CN109112495A - 陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺 - Google Patents
陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109112495A CN109112495A CN201811062290.7A CN201811062290A CN109112495A CN 109112495 A CN109112495 A CN 109112495A CN 201811062290 A CN201811062290 A CN 201811062290A CN 109112495 A CN109112495 A CN 109112495A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- vacuum
- sputtering copper
- cleaning
- plating technique
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 22
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000007914 intraventricular administration Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2,6,6-trimethylcyclohexene-1-carbaldehyde Chemical compound CC1=C(C=O)C(C)(C)CC(O)C1 SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000969106 Megalaima haemacephala Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000004577 thatch Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，属于陶瓷材料技术领域。所述的工艺，包括如下步骤：1.将陶瓷基板放入超声波清洗机中，进行超声震荡清洗；2.将清洗后的陶瓷基板放入干燥箱中进行烘干，烘干后，用酒精擦拭，再次进行烘干；3.将干燥后的陶瓷基板放入真空磁控溅射镀膜机内进行镀膜，对基板进行双面离子源清洗，清洗时间为8‑15min，清洗完成后，关闭离子源电源，依次启动镀钛和镀铜电源，先后进行多弧离子镀钛和磁控溅射镀铜过程；4.溅射镀铜过程结束后，待真空室内压强与大气压强平衡时，打开真空室，取得镀膜陶瓷基板。所述的镀铜工艺，科学合理，简单易行，具有投资回报率高、产业延伸性强等特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，属于陶瓷材料技术领域。
背景技术
陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。物理气相沉积法镀铜工艺仅需250-350℃左右的温度即可完成散热基板的制作，完全避免了高温对于材料所造成的破坏或尺寸变异的现象，也排除了制造成本费用高的问题。
利用真空受控等离子体沉积技术，在高效快速沉积氮化铝涂层表面直接铜电极等关键工艺技术上取得突破，该产品具有市场广泛、技术含量高、准入门槛高、技术密集型、投资回报率高、产业延伸性强等特点。现阶段陶瓷基板按制备技术可分为HTCC、LTCC、DBC和DPC四种。HTCC又称高温共烧多层陶瓷，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰等金属，制作成本高昂。LTCC又称低温共烧多层陶瓷基板，LTCC由于采用厚膜印刷技术完成线路制作，线路表面较为粗糙(Ra约为1～3μm)，对位不精准。而且多层陶瓷叠压烧结工艺还有收缩比例的问题需要考量，这使得其工艺解析度较为受限。DBC又称直接覆铜陶瓷板，陶瓷基板与金属材料的反应能力低，润湿性差，实施金属化颇为困难，不易解决Al2O3与铜板间微气孔产生的问题，这使得该产品的量产能量与良品率受到较大的挑战。DPC又称直接镀铜陶瓷板，应用该技术的传统真空等离子涂层，等离子密度低，能量低；沉积效率低；表面质量差；靶材利用率低。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，科学合理，简单易行，具有投资回报率高、产业延伸性强等特点。
本发明所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，包括如下步骤：
1)将陶瓷基板放入超声波清洗机中，进行超声震荡清洗；
2)将清洗后的陶瓷基板放入干燥箱中进行烘干，烘干10min后，用酒精擦拭，再次进行烘干，烘干时间为30s；
3)将干燥后的陶瓷基板放入真空磁控溅射镀膜机内进行镀膜，通过机械泵、罗茨泵和分子泵将真空室内抽真空至8×10-2Pa，再通入氩气进行调节，使真空度达到2×10- 1Pa，对陶瓷基板进行双面离子源清洗，清洗时间为8-15min，清洗完成后，关闭离子源电源，依次启动镀钛和镀铜电源，先后分别进行多弧离子镀钛和磁控溅射镀铜过程；
4)磁控溅射镀铜过程结束后，依次关闭分子泵、罗茨泵和机械泵，打开放气阀，待真空室内压强与大气压强平衡时，打开真空室，取得镀膜陶瓷基板。
所述的步骤1中，超声波振动清洗时间为25-35min；震荡温度为90-100℃。
所述的步骤2中，烘干温度为100℃。
所述的步骤3中，进行多弧离子镀钛时，通过调节氩气流量，使真空度为1.5×10-1-2.5×10-1Pa；偏压电源为500V，控制电流为100A。
所述的双面离子源清洗时，在清洗过程中注意观察离子源的放电光线为平稳明亮的蓝光，不能有打火及忽明忽暗的现象出现。
所述的镀钛时间为3-6min，钛层厚度为350nm-500nm。
所述的多弧离子镀钛时，钛靶材弧光放电正常，真空镀膜的温度≤320℃。
所述的镀钛结束后，进行磁控溅射镀铜时，调节氩气流量，使真空度为2×10-1-3×10-1Pa，偏压电源为150V，控制电流为20A。
所述的溅射镀铜时间为12-16min，铜层厚度为700nm-1000nm。
所述的步骤4中，打开放气阀时，真空室内温度≤80℃。
所述的陶瓷基板为氧化铝基板、氮化铝基板、碳化硅基板或氮化硅基板中的一种。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1.所述的镀铜工艺，科学合理，简单易行，具有投资回报率高、产业延伸性强等特点；
2.所述的镀铜工艺能沉积出光滑的铜薄膜，并且具有高离化率和高入射离子能量(40-100ev)，高的镀膜速率及镀膜面积大、镀膜温度低和设备简单、绕镀性好等特点使其适用于快速、大规模镀膜工艺的工业化生产；且所制得的薄膜附着性好。
附图说明
图1是离子源工作图片；
图2是实施例2中镀膜后氧化铝基板断面扫描电镜图；
图中，1-金属铜层；2-金属钛层；3-氧化铝基层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的说明。
实施例1
一种陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，包括如下步骤：
1)将长宽为120mm×120mm，厚度为0.385mm的碳化硅基板放入超声波清洗机中，进行超声震荡清洗；清洗时间30min，温度为100℃；
2)将清洗后的碳化硅基板放入干燥箱中进行烘干，烘干10min后，用酒精擦拭，再次进行烘干，烘干时间为30s；
3)将干燥后的碳化硅基板放入真空磁控溅射镀膜机内进行镀膜，通过机械泵、罗茨泵和分子泵将真空室内抽真空至8×10-2Pa，再通入氩气进行调节，使真空度达到2×10- 1Pa，对碳化硅基板进行双面离子源清洗，清洗时间为10min，清洗完成后，关闭离子源电源，依次启动镀钛和镀铜电源，先后分别进行多弧离子镀钛和磁控溅射镀铜过程；
4)溅射镀铜过程结束后，依次关闭分子泵、罗茨泵和机械泵，打开放气阀，待真空室内压强与大气压强平衡时，打开真空室，取得镀膜碳化硅基板。
步骤3中，多弧离子镀钛时，通过调节氩气流量，使真空度为1.5×10-1Pa；偏压电源为500V，控制电流为100A；镀钛时间为3min，钛层厚度为350nm；真空镀膜的温度为260℃。
镀钛结束后，进行磁控溅射镀铜时，调节氩气流量，使真空度为2×10-1Pa，偏压电源为150V，控制电流为20A。
磁控溅射镀铜时间为12min，铜层厚度为700nm；同时，在进行双面离子源清洗时，在清洗过程中注意观察离子源的放电光线为平稳明亮的蓝光，不能有打火及忽明忽暗的现象出现。
步骤4中，打开放气阀时，真空室内温度为70℃。
实施例2
一种陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，包括如下步骤：
1)将长宽为120mm×120mm，厚度为0.385mm的氧化铝基板放入超声波清洗机中，进行超声震荡清洗；清洗时间33min，温度为90℃；
2)将清洗后的氧化铝基板放入干燥箱中进行烘干，烘干10min后，用酒精擦拭，再次进行烘干，烘干时间为30s；
3)将干燥后的氧化铝基板放入真空镀膜机内进行镀膜，通过机械泵、罗茨泵和分子泵将真空室内抽真空至8×10-2Pa，再通入氩气进行调节，使真空度达到2×10-1Pa，对氧化铝基板进行双面离子源清洗，清洗时间为12min，清洗完成后，关闭离子源电源，依次启动镀钛和镀铜电源，先后分别进行多弧离子镀钛好磁控溅射镀铜过程；
4)溅射镀铜过程结束后，依次关闭分子泵、罗茨泵和机械泵，打开放气阀，待真空室内压强与大气压强平衡时，打开真空室，取得镀膜氧化铝基板。
步骤3中，多弧离子镀钛时，通过调节氩气流量，使真空度为2.0×10-1Pa；偏压电源为500V，控制电流为100A；镀钛时间为5min，钛层厚度为400nm；真空镀膜的温度为300℃。
镀钛结束后，进行溅射镀铜时，调节氩气流量，使真空度为2.6×10-1Pa，偏压电源为150V，控制电流为20A。
溅射镀铜时间为15min，铜层厚度为800nm；同时，在进行双面离子源清洗时，在清洗过程中注意观察离子源的放电光线为平稳明亮的蓝光，不能有打火及忽明忽暗的现象出现。
步骤4中，打开放气阀时，真空室内温度为55℃。
对实施例1-2产品进行性能测试，测试数据如表1所示：
表1实施例1-2产品性能测试结果
| 项目 | 实施例1 | 实施例2 |
| 标准拉力强度(N/cm<sup>2</sup>) | 300 | 330 |
| 拉脱强度(N/cm<sup>2</sup>) | 2021 | 2001 |
| 标准体积电阻率(Ω·cm)25℃ | 1×1014 | 1×1005 |
| 热导系数(W/m)20℃ | 24 | 29 |
| 热膨胀系数(K) | 7.4×10<sup>-6</sup> | 6.9×10<sup>-6</sup> |
| 铜层剥离强度，最小值(N/mm) | 6 | 7 |
图2中，膜层之间互相结合比较密切，没有明显的分层现象。
Claims (10)
1.一种陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：包括如下步骤：
1)将陶瓷基板放入超声波清洗机中，进行超声震荡清洗；
2)将清洗后的陶瓷基板放入干燥箱中进行烘干，烘干10min后，用酒精擦拭，再次进行烘干，烘干时间为30s；
3)将干燥后的陶瓷基板放入真空磁控溅射镀膜机内进行镀膜，通过机械泵、罗茨泵和分子泵将真空室内抽真空至8×10-2Pa，再通入氩气进行调节，使真空度达到2×10-1Pa，对陶瓷基板进行双面离子源清洗，清洗时间为8-15min，清洗完成后，关闭离子源电源，依次启动镀钛和镀铜电源，先后分别进行多弧离子镀钛和磁控溅射镀铜过程；
4)磁控溅射镀铜过程结束后，依次关闭分子泵、罗茨泵和机械泵，打开放气阀，待真空室内压强与大气压强平衡时，打开真空室，取得镀膜陶瓷基板。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：步骤1中，超声波振动清洗时间为25-35min；震荡温度为90-100℃。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：步骤2中，烘干温度为100℃。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：步骤3中，进行多弧离子镀钛时，通过调节氩气流量，使真空度为1.5×10-1-2.5×10-1Pa；偏压电源为500V，控制电流为100A。
5.根据权利要求4所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：镀钛时间为3-6min，钛层厚度为350nm-500nm。
6.根据权利要求4所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：多弧离子镀钛时，钛靶材弧光放电正常，真空镀膜的温度≤320℃。
7.根据权利要求1所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：镀钛结束后，进行磁控溅射镀铜时，调节氩气流量，使真空度为2×10-1-3×10-1Pa，偏压电源为150V，控制电流为20A。
8.根据权利要求7所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：磁控溅射镀铜时间为12-16min，铜层厚度为700nm-1000nm。
9.根据权利要求1所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：步骤4中，打开放气阀时，真空室内温度≤80℃。
10.根据权利要求1所述的陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺，其特征在于：陶瓷基板为氧化铝基板、氮化铝基板、碳化硅基板或氮化硅基板中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811062290.7A CN109112495A (zh) | 2018-09-12 | 2018-09-12 | 陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811062290.7A CN109112495A (zh) | 2018-09-12 | 2018-09-12 | 陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109112495A true CN109112495A (zh) | 2019-01-01 |
Family
ID=64859367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811062290.7A Pending CN109112495A (zh) | 2018-09-12 | 2018-09-12 | 陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109112495A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109574713A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-04-05 | 广东致卓环保科技有限公司 | 用于氮化铝陶瓷封装基板的表面金属化方法及其封装基板 |
| CN111020481A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-17 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种电磁锅用导磁涂层及其制备方法 |
| CN112538609A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-23 | 广州凯立达电子股份有限公司 | 一种压电陶瓷片磁控溅射镀膜工艺及应用 |
| CN113079646A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-06 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种dpc覆铜陶瓷基板表面金属化方法 |
| CN113245306A (zh) * | 2021-05-08 | 2021-08-13 | 河北博威集成电路有限公司 | 一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法 |
| CN113278934A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-08-20 | 深圳市新邦薄膜科技有限公司 | 一种真空溅射连续沉积镀铜膜方法 |
| CN113981383A (zh) * | 2020-10-30 | 2022-01-28 | 东莞市烽元科技有限公司 | 一种在AlN陶瓷基体表面多弧离子镀钛膜的方法 |
| CN115404446A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-11-29 | 潮州市汇鑫陶瓷科技有限公司 | 一种陶瓷专用的高光泽度镀膜设备及镀膜工艺 |
| CN115432940A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-12-06 | 广东炬森智能装备有限公司 | 一种激光打印用纳米薄膜玻璃墨片的生产装置以及方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005076085A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Citizen Watch Co Ltd | 複色被膜を有する装飾品およびその製造方法 |
| CN103820765A (zh) * | 2014-03-22 | 2014-05-28 | 沈阳中北真空设备有限公司 | 一种钕铁硼稀土永磁器件的复合镀膜设备及制造方法 |
| CN204125526U (zh) * | 2014-10-17 | 2015-01-28 | 汕头市鸿志电子有限公司 | 一种电子陶瓷元件内电极 |
| CN107937879A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-04-20 | 江西金力永磁科技股份有限公司 | 一种钕铁硼磁体及钕铁硼磁体表面镀层的方法 |
-
2018
- 2018-09-12 CN CN201811062290.7A patent/CN109112495A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005076085A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Citizen Watch Co Ltd | 複色被膜を有する装飾品およびその製造方法 |
| CN103820765A (zh) * | 2014-03-22 | 2014-05-28 | 沈阳中北真空设备有限公司 | 一种钕铁硼稀土永磁器件的复合镀膜设备及制造方法 |
| CN204125526U (zh) * | 2014-10-17 | 2015-01-28 | 汕头市鸿志电子有限公司 | 一种电子陶瓷元件内电极 |
| CN107937879A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-04-20 | 江西金力永磁科技股份有限公司 | 一种钕铁硼磁体及钕铁硼磁体表面镀层的方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109574713A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-04-05 | 广东致卓环保科技有限公司 | 用于氮化铝陶瓷封装基板的表面金属化方法及其封装基板 |
| CN111020481A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-17 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种电磁锅用导磁涂层及其制备方法 |
| CN113981383A (zh) * | 2020-10-30 | 2022-01-28 | 东莞市烽元科技有限公司 | 一种在AlN陶瓷基体表面多弧离子镀钛膜的方法 |
| CN113981383B (zh) * | 2020-10-30 | 2024-04-05 | 东莞市烽元科技有限公司 | 一种在AlN陶瓷基体表面多弧离子镀钛膜的方法 |
| CN112538609A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-23 | 广州凯立达电子股份有限公司 | 一种压电陶瓷片磁控溅射镀膜工艺及应用 |
| CN113079646A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-06 | 江苏富乐德半导体科技有限公司 | 一种dpc覆铜陶瓷基板表面金属化方法 |
| CN113278934A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-08-20 | 深圳市新邦薄膜科技有限公司 | 一种真空溅射连续沉积镀铜膜方法 |
| CN113245306A (zh) * | 2021-05-08 | 2021-08-13 | 河北博威集成电路有限公司 | 一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法 |
| CN115432940A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-12-06 | 广东炬森智能装备有限公司 | 一种激光打印用纳米薄膜玻璃墨片的生产装置以及方法 |
| CN115432940B (zh) * | 2022-08-08 | 2023-10-03 | 广东炬森智能装备有限公司 | 一种激光打印用纳米薄膜玻璃墨片的生产装置以及方法 |
| CN115404446A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-11-29 | 潮州市汇鑫陶瓷科技有限公司 | 一种陶瓷专用的高光泽度镀膜设备及镀膜工艺 |
| CN115404446B (zh) * | 2022-08-24 | 2023-10-27 | 潮州市汇鑫陶瓷科技有限公司 | 一种陶瓷专用的高光泽度镀膜设备及镀膜工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109112495A (zh) | 陶瓷基板真空磁控溅射镀铜工艺 | |
| CN105777210B (zh) | 一种氮化铝陶瓷覆铜板及其制备方法 | |
| CN106958009A (zh) | 一种氮化铝陶瓷覆铜板及其制备方法 | |
| CN102738377B (zh) | 超高导热金属基线路板及其制备方法、应用 | |
| CN102560371A (zh) | 一种金锡合金薄膜制备工艺 | |
| CN113174575B (zh) | 一种AlN陶瓷基板金属化、热沉一体化制备方法 | |
| CN105330340A (zh) | 一种用于钎焊的氧化铝陶瓷金属化方法 | |
| CN102917534A (zh) | 基于dlc薄膜涂层的陶瓷基板 | |
| CN109136848A (zh) | 一种基于pvd沉积方法的氮化铝陶瓷板和金属的连接方法 | |
| CN103162452A (zh) | 抗氧化性太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| CN107419230B (zh) | 一种薄膜电路通孔金属化镀膜方法 | |
| CN116751070B (zh) | 一种陶瓷覆铝基板的制备方法及其制备的陶瓷覆铝基板 | |
| CN113087548B (zh) | 陶瓷真空镀膜工艺方法 | |
| KR102216321B1 (ko) | 열 및 전기전도 향상을 위한 중층 박막 필름 및 제조방법 | |
| CN112063985B (zh) | 玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法 | |
| CN102820418A (zh) | 一种半导体照明用绝缘导热膜层材料及其制备方法 | |
| CN105506624A (zh) | 一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法 | |
| CN112779501A (zh) | 一种金锡合金热沉薄膜及其制备方法、热沉基板和led器件 | |
| CN202931664U (zh) | 超高导热双面铝基线路板 | |
| CN202918581U (zh) | 一种基于dlc薄膜涂层的陶瓷基板 | |
| CN105420679B (zh) | 一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置及方法 | |
| CN108796459A (zh) | 薄膜沉积方法 | |
| CN114000112A (zh) | 一种氮化铝覆铜amb方法 | |
| CN103325921B (zh) | 高导热荧光绝缘led封装结构 | |
| CN103353065B (zh) | 同基板光引擎结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190101 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |