CN109075055B - 半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法，该半导体晶片表面保护用胶带在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用，其中，上述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，上述中间树脂层的厚度为上述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/10min～100g/10min。

Description

半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法。
背景技术
半导体封装件如下进行制造：在将高纯度硅单晶等切片而制成半导体晶片后，通过离子注入、蚀刻等在该晶片表面形成集成电路，由此制造半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，而使半导体晶片加工成所期望的厚度。此时，为了保护形成在半导体晶片表面的集成电路，使用半导体晶片表面保护用胶带(下文中也简称为“表面保护带”)。
经背面磨削的半导体晶片在背面磨削结束后收纳在晶片盒中，搬运至切割工序，加工成半导体芯片。
以往，需要通过背面磨削等使半导体晶片的厚度为200μm～400μm左右。但是，随着近年来高密度安装技术的进步，需要使半导体芯片小型化，与之相伴，半导体晶片的薄膜化不断发展。根据半导体芯片的种类的不同，需要使半导体晶片薄至100μm左右。另一方面，为了增加可通过一次性加工所制造的半导体芯片的数量，倾向于使原本的半导体晶片直径变大。此前直径为5英寸或6英寸的半导体晶片为主流，与此相对，近年来将直径8英寸～12英寸的半导体晶片加工成半导体芯片成为了主流。
半导体晶片的薄膜化和大型化的趋势在存在有NAND型或NOR型的闪存领域或作为易失性存储器的DRAM等领域中特别显著。例如，将直径12英寸的半导体晶片磨削至厚度150μm以下的情况也并不罕见。
除此以外，特别是近年来伴随着智能型手机的普及、便携电话的性能提高及音乐播放器的小型化且性能提高等，对于考虑到抗冲击性等使用有带有电极的半导体晶片的倒装芯片安装中使用的晶片，对其薄膜化的要求也逐步增大。另外，对于带凸块的半导体晶片也必须对半导体晶片部分进行100μm以下的薄膜磨削。对于用于进行倒装芯片连接的凸块来说，为了提高传送速度而进行高密度化，凸块的高度(从半导体晶片表面突出的高度)变低，伴随这种情况，凸块间距离变短。另外，近年来对于DRAM也开始实施倒装芯片连接，因而加速了晶片的薄膜化。
针对近年来的电子设备的小型化、高密度化，作为能以最小的面积安装半导体元件的方法，倒装芯片安装受到注目。用于该倒装芯片安装的半导体元件的电极上形成有凸块，将凸块与电路基板上的配线进行电接合。作为这些凸块的组成，主要使用焊料或金。该焊料凸块或金凸块通过蒸镀或镀敷形成于与芯片的内部配线连接的露出的铝端子上等。
但是，带凸块的半导体晶片在其表面具有大的凹凸，因而难以进行薄膜加工，若使用通常的表面保护带进行背面磨削，则半导体晶片会发生破裂，或者半导体晶片的厚度精度变差。因此，在带凸块的半导体晶片的磨削中，使用特别设计而成的表面保护带进行加工(例如，参见专利文献1)。
但是，这些表面保护带充分吸收凸块而确保了磨削性，因此非常难以兼具剥离性。迄今为止经倒装芯片安装的芯片的最终厚度具有为200μm以上这种程度的厚度，保证了刚性，因而勉强能够剥离。但是，最近半导体晶片最终厚度变得更薄，凸块密度也增高，所以会引起表面保护带无法容易地剥离而发生残胶的问题。另外，相反地，若确保剥离性则密合变得不充分，背面磨削时会引起渗漏(例如灰尘或磨削水的渗入)。
另一方面，用于晶片级封装件的带凸块半导体晶片的凸块高度依然较高，搭载有高度为250μm以上的凸块。由于在晶片级封装件中无须将芯片堆积，因而不存在存储器系半导体晶片这样极薄磨削为50μm以下的情况，但由于带有较高的凸块，因而即便在厚膜磨削中也非常容易破裂，并且在厚度150μm以下的磨削厚度下容易产生半导体晶片破裂的问题。
针对这样的半导体晶片，提出了专用的表面保护带(参见专利文献2～4)。专利文献2中记载了一种半导体晶片表面保护用胶带，其在半导体晶片加工时能够与半导体晶片牢固地密合，并且在剥离时能够不发生半导体晶片的破损和残胶而剥离。该表面保护带在基材膜上具有将层厚和收缩值设为特定范围内的辐射固化型粘合剂层。另外，专利文献3中公开了一种半导体晶片表面保护用胶带，其为在凸块高度高的凸块晶片的背面磨削中使用的表面保护用胶带，即便对晶片进行磨削，也能防止晶片的破损、不会产生渗漏，可抑制剥离力的下降和残胶。该表面保护带具有特定的粘着力和层厚。另外，专利文献4中公开了一种半导体晶片保护用粘合片的贴合方法，该方法在将晶片的背面磨削至形成于晶片表面的凹凸的高低差以下时，能够实现晶片表面凹凸的保护、防止磨削屑或磨削水等渗入到晶片表面以及防止磨削后的晶片破损。该方法中使用的表面保护片具有将50℃～100℃的损耗角正切设为特定范围内的中间层和粘合剂层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-203255号公报
专利文献2：日本专利第5242830号公报
专利文献3：日本专利第5117630号公报
专利文献4：日本特开2010-258426号公报
发明内容
发明所要解决的课题
专利文献2中记载的表面保护带能够一定程度上抑制半导体晶片破损及残胶。另外，专利文献3中记载的表面保护带的剥离性良好。但是，为了应用于以更窄的间距具有更高的凸块的半导体晶片，专利文献2中记载的表面保护带还存在进一步改善剥离性或残胶的空间。另外，专利文献3中记载的表面保护带还存在进一步提高密合性、抑制渗漏、改善残胶的空间。
专利文献4中记载的方法中使用的表面保护带因追随性极其良好，因而在追随高度250μm以上的凸块时，带有时会变形为凹凸状，从而导致在进行吸引传送的加工装置内传送中的半导体晶片掉落而破损。
鉴于上述问题，本发明的课题在于提供一种半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法，该胶带在半导体晶片加工时能够与半导体晶片牢固地密合，抑制渗漏、加工装置内的传送错误、半导体晶片破损，在剥离时能够不发生残胶而进行剥离。
本发明人为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，在具有基材膜、中间树脂层和粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带中，通过将构成上述中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点和熔体质量流动速率(MFR)分别设为特定范围内，并将该表面保护带以特定温度加热贴合到具有特定凹凸差的半导体晶片表面，由此能够使表面保护带牢固地密合于半导体晶片的电路面，从而在半导体晶片加工时能够抑制渗漏、加工装置内的传送错误、半导体晶片破损，并且在剥离时能够不发生残胶地剥离，进而能够抑制贴合于半导体晶片表面的状态下的翘曲。本发明是基于该技术思想而完成的。
即，上述课题通过以下的手段解决。
<1>
一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用的半导体晶片表面保护用胶带，其中，
上述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，
上述中间树脂层的厚度为上述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/10min～100g/10min。
<2>
如<1>所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，紫外线照射后的上述粘合剂层的对于23℃的SUS280研磨面的粘合力为0.5N/25mm以上5.0N/25mm以下，并且对于50℃的SUS280研磨面的粘合力为0.3N/25mm以上7.0N/25mm以下。
<3>
如<1>或<2>所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述基材膜的厚度与上述中间树脂层的厚度之比为基材膜的厚度:中间树脂层的厚度＝0.5:9.5～7:3。
<4>
如<1>～<3>中任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，构成上述中间树脂层的树脂为乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物树脂和乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂中的至少一种。
<5>
如<1>～<4>中任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述基材膜的构成材料的熔点为90℃～150℃。
<6>
如<1>～<5>中任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述中间树脂层的厚度为100μm～400μm。
<7>
如<1>～<6>中任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述粘合剂层的厚度为5μm～40μm。
<8>
如<1>～<7>中任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述基材膜的厚度为25μm～100μm。
<9>
一种半导体晶片的加工方法，该半导体晶片的加工方法包括：将半导体晶片表面保护用胶带在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面，并对半导体晶片背面进行磨削，其中，
上述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，
该中间树脂层的厚度为上述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/10min～100g/10min。
在本发明的说明中，半导体晶片的表面是指半导体晶片具有凹凸的面，即形成有集成电路的面。另外，将该表面的相反侧的面称为背面。
在本发明的说明中，凹凸差是指从凸部中的最高部至晶片表面的距离或凹部中的最深部至半导体晶片表面的距离。例如在半导体晶片上形成有金属电极(凸块)的情况下，最高部是指最高的凸块的顶部，从该顶部至半导体晶片表面的距离、即凸块的高度为凹凸差。或者，在半导体晶片上形成有划线(切割线)的情况下，最深部是指划线中的最深位置，将从该最深位置至半导体晶片表面的距离称为凹凸差。
在本发明的说明中，使用“～”表示的数值范围是指包括在“～”的前后所记载的数值作为下限值和上限值的范围。
发明的效果
本发明的半导体晶片表面保护用胶带在半导体晶片加工时能够与半导体晶片牢固地密合，由此减少渗漏的发生，并且能够抑制加工装置内的传送错误或半导体晶片破损，在剥离时难以发生残胶。此外，本发明的半导体晶片表面保护用胶带能够抑制贴合于半导体晶片表面的状态下的翘曲。另外，根据本发明的半导体晶片的加工方法，使用上述半导体晶片表面保护用胶带能够获得以窄间距具有高凸块的薄膜状半导体晶片。
附图说明
图1是本发明的晶片表面保护用胶带的示意性截面图。
具体实施方式
下面，对本发明的优选实施方式进行详细说明。
[半导体晶片表面保护用胶带]
本发明的半导体晶片表面保护用胶带是在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面的半导体晶片表面保护用胶带，该半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜和粘合剂层，进而在该基材膜与该粘合剂层之间至少具有中间树脂层。上述中间树脂层的厚度为上述凹凸差以上。另外，构成上述中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，该中间树脂层的熔体质量流动速率为10g/10min～100g/10min。
上述粘合剂层没有特别限制，优选为辐射固化型粘合剂层，“辐射固化型粘合剂层”是指经放射线[例如，紫外线之类的光线(也包括激光光线)、电子射线等电离性放射线等]的照射而固化的粘合剂层。所照射的放射线优选为紫外线。
<基材膜>
对用于本发明的半导体晶片表面保护用胶带中的基材膜没有特别限制。在本发明的半导体晶片表面保护用胶带中，构成基材膜的材料的熔点优选为90℃～150℃的范围，更优选为100℃～140℃的范围，进一步优选为110℃～130℃的范围。通过使基材膜的熔点为上述范围，在贴合表面保护带的工序中可防止其热粘于贴合辊或卡盘台，从而能够充分贴合至具有20μm以上的凹凸的半导体晶片。另外，即便在贴合切晶-粘晶一体型膜(DDF)的情况下，也能够防止热粘于卡盘台而实现DDF的贴合。对于本发明的半导体晶片表面保护用胶带来说，通过对中间树脂层加热而使中间树脂层的流动性提高，从而对具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片确保充分的密合性，因此可在足够高的温度即40℃～90℃的条件下加热贴合。因此，若构成基材膜的材料的熔点过低，则基材膜的背面很可能熔化而与贴合辊或卡盘台热粘。在基材膜由例如苯乙烯那样的非晶性树脂构成的情况下，由于不存在熔点，因此维氏软化点成为指标。即，优选维氏软化点在上述熔点的范围。维氏软化点过高时，基材背面(与接触中间树脂层的面相反一侧的面)出现流动性，因此有可能进入卡盘台的多孔部。
本发明的半导体晶片表面保护用胶带中使用的基材膜优选由树脂构成，作为这样的树脂，可以使用本发明所属的技术领域中通常使用的塑料、橡胶等。例如可以举出：聚烯烃系树脂(例如由聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚-1-丁烯、聚-4-甲基1-戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物或离聚物等包含烯键式不饱和基团的单体的均聚物或共聚物构成的树脂)、聚酯树脂(例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯构成的树脂)、聚碳酸酯树脂、聚氨酯树脂、工程塑料(例如聚甲基丙烯酸甲酯)、合成橡胶类(例如苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物)、热塑性弹性体(例如聚酰胺-多元醇共聚物)。本发明的表面保护带中使用的基材膜可以为由1种上述树脂单独构成的膜，也可以为将2种以上组合而成的膜。另外，本发明的表面保护带中使用的基材膜可以为单层，也可以使用制成多层的基材膜。需要说明的是，多层的基材膜优选构成与中间树脂层为相反侧的最外层的材料的熔点在上述范围。
本发明的表面保护带中，基材膜优选为由聚酯树脂或聚烯烃系树脂构成的膜。
若考虑半导体晶片翘曲的矫正力与表面保护带的剥离性的平衡、成本或制造适应性等方面，基材膜的厚度优选为25μm以上，进一步优选为50μm以上。上限优选为200μm以下，更优选为150μm以下，特别优选为100μm以下。通过使基材膜的厚度为上述范围，即便在将半导体晶片薄膜磨削至50μm以下的情况下，也能够抑制传送错误并且进行磨削，能够提高表面保护带的剥离性。需要说明的是，“将半导体晶片薄膜磨削至50μm以下的情况”对于具有凸块的半导体晶片而言，是指将除凸块以外的半导体晶片本身的厚度背面磨削至50μm以下。另外，对于形成有划线的半导体晶片而言，是指上述最深部至背面的距离。
<中间树脂层>
本发明的半导体晶片表面保护用胶带必须具有中间树脂层。通过将表面保护带在40℃～90℃的温度条件下加热贴合到半导体晶片表面，中间树脂层发生熔融，从而粘合剂层和中间树脂层的形状追随具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片表面的形状。进而由于贴合后被冷却，因而在粘合剂层密合于半导体晶片表面的状态下固定表面保护带，从而能够抑制灰尘侵入等。本发明的表面保护带所使用的构成中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃的范围，更优选为60℃～80℃的范围。由于必须将表面保护带在40℃～90℃的范围进行加热贴合以使粘合剂层密合于半导体晶片表面，因而中间树脂层的拉伸弹性模量需要在该温度范围内大幅发生变化。即，半导体晶片磨削时为通常的温度，若树脂在该温度下流动，则磨削时的厚度精确度会极端恶化，因此优选为高弹性。另一方面，为了在进行加热贴合时充分地追随半导体晶片表面，需要为低弹性，因此对中间树脂层要求相反的性能。为了实现该相反的性能，大幅影响拉伸弹性模量和流动性的熔点或维氏软化点需要为40℃～90℃。熔点和维氏软化点通过实施例中记载的方法进行测定。本发明中，中间树脂层也优选熔点或维氏软化点的两者为40℃～90℃。
构成中间树脂层的树脂的熔点和维氏软化点小于40℃的情况下，难以进行成型，而且厚度精确度也会变差。即，中间树脂层的厚度变得不均匀。另一方面，在构成中间树脂层的树脂的熔点和维氏软化点超过90℃的情况下，即便在40℃～90℃的条件下进行加热贴合也不会充分地追随半导体晶片表面的形状，因此容易产生灰尘侵入或晶片破裂。
本发明的表面保护带中使用的构成中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，进而熔体质量流动速率(MFR)为10g/10min～100g/10min。对于熔点或维氏软化点在上述范围内的中间树脂层而言，若如上所述将表面保护带在40℃～90℃的条件下贴合到半导体晶片上，则中间树脂层和粘合剂层的形状会追随半导体晶片表面的形状。其结果，粘合剂层充分地密合于半导体晶片表面。但是，仅凭构成中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点在上述范围内，若半导体晶片的凹凸差为250μm以上，则表面保护带本身变形为凹凸状，会诱发传送错误。通过将MFR设为10g/10min～100g/10min的范围，加热贴合时的中间树脂层会产生适度的流动性，能够使追随凹凸而变形的表面保护带恢复至平坦的状态。由此，能够防止由传送错误和半导体晶片掉落所引起的破损。若中间树脂层的熔体质量流动速率(MFR)小于10g/10min，则流动性不足，会在表面保护带本身变形的状态下被加工，因此会产生传送错误或半导体晶片的破损。另一方面，若构成中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率(MFR)超过100g/10min，则难以在维持作为基材的厚度精确度(厚度的均匀性)的状况下进行制膜。另外，磨削后的半导体晶片的厚度精确度也会变差。本发明的表面保护带通过使构成中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为上述范围内，进而使MFR为10g/10min～100g/10min的范围，也能够应用于半导体晶片的凹凸差为250μm以上的半导体晶片的加工。实际上能够应用本发明的表面保护带的半导体晶片的凹凸差的上限为300μm以下。
需要说明的是，MFR通过实施例中所记载的方法进行测定。。
中间树脂层并非以粘合为目的，因此优选为非粘合性。非粘合性是指在常温下无发粘的状态。
作为构成这种树脂层或树脂膜的树脂，例如可以举出：由作为选自自由基聚合性酸共聚单体、丙烯酸酯共聚单体、甲基丙烯酸酯共聚单体和羧酸乙烯酯共聚单体中的至少1种共聚单体与乙烯的共聚物的乙烯系共聚物构成的树脂；由离聚物等包含烯键式不饱和基团的单体的均聚物或共聚物构成的树脂；由聚乙烯(例如低密度聚乙烯)构成的树脂。本发明的表面保护带中使用的中间树脂层中可以单独使用1种这些树脂，也可以将2种以上组合使用。另外，上述中间树脂层也可以具有2层以上。
作为上述自由基聚合性酸共聚单体，具体而言，可以举出马来酸、富马酸、柠康酸、衣康酸等α,β-不饱和二羧酸或它们的酸酐、丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、乙烯基乙酸、戊烯酸等不饱和单羧酸等，其中优选马来酸酐、丙烯酸、甲基丙烯酸。
作为上述丙烯酸酯共聚单体，具体而言，可以举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等，其中优选丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯。
作为上述甲基丙烯酸酯共聚单体，具体而言，可以举出甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯等，其中优选甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯。
作为上述羧酸乙烯酯共聚单体，具体而言，可以举出甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯等，其中优选乙酸乙烯酯。
作为乙烯系共聚物的具体例，作为二元系共聚物，例如可以举出乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-马来酸酐共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
作为三元系共聚物，例如可以举出乙烯-丙烯酸-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-马来酸酐-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-马来酸酐-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-马来酸酐-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-马来酸酐-甲基丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-马来酸酐-乙酸乙烯酯共聚物。
此外，也可以举出将上述共聚单体组合而成的多元系的共聚物。
在上述共聚物中，特别优选乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物、乙烯-马来酸酐-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-马来酸酐-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-马来酸酐-甲基丙烯酸甲酯共聚物和乙烯-马来酸酐-甲基丙烯酸乙酯共聚物，优选乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物和乙烯-丙烯酸丁酯共聚物。
在乙烯系共聚物的合成中使用的乙烯与共聚单体的总质量中，共聚单体的比例优选为10质量％～50质量％，进一步优选为15质量％～40质量％。
中间树脂层如上所述可以为单层，也可以为多层。从制造性的方面出发，与单层相比，多层更容易膜化。在制成多层的情况下，基材膜侧的层优选为由低密度聚乙烯或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成的树脂层或树脂膜，通过挤出而能够在多层的中间树脂层的制膜时降低不良率并且能够以低成本进行制造。中间树脂层为多层的情况下的熔点或维氏软化点表示构成与粘合剂层接触的层或膜的树脂的熔点或维氏软化点。
树脂层或树脂膜的层叠方法只要为不对树脂层或树脂膜的厚度的精确度、该树脂层或树脂膜的缺陷产生影响的范围，就没有特别限制。例如可以举出利用共挤出的制膜或利用粘接剂的贴合等。
关于基材膜的厚度与中间树脂层的厚度之比，从粘合剂层和中间树脂层对于半导体晶片的表面形状的追随性的方面出发，优选为基材膜的厚度:中间树脂层的厚度＝0.5:9.5～3:7的范围。基材膜与中间树脂层的层叠方法只要不对成为一体的膜的缺陷产生影响，就没有特别限制，可以进行利用共挤出的制膜或利用粘接剂的贴合。
本发明的表面保护带中使用的中间树脂层的厚度需要为半导体晶片的凹凸差以上，从制造性、厚度精度的方面出发，优选为100μm～400μm。若薄于半导体晶片的凹凸差，则粘合剂层无法充分地密合于半导体晶片，因此会产生灰尘侵入或晶片破裂。本发明的表面保护带中使用的中间树脂层的厚度优选比半导体晶片的凹凸差厚10μm～30μm。若中间树脂层过厚，则半导体晶片的厚度精度有可能变差，并且制造成本也会增加。另外，由于制造带凸块的半导体晶片的凸块部分时会产生10μm左右的误差，因此若除平均凸块高度以外另具有10μm的厚度，则能够充裕地进行追随。
<粘合剂层>
本发明的表面保护带所具有的粘合剂层中使用的粘合剂没有特别限制，优选为辐射固化型粘合剂。
辐射固化型粘合剂具有通过辐射固化而三维网状化的性质即可，大致分为：1)由侧链具有烯键式不饱和基团(因辐射聚合性碳-碳双键而也称为烯键式双键)的基础树脂(聚合物)构成的粘合剂；和2)对通常的橡胶系或(甲基)丙烯酸系的基础树脂(聚合物)混配分子中具有至少2个烯键式不饱和基团的低分子量化合物(以下称为辐射聚合性低分子量化合物)和光聚合引发剂的粘合剂。
对本发明的表面保护带而言，优选上述的2)。
1)由侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂构成的粘合剂
侧链具有烯键式不饱和基团的粘合剂优选为(甲基)丙烯酸系粘合剂，更优选基础树脂为(甲基)丙烯酸聚合物或包含(甲基)丙烯酸聚合物作为主要成分的物质。
此处，“包含(甲基)丙烯酸聚合物作为主要成分”是指，构成基础树脂的聚合物或树脂中(甲基)丙烯酸系聚合物的含量至少为50质量％以上，优选为80质量％以上(100质量％以下)。
(甲基)丙烯酸聚合物通过至少在侧链具有烯键式不饱和基团，能够通过放射线照射而固化。(甲基)丙烯酸聚合物也可以进一步具有环氧基或羧基等官能团。
侧链具有烯键式不饱和基团的(甲基)丙烯酸聚合物可以通过任意方式制造，例如优选使侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸聚合物与下述化合物进行反应而得到，该化合物具有(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基等具有烯键式不饱和基团的基，并且具有能够与该(甲基)丙烯酸聚合物的侧链的官能团(α)进行反应的官能团(β)。
具有烯键式不饱和基团的基只要具有非芳香性的烯键式双键，就可以为任意的基团，优选为(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基、(甲基)丙烯酰基氨基、烯丙基、1-丙烯基、乙烯基(包括苯乙烯或取代苯乙烯)，更优选为(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基。
作为官能团(α)、(β)，可以举出羧基、羟基、氨基、巯基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基(-N＝C＝O)等。
此处，在官能团(α)与官能团(β)中的一个官能团为羧基、羟基、氨基、巯基、或环状酸酐基的情况下，另一个官能团可以举出环氧基、异氰酸酯基。在一个官能团为环状酸酐基的情况下，另一个官能团可以举出羧基、羟基、氨基、巯基。需要说明的是，在一个官能团为环氧基的情况下，另一个官能团也可以为环氧基。
作为官能团(α)，优选羧基、羟基，特别优选羟基。
侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系聚合物可以通过将具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系单体(优选为(甲基)丙烯酸酯[特别是在醇部具有官能团(α)的物质])用于单体成分而获得。
侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系聚合物优选为共聚物，该共聚成分优选为(甲基)丙烯酸烷基酯，其中优选为在醇部具有官能团(α)或烯键式不饱和基团的基未经取代的(甲基)丙烯酸烷基酯。
作为(甲基)丙烯酸酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯和(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸癸酯丙烯酸己酯。
(甲基)丙烯酸酯可以单独使用1种，也可以将2种以上组合使用，优选将醇部的碳原子数为5以下的物质与碳原子数为6～12的物质进行合用。
需要说明的是，由于使用醇部的碳原子数越大的单体则玻璃化转变温度(Tg)越低，因此能够得到所期望的玻璃化转变温度的物质。另外，除了玻璃化转变温度以外，也优选以提高相容性和各种性能的目的而混配乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物，在该情况下，这些单体成分的含量优选为5质量％以下的范围内。
作为具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系单体，可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、将多异氰酸酯化合物的一部分异氰酸酯基用具有羟基或羧基和烯键式不饱和基团的单体进行氨基甲酸酯化而成的物质等。
这些之中，优选丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯，更优选丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类，进一步优选甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类。
作为具有烯键式不饱和基团和官能团(β)的化合物中的官能团(β)，优选异氰酸酯基，例如可以举出在醇部具有异氰酸酯(-N＝C＝O)基的(甲基)丙烯酸酯，其中优选取代有异氰酸酯(-N＝C＝O)基的(甲基)丙烯酸烷基酯。作为这样的单体，例如可以举出甲基丙烯酸-2-异氰酸根合乙酯、丙烯酸-2-异氰酸根合乙酯等。
另外，官能团(β)为异氰酸酯基以外的情况下的优选化合物可以举出在具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系单体中所例示的化合物。
具有烯键式不饱和基团和官能团(β)的化合物除了在侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系聚合物以外，可以通过与聚合物的侧链的官能团(α)(优选羟基)进行反应而将聚合性基团引入共聚物，从而能够降低放射线照射后的粘合力。
在(甲基)丙烯酸系共聚物的合成中，作为通过溶液聚合进行反应时的有机溶剂，可以使用酮系、酯系、醇系、芳香族系的有机溶剂，其中优选甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等通常为(甲基)丙烯酸系聚合物的良溶剂且沸点为60℃～120℃的溶剂。作为聚合引发剂，通常使用α,α’-偶氮二异丁腈等偶氮二系、过氧化苯甲酰等有机过氧化物系等的自由基引发剂。此时，根据需要可以合用催化剂、阻聚剂，通过调节聚合温度和聚合时间，能够得到所期望的分子量的(甲基)丙烯酸系共聚物。另外，关于调节分子量，优选使用硫醇、四氯化碳等溶剂。需要说明的是，该反应并不限定于溶液聚合，也可以通过本体聚合、悬浮聚合等其他方法而进行。
侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂[优选(甲基)丙烯酸系共聚物]的质量平均分子量优选为20万～100万左右。
若质量平均分子量过大，在照射放射线的情况下，放射线照射后的粘合剂无挠性而变脆，因此剥离时在半导体芯片面产生残胶。若质量平均分子量过小，则放射线照射前的内聚力小，粘合力弱，因此在切割时有可能无法充分保持半导体芯片而发生芯片飞散。另外，放射线照射后，固化也不充分，剥离时在半导体芯片面产生残胶。为了尽量防止这些情况，质量平均分子量优选为20万以上。
需要说明的是，在本发明的说明中，质量平均分子量是利用常规方法得到的聚苯乙烯换算的质量平均分子量。
侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂的玻璃化转变温度优选为-70℃～-10℃，更优选为-50℃～-10℃。若玻璃化转变温度过低，则粘合剂的流动性高，导致残胶，若玻璃化转变温度过高，则流动性不充分、难以融合于半导体晶片的背面，导致在半导体晶片的磨削加工时磨削水渗入到晶片表面。
侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂的酸值[中和基础树脂1g中存在的游离脂肪酸所需要的氢氧化钾的mg数]优选为0.5～30，更优选为1～20。
侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂的羟值[将基础树脂1g进行乙酰化时，中和与羟基结合的乙酸所需要的氢氧化钾的mg数]优选为5～100，更优选为10～80。
由此，使半导体晶片表面保护用胶带剥离时的防残胶效果更加优异。
需要说明的是，酸值、羟值的调整可通过如下方式进行：在使侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系聚合物与下述化合物进行反应的阶段，残留未反应的官能团，而调整为所期望的酸值或羟值，该化合物具有烯键式不饱和基团且具有能够与该(甲基)丙烯酸系聚合物的侧链的官能团(α)进行反应的官能团(β)。
在通过放射线照射使侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂固化的情况下，根据需要可以使用光聚合引发剂、例如异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、苯基二甲氧基乙酰基苯、米希勒酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、安息香双甲醚、α-羟基环己基苯基甲酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。
相对于基础树脂100质量份，这些光聚合引发剂的混配量优选为0.01质量份～10质量份，更优选为0.01质量份～5质量份。若混配量过少，则反应不充分；若混配量过多，则低分子成分增加，由此会对污染性产生影响。
由侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂构成的粘合剂优选含有交联剂。
这样的交联剂可以为任意物质，优选为选自多异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂和环氧树脂的组中的交联剂。
其中，对本发明的表面保护带而言，优选多异氰酸酯类。
作为多异氰酸酯类，没有特别限制，例如可以举出4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、4,4’-二苯基醚二异氰酸酯、4,4’-[2,2-双(4-苯氧基苯基)丙烷]二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、2,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等。具体而言，可以使用Coronate L(日本聚氨酯株式会社制造、商品名)等。
作为三聚氰胺-甲醛树脂，具体而言，可以使用NIKALAC MX-45(Sanwa Chemical公司制造、商品名)、Melan(日立化成工业公司制造、商品名)等。
作为环氧树脂，可以使用TETRAD-X(三菱化学公司制造、商品名)等。
相对于基础树脂100质量份，交联剂的混配量优选为0.1质量份～10质量份，更优选为1质量份～10质量份。
在粘合剂涂布后，可以利用交联剂使基础树脂形成交联结构，提高粘合剂的内聚力。
交联剂的混配量过少时，因内聚力提高效果不足而使粘合剂的流动性高，导致残胶。交联剂的混配量过多时，粘合剂弹性模量变得过高，无法保护半导体晶片表面。
2)包含辐射聚合性低分子量化合物的粘合剂
作为包含辐射聚合性低分子量化合物的粘合剂的主要成分，没有特别限定，可以使用在粘合剂中使用的通常的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸类树脂[(甲基)丙烯酸类树脂]、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。
本发明的表面保护带中，作为粘合剂的基础树脂，优选丙烯酸类树脂[(甲基)丙烯酸类树脂]，特别优选合成上述侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂时的原料、即侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系聚合物。
作为该情况下的粘合剂，优选除了作为基础树脂的丙烯酸类树脂和辐射聚合性低分子量化合物以外，还适当混配光聚合引发剂、固化剂或交联剂等而制备粘合剂。
粘合剂的基础树脂的质量平均分子量优选为20万～200万左右。
粘合剂优选除了基础树脂以外还包含至少1种质量平均分子量为1,000～20,000的低聚物。低聚物的质量平均分子量更优选为1,100～20,000，进一步优选为1,300～20,000，特别优选为1,500～10,000。
作为辐射聚合性低分子量化合物，可使用能够通过放射线照射而三维网状化的分子内具有至少2个以上烯键式不饱和基团(辐射聚合性碳-碳双键)、且具有官能团(β)中的至少1种(优选为羟基)的低分子量化合物。
特别是，在本发明的表面保护带中，优选上述低聚物为具有烯键式不饱和基团的辐射聚合性低分子量化合物的情况。
作为辐射聚合性低分子量化合物，具体而言，可以应用三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、或低聚酯(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯系化合物。
另外，除了上述的(甲基)丙烯酸酯系化合物以外，作为辐射聚合性低分子量化合物，也可以使用氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯系低聚物。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯系低聚物通过使具有羟基的(甲基)丙烯酸酯(例如，丙烯酸-2-羟乙酯、甲基丙烯酸-2-羟乙酯、丙烯酸-2-羟丙酯、甲基丙烯酸-2-羟丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)与末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物进行反应而得到，该末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物通过使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如，2,4-苄撑二异氰酸酯、2,6-苄撑二异氰酸酯、1,3-苯二甲撑二异氰酸酯、1,4-苯二甲撑二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4-二异氰酸酯等)进行反应而得到。
辐射聚合性低分子量化合物可以为1种，也可以合用2种以上。
辐射固化型粘合剂可以根据需要包含光聚合引发剂。光聚合引发剂只要通过透过基材的放射线而进行反应即可，没有特别限制，可以使用通常的光聚合引发剂。例如可以举出二苯甲酮、4,4’-二甲基氨基二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、4,4’-二氯二苯甲酮等二苯甲酮类、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、苯基二甲氧基乙酰基苯等苯乙酮类、2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类、2-氯噻吨酮、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶酰、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(洛粉碱二聚物)、吖啶系化合物、酰基氧化膦类等，这些可以单独使用，或将2种以上组合使用。
相对于基础树脂100质量份，光聚合引发剂的添加量优选为0.1质量份～10质量份，更优选为0.3质量份～7.5质量份，进一步优选为0.5质量份～5质量份。光聚合引发剂的添加量过多时，辐射固化在多处且急剧地产生，因而辐射固化收缩增大，因此从抑制辐射固化收缩的方面出发，与现有的辐射固化型的表面保护用胶带相比，减少光聚合引发剂的量是有用的。
优选在粘合剂中含有固化剂或交联剂。
作为固化剂或交联剂，可以举出多元异氰酸酯化合物、多元环氧化合物、多元氮杂环丙烷化合物、螯合化合物等。
作为多元异氰酸酯化合物，没有特别限制，例如可以举出4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、4,4’-二苯基醚二异氰酸酯、4,4’-[2,2-双(4-苯氧基苯基)丙烷]二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、2,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等。具体而言，可以使用Coronate L[日本聚氨酯工业(株式会社)制造、商品名]等。
作为多元环氧化合物，可以举出环氧树脂，例如可以举出乙二醇二缩水甘油醚、对苯二甲酸二缩水甘油酯丙烯酸酯、在N原子上取代有2个缩水甘油基的苯胺类等。另外，也可以使用上述TETRAD-X。
需要说明的是，作为苯胺类，可以举出N,N’-四缩水甘油基间苯二胺。
多元氮杂环丙烷化合物可以举出三-2,4,6-(1-氮丙啶基)-1,3,5-三嗪、三[1-(2-甲基)-氮丙啶基]氧化膦、六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三嗪(triphosphatriazine)等。另外，作为螯合化合物，可以举出乙酰乙酸乙酯二异丙醇铝、三(乙酰乙酸乙酯)铝等。
相对于基础树脂100质量份，固化剂或交联剂的混配量优选为0.1质量份～10质量份，更优选为0.1质量份～5.0质量份，进一步优选为0.5质量份～4.0质量份。
(粘合剂层的厚度)
从制造性的的方面出发，粘合剂层的厚度优选为5μm以上，更优选为10μm以上，进一步优选为20μm以上。上限优选为75μm以下，更优选为50μm以下，特别优选为40μm以下。粘合剂层也可以为多层，在该情况下，优选至少与半导体晶片表面接触的最外层的粘合剂为辐射固化型粘合剂。
(粘合剂层或粘合剂的特性)
[辐射固化型粘合剂层中所具有的烯键式不饱和基团的含量]
在本发明的表面保护带中，构成粘合剂层的辐射固化型粘合剂所具有的烯键式不饱和基团(辐射聚合性碳-碳双键)的含量优选为0.2mmol/g～2.0mmol/g。
辐射固化型粘合剂所具有的烯键式不饱和基团的含量是辐射固化型粘合剂所含有的具有烯键式不饱和基团的化合物所具有的全部烯键式不饱和基团的总和，是辐射固化型粘合剂的每g单位的烯键式不饱和基团的总和摩尔数。需要说明的是，具有烯键式不饱和基团的化合物例如是指侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂之类的聚合物、辐射聚合性低分子量化合物。
辐射固化型粘合剂所具有的烯键式不饱和基团的含量优选为0.2mmol/g～1.8mmol/g，更优选为0.2mmol/g～1.5mmol/g，更优选为0.5mmol/g～1.5mmol/g。
在粘合剂层为多层的情况下，优选在将全部粘合剂层视为1层时，构成粘合剂层的辐射固化型粘合剂所具有的烯键式不饱和基团的含量满足上述范围，更优选各层满足上述范围。
辐射固化型粘合剂所具有的烯键式不饱和基团的含量可以通过具有上述官能团(β)的化合物和辐射聚合性低分子量化合物所具有的烯键式不饱和基团的数量或这些化合物的混配量来进行调节。
辐射固化型粘合剂所具有的烯键式不饱和基团的含量可以由如上所述使用的化合物量或这些化合物所具有的烯键式不饱和基团数而求出。另外，求出辐射固化型粘合剂的碘值[对基础树脂和辐射聚合性低分子量化合物的合计100g所加成的碘(I2)的g数]，I2的分子量为253.8，因此将该值的单位转换为mmol/g，由此求出。
[对于SUS板的紫外线固化后的粘合力]
关于本发明的表面保护带中的粘合剂层的紫外线照射后的粘合力，对于23℃的SUS研磨面优选为0.5N/25mm以上，更优选为0.7N/25mm以上。上限优选为5.0N/25mm以下，更优选为3.0N/25mm以下，进一步优选为1.5N/25mm以下。另外，关于上述粘合剂层的紫外线照射后的粘合力，对于50℃的SUS研磨面优选为0.3N/25mm以上，更优选为0.5N/25mm以上。上限优选为7.0N/25mm以下，更优选为4.0N/25mm以下，进一步优选为2.5N/25mm以下。该粘合力为表面保护带本身的特性。
需要说明的是，紫外线照射后是指以累计辐射量为500mJ/cm2的方式对粘合剂层整体照射紫外线而使其固化后。
具体而言，可以通过如下方式求出。
从放射线照射前的表面保护带分别采集3个宽度25mm×长度150mm的试验片。将2kg的橡胶辊在用JIS R 6253中规定的280号耐水研磨纸对该试验片进行精加工而成的JISG 4305所规定的厚度1.5mm～2.0mm的SUS钢板上压接3个来回。在常温(25℃)下放置1小时后，照射累计辐射量为500mJ/cm2的紫外线而使粘合剂层固化。使粘合剂层固化后，使用测定值在其容量的15％～85％的范围的适于JIS B 7721的拉伸试验机，求出3个粘合力的平均值。粘合力的测定以拉伸速度50mm/min、通过90°剥离法在常温、湿度50％下进行。该试验中，在将试验片压接到SUS钢板前，预先使用加热板等将SUS钢板调整为规定的温度(23℃、50℃)。需要说明的是，作为上述拉伸试验机，例如可以使用INSTRON公司制造的拉伸试验机：双柱台式5567(商品名)。
对于SUS研磨面的紫外线固化后的粘合力可以通过适当调节粘合剂中使用的化合物的种类或量、交联剂等添加剂的种类或量、粘合剂层的厚度等而成为本发明的优选范围。
若过度减小对于SUS研磨面的上述粘合力，交联反应引起的固化收缩变大，因此从凸块晶片等表面凹凸大的被粘合体的剥离力反而变大。若对SUS研磨面的表观粘合力过大，则辐射固化不充分，会产生剥离不良或残胶。
<剥离衬垫>
半导体晶片表面保护用胶带也可以在粘合剂层上具有剥离衬垫。作为剥离衬垫，使用经硅酮脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等。另外，根据需要也可以使用未经硅酮脱模处理的聚丙烯膜等。
<<半导体晶片的加工方法>>
本发明的半导体晶片的加工方法为使用本发明的半导体晶片表面保护用胶带的半导体晶片的加工方法。
只要为半导体晶片的加工工序则本发明的半导体晶片表面保护用胶带可以在任何工序中使用。例如，优选可以举出半导体晶片背面磨削工序、切割工序、切晶-粘晶工序等。
本发明的半导体晶片表面保护用胶带贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用。
更优选应用于凹凸差[凸块(电极)的高度或划线的深度]为20μm～400μm的半导体晶片，进一步优选应用于凹凸差为50μm～250μm的半导体晶片。
半导体晶片表面的凸块的配设密度(高密度)没有特别限定，可以应用于凸块的高度的0.5倍～3倍以下、优选为1倍～2倍以下的间距(从凸块高度方向的顶点至所配置的下一凸块的高度方向的顶点为止的距离)的半导体晶片。另外，也可以用于整个面均匀地配置有凸块的半导体晶片。
关于半导体晶片的厚度，对通过使用半导体晶片表面保护用胶带的加工方法进行了背面磨削后的半导体晶片的厚度来说，优选为20μm～500μm，更优选为50μm～200μm，进一步优选为80μm～200μm。
通过使用本发明的半导体晶片表面保护用胶带，能够以高成品率得到薄膜半导体晶片。该半导体晶片的加工方法适合作为薄膜磨削至50μm以下的带电极的半导体晶片的制造方法。
本发明的半导体晶片的加工方法优选包括下述工序：将本发明的半导体晶片表面保护用胶带贴合在半导体晶片表面后，进行放射线、特别是紫外线照射，将半导体晶片表面保护用胶带剥离。
具体而言，首先，在半导体晶片的电路图案面(表面)以粘合剂层成为贴合面的方式贴合本发明的半导体晶片表面保护用胶带。接着，对半导体晶片的无电路图案的面侧进行磨削直至半导体晶片的厚度达到规定厚度、例如10μm～200μm。之后，也可以以贴合有该半导体晶片表面保护用胶带的面为下侧的方式放置于加热吸附台，在该状态下，在半导体晶片的无电路图案的经磨削的面侧贴合切晶-粘晶膜。
进行切晶工序，然后在半导体晶片表面保护用胶带的基材膜的背面粘接热封型(热粘型)或粘合型的剥离带，并将半导体晶片表面保护用胶带从半导体晶片剥离。
实施例
以下，基于实施例更详细地说明本发明，但本发明并不限于这些。
(粘合剂组合物的制备)
如下制备粘合剂组合物1A～1C。
1)粘合剂组合物1A的制备
由丙烯酸-2-乙基己酯78质量份、丙烯酸-2-羟乙酯17质量份、甲基丙烯酸5质量份得到质量平均分子量为55万的共聚物。相对于该共聚物100质量份，加入丙烯酸酯为5官能且具有羟基作为官能团(β)的质量平均分子量3,000的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物100质量份和作为多异氰酸酯的Coronate L[商品名、日本聚氨酯工业公司制造]5.0质量份、作为光聚合引发剂的SPEEDCURE BKL[商品名、DKSHJapan公司制造]5.0质量份，并进行混合，得到粘合剂组合物1A。
2)粘合剂组合物1B的制备
使丙烯酸-2-乙基己酯70质量份、丙烯酸-2-羟乙酯7质量份、甲基丙烯酸23质量份在乙酸乙酯中聚合，得到质量平均分子量为100万的甲基丙烯酸系聚合物。相对于该甲基丙烯酸系聚合物100质量份，混合环氧系固化剂2.0质量份，得到粘合剂组合物B。
3)粘合剂组合物1C的制备
由丙烯酸-2-乙基己酯78质量份、丙烯酸-2-羟乙酯13质量份、甲基丙烯酸9质量份得到质量平均分子量为60万的共聚物。相对于该共聚物100质量份，加入丙烯酸酯为3官能且具有羟基作为官能团(β)的质量平均分子量1,500的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物100质量份和作为多异氰酸酯的Coronate L 3.0质量份、作为环氧树脂的TETRAD-X[三菱瓦斯化学公司制造]0.5质量份、作为光聚合引发剂的SPEEDCURE BKL 5.0质量份，并进行混合，得到粘合剂组合物1C。
(基材膜和中间树脂层的制膜)
如下进行中间树脂层和基材膜2A～2G的制膜。
1)膜2A的制作
使用乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)树脂(日本聚乙烯公司制造、商品名：RexpearlEEA A6200)作为构成中间树脂层的树脂，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(东曹公司制造、商品名：Petrothene 212)作为构成基材膜的树脂。利用挤出机将这些树脂挤出成型，由此制作具有中间树脂层的基材膜(膜2A)。LDPE层的厚度为12.5μm，EEA的厚度为237.5μm。
2)膜2B的制作
使用乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(EMA)树脂(日本聚乙烯公司制造、商品名：RexpearlEB330H)作为构成中间树脂层的树脂，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(东曹公司制造、商品名：Petrothene 212)作为构成基材膜的树脂。利用挤出机将这些树脂挤出成型，由此制作具有中间树脂层的基材膜(膜2B)。LDPE层的厚度为140.0μm，EEA的厚度为210.0μm。
3)膜2C的制作
使用乙烯系特殊共聚物树脂(日本聚乙烯公司制造、商品名：Rexpearl ET720X)作为构成中间树脂层的树脂，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(东曹公司制造、商品名：Petrothene 212)作为构成基材膜的树脂。利用挤出机将这些树脂挤出成型，由此制作具有中间树脂层的基材膜(膜2C)。LDPE层的厚度为50.0μm，乙烯系特殊共聚物树脂层的厚度为200.0μm。
4)膜2D的制作
使用茂金属塑性体树脂(日本聚乙烯公司制造、商品名：KERNEL KJ640T)作为构成中间树脂层的树脂，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(日本聚乙烯公司制造、商品名：NOVATECLL UJ580)作为构成基材膜的树脂。利用挤出机将这些树脂挤出成型，由此制作具有中间树脂层的基材膜(膜2D)。LDPE层的厚度为90.0μm，乙烯系特殊共聚物树脂层的厚度为210.0μm。
5)膜2E的制作
使用乙烯系特殊聚合物树脂(日本聚乙烯公司制造、商品名：Rexpearl ET220X)作为构成中间树脂层的树脂，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(东曹公司制造、商品名：Petrothene 212)作为构成基材膜的树脂。利用挤出机将这些树脂挤出成型，由此制作具有中间树脂层的基材膜(膜2E)。LDPE层的厚度为150.0μm，乙烯系特殊共聚物树脂层的厚度为150.0μm。
6)膜2F的制作
使用乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂(Arkema公司制造、商品名：LOTRYL 28BA175)作为构成中间树脂层的树脂，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(日本聚乙烯公司制造、商品名：NOVATEC LL UJ580)作为构成基材膜的树脂。利用挤出机将这些树脂挤出成型，由此制作具有中间树脂层的基材膜(膜2F)。LDPE层的厚度为90.0μm，乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂层的厚度为210.0μm。
7)膜2G的制膜
使用乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂(日本聚乙烯公司制造、商品名：EB240H)作为构成中间树脂层的树脂，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(东曹公司制造、商品名：Petrothene212)作为构成基材膜的树脂。利用挤出机将这些树脂挤出成型，由此制作具有中间树脂层的基材膜(膜2G)。LDPE层的厚度为90.0μm，乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂层的厚度为210.0μm。
8)膜2H的制膜
使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(东曹公司制造、商品名：Petrothene 180)作为构成中间树脂层的树脂，使用低密度聚乙烯(LDPE)树脂(东曹公司制造、商品名：Petrothene212)作为构成基材膜的树脂。利用挤出机将这些树脂挤出成型，由此制作具有中间树脂层的基材膜(膜2H)。用作中间树脂层的LDPE层的厚度为90.0μm，用作基材膜的LDPE层的厚度为210.0μm。
(实施例1)
按照干燥后的厚度为30μm的方式将粘合剂组合物1A涂布到透明的剥离衬垫上，并使其干燥。按照剥离衬垫上的粘合剂层与膜2A的中间树脂层接触的方式进行贴合，除去剥离衬垫，得到图1所示的构成的半导体晶片表面保护用胶带。
(实施例2)
在实施例1中，将粘合剂组合物1A变更为粘合剂组合物1B，将膜2A变更为膜2B，除此以外与实施例1同样地得到图1所示的构成的半导体晶片表面保护用胶带。
(实施例3)
在实施例1中，将粘合剂组合物1A变更为粘合剂组合物1C，将膜2A变更为膜2C，除此以外与实施例1同样地得到图1所示的构成的半导体晶片表面保护用胶带。
(实施例4)
在实施例1中，将粘合剂组合物1A变更为粘合剂组合物1B，将膜2A变更为膜2D，除此以外与实施例1同样地得到图1所示的构成的半导体晶片表面保护用胶带。
(比较例1)
在实施例1中，将粘合剂组合物1A变更为粘合剂组合物1C，将膜2A变更为膜2E，除此以外与实施例1同样地得到半导体晶片表面保护用胶带。
(比较例2)
在实施例1中，将粘合剂组合物1A变更为粘合剂组合物1B，将膜2A变更为膜2F，除此以外与实施例1同样地得到半导体晶片表面保护用胶带。
(比较例3)
在实施例1中，将膜2A变更为膜2G，除此以外与实施例1同样地得到半导体晶片表面保护用胶带。
(比较例4)
在实施例1中，将膜2A变更为膜2H，除此以外与实施例1同样地得到半导体晶片表面保护用胶带。
对于上述实施例和比较例中制作的半导体晶片表面保护用胶带进行以下的试验，对其性能进行评价。评价结果记载于下述表1中。需要说明的是，对于实施例2～4和比较例1～3中制作的表面保护带，也与实施例1同样地进行试验。
<试验例1>密合性试验
(1)对高度50μm的凸块的密合性
在具有高度50μm、凸块间距100μm的Cu柱凸块的直径8英寸带凸块的硅晶片(硅晶片本身的厚度为725μm)的表面，使用日东精机公司制造的DR8500III(商品名)，在工作台温度80℃和辊温度60℃、贴合压力0.35MPa、贴合速度低速(9mm/sec)的条件下，将上述实施例1中制作的表面保护带贴合到上述晶片。如此制作出25片带表面保护带的晶片(凸块高度：50μm)。在该贴合条件下，以由熔点80℃以下的树脂构成的中间树脂层为构成层的表面保护带的中间树脂层发生熔融(在以下的试验例2的情况下也相同)。目视确认此时的密合性，调查表面保护带与上述晶片之间有无空气混入。
(2)对高度200μm的凸块的密合性
在具有高度200μm、凸块间距400μm的焊料凸块的直径8英寸带凸块的硅晶片(除凸块以外的部分的厚度为725μm)的表面，使用日东精机公司制造的DR8500III(商品名)，在工作台温度80℃和辊温度60℃、贴合压力0.35MPa、贴合速度低速(9mm/sec)的条件下，将上述实施例1中制作的表面保护带贴合到上述晶片。如此制作出5片带表面保护带的晶片(凸块高度：200μm)。目视确认此时的密合性，调查表面保护带与上述晶片之间有无空气混入。评价基准如下所示。A和B为合格。
(评价基准)
A：贴合后，在室温(25℃)下静置，即使超过72小时，全部带表面保护带的晶片均未观察到空气混入。
B：贴合后，在室温下静置，在超过48小时且72小时以内，全部带表面保护带的晶片未观察到空气混入。
C：贴合后，在室温下静置，至少1片带表面保护带的晶片在贴合后48小时以内观察到空气。
<试验例2>磨削试验
(1)灰尘侵入
与上述同样地将表面保护带贴合到上述晶片，制作出实施例1的带表面保护带的晶片(凸块高度：50μm)5片、和实施例1的带表面保护带的晶片(凸块高度：200μm)5片。将表面保护带贴合到上述晶片后静置48小时，之后进行背面磨削。该背面磨削使用具有线内机构的研磨机[株式会社DISCO制造的DFG8760(商品名)]。其后，针对磨削后的带表面保护带的晶片，目视确认晶片与表面保护带间有无硅灰尘的侵入。需要说明的是，对于实施例1的带表面保护带的晶片(凸块高度：50μm)，进行背面磨削直至晶片的最终磨削厚度为50μm。另一方面，对于实施例1的带表面保护带的晶片(凸块高度：200μm)，进行背面磨削直至硅的最终磨削厚度为200μm，并按照以下的评价基准进行评价。
(评价基准)
合格：带表面保护带的晶片(凸块高度：50μm)和带表面保护带的晶片(凸块高度：200μm)均未观察到灰尘侵入。
不合格：带表面保护带的晶片(凸块高度：50μm)和带表面保护带的晶片(凸块高度：200μm)中的任意至少1片观察到灰尘侵入。
(2)传送错误
评价基准如下所示。A和B为合格。
A：在磨削试验中，全部晶片均未产生磨削装置内的传送错误。
B：在磨削试验中，1片产生了磨削装置内的传送错误。
C：在磨削试验中，2片以上产生了磨削装置内的传送错误。
“传送错误”是指基材膜变形，无法进行真空吸附而传送带表面保护带的晶片。
(3)晶片破损的评价
目视确认经磨削的各带表面保护带的晶片整体，利用光学显微镜进行晶片端部的观察，调查有无晶片破损。评价基准如下所示。“无(A)”为合格。
(评价基准)
无(A)：利用目视和显微镜观察并无破损。
B：目视无破损、但利用显微镜确认到破损。
C：目视确认到破损。
(4)翘曲评价
对于灰尘侵入的评价中使用的实施例1的带表面保护带的晶片(凸块高度：50μm)5片，测定翘曲高度(将带表面保护带的晶片放置在平板上，从平板表面至翘曲的晶片的最高点的下表面为止的高度)。评价基准如下所示。A为合格。
(评价基准)
A：翘曲高度的平均值小于5mm
B：翘曲高度的平均值为5mm以上且小于10mm
C：翘曲高度的平均值为10mm以上
(5)剥离性评价
在表面具有高度75μm的凸块(凸块间距150μm)的直径8英寸的半导体晶片表面，以90℃的贴合温度贴合上述制造的各半导体晶片表面保护用胶带。其后，使用株式会社DISCO制造的DFG8760(商品名)，对贴合有上述半导体晶片表面保护用胶带的带凸块的半导体晶片的背面各2片进行磨削加工直至厚度为200μm。对磨削后的带半导体晶片表面保护用胶带的半导体晶片照射500mJ/cm2的紫外线，使用INSTRON公司制造的拉伸试验机(双柱台式5567(商品名))将半导体晶片表面保护用胶带剥离，对于剥离时宽度达到最大(200mm)时的剥离力，按照以下的基准进行评价。A和B为合格。
需要说明的是，表1中表示为“剥离性”。
(评价基准)
A：20N/200mm以下
B：超过20N/200mm且50N/200mm以下
C：超过50N/200mm
(6)残胶评价
对于剥离性评价中使用的实施例1的带表面保护带的晶片(凸块高度：50μm)5片，使用光学显微镜(奥林巴斯)进行残胶观察。评价基准如下所示。
(评价基准)
合格：全部带表面保护带的晶片均未产生残胶。
不合格：至少1片带表面保护带的晶片产生了残胶。
<试验例3>耐热性试验
对镜面晶片进行实施例1的表面保护带的贴合。贴合条件与试验例2中在硅晶片贴合表面保护带的条件相同。其后，在加热至90℃的加热板上，使带面朝下并使表面保护带的基材膜与加热板接触，静置3分钟后，目视观察带表面。
(评价基准)
合格：基材膜未熔化。
不合格：基材膜熔化。
＜物性的测定＞
(熔点、维氏软化点、MFR)
对于构成中间树脂层的树脂的熔点和维氏软化点，基于JIS K 7206进行测定。对于构成中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率(MFR)，基于JIS K 7210进行测定。基材膜的构成材料的熔点基于JIS K 6977-2进行测定。
(粘合力)
通过上述方法进行测定。
【表1】
表1
<表的注释>
粘合力的行的括号标注表示粘合剂层的形成中使用的粘合剂组合物的种类。
由表1可知，满足本发明规定的实施例1～4的表面保护带的密合性优异，能够抑制灰尘侵入、传送错误、晶片破损。此外，实施例1～4的表面保护带能够抑制贴合在半导体晶片表面的状态下的翘曲，并且剥离性、残胶和耐热性优异。
与此相对，比较例1～3的表面保护带至少2个评价项目不合格。
结合其实施方式对本发明进行了说明，但本申请人认为，只要没有特别指定，则本发明在说明的任何细节均不被限定，应当在不违反所附权利要求书所示的发明精神和范围的情况下进行宽泛的解释。
本申请要求基于2017年3月31日在日本进行专利提交的日本特愿2017-71346的优先权，将其参照于此并将其内容作为本说明书记载内容的一部分引入。
符号说明
10半导体晶片表面保护用胶带
1粘合剂层
2中间树脂层
3基材膜

Claims (8)

1.一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面而使用的半导体晶片表面保护用胶带，其中，
所述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，
所述中间树脂层的厚度为所述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂为茂金属塑性体树脂，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/10min～100g/10min。
2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，紫外线照射后的所述粘合剂层的对于23℃的SUS280研磨面的粘合力为0.5N/25mm以上5.0N/25mm以下，并且对于50℃的SUS280研磨面的粘合力为0.3N/25mm以上7.0N/25mm以下。
3.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述基材膜的厚度与所述中间树脂层的厚度之比为基材膜的厚度:中间树脂层的厚度=0.5:9.5～7:3。
4.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述基材膜的构成材料的熔点为90℃～150℃。
5.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述中间树脂层的厚度为100μm～400μm。
6.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述粘合剂层的厚度为5μm～40μm。
7.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述基材膜的厚度为25μm～100μm。
8.一种半导体晶片的加工方法，该半导体晶片的加工方法包括：将半导体晶片表面保护用胶带在40℃～90℃的条件下加热贴合到具有20μm以上的凹凸差的半导体晶片的表面，并对半导体晶片背面进行磨削，其中，
所述半导体晶片表面保护用胶带具有基材膜、粘合剂层、和位于该基材膜与该粘合剂层之间的中间树脂层，
该中间树脂层的厚度为所述凹凸差以上，构成该中间树脂层的树脂为茂金属塑性体树脂，构成该中间树脂层的树脂的熔点或维氏软化点为40℃～90℃，构成该中间树脂层的树脂的熔体质量流动速率为10g/10min～100g/10min。
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