CN109103129A - 图形化装置及其使用方法 - Google Patents
图形化装置及其使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109103129A CN109103129A CN201810953690.0A CN201810953690A CN109103129A CN 109103129 A CN109103129 A CN 109103129A CN 201810953690 A CN201810953690 A CN 201810953690A CN 109103129 A CN109103129 A CN 109103129A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- probe
- substrate
- patterning device
- corrosive liquid
- prober
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 33
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910003638 H2SiF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZEFWRWWINDLIIV-UHFFFAOYSA-N tetrafluorosilane;dihydrofluoride Chemical compound F.F.F[Si](F)(F)F ZEFWRWWINDLIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
本发明公开了一种图形化装置及其使用方法,所述图形化装置包括:探针,用于配合腐蚀液在衬底表面形成预设图形,其中,在腐蚀液环境中,探针与衬底表面接触后,衬底的接触部分被溶解;以及探针驱动装置,用于驱动探针沿所述预设图形的轨迹运动。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体加工技术领域,特别涉及一种图形化装置及其使用方法。
背景技术
半导体产业中,对衬底(例如硅衬底)进行图形化是一项重要的生产环节。现有技术中,图形化的方法主要包括光刻和刻蚀两大工艺过程。光刻的目的是形成所需要的图形掩模,刻蚀的目的主要是将光刻形成的光刻胶掩模图形转移到衬底中。总体加工过程较为复杂,并且对设备和环境的要求较高。
因此,有必要研究一种可直接图形化、工艺简单的图形化装置及方法。
发明内容
本发明的实施例提出了一种可直接进行图形化的图形化装置及其使用方法。
根据本发明的一个方面,提出了一种图形化装置,包括:探针,用于配合腐蚀液在衬底表面形成预设图形,其中,在腐蚀液环境中,探针与衬底表面接触后,衬底的接触部分被溶解;以及探针驱动装置,用于驱动探针沿所述预设图形的轨迹运动。
根据一些实施方式,所述腐蚀液包括氢氟酸(HF)、双氧水(H2O2)和水(H2O)。
根据一些实施方式,所述腐蚀液中氢氟酸、双氧水和水的摩尔质量比为5~7∶0.6~0.8∶45~55。
根据一些实施方式,所述腐蚀液中氢氟酸、双氧水和水的摩尔质量比为6∶0.7∶50。
根据一些实施方式,所述探针的材料包括金(Au)、铂金(Pt)或者银(Ag)。
根据一些实施方式,所述探针的形状为倒锥形或倒梯形。
根据一些实施方式,所述探针的针尖顶端的直径为4-10nm。
根据一些实施方式,所述衬底为单晶硅衬底。
根据一些实施方式,所述探针驱动装置用于控制探针运动的速度。
根据本发明的另一方面,提出一种利用所述的图形化装置进行图形化的方法,包括:在衬底表面滴加腐蚀液以形成腐蚀液环境;基于探针驱动装置,控制探针在腐蚀液环境中与衬底表面接触;基于探针驱动装置,驱动探针沿预设图形的轨迹运动。
在根据本发明的实施例的图形化装置中,通过设置探针并配合使用腐蚀液,使得在腐蚀液环境中,探针接触之处,衬底即被溶解。由此,在探针驱动装置的控制下,探针沿预设图形的轨迹运动之后,衬底上即可形成预设图形,直接完成衬底的图形化加工。无需前期的光学光刻或电子束光刻过程,也避免了后续将图形转移到衬底上所需的干法或湿法刻蚀过程,具有易实现可控制备、设备简单、可在常温常压下进行等诸多优点,应用前景广阔。
附图说明
通过下文中参照附图对本发明所作的描述,本发明的其它目的和优点将显而易见,并可帮助对本发明有全面的理解。
图1示出了根据本发明的一个示例性实施例的图形化装置的结构示意图;以及
图2示出了利用图1的图形化装置进行图形化的方法的流程图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中,相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。
在下面的详细描述中,为便于解释,阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地,一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下,公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
图1示出了根据本发明的一个示例性实施例的图形化装置100的结构示意图。如图1所示,图形化装置100包括:探针1,用于配合腐蚀液2在衬底3表面形成预设图形,其中,在腐蚀液环境中,探针1与衬底3表面接触后,衬底3的接触部分被溶解;以及探针驱动装置4,用于驱动探针1沿预设图形的轨迹运动。在根据本发明的实施例的图形化装置100中,通过设置探针并配合使用腐蚀液,使得在腐蚀液环境中,探针接触之处,衬底即被溶解。由此,在探针驱动装置的控制下,探针沿预设图形的轨迹运动之后,衬底上即可形成预设图形,直接完成衬底的图形化加工。无需前期的光学光刻或电子束光刻过程,也避免了后续将图形转移到衬底上所需的干法或湿法刻蚀过程,具有易实现可控制备、设备简单、可在常温常压下进行等诸多优点,应用前景广阔。
衬底是半导体器件中的基础部件,对衬底进行图形化是制备集成电路的关键。单晶硅作为典型的半导体材料,被广泛应用于二极管、三极管、晶闸管等器件的衬底制备中。在本发明的实施例中,衬底3可选用单晶硅衬底。
探针1是一种针状结构,用于提供与衬底3表面之间细微的接触点,保证图形化的精细操作。探针1的形状可以为倒锥形或倒梯形。探针1的形状会影响图形的形貌,实际操作中,可根据具体需求设计探针1的形状。探针1中宽大的部分用于与探针驱动装置4连接,保证连接的稳定性;细小的部分(即,针尖顶端)用于与衬底3接触。探针1的针尖顶端的直径可以为4-10nm。在本发明的实施例中,探针1的材料可包括金(Au)、铂金(Pt)或者银(Ag)。探针1的材料的选用与腐蚀液2的组成和衬底3的材料种类紧密相关。
腐蚀液2可包括氢氟酸(HF)、双氧水(H2O2)和水(H2O)。在本发明的实施例中,腐蚀液2中氢氟酸、双氧水和水的摩尔质量比可以为5~7∶0.6~0.8∶45~55,进一步可以优选为6∶0.7∶50。腐蚀液2的组成及各组分的比例对图形化的效果(例如图形的形貌)有较大影响。可根据实际需求,调节腐蚀液2中各组分的比例。
探针驱动装置4可包括用于驱动探针1运动的外部电路和计算机,可根据预设图形进行相关的程序设定,自动控制探针1的运动情况,无需人为操作,过程方便、结果精准。探针驱动装置4除控制探针1的运动轨迹之外,也可控制探针1与衬底3表面的接触深度、受力大小。
以硅衬底为例,对本发明图形化装置100的作用原理进行阐述:
在腐蚀液环境中,通过探针驱动装置4在探针1上施加向下的压力,使得探针1的针尖和硅衬底表面接触。此时,探针1会起到微阴极的作用,促使腐蚀液2中的H2O2分解,从而产生大量的空穴(h+)。空穴进一步注入到与探针1接触或者接近探针1针尖位置的硅衬底区域中,从而将硅氧化为硅的氧化物,硅的氧化物在HF的作用下开始溶解。由此,如果探针1按照预先设定好的图形的轨迹运动,就可以在硅衬底的表面形成图形。
在探针1表面发生的反应可表示为如下反应式:
H2O2+2H+→2H2O+2h+
2H+→H2↑+2h+
在硅衬底表面发生的反应可表示为如下反应式:
Si+4h++4HF→SiF4+4H+
SiF4+2HF→H2SiF6
总的反应式可表示为:
Si+H2O2+6HF=2H2O+H2SiF6+H2↑
可见,在本发明的实施例中,图形化过程无需提前光刻好图形掩模,也无需将掩模图形转移到衬底上,仅利用探针1即可一步刻划出预设图形。实际是将光刻工艺和刻蚀工艺统一为一体的操作,简化了工艺流程。
具体地,在腐蚀液2包括氢氟酸、双氧水和水,衬底3为单晶硅的情况下,只有金(Au)、铂金(Pt)或者银(Ag)三种材料可起到微阴极的作用。
进一步地,探针1的运动速度对图形化的效果也有较大影响。例如,探针1运动速度很快时,探针1和衬底3表面接触的时间就会很短,使得衬底3的溶解不充分,最终刻划的图形深度相应较浅。反之,探针1运动速度过慢时,探针1和衬底3表面接触的时间较长,使得衬底3过分溶解,最终刻划的图形深度相应较深,甚至可能穿透衬底3。可通过探针驱动装置4有效控制探针1的运动速度。
图2示出了利用图1的图形化装置100进行图形化的方法的流程图。如图2所示,进行图形化的方法可包括:
S1,在衬底3表面滴加适量腐蚀液2以形成腐蚀液环境;
S2,基于探针驱动装置4,控制探针1在腐蚀液环境中与衬底3表面接触,保证接触深度在合适范围内;
S3,基于探针驱动装置4,驱动探针1沿预设图形的轨迹运动,同时适当控制探针1的运动速度。探针1运动完毕,图形即制作完成。
可见,整个图形化的过程较为简单,并且大部分工作可由探针驱动装置4自动完成,只需提前设定好控制探针1运动路径的程序即可。可通过改变程序设定来形成不同的图形,具有很好的灵活性。
虽然结合附图对本发明进行了说明,但是附图中公开的实施例旨在对本发明的实施方式进行示例性说明,而不能理解为对本发明的一种限制。为了清楚地示出各个部件的细节,附图中的各个部件并不是按比例绘制的,所以附图中的各个部件的比例也不应作为一种限制。
虽然本发明总体构思的一些实施例已被显示和说明,本领域普通技术人员将理解,在不背离本发明总体构思的原则和精神的情况下,可对这些实施例做出改变,本发明的范围以权利要求和它们的等同物限定。
Claims (10)
1.一种图形化装置,包括:
探针,用于配合腐蚀液在衬底表面形成预设图形,其中,在腐蚀液环境中,探针与衬底表面接触后,衬底的接触部分被溶解;以及
探针驱动装置,用于驱动探针沿所述预设图形的轨迹运动。
2.根据权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述腐蚀液包括氢氟酸(HF)、双氧水(H2O2)和水(H2O)。
3.根据权利要求2所述的图形化装置,其特征在于,所述腐蚀液中氢氟酸、双氧水和水的摩尔质量比为5~7∶0.6~0.8∶45~55。
4.根据权利要求3所述的图形化装置,其特征在于,所述腐蚀液中氢氟酸、双氧水和水的摩尔质量比为6∶0.7∶50。
5.根据权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述探针的材料包括金(Au)、铂金(Pt)或者银(Ag)。
6.根据权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述探针的形状为倒锥形或倒梯形。
7.根据权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述探针的针尖顶端的直径为4-10nm。
8.根据权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述衬底为单晶硅衬底。
9.根据权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述探针驱动装置用于控制探针运动的速度。
10.一种利用权利要求1-9任一项所述的图形化装置进行图形化的方法,包括:
在衬底表面滴加腐蚀液以形成腐蚀液环境;
基于探针驱动装置,控制探针在腐蚀液环境中与衬底表面接触;
基于探针驱动装置,驱动探针沿预设图形的轨迹运动。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810953690.0A CN109103129A (zh) | 2018-08-21 | 2018-08-21 | 图形化装置及其使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810953690.0A CN109103129A (zh) | 2018-08-21 | 2018-08-21 | 图形化装置及其使用方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109103129A true CN109103129A (zh) | 2018-12-28 |
Family
ID=64850534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810953690.0A Pending CN109103129A (zh) | 2018-08-21 | 2018-08-21 | 图形化装置及其使用方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109103129A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102265218A (zh) * | 2009-01-30 | 2011-11-30 | 国际商业机器公司 | 用于在材料表面上构图分子的纳米级图案的方法 |
CN105347299A (zh) * | 2014-08-07 | 2016-02-24 | 哈尔滨工业大学 | 采用afm探针纳米刻划加工复杂三维微纳米结构的方法 |
US20160208404A1 (en) * | 2013-08-30 | 2016-07-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate Etch |
CN106629579A (zh) * | 2015-11-03 | 2017-05-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 微机电器件的制备方法 |
-
2018
- 2018-08-21 CN CN201810953690.0A patent/CN109103129A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102265218A (zh) * | 2009-01-30 | 2011-11-30 | 国际商业机器公司 | 用于在材料表面上构图分子的纳米级图案的方法 |
US20160208404A1 (en) * | 2013-08-30 | 2016-07-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate Etch |
CN105347299A (zh) * | 2014-08-07 | 2016-02-24 | 哈尔滨工业大学 | 采用afm探针纳米刻划加工复杂三维微纳米结构的方法 |
CN106629579A (zh) * | 2015-11-03 | 2017-05-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 微机电器件的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Barycka et al. | Silicon anisotropic etching in KOH-isopropanol etchant | |
CN103145095A (zh) | 一种全色结构色或可变色颜色图案阵列的制备方法 | |
WO2002084707A3 (en) | Method of etching shaped cavities and associated on-chip devices and micro-machined structures | |
DE50110834D1 (de) | Mikrofluidisches Bauelement und Analysevorrichtung | |
CN109103129A (zh) | 图形化装置及其使用方法 | |
JP2009503537A (ja) | カンチレバー型プローブ及びその製造方法 | |
JP4414774B2 (ja) | シリコン針の製造方法 | |
CN105668509A (zh) | 一种刻蚀微米硅通孔的方法 | |
JPH04282870A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
CN109244002A (zh) | 图形化装置及其使用方法 | |
CN104505339B (zh) | 一种igbt深沟槽光刻工艺 | |
CN109580986A (zh) | 一种单晶硅摆片的制作方法 | |
KR20190017862A (ko) | 3d 프린팅을 이용한 소프트 센서, 이의 제조방법 및 이를 적용한 웨어러블 장치 | |
JP7417340B2 (ja) | 実装装置及び実装装置における平行度検出方法 | |
CN103101876B (zh) | 一种在(111)型硅片上制作硅锥体结构的方法 | |
JP2005230647A (ja) | マイクロ流路の作製方法 | |
TW457575B (en) | Wet etching apparatus for semiconductor circuit and method for manufacturing minute tip used in its apparatus | |
CN106876265A (zh) | 一种差异化控制蚀刻深度的方法 | |
CN103208413A (zh) | 一种可控硅纳米线阵列的制备方法 | |
CN204058596U (zh) | 一种硅片湿法刻蚀工艺用开沟装置 | |
KR100800387B1 (ko) | 브릿지와 레버를 혼합한 증폭기구 | |
JPH0541372A (ja) | シリコン酸化膜のウエツトエツチング方法 | |
CN111620297B (zh) | 一种深腔刻蚀方法 | |
KR102407749B1 (ko) | 액적을 생성하는 방법 및 장치 | |
Atakan et al. | Variable-height microfluidic channels for accurate immobilization of C. elegans worms by using a single dry etching step |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181228 |