CN109002566A

CN109002566A - 一种冗余金属的填充方法及系统

Info

Publication number: CN109002566A
Application number: CN201710422995.4A
Authority: CN
Inventors: 曹鹤; 陈岚; 孙艳
Original assignee: Institute of Microelectronics of CAS
Current assignee: Institute of Microelectronics of CAS
Priority date: 2017-06-07
Filing date: 2017-06-07
Publication date: 2018-12-14
Anticipated expiration: 2037-06-07
Also published as: CN109002566B

Abstract

本发明实施例公开了一种冗余金属的填充方法及系统，在版图中确定出封闭多边形的待填充区域之后，以待填充区域的各条边为界，将基本填充单元相接排布待填充区域中，完成待填充区域的填充，而后，进行网格密度分析，将网格密度过大的网格进行基本填充单元的调整，以防止过填充。该方法以待填充区域的各条边为界限，进行满填充，不会出现漏填区域，并进行网格密度的分析，避免过填充的出现，提高冗余金属填充的有效性和效率，进而提升产品良率。

Description

一种冗余金属的填充方法及系统

技术领域

本发明涉及集成电路的可制造性设计领域，尤其涉及一种冗余金属的填充方法及系统。

背景技术

在大规模集成电路制造工艺中，CMP(化学机械平坦化)是一种化学和机械作用相结合的平坦化过程，是芯片表面全局平坦化的主要手段。

在CMP工艺中，存在两种主要的缺陷：金属碟形(dishing)和氧化层侵蚀(erosion)，金属蝶形的缺陷在45nm以下节点工艺中尤其突出，直接影响到器件的性能和芯片的良率。目前，主要是通过冗余金属填充技术(dummy fill)来解决金属蝶形的缺陷，该技术是通过在可能产生缺陷的地方填充冗余金属，使得版图密度均匀化，从而减少缺陷的产生。

目前，冗余金属的填充主要是基于网格密度的分析来确定待填充区域，而在网格内部，填充的位置具有随机性，这样，会导致漏填区域的出现，进而导致CMP缺陷区域的产生，降低了冗余金属填充的有效性和效率，严重时甚至会引起芯片流片失败或产品良率下降等问题。

发明内容

本发明提供了一种冗余金属的填充方法及系统，提高冗余金属填充的有效性和效率。

本发明提供一种冗余金属的填充方法，包括：

在版图中确定待填充区域，所述待填充区域为封闭的多边形；

以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，以获得填充后的版图，所述基本填充单元包括冗余填充区域和所述冗余填充区域外的间隔区域；

对所述填充后的版图进行网格划分，并获得各网格的网格密度；

获得网格密度超过预设阈值的过填充网格，并分别对所述过填充网格进行基本填充单元的调整，以使得所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

可选地，所述在版图中确定待填充区域，包括：

获得冗余填充的临界间距尺寸d；

将版图内的图形的边界外扩d/2，获得外扩区域；

将所述版图的外边界布尔运算减去外扩区域，获得待填充区域。

可选地，所述临界间距尺寸d的确定方法包括：

设计测试版图，所述测试版图被划分为网格矩阵，网格内的特征参数在行、列方向上变化，所述特征参数包括线宽和间距；

对所述测试版图进行CMP模拟，从模拟结果中确定出产生缺陷的临界间距尺寸d。

可选地，以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，包括：

以待填充区域的各条边为界限，沿第一方向将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，第一方向为所述版图的一个水平方向或一个垂直方向。

可选地，以待填充区域的各条边为界限，沿第一方向将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，包括：

S201，从所述待填充区域中选择不在第一方向上的一条边作为填充起始边，并以所述填充起始边的一个端点作为起始点；

S202，以起始点开始并沿所述第一方向进行行填充，所述行填充包括：在所述待填充区域中依次相接放入基本填充单元，若放入的基本填充单元与所述待填充区域的交集为基本填充单元本身时，放入的基本填充单元为有效填充单元，当填入的基本填充单元与待填充区域的交集是部分基本填充单元时，结束所述行填充，获得填充行；

S203，以所述填充行与所述填充起始边的交点为新的起始点，若所述填充起始边的另一个端点到所述填充行的距离大于基本填充单元的高度，则返回S202；否则，进入S204；

S204，从待填充区域的未填充部分中选择不在第一方向上的一条边作为填充起始边，并以所述填充起始边的一个端点作为起始点，而后，返回S202。

可选地，S202中还包括：

当填入的基本填充单元与待填充区域的交集是部分基本填充单元且下一个填入的基本填充单元与待填充区域的交集仍为部分基本填充单元时，在预设的第一尺寸范围内，缩小基本填充单元的尺寸，以缩小尺寸后的基本填充单元继续进行行填充。

可选地，进行基本填充单元的调整，包括：

在预设的第二尺寸范围内，缩小过填充网格内的基本填充单元的冗余填充区域的尺寸，并计算所述过填充网格的网格密度，直到所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

可选地，进行基本填充单元的调整，还包括：

所述过填充网格内的基本填充单元的冗余填充区域的尺寸缩小到预设的第二尺寸范围内的最小值时，若所述过填充网格的网格密度仍大于预设阈值，则将所述过填充网格内的部分基本填充单元删除，直到所述网格的网格密度低于预设阈值。

本发明还提供一种冗余金属的填充系统，包括：

待填充区域确定单元，用于在版图中确定待填充区域，所述待填充区域为封闭的多边形；

填充单元，用于以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，以获得填充后的版图，所述基本填充单元包括冗余填充区域和所述冗余填充区域外的间隔区域；

密度分析单元，用于对所述填充后的版图进行网格划分，并获得各网格的网格密度；

调整单元，用于获得网格密度超过预设阈值的过填充网格，并分别对所述过填充网格进行基本填充单元的调整，以使得所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

可选地，所述填充单元中，以待填充区域的各条边为界限，沿第一方向将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，第一方向为所述版图的一个水平方向或一个垂直方向。

本发明实施例提供的冗余金属的填充方法及系统，在版图中确定出封闭多边形的待填充区域之后，以待填充区域的各条边为界，将基本填充单元相接排布待填充区域中，完成待填充区域的填充，而后，进行网格密度分析，将网格密度过大的网格进行基本填充单元的调整，以防止过填充。该方法以待填充区域的各条边为界限，进行满填充，不会出现漏填区域，并进行网格密度的分析，避免过填充的出现，提高冗余金属填充的有效性和效率，进而提升产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为根据本发明实施例提供的冗余金属的填充方法的流程示意图；

图2A-2C为根据本发明实施例提供的冗余金属的填充方法中确定待填充区域的示意图；

图3为根据本发明实施例提供的冗余金属的填充方法中临界间距尺寸的获取方法的示意图；

图4为根据本发明实施例提供的冗余金属的填充方法中基本填充单元的结构示意图；

图5A-5E为根据本发明实施例提供的冗余金属的填充方法中的填充过程的示意图；

图6为本发明实施例提供的冗余金属的填充系统的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

正如背景技术中的描述，冗余金属的填充可以减少CMP工艺中的缺陷，但目前的冗余金属的填充主要是基于网格密度的分析来确定待填充区域，在网格内部，填充的位置具有随机性，这会导致漏填区域的出现。

为了提高冗余金属填充的有效性，本发明实施例提出了一种冗余金属的填充方法，参考图1所示，包括：

S01，在版图中确定待填充区域，所述待填充区域为封闭的多边形；

S02，以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，以获得填充后的版图，所述基本填充单元包括冗余填充区域和所述冗余填充区域外的间隔区域；

S03，对所述填充后的版图进行网格划分，并获得各网格的网格密度；

S04，获得网格密度超过预设阈值的过填充网格，并分别对所述过填充网格进行基本填充单元的调整，以使得所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

在本发明实施例中，版图为包括金属结构的集成电路版图，金属结构可以为金属连线层或金属互连层。该版图可以为电子设计自动化文件格式提供的版图，例如以GDS格式提供的版图。

冗余金属填充是指，在版图中金属结构密度较低的区域增加金属结构，该增加的金属结构并不用于器件实际的连接，是为了提高版图中金属结构的均匀性，这样，在CMP工艺中可以减少缺陷的产生，提高CMP过程后芯片表面的平整度。

在本实施例的方法中，在版图中确定出封闭多边形的待填充区域之后，以待填充区域的各条边为界，将基本填充单元相接排布待填充区域中，完成待填充区域的填充，而后，进行网格密度分析，将网格密度过大的网格进行基本填充单元的调整，以防止过填充。该方法以待填充区域的各条边为界限，进行满填充，不会出现漏填区域，并进行网格密度的分析，避免过填充的出现，提高冗余金属填充的有效性和效率，进而提升产品良率。

为了更好地理解本发明的技术方案和技术效果，以下将结合流程图对具体的实施例进行详细的描述。

在步骤S01，在版图中确定待填充区域，所述待填充区域为封闭的多边形。

待填充区域为将要进行冗余金属填充的区域，由版图中金属结构间间距较大的空白区域构成，该空白区域由封闭的多边形构成，可以通过多种方法来从版图中确定出待填充区域，例如可以是网格密度分析法或CMP模型分析法等。

在本发明优选的实施例中，通过临界间距尺寸间接获得待填充区域，具体的，通过以下方法来确定待填充区域：

获得冗余填充的临界间距尺寸d；

将版图内的图形的边界外扩d/2，获得外扩区域；

临界间距尺寸d为出现CMP缺陷的最小尺寸，可以根据已有的经验公式或者特定工艺条件下可能产生缺陷的经验间距尺寸来获得。为了更好地理解该待填充区域的确定方法，以下将结合附图2A-2C对一个具体的示例进行说明。

参考图2A所示，版图100的外边界101内为版图设计区域，在版图设计区域中已经设计有金属结构的图形110。而后，参考图2B所示，将版图100内，也就是外边界101之内的图形110的边界都外扩d/2，获得外扩区域110’。而后，参考图2C所示，用版图100的外边界101布尔运算减去外扩区域110’，就获得了待填充区域120。

该具体的实施例仅为示例，在实际的应用中，版图100的面积会更大，版图100内的图形数量也会更多，可以进一步将减运算后的待填充区域划分为多个子区域，分别对每个子区域进行填充，便于后续的填充。

由于临界间距尺寸为d，在将图形的边界外扩d/2之后，若相邻的图形的间距小于临界间距尺寸d，二者之间将不存在间距，也就是二者之间不需要进一步的冗余填充；若相邻的图形的间距大于临界间距尺寸d，二者之间将还存在间距，二者之间有需要存在冗余填充的可能，在用版图100的外边界101布尔运算减去外扩区域110’之后，剩余的区域就是需要冗余填充的区域。采用该方法确定待填充区域120，对冗余区域的分析更为充分，可以尽可能的找出可能需要冗余填充的区域来，避免漏填区域的产生。

在优选的实施例中，可以采用如下方法获取临界间距尺寸d，具体的，包括：设计测试版图，所述测试版图被划分为网格矩阵，网格内的特征参数在行、列方向上变化，所述特征参数包括线宽和间距；对所述测试版图进行CMP模拟，从模拟结果中确定出产生缺陷的临界间距尺寸d。

在该优选的实施例中，通过在测试版图中的不同区域上设计不同特征参数的网格，仿真不同线宽和间距下的版图设计，根据设计需要，网格内的特征参数在行、列方向上变化可以采用不同的规律，例如可以是等间距递增或递减或者变间距的渐变等，特征参数包括了线宽和间距，这两个参数与CMP缺陷的产生相关，这样，在对测试版图进行CMP模拟之后，根据模拟结果中的热点区域，可以通过分析，确定出产生缺陷时临界间距尺寸d。

在一个具体的实施例中，参考图3所示，采用特征参数等间距递增的方式设计测试版图，第ij个网格A_ij内部的特征参数线宽LW_ij、间距LS_ij分别为：

Lw_ij＝Lw₀₀+i×ΔL,

Ls_ij＝Ls00+j×ΔL；

其中，线宽LW₀₀、间距LS₀₀分别为设计工艺的最小线宽和间距，ΔL为递增的增量。

这样，就构建了沿行、列特征参数依次递增的网格矩阵的测试版图，由于特征参数是渐变的，在进行CMP仿真后，可以在仿真结果中较为容易的确定出缺陷产生的渐变线，可以更为准确和简便地确定出产生缺陷时临界间距尺寸d。

在步骤S02，以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，以获得填充后的版图，所述基本填充单元包括冗余填充区域和所述冗余填充区域外的间隔区域。

在该步骤中，通过基本填充单元来进行冗余金属的填充，基本填充单元包括冗余填充区域和冗余填充区域外的间隔区域，冗余填充区域为将要填充冗余金属的区域，间隔区域为非填充区域，在排布之后，间隔区域将相邻的两个基本填充单元中的冗余填充区域间隔开来，在实际的工艺应用中，冗余填充区域为填充冗余金属的区域，间隔区域为冗余金属间的介质材料。

可以根据需要设置基本填充单元200的形状和尺寸，在一些实施例中，参考图4所示，冗余填充区域210为正方形，如图4中的(A)图所示，间隔区域220包围冗余填充区域210的两边，构成了正方形的基本填充单元200。在其他实施例中，冗余填充区210域还可以采用其他的形状，参考图4中的(B)图所示，间隔区域220可以包围冗余填充区域的更多边或所有边，只要在排布之后，相邻的冗余填充区域210被间隔区域220间隔开即可。基本填充单元的尺寸可以根据具体的设计需求来设置，基本填充单元的尺寸也可以设置为一个尺寸范围，即冗余填充区域的尺寸范围以及间隔区域的尺寸范围，为了便于描述，将基本填充单元的尺寸范围记做第一尺寸范围，在该尺寸范围内选择尺寸可确定出满足填充需求的基本填充单元。

在具体填充时，以待填充区域的各条边为界限，依次相接地排布充基本填充单元，相接排布是指相邻的基本填充单元之间相邻接，他们之间没有相交的部分，在逐行或逐列排布时，排布到待填充区域的边界处，则停止该行或该列的排布，继续另一行或另一列的排布，直到将待填充区域排满。

在本发明优选的实施例中，选择待填充区域的边作为填充导向，进行填充，能够实现快速及智能的填充。在版图设计中，参考图5A所示，版图沿水平方向X和垂直方向Y进行图形排布设计，也就是说整个版图设置于水平方向和垂直方向所确定的XY坐标平面内，在优选的实施例中，在填充时，沿一个方向依次进行填充，该方向记做第一方向，可以为版图的一个水平方向或一个垂直方向。

以图5A中的不规则图形的待填充区域300为例，进行填充方法的说明，基本填充单元的尺寸在第一尺寸范围内，从中确定一个尺寸作为默认尺寸的基本填充单元，在该实施例的填充中，以正方形的基本填充单元为示例进行说明，其中，基本填充单元中的冗余填充区域也为正方形，间隔区域包围冗余填充区域的两条边。

具体的，在步骤S201，从所述待填充区域中选择不在第一方向上的一条边作为填充起始边，并以所述填充起始边的一个端点作为起始点。

如图5A所示，在该具体的示例中，第一方向为从左到右的方向，即X轴方向，可以按照边长的长短从待填充区域中选择最长边作为填充边，也可以按照版图所在平面的坐标轴的方向，如从左到右或从上到下的顺序，从待填充区域中选择不在第一方向上的一条边作为填充起始边，也就是说，填充方向为一个方向，填充的起始边界为另外方向上的边，由于待填充区域可能是不规则的多边形，填充起始边与第一方向之间可能是垂直角度，也可能是其他角度的夹角。在图5A所示的示例中，沿X轴方向的边为第一方向的边，其他的边为不在第一方向上的边。

填充起始边为每一行填充开始的边界，从填充起始边开始沿着第一方向进行行填充。在该具体的实施例中，如图5B所示，可以首先选择待填充区域300中的最左边的边310作为填充起始边，填充起始边310的最底部的端点311作为起始点。

在步骤S202，以起始点311开始并沿所述第一方向，进行行填充，参考图5B所示。

对于每一行的行填充包括：在所述待填充区域中依次相接放入基本填充单元，若放入的基本填充单元与所述待填充区域的交集为基本填充单元本身时，放入的基本填充单元为有效填充单元，当填入的基本填充单元与待填充区域的交集是部分基本填充单元时，结束所述行填充，获得填充行。

参考图5B所示，在填充时，从起始点311开始，沿第一方向将基本填充单元200依次放入到待填充区域中，判断放入的基本填充单元200与待填充区域300的交集是否为基本填充单元200本身，若是，说明本次放入的基本填充单元在待填充区域300中，可以继续进行下一个基本填充单元的排布，若填入的基本填充单元200-1与待填充区域300的交集是部分基本填充单元200-1时，可能已经填充到了待填充区域300的边界线处，此次填充的基本填充单元200-1为无效填充，则结束该行的填充，参考图5C所示，获得一填充行5C，接着，进入步骤S203，进行下一行的行填充。

在步骤S203，以所述填充行与所述填充起始边的交点为新的起始点，若所述填充起始边的另一个端点到所述填充行的距离大于基本填充单元的高度，则返回S202；否则，进入S204。

在该步骤中，参考图5C所示，从填充起始边上选择下一行的起始点，以所述填充行320与所述填充起始边310的交点313为新的起始点，在填充前，判断填充起始边310的另一端点312到前一填充行320的距离是否大于基本填充单元200的高度，若大于，说明未到填充起始边310的填充界限，可以继续该行的填充，返回步骤S202，进而完成下一行的填充321，重复步骤S202和S203，行填充后，得到填充行321、322，在完成填充行322后，该填充起始边310的端点312到填充行322的距离小于基本填充单元200-2的高度，则说明已到填充起始边的填充界限，则结束该填充起始边310的填充，进入步骤S204。

在步骤S204，从待填充区域的未填充部分中选择不在第一方向上的一条边作为填充起始边，并以所述填充起始边的一个端点作为起始点，而后，返回S202。

参考图5E，继续从待填充区域的未填充部分中选择填充起始边330，填充起始边为不在第一方向X上的边，重复上述的步骤，直到获得以该填充起始边为起始界限的所有填充行340、341、342。

此外，参考图5D所示，在填入的基本填充单元200-3与待填充区域300的交集是部分基本填充单200-3元时，也有可能是进入间距较小的填充区域，当前尺寸的基本填充区域无法填入到该区域中，则，在当前填入的基本填充单元200-3与待填充区域300的交集是部分基本填充单元200-3时，可以继续判断下一个填入的基本填充单元200-4与待填充区域300的交集，若下一个填入的基本填充单元200-4与待填充区域300的交集仍为部分基本填充单元200-4时，则认为在预设的第一尺寸范围内可能是进入间距较小的填充区域。那么，可以缩小基本填充单元的尺寸，参考图5E所示，以缩小尺寸后的基本填充单元201继续进行行填充，直到填充到了待填充区域的边界线处，则结束该行340的填充。这样，可以兼顾到待填充区域中的较小区域，避免漏填，做到更充分的填充。

若缩小到第一尺寸范围内最小极限尺寸时，基本填充单元与待填充区域的交集仍为部分的基本填充单元，说明无法进行该区域的填充，则放弃填充，进入步骤S203。

此时，可以继续从待填充区域的未填充部分中选择不在第一方向上的另一条边作为填充起始边，并以新选择的填充起始边的端点作为起始点，返回S202，继续进行行填充，重复上述步骤，直到待填充区域填满，参考图5E所示。

这样，就完成了待填充区域的填充，由于本发明实施例中是对待填充区域进行的全面填充，可能会导致过填充，过填充会引起寄生效应的问题，影响器件的性能。为此，在进行填充之后，进行网格密度分析及调整的步骤。

在步骤S03，对所述填充后的版图进行网格划分，并获得各网格的网格密度。

具体的，先对填充后的版图进行网格划分，可以通过固定大小的网格将整个芯片版图划分为多个网格窗口，网格的大小可以根据具体的需要确定，通常地，设定宽度为D的正方形进行版图的划分。

在划分网格之后，进行网格的网格密度计算，获得每个网格的网格密度，网格密度的表达式如下：

在步骤S04，获得网格密度超过预设阈值的过填充网格，并分别对所述过填充网格进行基本填充单元的调整，以使得所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

在获得版图的网格密度之后，对超过预设阈值的网格，为了表述方便，记做过填充网格，分别对过填充网格进行基本填充单元的调整，可以通过多种调整方式减小过填充网格内的密度，例如可以减小冗余填充区域的尺寸或删除部分的冗余填充区域或者二者结合的方式等，以达到降低网格密度，使其低于预设阈值的目的。

在一些实施例中，对于每一个超出阈值的网格，进行基本填充单元的调整，具体包括：

该第二尺寸范围为冗余填充区域的尺寸范围，在该有效范围内，缩小过填充网格内的冗余填充区域的尺寸，可以以某一步长缩小冗余填充区域的尺寸，每次缩小后，重新计算过填充网格密度，若仍不符合，则继续缩小冗余填充区域的尺寸，直到计算得到过填充网格的网格密度低于预设阈值。对于每一个超出预设阈值的网格都进行上述的调整步骤。

进一步地，所述过填充网格内的基本填充单元的冗余填充区域的尺寸缩小到预设的第二尺寸范围内的最小值时，若所述过填充网格的网格密度仍大于预设阈值，则将所述过填充网格内的部分基本填充单元删除，直到所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

也就是说，在通过缩小冗余填充区域的面积无法满足网格密度要求的情况下，继续通过删除部分基本填充单元的方式，来减小网格密度，删除的方式可以采用随机删除或其他方式，若删除部分基本填充单元的方式仍无法满足网格密度要求，可以将该网格内的基本填充单元全部删除。

这样就完成了本发明实施例的冗余金属的填充，获得填充了冗余金属的新的版图。

以上对本发明实施例的冗余金属的填充方法进行详细的描述，此外，本发明还提供了实现上述方法的冗余金属的填充系统，参考图6所示，包括：

待填充区域确定单元400，用于在版图中确定待填充区域，所述待填充区域为封闭的多边形；

填充单元410，用于以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，以获得填充后的版图，所述基本填充单元包括冗余填充区域和所述冗余填充区域外的间隔区域；

密度分析单元420，用于对所述填充后的版图进行网格划分，并获得各网格的网格密度；

调整单元430，用于获得网格密度超过预设阈值的过填充网格，并分别对所述过填充网格进行基本填充单元的调整，以使得所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

进一步地，所述待填充区域确定单元400包括：临界间距尺寸获取单元，用于获得冗余填充的临界间距尺寸d；外扩区域获取单元，用于将版图内的图形的边界外扩d/2，获得外扩区域；布尔运算单元，用于将所述版图的外边界布尔运算减去外扩区域，获得待填充区域。

进一步地，临界间距尺寸获取单元包括：测试版图确定单元，用于设计测试版图，所述测试版图被划分为网格矩阵，网格内的特征参数在行、列方向上变化，所述特征参数包括线宽和间距；模拟单元，用于对所述测试版图进行CMP模拟，从模拟结果中确定出产生缺陷的临界间距尺寸d。

进一步地，填充单元410中，以待填充区域的各条边为界限，沿第一方向将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，第一方向为所述版图的一个水平方向或一个垂直方向。

进一步地，填充单元410包括：

填充起始边初始单元，用于从所述待填充区域中选择不在第一方向上的一条边作为填充起始边，并以所述填充起始边的一个端点作为起始点；

行填充单元，用于以起始点开始并沿所述第一方向进行行填充，所述行填充包括：在所述待填充区域中依次相接放入基本填充单元，若放入的基本填充单元与所述待填充区域的交集为基本填充单元本身时，放入的基本填充单元为有效填充单元，当填入的基本填充单元与待填充区域的交集是部分基本填充单元时，结束所述行填充，获得填充行；

起始点确定单元，以所述填充行与所述填充起始边的交点为新的起始点，若所述填充起始边的另一个端点到所述填充行的距离大于基本填充单元的高度，则返回行填充单元，否则，进入填充起始边确定单元；

填充起始边确定单元，从待填充区域的未填充部分中选择不在第一方向上的一条边作为填充起始边，并以所述填充起始边的一个端点作为起始点，并进入行填充单元。

进一步地，行填充单元还包括：缩小填充单元，用于当填入的基本填充单元与待填充区域的交集是部分基本填充单元且下一个填入的基本填充单元与待填充区域的交集仍为部分基本填充单元时，在预设的第一尺寸范围内，缩小基本填充单元的尺寸，以缩小尺寸后的基本填充单元继续进行行填充。

进一步地，调整单元430中，在预设的第二尺寸范围内，缩小过填充网格内的基本填充单元的冗余填充区域的尺寸，并计算所述过填充网格的网格密度，直到所述过填充网格的网格密度低于预设阈值。

进一步地，调整单元430中，还包括所述过填充网格内的基本填充单元的冗余填充区域的尺寸缩小到预设的第二尺寸范围内的最小值时，若所述过填充网格的网格密度仍大于预设阈值，则将所述过填充网格内的部分基本填充单元删除，直到所述网格的网格密度低于预设阈值。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims

1.一种冗余金属的填充方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在版图中确定待填充区域，包括：

获得冗余填充的临界间距尺寸d；

将版图内的图形的边界外扩d/2，获得外扩区域；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述临界间距尺寸d的确定方法包括：

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，以待填充区域的各条边为界限，将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，以待填充区域的各条边为界限，沿第一方向将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，S202中还包括：

7.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，进行基本填充单元的调整，包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进行基本填充单元的调整，还包括：

9.一种冗余金属的填充系统，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述填充单元中，以待填充区域的各条边为界限，沿第一方向将基本填充单元依次相接进行排布，直到排满所述待填充区域，第一方向为所述版图的一个水平方向或一个垂直方向。