CN109075074A - 处理方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种技术，其具有：在处理室内，以第一温度处理保持于基板保持部的基板保持区域的基板的工序，基板保持部在一端侧具有隔热区域，且在另一端侧具有基板保持区域；搬出基板后，在比第一温度低且比室温高的第二温度下向隔热区域供给清洗气体的第一清洗工序；以及搬出基板后，在比第二温度低的第三温度下向基板保持区域供给清洗气体的第二清洗工序。

Description

处理方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及处理方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置。
背景技术
在基板处理装置的处理室内进行在基板上形成沉积膜的成膜处理的情况下，在基板以外的处理室内的区域也沉积膜、副生成物。作为去除该沉积物的方法，具有通过向处理室内供给清洗气体来去除的方法。作为清洗气体，使用氟化氢(HF)气体等。(例如，参照专利文献1～专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014－209572号公报
专利文献2：日本特开2014－63860号公报
专利文献3：国际公开第2007/116768号
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在处理室内的一端侧和另一端侧，蚀刻速率存在偏差，在难以清洗的部位容易残存反应副生成物，为了将其去除，需要更长时间地供给清洗气体，另外，在基于气体的清洗不充分的情况下，需要进行擦拭等手动作业。因此，存在清洗所需的时间变长的问题。
本发明的目的在于提供消除因清洗区域而引起的蚀刻速率的偏差，缩短清洗所需的时间的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明的一方案，提供一种技术，其具有：在处理室内，以第一温度处理保持于基板保持部的基板保持区域的基板的工序，基板保持部在一端侧具有隔热区域，且在另一端侧具有基板保持区域；搬出基板后，在比第一温度低且比室温高的第二温度下向隔热区域供给清洗气体的第一清洗工序；以及搬出基板后，在比第二温度低的第三温度下向基板保持区域供给清洗气体的第二清洗工序。
发明效果
根据本发明，能够消除因清洗区域而引起的蚀刻速率的偏差，缩短清洗所需的时间。
附图说明
图1是适用于本发明的实施方式的基板处理装置的立式处理炉的概率结构图，是以纵剖视图表示处理炉部分的图。
图2是适用于本发明的实施方式的基板处理装置的立式处理炉的放大了喷嘴40b的周边的局部剖视图。
图3是适用于本发明的实施方式的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是以图1的A－A线剖视图表示处理炉部分的图。
图4是适用于本发明的实施方式的基板处理装置的控制器的概略结构图，是以块图表示控制器的控制系统的图。
图5是本发明的实施方式的基板处理工序及清洗工序的流程图。
图6是表示本发明的实施方式的成膜顺序的气体供给的时序的图。
图7是表示本发明的实施方式的清洗工序的顺序的图。
图8是表示本发明的实施方式的清洗工序的清洗气体供给时的压力变化的时序的图。
图9是使用本发明的实施方式的清洗工序进行的实验结果的图示例。
图10A是用于说明适用于本发明的实施方式的基板处理装置的隔热区域和晶圆保持区域的图。
图10B是用于说明适用于本发明的实施方式的基板处理装置的隔热区域和晶圆保持区域的图。
图11是表示处理室22内的温度与冷却时间的关系的图。
图12A是表示本发明的比较例的清洗工序的顺序的图。
图12B是表示本发明的比较例的清洗工序的清洗气体供给时的压力变化的时序的图。
图13A是表示使用本发明的实施方式的清洗工序和比较例的清洗工序进行的实验结果的图。
图13B是表示使用本发明的实施方式的清洗工序和比较例的清洗工序进行的实验结果的图。
图14是表示本发明的实施方式的清洗工序的变形例的顺序的图。
具体实施方式
(1)基板处理装置的结构
使用图1至图3来说明本发明的一实施方式。处理炉12具有作为加热机构的加热器14。加热器14为圆筒形状，通过支撑于作为保持板的加热器基座(未图示)而垂直地安装。加热器14还作为通过热量使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。
在加热器14的内侧与该加热器14呈同心圆状地配设有反应管16。反应管16形成为上端堵塞而下端开口的圆筒状。反应管16由例如石英(SiO2)、碳化硅(SiC)等耐热性材料构成。
在反应管16的下方与该反应管16呈同心圆状地配设有入口凸缘(以后，有时称为入口或歧管)18。入口18形成为上端及下端均开口的圆筒状，由例如不锈钢等金属构成。入口18的上端部与反应管16的下端部卡合，构成为支撑该反应管16。
在入口18与反应管16之间设有作为密封部件的O形环20a。入口18支撑于加热器基座，由此反应管16成为垂直安装的状态。
主要由反应管16和入口18构成处理容器，在该处理容器的筒中空部形成处理室22。在处理室22的下方形成搬入及搬出作为基板的晶圆24的开口。处理室22使用作为保持基板24的基板保持具的晶舟28，将基板24以水平姿势且以在垂直方向上排列多层的状态容纳。
晶舟28将多张基板24以水平姿势且以相互对齐中心的状态排列而保持多层。晶舟28由例如石英、SiC等耐热性材料构成。在晶舟28的下部设有由例如石英、SiC等耐热性材料构成的隔热部件30，且构成为使来自加热器14的热难以向下方传递。隔热部件30也可以包括由石英、SiC等耐热性材料构成的多张隔热板和将这些隔热板以水平姿势支撑多层的隔热板架。
在处理炉12设有将处理基板24的第一气体(例如，原料气体)向处理室22内供给的第一气体供给系统(原料气体供给系统)32、将处理基板24的第二气体(例如，反应气体)向处理室22内供给的第二气体供给系统(反应气体供给系统)34、以及供给对该处理室22内进行清洗的第三气体(清洗气体)的第三气体供给系统(清洗气体供给系统)36。
处理炉12具备向处理室22内导入气体的三个喷嘴40a、40b、40c，这些喷嘴40a、40b、40c分别以贯通入口18的侧壁的方式设置。喷嘴40a、40b、40c分别由例如石英、SiC等耐热性材料构成。在喷嘴40a连接有气体供给管42a及惰性气体供给管52a。在喷嘴40b连接有清洗气体供给管62b及惰性气体供给管52b。在喷嘴40c连接有气体供给管42c、惰性气体供给管52c、清洗气体供给管62a、气体供给管42d以及惰性气体供给管52d。
在气体供给管42a，将处理室22侧作为下游，自上游方向起，依次设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)44a和作为开闭阀的阀46a，在比该阀46a靠下游侧，连接有惰性气体供给管52a。在气体供给管42a的前端部连接有喷嘴40a。在惰性气体供给管52a，自上游方向起，依次设有MFC54a和阀56a。
喷嘴40a设于反应管16的内壁与容纳于处理室22内的基板24之间的圆环状的空间，且设置为，从入口18相对于基板24的装载方向立起至该反应管16内。喷嘴40a设置为沿着保持基板24的晶圆保持区域(基板保持区域)的侧方且水平地包围该基板保持区域的区域。
在喷嘴40a的侧面设有供给气体的气体供给孔48a。气体供给孔48a朝向反应管16的中心侧，向容纳于处理室22内的基板24供给气体。从反应管16的基板保持区域的下部到上部，设有多个气体供给孔48a。
主要由气体供给管42a、MFC44a以及阀46a构成第一气体供给系统32。另外，主要由惰性气体供给管52a、MFC54a以及阀56a构成惰性气体供给系统。
从气体供给管42a供给含有预定元素和卤元素的原料气体。作为含有作为预定元素的硅(Si)和作为卤元素的氯(Cl)的原料气体(含Si及Cl气体)，例如，可以将作为氯硅烷类原料气体的一种的六氯乙硅烷(Si2Cl6、简称：HCDS)气体经由MFC44a、阀46a以及喷嘴40a从气体供给管42a向处理室22内供给。
作为原料气体，为气体状态的原料，例如，通过将常温常压下为液体状态的原料气化而得到的气体、常温常压下为气体状态的原料等。另外，氯硅烷类原料为具有作为卤素基的氯基的硅烷类原料，为至少含有Si及Cl的原料。
在气体供给管42c，自上游方向起，依次设有MFC44c和阀46c，在比该阀46c靠下游侧，连接有惰性气体供给管52c。在惰性气体供给管52c，自上游方向起，依次设有MFC54c和阀56c。
喷嘴40c设置为从反应管16的内壁的下部沿上部相对于基板24的装载方向立起。喷嘴40c设置为沿着配置基板24的晶圆保持区域的侧方且水平地包围该基板保持区域的区域。
在喷嘴40c的侧面设有供给气体的气体供给孔48c。气体供给孔48c朝向反应管16的中心侧，向容纳于处理室22内的基板24供给气体。从基板保持区域的一端侧到另一端侧，设有多个气体供给孔48c。
在比气体供给管42c的阀46c及惰性气体供给管52c的阀56c靠下游侧连接有气体供给管42d。在气体供给管42d，从上游方向起，依次设有MFC44d和阀46d，在比该阀46d靠下游侧连接有惰性气体供给管52d。在惰性气体供给管52d，自上游方向起，依次设有MFC54d和阀56d。
主要由喷嘴40c、气体供给管42c、42d、MFC44c、44d、阀46c、46d构成第二气体供给系统34。主要由惰性气体供给管52c、52d、MFC54c、54d、阀56c、56d构成惰性气体供给系统。
作为反应气体，从气体供给管42c供给氧化性气体(氧化气体)即含氧气体。作为含氧气体，例如，氧(O2)气体经由MFC44c、阀46c、气体供给管42c以及喷嘴40c向处理室22内供给。此时，也可以从惰性气体供给管52c经由MFC54c及阀56c向气体供给管42c内供给惰性气体。
作为反应气体，从气体供给管42d供给还原性气体(还原气体)即含氢气体。作为含氢气体，例如，氢(H2)气体经由MFC44d、阀46d、气体供给管42d以及喷嘴40c向处理室22内供给。此时，也可以从惰性气体供给管52d经由MFC54d、阀56d向气体供给管42d内供给惰性气体。
清洗气体供给管62a连接于气体供给管42c。在清洗气体供给管62a，自上游方向起，依次设有MFC64a和阀66a。在清洗气体供给管62b，自上游方向起，依次设有MFC64b和阀66b，在比该阀66b靠下游侧，连接有惰性气体供给管52b。在惰性气体供给管52b，自上游方向起，依次设有MFC54b和阀56b。喷嘴40b配置为，在平面观察中，以夹着容纳于处理室22内的晶舟28即基板24的方式与排气管90(后述)对置(参照图3)。此外，在图1中，喷嘴40a、40b、40c、排气管90等的位置在图示的关系上是为了便于理解。
在喷嘴40b的前端设有供给气体的气体供给孔48b，该气体供给孔48b构成为朝向水平方向开口(向从入口18内壁侧朝向内侧的方向开口)。喷嘴40b在比喷嘴40c供给气体的位置靠入口18侧的隔热区域向处理室22内的内侧供给气体。
主要由喷嘴40b、清洗气体供给管62b、MFC64b以及阀66b构成第一清洗气体供给系统。另外，主要由喷嘴40c、清洗气体供给管62a、MFC64a、阀66a构成第二清洗气体供给系统。另外，由惰性气体供给管52b、MFC54b以及阀56b构成惰性气体供给系统。由该第一清洗气体供给系统及第二清洗气体供给系统构成作为清洗气体供给系统的第三气体供给系统36。
从清洗气体供给管62a供给清洗气体。作为清洗气体，例如，作为含氟气体的氟化氢(HF)气体经由MFC64a、阀66a、气体供给管42c以及喷嘴40c从清洗气体供给管62a向处理室22内(主要对晶圆保持区域的反应管16的内壁、设于处理室22内的晶舟28等部件的表面)供给。此时，也可以从惰性气体供给管52c、52d经由MFC54c、54d、阀56c、56d、气体供给管42c以及喷嘴40c向处理室22内供给惰性气体。相比其它清洗气体，HF气体能够在比100℃低的低温下去除氧化物类的沉积物。
同样地，从清洗气体供给管62b供给清洗气体。作为清洗气体，例如，作为含氟气体的HF气体经由MFC64b、阀66b以及喷嘴40b从清洗气体供给管62b向处理室22内(主要对隔热区域的反应管16的内壁、入口18的内壁、设于处理室22内的晶舟28等部件的表面)供给。此时，也可以从惰性气体供给管52b经由MFC54b、阀56b向清洗气体供给管62b内供给惰性气体。
在反应管16设有排出处理室22内的环境气体的排气管90。在排气管90连接有检测处理室22内的压力的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器92，且经由作为压力调整器(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)阀94连接有作为真空排气装置的真空泵96。APC阀94通过在使真空泵96工作的状态下对阀进行开闭，从而进行处理室22内的真空排气及真空排气停止。
主要由排气管90、压力传感器92以及APC阀94构成排气系统。也可以考虑将真空泵96包含于排气系统。排气系统一边使真空泵96工作，一边基于由压力传感器92检测出的压力信息来调节APC阀94的阀开度，由此以处理室22内的压力成为预定的压力(真空度)的方式进行真空排气。排气管90不限于设于反应管16，也可以与喷嘴40a、喷嘴40b等同样地设于入口18。
在入口18的下方设有气密地堵塞该入口18的下端开口的作为第一炉口盖体的密封帽100。盖体100构成为与入口18的下端从垂直方向下侧抵接。盖体100由例如不锈钢等金属构成，且形成为圆盘状。在盖体100的上表面设有与入口18的下端抵接的作为密封部件的O形环20b。
在盖体100的与处理室22相反的一侧设有使晶舟28旋转的旋转机构102。旋转机构102的旋转轴104由例如不锈钢等金属构成，且贯通盖体100连接于晶舟28。旋转机构102通过使晶舟28旋转，从而使保持于该晶舟28的基板24旋转。
在反应管16的外部垂直地设置有作为升降机构的晶舟升降机106，该晶舟升降机106构成为使密封帽100在垂直方向上升降。晶舟升降机106通过使密封帽100升降，从而将载置于该盖体100的晶舟28在处理室22内外搬入及搬出。晶舟升降机106作为将晶舟28(及保持于此的基板24)在处理室22内外搬送的搬送装置(搬送机构)发挥功能。
在入口18的下方设有将该入口18的下端开口气密地堵塞的作为第二炉口盖体的闸门110。闸门110形成为圆盘状，且由不锈钢等金属构成。在闸门110的上表面设有与入口18的下端抵接的作为密封部件的O形环20c。闸门110在盖体100下降而使入口18的下端开口形成打开的状态的情况下，关闭该下端开口，在该盖体100上升而使入口18的下端开口形成关闭的状态的情况下，从该下端开口退离。闸门110通过设置于反应管16的外部的闸门开闭机构112以进行开闭动作(升降动作、转动动作等)的方式被控制。
在反应管16内设置有作为温度检测器的温度传感器114(参照图3)。基于由温度传感器114检测出的温度信息，调整向加热器14的通电状态，从而处理室22内的温度成为期望的温度分布。温度传感器114与喷嘴40a及喷嘴40c同样地沿反应管16的内壁设置。
作为控制部(控制单元)的控制器200构成为具备CPU(Central Processing Unit：中央处理器)202、RAM(Random Access Memory：随机存储器)204、存储装置206以及I/O端口208的计算机。RAM204、存储装置206以及I/O端口208构成为经由内部总线210与CPU202进行数据交换。在控制部200连接有例如触控面板等输入输出装置212。
存储装置206由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等构成。在存储装置206内自由读取地存储有控制基板处理装置10的动作的控制程序、记载有后述的基板处理(成膜处理)的步骤、条件等的流程配方、记载有后述的清洗处理的步骤、条件等的清洗配方等CPU的动作程序等。
流程配方使控制部200执行基板处理工序的各步骤，以能够得到预定的结果的方式组合，作为程序发挥功能。另外，清洗配方使控制部200执行后述的清洗工序的各步骤，以能够得到预定的结果的方式组合，作为程序发挥功能。以下，将该流程配方、清洗配方、控制程序等总称地简称为“程序”。本说明书中，称为“程序”的术语有时仅包含流程配方单体，有时仅包含清洗配方单体，有时仅包含控制程序单体，或者有时包含流程配方、清洗配方以及控制程序中的任意的组合。
RAM204构成为临时保持由CPU202读出的程序、数据等的存储区域。
I/O端口208连接于MFC44a、44c、44d、54a、54b、54c、54d、64a、64b、阀46a、46c、46d、56a、56b、56c、56d、66a、66b、压力传感器92、APC阀94、真空泵96、加热器14、温度传感器114、旋转机构102、晶舟升降机106、闸门开闭机构112等。
CPU202构成操作部的中枢，从存储装置206读出控制程序而执行，并且根据来自输入输出装置212的操作指令的输入等从存储装置206读出流程配方、清洗配方。CPU202构成为，按照读出的流程配方、清洗配方的内容，控制MFC44a、44c、44d、54a、54b、54c、54d、64a、64b对各种气体的流量调整动作、阀46a、46c、46d、56a、56b、56c、56d、66a、66b的开闭动作、APC阀94的开闭动作以及基于压力传感器92的APC阀94进行的压力调整动作、基于温度传感器114的加热器14的温度调整动作、真空泵96的启动及停止、旋转机构102对晶舟28的旋转及转速调整动作、晶舟升降机106对晶舟28的升降动作、闸门开闭机构112对闸门110的开闭动作等。
控制部200能够通过将存储于外部存储装置220的上述的程序安装于计算机而构成。作为外部存储装置220，例如，能够使用硬盘等磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器等。存储装置206、外部存储装置220构成为计算机能够读取的存储介质。以下，将它们总称地简称为“存储介质”。本说明书中使用称为存储介质的术语的情况下，有时仅包含存储装置206单体，有时仅包含外部存储装置220单体，另外，有时包含它们双方。此外，向计算机提供程序也可以不使用外部存储装置220，而使用网络、专用线路等通信单元。
然后，使用基板处理装置10的处理炉12，作为半导体装置的制造工序的一工序，对实施在基板24上形成薄膜的处理后(基板处理工序)，对处理室22内进行清洗的方法(清洗工序)进行说明。构成基板处理装置10的各部分的动作由控制部200控制。
以下，参照图5～图8，对以下例进行说明：作为原料气体，使用HCDS气体，作为反应气体，使用O2气体及H2气体，在基板24上形成氧化硅膜(SiO2膜，以下称为“SiO膜”)后，作为清洗气体，使用HF气体对处理室22内进行清洗。
本说明书中使用称为“晶圆”的术语的情况下，有时指晶圆本身，有时指晶圆与形成于其表面的预定的层、膜的层叠体。在本说明书中使用称为“晶圆的表面”的术语的情况下，有时指晶圆本身的表面，有时指形成于晶圆上的预定的层等的表面。在本说明书中记载为“在晶圆上形成预定的层”的情况有时指在晶圆本身的表面上直接形成预定的层，有时指在形成于晶圆上的层等之上形成预定的层。本说明书中，使用称为“基板”的术语的情况也与使用称为“晶圆”的术语的情况同样，在该情况下，在上述说明中，只要将“晶圆”置换成“基板”来考虑即可。
(2)基板处理工序(晶圆装载及晶舟载入)
首先，将多张基板24装入晶舟28(晶圆装载)。当基板24装入晶舟28时，通过闸门开闭机构112使闸门110移动，入口18的下端开口开放。保持有多张基板24的晶舟28被晶舟升降机106举起，搬入处理室22内(晶舟载入)。盖体100成为经由O形环20b密封入口18的下端的状态。
(压力调整及温度调整)
以处理室22内成为期望的压力(真空度)的方式通过真空泵96进行真空排气。此时，处理室22内的压力由压力传感器92测量，基于该测量出的压力信息，对APC阀94进行反馈控制(压力调整)。真空泵96至少在对基板24的处理完成前的期间始终维持工作状态。另外，处理室22内以成为作为第一温度的期望温度的方式通过加热器14加热。此时，以处理室22内成为期望的温度分布的方式基于温度传感器114检测到的温度信息对向加热器14的通电状态进行反馈控制(温度调整)。加热器14对处理室22内的加热至少在对基板24的处理完成前的期间持续进行。另外，通过旋转机构102使晶舟28及基板24旋转。旋转机构102对晶舟28及基板24的旋转至少在对基板24的处理完成前的期间持续进行。
之后，如图5、图6所示，将以下的“步骤1”～“步骤4”作为一个循环，通过进行预定次数的该循环，在基板24上形成预定膜厚的SiO膜。
(步骤1)
在“步骤1”，对容纳于处理室22内的基板24供给原料气体(HCDS气体)，在该基板24上形成层(含Si层)。
首先，打开阀46a，向气体供给管42a内流动HCDS气体。HCDS气体从气体供给管42a流动，通过MFC44a进行流量调整。进行了流量调整的HCDS气体从喷嘴40a的气体供给孔48a向进行了加热的减压状态的处理室22内的基板24供给，且从排气管90排出。于是，对基板24供给HCDS气体(HCDS气体供给)。
此时，也可以打开阀56a，从惰性气体供给管52a，作为惰性气体，供给N2气体。N2气体通过MFC54a进行流量调整，然后向气体供给管42a内供给。进行了流量调整的N2气体与进行了流量调整的HCDS气体在气体供给管42a内混合，从喷嘴40a的气体供给孔48a向进行了加热的减压状态的处理室22内供给，且从排气管90排出。
为了防止HCDS气体向喷嘴40b、40c内侵入，打开阀56b、56c、56d，在惰性气体供给管52b、52c、52d内流动N2气体。N2气体经由清洗气体供给管62b、气体供给管42c、气体供给管42d、喷嘴40b以及喷嘴40c供给至处理室22内，并从排气管90排出。
此时，调整APC阀94，将处理室22内的压力设为例如1～2000Pa、优选10～1330Pa的范围内的压力。HCDS气体的供给流量设为例如1～1000sccm的范围内的流量。通过各气体供给管供给的N2气体的供给流量分别设为例如100～2000sccm的范围内的流量。对基板24供给HCDS气体的时间设为例如1～120秒的范围内的时间。
加热器14的温度设定为使基板24的温度为例如350～800℃，优选为450～800℃，更优选为550～750℃的范围内的温度。
在上述的条件下对基板24供给HCDS气体，由此在基板24(表面的基础膜)上形成例如从小于1原子层到数原子层左右的厚度的含Si层。含Si层也可以是HCDS气体的吸附层，也可以是Si层，也可以包含它们双方。含Si层优选为含有Si及Cl的层。
供给至处理室22内的HCDS气体不仅对基板24供给，还对处理室22内的部件的表面(反应管16的内壁、入口18的内壁、设于处理室22内的晶舟28等部件的表面)供给。因此，含Si层不仅形成于基板24上，还形成于处理室22内的部件的表面。形成于处理室22内的部件的表面的含Si层也与形成于基板24上的含Si层同样地，有时包含HCDS气体的吸附层、有时包含Si层、有时包含它们双方。
作为原料气体，除了HCDS气体外，也可以使用四氯硅烷(四氯化硅、SiCl4、简称：STC)气体、三氯硅烷(SiHCl3、简称：TCS)气体、二氯甲硅烷(SiH2Cl2、简称：DCS)气体、单氯硅烷(SiH3Cl、简称：MCS)气体。作为惰性气体，除了N2气体外，也可以使用氩(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、氙(Xe)等稀有气体。
(步骤2)
在基板24上形成含Si层后，关闭阀46a，停止HCDS气体的供给。排气管90的APC阀94保持打开状态，通过真空泵96对处理室22内进行真空排气，将残留于处理室22内的气体从处理室22内排除(残留气体去除)。此时，阀56a、56b、56c、56d保持打开状态，维持向处理室22内供给N2气体。N2气体作为净化气体发挥作用。从各气体供给管供给的N2气体的供给流量分别设为例如100～2000sccm的范围内的流量。作为净化气体，除了N2气体外，也可以使用Ar、He、Ne、Xe等稀有气体。
(步骤3)
在“步骤3”中，对处于小于大气压的压力下的处理室22内的进行了加热的基板24，作为反应气体，供给O2气体和H2气体，将在“步骤1”形成的层(含Si层)氧化而改性成氧化层。
去除处理室22内的残留气体后，打开阀46c，在气体供给管42c内流动O2气体。O2气体从气体供给管42c流动，通过MFC44c进行流量调整。进行了流量调整的O2气体从喷嘴40c的气体供给孔48c供给至进行了加热的减压状态的处理室22内。
打开阀46d，在气体供给管42d内流动H2气体。H2气体从气体供给管42d流动，通过MFC44d进行流量调整。进行了流量调整的H2气体经由气体供给管42c从喷嘴40c的气体供给孔48c供给至进行了加热的减压状态的处理室22内。
H2气体在经由气体供给管42c时在该气体供给管42c内与O2气体混合。O2气体与H2气体的混合气体从喷嘴40c的气体供给孔48c向进行了加热的减压状态的处理室22内的基板24供给，然后从排气管90排出。于是，对基板24供给O2气体和H2气体(O2气体+H2气体供给)。
此时，也可以打开阀56c，从惰性气体供给管52c供给N2气体。N2气体通过MFC54c进行流量调整，然后向气体供给管42c内供给。另外，也可以打开阀56d，从惰性气体供给管52d作为惰性气体供给N2气体。N2气体通过MFC54d进行流量调整，然后向气体供给管42c内供给。该情况下，从喷嘴40c供给O2气体、H2气体以及N2气体的混合气体。作为惰性气体，除了N2气体外，也可以使用Ar、He、Ne、Xe等稀有气体。
为了防止O2气体和H2气体向喷嘴40a、40b内侵入，打开阀56a、56b，在惰性气体供给管52a、52b内流动N2气体。N2气体经由气体供给管42a及喷嘴40a、清洗气体供给管62b及喷嘴40b供给至处理室22内，且从排气管90排出。
调整APC阀94，使处理室22内的压力维持在小于大气压，例如1～1000Pa的范围内的压力。O2气体的供给流量设为例如1000～10000sccm的范围内的流量。H2气体的供给流量设为例如1000～10000sccm的范围内的流量。从各气体供给管供给的N2气体的供给流量分别设为例如100～2000sccm的范围内的流量。对基板24供给O2气体及H2气体的时间设为例如1～120秒的范围内的时间。
加热器14的温度设定为使基板24的温度为与“步骤1”的HCDS气体的供给时相同的温度带且氧化力提高的效果显著的温度带，例如450～800℃，优选为550～750℃的范围内的温度。若为该范围内的温度，则减压环境气体下向O2气体添加H2气体带来的氧化力提高的效果显著。另外，若基板24的温度过低，则难以得到氧化力提高的效果。
在上述的条件下向处理室22内供给O2气体及H2气体，从而O2气体及H2气体在进行了加热的减压环境气体下以非等离子体的方式被热活化(激发)而反应，由此生成含原子状氧(O)等氧的不含水分(H2O)的氧化性物质。然后，主要通过该氧化性物质，对在“步骤1”形成于基板24上的含Si层进行氧化处理。于是，含Si层向Cl等杂质的含有量少的Si氧化层(SiO2层、以下，也简称为SiO层。)变化(改性)。
根据该氧化处理，与单独供给O2气体的情况、供给水蒸气(H2O)的情况相比，能够大幅提高氧化力。通过在减压环境气体下向O2气体添加H2气体，与单独供给O2气体的情况、供给H2O气体的情况相比，能够得到大幅提高氧化力的效果。
在处理室22内生成的氧化性物质不仅对基板24供给，也对处理室22内的部件的表面供给。其结果，形成于处理室22内的部件的表面的含Si层的一部分与形成于基板24上的含Si层同样地变化(改性)成SiO层。
作为含氧气体，能够使用选自由O2气体及O3气体构成的组的至少一个气体，作为含氢气体，能够使用选自由H2气体及D2气体构成的组的至少一个气体。
(步骤4)
使含Si层变化成SiO氧化层后，关闭阀46c，停止O2气体的供给。另外，关闭阀46d，停止H2气体的供给。排气管90的APC阀94保持打开的状态，通过真空泵96对处理室22内进行真空排气，将残留的气体从处理室22内排除(残留气体去除)。此时，阀56a、56b、56c、56d保持打开状态，维持向处理室22内供给N2气体。N2气体作为净化气体发挥作用。从各气体供给管供给的N2气体的供给流量分别设为例如100～2000sccm的范围内的流量。作为净化气体，除了N2气体外，也可以使用Ar、He、Ne、Xe等稀有气体。
(实施预定次数)
将“步骤1”～“步骤4”作为一个循环，进行预定次数(n次)该循环，由此在基板24上形成预定膜厚的SiO膜。
(净化及大气压恢复)
在形成预定膜厚的SiO膜后，从惰性气体供给管52a、52b、52c、52d的每一个向处理室22内供给N2气体，并从排气管90排出。N2气体作为净化气体发挥作用，处理室22内被惰性气体净化，从处理室22内去除(净化)残留于处理室22内的气体。然后，处理室22内的环境气体转换成惰性气体，处理室22内的压力恢复成常压(大气压恢复)。
(晶舟导出及晶圆卸载)
通过晶舟升降机106，盖体100下降，入口18的下端开口，并且处理完毕的基板24在保持于晶舟28的状态下从入口18的下端搬出至反应管16的外部(晶舟导出)。晶舟导出后，通过闸门开闭机构112使闸门110移动，入口18的下端开口经由O形环20c被闸门110密封(闸门关闭)。然后，将处理完毕的基板24、即批量处理后的基板24从晶舟28取出(晶圆卸载)。
(3)清洗工序
接下来，主要基于图7及图8，进行处理室22内的清洗。
在SiO膜的形成工序时，在反应管16及入口18的内壁、晶舟28等部件的表面也沉积膜。该沉积而成的膜(沉积膜)由于反复进行上述的批量处理而积累，逐渐增厚。该积累的沉积膜由于在之后的处理中剥离并附着于基板24等，成为异物的主要原因。因此，在之后的处理中，在沉积膜的厚度达到预定的厚度的时刻，从处理室22内去除沉积膜。此外，在本实施方式中，以下，对该沉积膜的预定的厚度为例如3000nm的情况进行说明。
(晶舟载入)
将未装入基板24的状态的晶舟28(空的晶舟28)按照与上述的晶舟载入同样的顺序搬入处理室22内。
(压力调整及温度调整)
以使处理室22内成为期望的压力(真空度)的方式通过真空泵96进行真空排气。此时，处理室22内的压力由压力传感器92测量，基于该测量到的压力信息，对APC阀94进行反馈控制(压力调整)。真空泵96至少在处理室22内的清洗完成前的期间始终维持工作状态。
如图7所示，使处理室22内的温度稳定在作为第一温度的预定温度(例如450℃)。此时，以处理室22内成为期望的温度分布的方式基于温度传感器114检测到的温度信息对向加热器14的通电状态进行反馈控制(温度调整)。然后，使处理室22内的温度从450℃降低。在此，处理室22内的温度降低时，也可以如上所述地对向加热器14的通电状态进行反馈控制来进行温度调整，也可以对向加热器14的通电状态不进行反馈控制，而将通电状态切断(OFF)，而不进行温度调整。若切断向加热器14的电力供给，则能够快速地进行温度降低。此外，在一边对向加热器14的通电状态进行反馈控制来进行温度调整一边进行温度降低、和以不对向加热器14的通电状态进行反馈且将通电状态切断而不进行温度调整的方式进行温度降低的任一个中都是控制处理室22内的温度。而且，当分别达到后述的第二温度、第三温度、第四温度时，还如上述那样进行温度调整。
然后，在处理室22内的温度稳定在第一温度后，通过旋转机构102使晶舟28旋转。旋转机构102对晶舟28的旋转至少在处理室22内的清洗完成前的期间持续进行。此外，也可以使晶舟28不旋转。
(清洗气体供给)
然后，当处理室22内的温度由温度传感器114检测为比第一温度低且比室温高的温度(第二温度)时，向处理室22内供给清洗气体。在清洗气体供给中，首先，一边将处理室22内的温度从例如100℃(第二温度)降低至比第二温度低的温度(第三温度)、例如第75℃，一边从喷嘴40b供给清洗气体(隔热区域清洗)，然后，一边将处理室内22内的温度从75℃降低至50℃(第四温度)，一边从喷嘴40c供给清洗气体(晶圆保持区域清洗)。此外，也可以在隔热区域清洗和晶圆保持区域清洗的每一个的结束温度保持预定期间而清洗，然后结束。另外，第二温度不必限定于100℃，第三温度不必限定于75℃，第四温度不必限定于50℃。在此，对隔热区域清洗和晶圆保持区域清洗具体地进行叙述。
[隔热区域清洗]
首先，打开阀66b，在清洗气体供给管62b内流动HF气体。HF气体从清洗气体供给管62b流动，通过MFC64b进行流量调整。进行了流量调整的HF气体从喷嘴40b的气体供给孔48b向处理室22内供给，且与入口18的内壁、密封帽100的上表面、旋转轴104的侧面等接触，并从排气管90排出。具体而言，沉积于构成隔热区域的部件(入口18、隔热部件30、旋转轴104)的沉积物和HF气体反应，从而去除沉积物。另外，喷嘴40b构成为，从气体供给孔48b直接向隔热部件30供给HF气体。特别地，喷嘴40b由于为这样的结构，因此能够向隔热部件30间可靠地供给HF气体，因此能够有效地去除沉积于隔热部件30的沉积物。此外，从喷嘴40b供给的HF气体从隔热区域与处理室22内的所有部件接触，然后在排气管90排出，因此也存在对沉积于构成晶圆保持区域的部件(晶舟28等)的沉积物进行清洗的情况。此时，打开阀56c、56d，从喷嘴40c供给作为惰性气体的N2气体。
此外，此时为了防止HF气体向喷嘴40a内侵入，优选打开阀56a，在惰性气体供给管52a内流动N2气体。该情况下，N2气体经由气体供给管42a、喷嘴40a供给至处理室22内，并从排气管90排出。
在该隔热区域清洗中，从喷嘴40b供给HF气体，处理室22内的温度降低至作为第三温度的75℃左右后，关闭阀66b、56c、56d，停止从清洗气体供给管62b供给HF气体以及从惰性气体供给管52c、52d供给N2气体。
[晶圆保持区域清洗]
接下来，打开阀66a，在清洗气体供给管62a内流动HF气体。HF气体从清洗气体供给管62a流动，通过MFC64a进行流量调整。进行了流量调整的HF气体从喷嘴40c的气体供给孔48c供给至处理室22内，与反应管16及入口18的内壁、晶舟28的表面等接触，且从排气管90排出。具体而言，使沉积于构成晶圆保持区域的部件(反应管16、入口18、晶舟28等)的沉积膜和从喷嘴40c供给的HF气体反应，去除沉积膜。此外，从喷嘴40c的气体供给孔48c供给的HF气体与处理室22内的所有部件接触，然后从排气管90排出，因此存在对隔热区域进行清洗的情况。此时，打开阀56b，从喷嘴40b供给作为惰性气体的N2气体。
此外，此时为了防止HF气体向喷嘴40a内侵入，优选打开阀56a，在惰性气体供给管52a内流动N2气体。该情况下，N2气体经由气体供给管42a、喷嘴40a供给至处理室22内，且从排气管90排出。
在该基板保持区域清洗中，从喷嘴40c供给HF气体，处理室22内的温度降低至作为第四温度的50℃左右，然后关闭阀66a、56b，停止从清洗气体供给管62a供给HF气体以及从惰性气体供给管52b供给N2气体。
在包含上述的隔热区域清洗及基板保持区域清洗的清洗气体供给工序的期间，调整APC阀94，控制处理室22内的压力。处理室22内的压力例如也可以固定地控制为预定压力(13kPa)，也可以在例如从0.1kPa(第一压力)到26kPa(第二压力)左右的范围内变动。优选的是，处理室22内的压力以如下方式变动：反复进行成为预定的高压(例如、10kPa)以上的期间t2和成为小于预定的高压的期间t1，并且处理室22内的压力成为小于预定的高压的期间t1比成为预定的高压以上的期间t2长。如图8所示，例如，将成为小于10kPa的期间t1设为293秒左右，将成为10kPa以上的期间t2设为132秒左右。由此，处理室22内的HF气体的停留时间增加，蚀刻速率(每一个循环去除的沉积膜厚)提高，清洗时间缩短。另外，通过延长期间t1，HF气体的流速变缓，HF气体的使用效率提高。在此，一个循环是通过期间t1+期间t2算出的时间。也就是，一个循环是293秒+132秒＝425秒。
由MFC64a、64b控制的HF气体的供给流量分别设为例如2.0slm，由MFC54a、54b、54c、54d分别控制的N2气体的供给流量例如合计设为3.0slm。即，优选以相对于氮气体，向处理室22内供给40％的HF气体的方式控制供给流量。由此，处理室22内的HF浓度增高，与后述的比较例相比，蚀刻速率大幅提高。该情况下，蚀刻速率如后述的图13所示地为/循环左右，一个循环的时间比后述的比较例长，但去除沉积膜所需的循环数大幅降低。作为结果，清洗所需的时间缩短，因此装置的停机时间缩短。
进一步地，如图1所示，相比基板保持区域，隔热区域构成为更靠近排出处理室22内的环境气体的排气管90，因此，隔热区域清洗后，进行基板保持区域清洗，因此能够高效地清洗处理室22内。此外，作为清洗气体，除了单独使用HF气体外，也可以使用利用N2气体、Ar气体、He气体等惰性气体稀释HF气体而得到的气体、HF气体和氟(F2)气体的混合气体、HF气体和氟化氯(ClF3)气体的混合气体等。
(净化及大气压恢复)
处理室22内的温度为作为第四温度的50℃，在50℃下预先确定的时间内供给HF气体，去除沉积膜，然后打开阀56a、56b、56c、56d，从惰性气体供给管52a、52b、52c、52d的每一个向处理室22内供给作为惰性气体的N2气体，且从排气管90排出。N2气体作为净化气体发挥作用，处理室22内被惰性气体净化，残留于处理室22内的气体从处理室22内被去除(净化)。然后，处理室22内的环境气体转换成惰性气体，处理室22内的压力恢复到常压(大气压恢复)。
(晶舟导出)
按照与上述的晶舟导出同样的顺序，将晶舟28搬出至反应管16的外部。然后，通过闸门110密封入口18的下端开口。此外，密封后，或者晶舟导出结束后，也可以使处理室22内的温度上升至预定的待机温度(例如，450℃)。
＜实验结果1＞
图9是表示在晶舟28的隔热区域和基板保持区域配置测试用部件，进行上述的本实施方式的清洗工序时的蚀刻速率的图。图表的纵轴表示蚀刻速率，横轴表示处理室22内的测试用部件相距晶舟28的下端的位置。□表示隔热区域清洗结果，●表示基板保持区域清洗结果。图9中，重叠地显示隔热区域清洗结果和基板保持区域清洗结果。
如图9所示，根据隔热区域清洗结果可知，配置于隔热区域的测试用部件的蚀刻速率为左右，随着靠近晶圆保持区域而接近0，对于配置于基板保持区域的测试用部件则几乎接近0。另外，根据基板保持区域清洗结果可知，配置于隔热区域的测试用部件的蚀刻速率降低至左右，但是在配置于晶圆保持区域和晶舟28的最下端部的测试用部件为左右，在配置于晶舟28的最上端部的测试用部件为左右。
喷嘴40b向隔热区域供给气体。因此，如图10A所示，容易对处理室22内的容纳隔热部件30的部分即隔热区域的反应管16的内壁面及入口18的内壁面等供给气体。因此，根据来自喷嘴40b的气体供给，相比基板保持区域侧，隔热区域侧的反应管16等容易被清洗。另一方面，喷嘴40c用于供给将形成于基板24上的含Si层改性的反应气体，因此朝向容纳于处理室22内的基板24的附近供给气体。因此，如图10B所示，喷嘴40c容易对处理室22内的容纳基板24的部分即基板保持区域的反应管16的内壁面等供给气体。因此，根据来自喷嘴40c的气体供给，相比隔热区域侧，基板保持区域侧的反应管16等容易被清洗。
图11是表示本实施方式的处理室22内的温度与冷却时间的关系的图。处理室22内的温度从450℃急剧地降低至100℃，为了达到100℃，需要约1.2小时左右。但是，可知，当成为100℃以下时，温度降低变缓，温度降低至预定温度前，耗费时间。例如，可知，处理室22内的温度从450℃降低至70℃前后需要约1.5小时，从450℃降低至50℃前后需要约3.0小时，从450℃降低至30℃前后需要约6.0小时。因此，可知，随着处理室22内的温度接近室温，温度降低所需的时间变长。
即，本实施方式的清洗工序中，一边使处理室22内的温度变动一边进行清洗，因此能够缩短清洗所需的时间。在本实施方式中，首先，从喷嘴40b向已知可清洗的温度带高出某程度的隔热区域供给清洗气体，一边从100℃降温至75℃，一边进行清洗，然后从喷嘴40c向基板保持区域供给清洗气体，一边从75℃降温至50℃，一边进行清洗，从而通过按照隔热区域和基板保持区域划分进行清洗的温度带，能够既缩短清洗时间，又去除附着于隔热区域及基板保持区域的反应副生成物等沉积膜，消除因清洗区域而引起的蚀刻的偏差。
＜比较例＞
接下来，对本实施方式的比较例的清洗工序进行说明。
如图12A所示，在比较例中，使处理室22内的温度从450℃降低至75℃后，在将处理室22内的温度固定地保持在75℃的状态下，进行隔热区域清洗、基板保持区域清洗、净化、大气压恢复、晶舟导出等一连串的动作。另外，在比较例中，相对于氮气体，使用20％的HF气体。HF气体的供给流量为例如2.0slm，N2气体的供给流量为例如8.0slm。
比较例的清洗气体供给工序中，调整APC阀94，使处理室22内的压力以如下方式变动：如图12B所示地，反复进行成为10kPa以上的期间和成为小于10kPa的期间，而且相比处理室22内的压力成为小于10kPa的期间t1，成为10kPa以上的期间t2更长。在此，例如，将成为小于10kPa的期间t1设为135秒左右，将成为10kPa以上的期间t2设为140秒左右。通过使成为10kPa以上的期间t2比成为小于10k的期间t1长，实现蚀刻速率的提高，但是，当使成为10kPa以上的期间t2更长时，成为连续流程，蚀刻速率局部地增加，作为全体，清洗所需的时间延长，作为全体，清洗性能降低。即，根据比较例可知，清洗所需的时间比本实施方式长。
＜实验结果2＞
图13A、图13B是表示在晶舟28的隔热区域和基板保持区域配置测试用部件，进行上述的本实施方式(本实施例)的清洗工序和上述的比较例的清洗工序时的情况。图13A是表示基于喷嘴40b(隔热区域清洗)的蚀刻速率的图，图13B是表示基于喷嘴40c(基板保持区域清洗)的蚀刻速率的图。图表的纵轴表示蚀刻速率，横轴表示处理室22内的测试用部件相距晶舟28的下端的位置。□表示基于本实施例的清洗结果，●表示基于比较例的清洗结果。
根据本实施方式的清洗工序，如图13A所示，基于喷嘴40b的蚀刻速率的平均为约如图13B所示，基于喷嘴40c的蚀刻速率的平均为约另一方面，在比较例的清洗工序中，基于喷嘴40b的蚀刻速率的平均为约基于喷嘴40c的蚀刻速率的平均为约根据本实施方式的清洗工序，若与比较例相比，则基于喷嘴40b的蚀刻速率提高约190倍，基于喷嘴40c的蚀刻速率提高约620倍。
另外，在图7及图8所示的本实施方式的清洗工序中，隔热区域清洗所需的时间(一个循环时间×循环数)为3小时左右，晶圆保持区域清洗时间需要2小时左右，从晶舟载入到晶舟导出的工序需要将近10小时左右的时间。另一方面，在图12所示的比较例的清洗工序中，隔热区域清洗所需的时间(一个循环时间×循环数)为7小时左右，晶圆保持区域清洗时间需要10.5小时左右，从晶舟载入到晶舟导出的工序需要将近24小时左右。即，可知，根据本实施方式，与比较例相比，能够大幅缩短清洗所需的时间，大幅提高生产率。
在例如SiO膜等的使用了HF气体的清洗中，越为100℃以下的低温，蚀刻速率越提高，因此优选在30℃前后进行，但从处理温度(或者待机温度)降温需要耗费时间，如图11所示，例如从450℃降温至30℃，耗费6小时。也就是，适于使用了HF气体的清洗的温度和处理室22内的冷却时间(或者降温时间)可以说是处于权衡的状态。
因此，如本实施方式所示地，在降温中，首先在100℃～75℃的温度带，通过在喷嘴40b供给清洗气体来清洗隔热区域，然后在75℃～50℃的温度带，通过在喷嘴40c供给清洗气体来清洗晶圆保持区域，从而缩短降温时间，与如比较例所示地那样在固定的温度供给清洗气体的情况相比，能够进行隔热区域及基板保持区域的反应副生成物等的细致的去除，能够缩短处理室22内的清洗所需的时间，提高生产率。
而且，在本实施方式中，第二温度也可以与开始进行隔热区域清洗的温度或结束的温度不同，第三温度也可以与开始进行基板保持区域清洗的温度或结束的温度不同。
本实施方式起到以下(1)至(8)记载的效果中的至少一个效果。
(1)在本实施方式的清洗工序中，由于在处理室22内的温度为100℃以下的范围进行，因此通过一边使温度变动，一边进行清洗，能够缩短清洗所需的时间。
(2)在本实施方式的清洗工序中，通过一边根据温度带变更清洗的区域，一边进行清洗，能够消除因清洗区域而引起的蚀刻速率的偏差，并且缩短清洗所需的时间。
(3)在本实施方式的清洗工序中，通过将HF气体的供给流量固定，使氮气体减少来供给清洗气体，从而清洗气体的流速变缓，处理室内的HF气体的停留时间增加，而且处理室内的清洗气体浓度增高，因此蚀刻速率提高。
(4)在本实施方式的清洗工序中，通过使供给至处理室内的整体气体流量减少，供给清洗气体的时间延长，因此，清洗气体的使用效率提高。由于蚀刻速率提高，因此能够减少循环数，能够缩短清洗的时间。
(5)在本实施方式的清洗工序中，能够考虑适于使用了HF气体的清洗的温度与处理室内的冷却时间的关系(权衡的关系)，并且消除因处理室内的清洗区域而引起的蚀刻速率的偏差，并且缩短清洗所需的时间。
(6)在本实施方式的清洗工序中，通过调整清洗条件(例如，提高清洗气体浓度)，能够扩展可清洗的温度带。因而，能够在处理室内的温度比以往高的温度开始清洗时间，因此能够缩短清洗所需的时间。
(7)本实施方式的清洗工序中，通过调整清洗条件(例如，提高清洗气体浓度)，能够消除因处理室内的清洗区域而引起的蚀刻速率的偏差。
(8)本实施方式的清洗工序中，通过调整清洗条件(例如，提高清洗气体浓度)，能够根据处理室内的清洗区域独立地设定清洗的温度带。因而，能够消除因处理室内的清洗区域而引起的蚀刻的偏差。
＜变形例＞
接下来，基于图14，对本实施方式的清洗工序的变形例进行说明。本变形例中，以下仅对与上述的实施方式不同的部分进行说明，相同的部分省略说明。
本变形例中，在上述的清洗工序中，将处理室22内的温度从450℃临时降低至50℃，然后，一边将处理室22内的温度升温至75℃，一边从喷嘴40c供给清洗气体(基板保持区域清洗)，一边将处理室内22内的温度升温至100℃，一边从喷嘴40b供给清洗气体(隔热区域清洗)，在作为待机温度的100℃进行净化、大气压恢复、晶舟导出。
通过本变形例，也能够得到与上述的实施方式相同的效果。
上述实施方式中，作为薄膜，列举形成SiO膜的例，对于形成含有作为半导体元素的硅的硅类薄膜的例进行了说明，但本发明不限于该情况。本发明能够适用于以下情况：作为薄膜，例如形成含有钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铝(Al)、钼(Mo)等金属元素的金属类薄膜。
因此，本发明不仅应用于形成Si系薄膜的情况，也能够应用于形成金属类薄膜的情况，即使在该情况下，也能够得到与上述的实施方式相同的作用效果。即，本发明能够适用于形成含有半导体元素、金属元素等预定元素的薄膜的情况。
另外，在上述实施方式中，在清洗工序中，对晶舟载入后向处理室22内供给清洗气体的情况(在晶舟28容纳于处理室22内的状态下清洗处理室22内的情况)进行了说明，但不限于此，在不需要清洗晶舟28的情况下，也可以省略晶舟载入(在晶舟28未容纳于处理室22内的状态下)，而向处理室22内供给清洗气体。
另外，在上述实施方式中，在清洗工序中，对从喷嘴40b和喷嘴40c的任一方依次供给清洗气体的结构进行了说明，但不限于此，也可以从喷嘴40b和喷嘴40c同时供给清洗气体。进一步地，另外，清洗气体供给管62a不限定于连接于气体供给管42c的形态，也可以连接于气体供给管42a，另外，也可以连接于气体供给管42a和气体供给管42c双方。
本发明例如即使变更预定的基板处理装置的流程配方、清洗配方也能够实现。在变更流程配方、清洗配方的情况下，将本发明的流程配方、清洗配方经由电通信线路、记录有该流程配方、清洗配方的存储介质安装于预定的基板处理装置、操作预定的基板处理装置的输入输出装置将该流程配方、清洗配方本身变更为本发明的流程配方、清洗配方。
本发明不限于半导体制造装置，也能够应用于LCD装置那样的处理玻璃基板的装置。另外，在本实施方式中，对在使膜沉积于基板后进行清洗处理的结构进行了说明，但本发明不限于该形态。例如，也能够适用于进行氧化处理、扩散处理、退火处理等处理的情况。
此外，本申请以2016年6月10日申请的日本申请特愿2016－116528为基础要求优先权，并将该公开的全部内容引入本文。
生产上的可利用性
本发明应用于处理基板的基板处理装置的清洗技术，特别是缩短清洗所需的时间的技术。
符号说明
14—加热器，22—处理室，24—晶圆，28—晶舟，30—隔热部件，36—清洗气体供给系统，62a、62b—清洗气体供给管。

Claims (15)

1.一种处理方法，其特征在于，具有：
在处理室内，以第一温度处理保持于基板保持部的基板保持区域的基板的工序，上述基板保持部在一端侧具有隔热区域且在另一端侧具有上述基板保持区域；
搬出上述基板后，在比上述第一温度低且比室温高的第二温度下向上述隔热区域供给清洗气体的第一清洗工序；以及
搬出上述基板后，在比上述第二温度低的第三温度下向上述基板保持区域供给清洗气体的第二清洗工序。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，
上述第二温度设定为，开始上述第一清洗工序时的温度和结束上述第一清洗工序时的温度不同。
3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，
上述第三温度设定为，开始上述第二清洗工序时的温度和结束上述第二清洗工序时的温度不同。
4.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，
使上述第二温度从开始上述第一清洗工序时的温度降低至结束上述第一清洗工序时的温度。
5.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，
使上述第三温度从开始上述第二清洗工序时的温度降低至结束上述第二清洗工序时的温度。
6.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，
使上述第二温度从开始上述第一清洗工序时的温度上升至结束上述工序时的温度。
7.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，
使上述第三温度从开始上述第二清洗工序时的温度上升至结束上述第二清洗工序时的温度。
8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，
在上述第一清洗工序及上述第二清洗工序结束后，使上述处理室内上升至待机温度。
9.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，
供给清洗气体时，使上述处理室内的压力从第一压力变动至第二压力。
10.根据权利要求11所述的处理方法，其特征在于，
供给清洗气体时，以使上述处理室内的压力成为10kPa以上的期间和成为小于10kPa的期间反复，且上述处理室内的压力成为小于10kPa的期间比成为10kPa以上的期间长的方式进行变动。
11.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，
上述清洗气体是含氟气体。
12.根据权利要求11所述的处理方法，其特征在于，
上述含氟气体是含HF气体。
13.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，
上述隔热区域比上述基板保持区域靠近排出上述处理室内的环境气体的排气口。
14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
在处理室内，以第一温度处理保持于基板保持部的基板保持区域的基板的工序，上述基板保持部在一端侧具有隔热区域且在另一端侧具有上述基板保持区域；
搬出上述基板后，在比上述第一温度低且比室温高的第二温度下向上述隔热区域供给清洗气体的第一清洗工序；以及
搬出上述基板后，在比上述第二温度低的第三温度下向上述基板保持区域供给清洗气体的第二清洗工序。
15.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其对保持于基板保持部的基板保持区域的基板进行处理，上述基板保持部在一端侧具有隔热区域且在另一端侧具有上述基板保持区域；
加热单元，其对上述处理室内进行加热；
清洗气体供给系统，其向上述处理室内供给清洗气体；以及
控制部，其构成为控制上述加热单元和上述清洗气体供给系统，以便在以第一温度处理保持于上述基板保持部的上述基板保持区域的基板，且在将上述基板从上述处理室内搬出后，进行第一清洗处理和第二清洗处理，上述第一清洗处理在比上述第一温度低且比室温高的第二温度下向上述隔热区域供给清洗气体，上述第二清洗处理在比上述第二温度低的第三温度下向上述基板保持区域供给清洗气体。
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