部成为肉桂酸结构的具有肉桂酰基的聚合物。

光取向膜形成用组合物中的具有光反应性基团的聚合物或单体的含量可以利用聚合物或单体的种类、作为目标的光取向膜的厚度来调节，优选至少设为0.2质量％以上，更优选0.3～10质量％的范围。光取向膜形成用组合物也可以在不明显损害光取向膜的特性的范围中包含聚乙烯醇、聚酰亚胺等高分子材料、光敏剂。

作为将光取向膜形成用组合物涂布于基材上的方法，可以举出与后述的将光学各向异性层形成用组合物涂布于基材上的方法相同的方法。作为从所涂布的光取向膜形成用组合物中除去溶剂的方法，可以举出与从取向性聚合物组合物中除去溶剂的方法相同的方法。

在照射偏振光时，可以是对从涂布于基材上的光取向膜形成用组合物中除去了溶剂的材料直接照射偏振光的形式，也可以是从基材侧照射偏振光并使偏振光透过基材而照射的形式。另外，该偏振光优选实质上为平行光。所照射的偏振光的波长最好是具有光反应性基团的聚合物或单体的光反应性基团能够吸收光能的波长区域的波长。具体而言，特别优选为波长250nm～400nm的范围的UV(紫外线)。作为照射该偏振光的光源，可以举出氙灯、高压水银灯、超高压水银灯、金属卤化物灯、KrF、ArF等紫外光激光器等。其中，由于波长313nm的紫外线的发光强度大，因此优选高压水银灯、超高压水银灯及金属卤化物灯。通过使来自于所述光源的光穿过适当的偏振层后照射，就可以照射偏振UV。作为偏振层，可以举出偏振光滤波器、格兰-汤姆逊(Glan-thompson)、以及格兰-泰勒(Glan-Taylor)等偏振棱镜、以及线栅型的偏振层。

作为向基材膜(5)或取向层(8)上涂布光学各向异性层形成用组合物的方法，可以举出挤出涂布法、直接凹版涂布法、逆转凹版涂布法、CAP涂布法、狭缝涂布法、模涂法等。另外，还可以举出使用浸涂机、棒涂机、旋涂机等涂布机进行涂布的方法等。通过采用CAP涂布法、喷墨法、浸涂法、狭缝涂布法、模涂法及利用棒涂机的涂布方法，可以利用卷对卷形式连续地涂布。在利用卷对卷形式涂布的情况下，也可以向基材膜(5)上涂布光取向膜形成用组合物等而形成取向层(8)，再在所得的取向层(8)上连续地涂布光学各向异性层形成用组合物。

作为除去光学各向异性层形成用组合物中所含的溶剂的干燥方法，例如可以举出自然干燥、通风干燥、加热干燥、减压干燥及将它们组合了的方法。光取向膜形成用组合物及取向性聚合物组合物也可以同样地干燥。

聚合性液晶化合物的聚合例如是通过向在基材膜(5)上或取向层(8)上涂布有包含聚合性液晶化合物的光学各向异性层形成用组合物的层叠体照射活性能量射线而实施。所照射的活性能量射线只要根据干燥被膜中所含的聚合性液晶化合物的种类(特别是聚合性液晶化合物所具有的光聚合性官能团的种类)、在包含光聚合引发剂的情况下是根据光聚合引发剂的种类、以及它们的量适当地选择即可。具体而言，可以举出可见光、紫外光、红外光、X射线、α射线、β射线、以及γ射线等光。

本发明的方法中，与带有基材膜的聚合物层(6)贴合的光学膜(1)是为了图像显示(显示画面等)而发挥作用的膜(例如为了提高图像的易观察度而发挥作用的膜)，是指能够装入液晶显示装置等图像显示装置中的具有各种光学特性的膜。作为本发明的方法中可以使用的光学膜，例如可以举出偏振片、相位差膜、增亮膜、防眩膜、防反射膜、扩散膜、聚光膜等光学功能性膜、偏振板、相位差板等。

本发明的方法中，用于将构成带有基材膜的聚合物层(6)或带有基材膜的光学层叠体(7)的聚合物层(2)与光学膜(1)贴合的粘合剂或者构成粘接剂层(3)的粘合剂或粘接剂没有特别限定，可以没有特别限制地使用以往公知的粘合剂及粘接剂。作为粘合剂，例如可以举出具有丙烯酸系、橡胶系、氨基甲酸酯系、硅酮系、聚乙烯基醚系等基础聚合物的粘合剂。另外，也可以是能量射线固化型粘合剂、热固化型粘合剂等。作为粘接剂，可以举出活性能量射线固化型粘接剂、水系粘接剂、有机溶剂系粘接剂、以及无溶剂系粘接剂。

符号的说明

1光学膜，2聚合物层，2a聚合物层残留区域，3粘合剂或粘接剂层，4光学层叠体，5基材膜，5a聚合物层未层叠区域，5b基材膜－聚合物层交界，6带有基材膜的聚合物层，7带有基材膜的光学层叠体，8取向层，11卷出辊1，12运送用辊，13除静电装置，14卷出辊2，15夹持辊，16剥离用辊，17卷绕辊，20洁净室。

Claims (8)

1.一种光学层叠体的制造方法，是制造具备光学膜(1)、和由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、且所述聚合物层(2)夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)与所述光学膜(1)层叠而成的光学层叠体(4)的方法，

该方法包括：

带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)，将具备长尺寸的基材膜(5)和层叠于所述基材膜(5)上的所述聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边沿长度方向运送；

贴合工序(B)，对利用所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)运送的所述带有基材膜的聚合物层(6)，在所述聚合物层(2)侧夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合长尺寸的光学膜(1)，得到具备长尺寸的基材膜(5)、所述聚合物层(2)、和夹隔着所述粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)；以及

剥离工序(C)，从所述贴合工序(B)中得到的带有基材膜的光学层叠体(7)剥离所述基材膜(5)而得到所述光学层叠体(4)，

并且该方法包括基材膜除静电运送工序(D)，将所述剥离工序(C)中被剥离后的所述基材膜(5)一边除静电一边沿长度方向运送，

所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)中的除静电后的所述带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下，或者所述基材膜除静电运送工序(D)中的除静电后的所述基材膜(5)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

在所述带有基材膜的聚合物层(6)中，所述聚合物层(2)遍及该聚合物层(2)的宽度方向的整体地设于所述基材膜(5)上，所述基材膜(5)的宽度大于所述聚合物层(2)的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，

在所述带有基材膜的聚合物层(6)中，在所述基材膜(5)上夹隔着取向层(8)层叠所述聚合物层(2)，所述取向层(8)遍及宽度方向的整体地层叠于所述基材膜(5)上，所述基材膜(5)的宽度大于所述取向层(8)的宽度。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，

在所述带有基材膜的光学层叠体(7)中，所述聚合物层(2)的宽度大于所述粘合剂或粘接剂层(3)的宽度。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，

在所述带有基材膜的光学层叠体(7)中，在所述基材膜(5)上夹隔着取向层(8)层叠所述聚合物层(2)，所述取向层(8)的宽度大于所述粘合剂或粘接剂层(3)的宽度。

6.一种带有基材膜的聚合物层的运送方法，是将具备长尺寸的基材膜(5)和层叠于所述基材膜(5)上的由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边沿长度方向运送的方法，

除静电后的所述带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。

7.一种带有基材膜的光学层叠体的制造方法，是制造具备长尺寸的基材膜(5)、由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、和夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)的方法，

该方法包括：

带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)，将具备所述长尺寸的基材膜(5)和层叠于该基材膜(5)上的所述聚合物层(2)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的聚合物层(6)一边除静电一边沿长度方向运送；以及

工序(B)，对利用所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)运送的所述带有基材膜的聚合物层(6)，在所述聚合物层(2)侧夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)贴合长尺寸的光学膜(1)，得到具备长尺寸的基材膜(5)、所述聚合物层(2)、和夹隔着所述粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)，

所述带有基材膜的聚合物层除静电运送工序(A)中的除静电后的所述带有基材膜的聚合物层(6)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。

8.一种光学层叠体的制造方法，是制造具备长尺寸的光学膜(1)和由聚合性液晶化合物的聚合物形成的聚合物层(2)、且所述聚合物层(2)被夹隔着粘合剂或粘接剂层(3)与所述光学膜(1)层叠的光学层叠体(4)的方法，

该方法具备剥离工序(C)，从具备长尺寸的基材膜(5)、所述聚合物层(2)、和夹隔着所述粘合剂或粘接剂层(3)贴合于该聚合物层(2)上的长尺寸的光学膜(1)、且所述基材膜(5)能够从所述聚合物层(2)剥离的长尺寸的带有基材膜的光学层叠体(7)剥离所述基材膜(5)而得到所述光学层叠体(4)，

并且具备基材膜除静电运送工序(D)，将所述剥离工序(C)中被剥离后的所述基材膜(5)一边除静电一边沿长度方向运送，

所述基材膜除静电运送工序(D)中的除静电后的所述基材膜(5)的带电量的绝对值为0.01kV以上且6kV以下。