CN109002228A - 触摸屏及其制造方法、触摸显示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 243
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 243
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 138
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 48
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 25
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013441 quality evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
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Abstract
本申请公开一种触摸屏及其制造方法、触摸显示装置，属于触摸显示领域。触摸屏包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的走线层和腐蚀保护结构，走线层包括金属走线以及沿衬底基板的边缘围绕在金属走线周围的接地线，腐蚀保护结构位于衬底基板的侧面所在平面与接地线之间，腐蚀保护结构与接地线连接，腐蚀保护结构与接地线构成腐蚀电池，接地线为腐蚀电池的阳极。本申请解决了触摸屏的抗腐蚀能力较差的问题，提高了触摸屏的抗腐蚀能力。本申请用于触摸显示装置。
Description
技术领域
本申请涉及触摸显示领域，特别涉及一种触摸屏及其制造方法、触摸显示装置。
背景技术
随着智能手机和平板电脑等触摸显示装置的普及，触摸屏得到了广泛的应用。触摸屏的抗静电能力和抗腐蚀能力是触摸屏的工作性能和环境信赖性的重要评价指标，也是触摸屏能够稳定工作的前提。
相关技术中，触摸屏包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的黑矩阵(英文：Black Matrix；简称：BM)、触摸电极、第一上层覆盖(英文：Over Cover；简称：OC)层、走线层、第二OC层和油墨层。衬底基板具有显示区域和围绕在显示区域周围的非显示区域，走线层在衬底基板上的正投影位于衬底基板的非显示区域中，走线层包括金属走线和接地线，金属走线与触摸电极连接，第二OC层覆盖走线层。接地线能够将聚集在接地线上的静电导入大地，避免金属走线被静电击伤，提高触摸屏的抗静电能力，第一OC层和第二OC层将走线层与外界空气隔离，避免空气中的水汽和氧气等成分进入触摸屏腐蚀走线层的走线，提高触摸屏的抗腐蚀能力。
在实现本申请的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：
OC层对空气中的水汽和氧气等成分的阻隔能力较差，当触摸屏处于高温湿的空气环境中时，空气中的水汽和氧气等成分能够通过OC层进入触摸屏腐蚀走线层的走线，因此，触摸屏的抗腐蚀能力较差。
发明内容
本申请提供一种触摸屏及其制造方法、触摸显示装置，可以解决触摸屏的抗腐蚀能力较差的问题，提高触摸屏的抗腐蚀能力。本申请的技术方案如下：
第一方面，提供一种触摸屏，所述触摸屏包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的走线层和腐蚀保护结构，所述走线层包括金属走线以及沿所述衬底基板的边缘围绕在所述金属走线周围的接地线，所述腐蚀保护结构位于所述衬底基板的侧面所在平面与所述接地线之间，所述腐蚀保护结构与所述接地线连接，所述腐蚀保护结构与所述接地线构成腐蚀电池，所述接地线为所述腐蚀电池的阳极。
可选地，所述触摸屏还包括：静电保护结构，所述静电保护结构的第一侧面上和所述腐蚀保护结构的第一侧面上均具有尖端，所述静电保护结构的第一侧面与所述腐蚀保护结构的第一侧面相对，所述静电保护结构的尖端与所述腐蚀保护结构的尖端相对，所述静电保护结构的尖端与所述腐蚀保护结构的尖端之间的距离小于预设距离。
可选地，所述静电保护结构和所述腐蚀保护结构均为锯齿状结构，所述静电保护结构的第一侧面和所述腐蚀保护结构的第一侧面均为锯齿面。
可选地，所述走线层包括n条接地线，所述n为大于或等于1的整数，所述触摸屏包括与所述n条接地线一一对应的n组保护结构，每组保护结构包括一个所述腐蚀保护结构和一个所述静电保护结构，在每组保护结构中：所述腐蚀保护结构与相应的接地线连接，所述静电保护结构的第一侧面与所述腐蚀保护结构的第一侧面相对。
可选地，n＝2。
可选地，所述接地线包括接地主线和分支线，所述分支线与所述接地主线连接，所述腐蚀保护结构与所述分支线连接。
可选地，所述腐蚀保护结构的形成材料为合金浆料，所述接地线的形成材料为金属，所述合金浆料的元素活泼性高于所述金属的元素活泼性。
可选地，所述合金浆料为金属Mg(中文：镁)和金属Zn(中文：锌)的合金浆料，或者，所述合金浆料为金属Mg、非金属Si(中文：硅)和金属Zn的合金浆料。
可选地，所述触摸屏还包括：设置在所述衬底基板与所述走线层之间的第一上层覆盖层，以及，设置在所述走线层上的第二上层覆盖层，所述第一上层覆盖层上设置有第一腐蚀保护孔和第一静电保护孔，所述第二上层覆盖层上设置有第二腐蚀保护孔和第二静电保护孔，所述第一腐蚀保护孔与所述第二腐蚀保护孔连通，所述第一静电保护孔与所述第二静电保护孔连通，所述腐蚀保护结构设置在连通的所述第一腐蚀保护孔和所述第二腐蚀保护孔中，所述静电保护结构设置在连通的所述第一静电保护孔和所述第二静电保护孔中。
可选地，所述触摸屏还包括：依次设置在所述衬底基板上的黑矩阵和触摸电极层，以及，设置在所述第二上层覆盖层上的油墨层，所述第一上层覆盖层设置在所述触摸电极层上，所述触摸电极层包括位于所述衬底基板的显示区域中的第一触摸电极和位于所述衬底基板的非显示区域中的第二触摸电极，所述金属走线与所述第一触摸电极连接，所述接地线通过所述第一腐蚀保护孔与所述第二触摸电极连接。
可选地，所述第一触摸电极和所述第二触摸电极均为金属电极；或者，
所述第一触摸电极和所述第二触摸电极均为氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxide；简称：ITO)电极。
第二方面，提供一种触摸屏的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成走线层，所述走线层包括金属走线以及沿所述衬底基板的边缘围绕在所述金属走线周围的接地线；
在形成有走线层的衬底基板上形成腐蚀保护结构，所述腐蚀保护结构位于所述衬底基板的侧面所在平面与所述接地线之间，所述腐蚀保护结构与所述接地线连接，所述腐蚀保护结构与所述接地线构成腐蚀电池，所述接地线为所述腐蚀电池的阳极。
可选地，在衬底基板上形成走线层之后，所述方法还包括：在形成有所述走线层的衬底基板上形成静电保护结构，所述静电保护结构的第一侧面上和所述腐蚀保护结构的第一侧面上均具有尖端，所述静电保护结构的第一侧面与所述腐蚀保护结构的第一侧面相对，所述静电保护结构的尖端与所述腐蚀保护结构的尖端相对。
可选地，在衬底基板上形成走线层之前，所述方法还包括：在衬底基板上形成第一上层覆盖层，所述第一上层覆盖层上设置有第一腐蚀保护孔和第一静电保护孔；
所述在衬底基板上形成走线层，包括：在形成有所述第一上层覆盖层的衬底基板上形成走线层；
在形成有所述第一上层覆盖层的衬底基板上形成走线层之后，所述方法还包括：在形成有所述走线层的衬底基板上形成第二上层覆盖层，所述第二上层覆盖层上设置有第二腐蚀保护孔和第二静电保护孔，所述第一腐蚀保护孔与所述第二腐蚀保护孔连通，所述第一静电保护孔与所述第二静电保护孔连通；
所述在形成有走线层的衬底基板上形成腐蚀保护结构，包括：
在形成有所述第二上层覆盖层的衬底基板上形成腐蚀保护结构，所述腐蚀保护结构位于连通的所述第一腐蚀保护孔和所述第二腐蚀保护孔中；
所述在形成有走线层的衬底基板上形成静电保护结构，包括：
在形成有所述第二上层覆盖层的衬底基板上形成静电保护结构，所述静电保护结构位于连通的所述第一静电保护孔和所述第二静电保护孔中。
可选地，在衬底基板上形成第一上层覆盖层之前，所述方法还包括：在衬底基板上依次形成黑矩阵和触摸电极层，所述触摸电极层包括位于所述衬底基板的显示区域中的第一触摸电极和位于所述衬底基板的非显示区域中的第二触摸电极，所述第一触摸电极与所述金属走线连接；
所述在衬底基板上形成第一上层覆盖层，包括：在形成有所述触摸电极层的衬底基板上形成第一上层覆盖层，所述接地线通过所述第一腐蚀保护孔与所述第二触摸电极连接；
在形成有所述第二上层覆盖层的衬底基板上形成腐蚀保护结构之后，所述方法还包括：在形成有所述腐蚀保护结构的衬底基板上形成油墨层。
第三方面，提供一种触摸显示装置，所述触摸显示装置包括第一方面或第一方面的任一可选方式所述的触摸屏。
本申请提供的技术方案带来的有益效果是：
本申请提供的触摸屏及其制造方法、触摸显示装置，由于走线层包括金属走线以及沿衬底基板的边缘围绕在金属走线周围的接地线，腐蚀保护结构位于衬底基板的侧面所在平面与接地线之间，腐蚀保护结构与接地线连接，腐蚀保护结构与接地线构成腐蚀电池，接地线为腐蚀电池的阳极，因此，腐蚀保护结构能够以阳极保护的方式对接地线进行保护，进而对金属走线进行保护，避免走线层的走线被腐蚀，解决了触摸屏的抗腐蚀能力较差的问题，提高了触摸屏的抗腐蚀能力。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术提供的一种触摸屏的正视图；
图2是相关技术提供的对触摸屏进行ESD评价的示意图；
图3是本申请实施例提供的一种触摸屏的正视图；
图4是图3所示的触摸屏A-A部位的截面图；
图5是本申请实施例提供的一种触摸屏的制造方法的方法流程图；
图6是本申请实施例提供的另一种触摸屏的制造方法的方法流程图；
图7是本申请实施例提供的一种在衬底基板上形成黑矩阵后的示意图；
图8是本申请实施例提供的一种在形成有黑矩阵的衬底基板上形成触摸电极层后的示意图；
图9是本申请实施例提供的一种在形成有触摸电极层的衬底基板上形成第一上层覆盖层后的示意图；
图10是本申请实施例提供的一种在形成有第一上层覆盖层的衬底基板上形成走线层后的示意图；
图11是本申请实施例提供的一种在形成有走线层的衬底基板上形成第二上层覆盖层后的示意图；
图12是本申请实施例提供的一种在形成有第二上层覆盖层的衬底基板上形成腐蚀保护结构和静电保护结构后的示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
请参考图1，其示出了相关技术提供的一种触摸屏0的正视图，该触摸屏0包括衬底基板01以及依次设置在衬底基板01上的BM(图1中未示出)、触摸电极层02、第一OC层(图1中未示出)、走线层03、第二OC层(图1中未示出)和油墨层(图1中未示出)等结构，衬底基板01具有显示区域011和围绕在显示区域011周围的非显示区域012，走线层03在衬底基板01上的正投影位于衬底基板01的非显示区域012中，走线层03包括金属(英文：Metal)走线031和接地线032，触摸电极层02包括触摸电极021和搭接电极022，触摸电极021与搭接电极022连接(图1中未示出)，金属走线031与搭接电极022连接(也即是金属走线031通过搭接电极022与触摸电极021连接)，第二OC层覆盖走线层03。如图1所示，触摸屏0还包括柔性电路板(英文：Flexible Printed Circuit；简称：FPC)04，柔性电路板04分别与金属走线031和接地线032连接，接地线032通过柔性电路板04接地，柔性电路板04用于依次通过金属走线031和搭接电极022向触摸电极021施加电信号，使触摸屏0实现触摸功能。在如图1所示的触摸屏0中，接地线032能够将聚集在接地线032上的静电导入大地，避免金属走线031被静电击伤，第一OC层和第二OC层将走线层03与外界空气隔离，避免空气中的水汽和氧气等成分进入触摸屏0腐蚀走线层03的走线。
在触摸屏领域中，根据触摸电极的形成材料的不同，触摸屏分为一体化触控(英文：One Glass Solution；简称：OGS)触摸屏和金属网格一体化触控(英文：One GlassSolution Metal；简称：OGM)触摸屏。OGS触摸屏是传统的氧化物触摸屏，其触摸电极的形成材料为ITO或氧化铟锌(英文：Indium zinc oxide；简称：IZO)等半导体氧化物，OGM触摸屏是近两年兴起的金属网(英文：Metal Mesh)触摸屏，其触摸电极的形成材料为金属。但是，无论是OGS触摸屏还是OGM触摸屏，其中都存在走线层，在触摸屏的生产以及品质评价的过程中，走线层的走线可能会被腐蚀和/或击伤，导致走线发生功能不良。
触摸屏的品质评价包括静电释放(英文：Electro-Static discharge；简称：ESD)评价和环境信赖性评价，ESD评价主要用于评价触摸屏的抗静电能力，环境信赖性评价主要用于评价触摸屏的抗腐蚀能力。在对触摸屏进行环境信赖性评价(例如8585实验)时，将单纯的触摸屏(也称常规单体Sensor)或模组态的触摸屏(例如包括有触摸屏的装置)放置在高温湿的空气环境中一定时长，并检测触摸屏中的走线是否被腐蚀。在对触摸屏进行ESD评价时，沿触摸屏的边缘向触摸屏施加静电，并检测触摸屏中的走线是否被击伤。示例地，请参考图2，其示出了相关技术提供的一种采用边缘九点击打法对触摸屏0进行ESD评价的示意图，可以从图2所示的点1～9中的每个点所在位置，沿触摸屏0的边缘向触摸屏0施加静电，并检测触摸屏0中的走线是否被击伤。
在对触摸屏进行环境信赖性评价时，由于水汽及高温作用，触摸屏中的走线可能会与水汽和氧气等成分发生化学反应，导致走线被腐蚀。在对触摸屏进行ESD评价时，由于是沿触摸屏的边缘向触摸屏施加静电的，因此静电电荷会聚集在触摸屏的接地线上，使接地线承载较高的电荷量，如果不能及时导走接地线上的静电电荷，则静电很可能会击伤触摸屏中的走线。由于触摸屏的表面通常具有保护膜，在对触摸屏进行品质评价时，触摸屏边缘的走线往往会优先被腐蚀和/或击伤，因此，通常从触摸屏边缘的走线着手来提升触摸屏的抗静电能力和抗腐蚀能力。
目前，主要通过增加金属走线的宽度以及增加接地线的数量等手段提升触摸屏的抗静电能力，通过增加OC层的厚度以及改善走线层的镀膜工艺等手段提升触摸屏的抗腐蚀能力。然而，增加金属走线的宽度以及增加接地线的数量都需要以增加触摸屏的边框为代价，这与触摸屏的窄边框需求相悖；增加OC层的厚度难以实现触摸屏的薄型化，且增加OC层的厚度以及改善走线层的镀膜工艺提升触摸屏的抗腐蚀能力的效果较差。
本申请实施例提供的方案，通过在触摸屏的边缘设置腐蚀保护结构和静电保护结构，避免触摸屏中的走线被腐蚀以及被击伤，提高了触摸屏的抗腐蚀能力和抗静电能力。本申请实施例的详细方案请参考下述实施例。
图3是本申请实施例提供的一种触摸屏1的正视图，图4是图3所示的触摸屏1的A-A部位的剖面图，参见图3和图4，触摸屏1包括：衬底基板11以及设置在衬底基板11上的走线层12和腐蚀保护结构13，走线层12包括金属走线121以及沿衬底基板11的边缘围绕在金属走线121周围的接地线122，腐蚀保护结构13位于衬底基板11的侧面所在平面(图3和图4中均未标出)与接地线122之间，腐蚀保护结构13与接地线122连接，腐蚀保护结构13与接地线122构成腐蚀电池，接地线122为腐蚀电池的阳极。
综上所述，本申请实施例提供的触摸屏，由于走线层包括金属走线以及沿衬底基板的边缘围绕在金属走线周围的接地线，腐蚀保护结构位于衬底基板的侧面所在平面与接地线之间，腐蚀保护结构与接地线连接，腐蚀保护结构与接地线构成腐蚀电池，接地线为腐蚀电池的阳极，因此，腐蚀保护结构能够以阳极保护的方式对接地线进行保护，进而对金属走线进行保护，避免走线层的走线被腐蚀，解决了触摸屏的抗腐蚀能力较差的问题，提高了触摸屏的抗腐蚀能力。
可选地，如图3所示，衬底基板11具有显示区域111和围绕在显示区域111周围的非显示区域112，走线层12在衬底基板11上的正投影位于衬底基板11的非显示区域112中。接地线122呈“口”字型围绕在金属走线121周围，且接地线122在衬底基板11上的正投影可以位于衬底基板11的最外围。
在本申请实施例中，腐蚀保护结构13的形成材料为合金浆料，接地线122的形成材料为金属，且合金浆料的元素活泼性高于金属的元素活泼性，以保证腐蚀保护结构13能够以阳极保护的方式对接地线122进行保护。其中，合金浆料可以为金属Mg和金属Zn的合金浆料，或者，合金浆料可以为金属Mg、非金属Si和金属Zn的合金浆料，接地线122的形成材料可以为金属Mo(中文：钼)等金属材料。
进一步地，请继续参考图3和图4，该触摸屏1还包括：静电保护结构14，静电保护结构14的第一侧面上和腐蚀保护结构13的第一侧面上均具有尖端(图3和图4中均未标出)，静电保护结构14的第一侧面(图3和图4中均未标出)与腐蚀保护结构13的第一侧面(图3和图4中均未标出)相对，静电保护结构14的尖端与腐蚀保护结构13的尖端相对，静电保护结构14的尖端与腐蚀保护结构13的尖端之间的距离小于预设距离。
在本申请实施例中，静电保护结构14的尖端与腐蚀保护结构13的尖端相对，静电保护结构14的尖端与腐蚀保护结构13的尖端之间的距离小于预设距离，且腐蚀保护结构13与接地线122连接，根据尖端放电原理，聚集在接地线122上的静电可以通过腐蚀保护结构13到达腐蚀保护结构13的尖端，当腐蚀保护结构13的尖端上聚集的静电电荷足够多时，在静电保护结构14的尖端的作用下，聚集在腐蚀保护结构13的尖端的静电电荷被释放，使得聚集在接地线122上的静电被释放。由于接地线122的电位为低电位，触摸屏1中的静电通常都聚集在接地线122上，因此，对聚集在接地线122上的静电进行释放也即是对触摸屏1中的静电进行释放。根据本段的描述可知，实际上是腐蚀保护结构13和静电保护结构14共同作用对聚集在接地线122上的静电进行释放的，因此腐蚀保护结构13和静电保护结构14结合可以称为静电释放结构(也即是后文所描述的保护结构)，其中，静电保护结构14的尖端与腐蚀保护结构13的尖端之间的距离可以根据实际情况设置，以保证腐蚀保护结构13和静电保护结构14能够共同作用对聚集在接地线122上的静电进行释放为准。本申请实施例通过腐蚀保护结构13和静电保护结构14对触摸屏1中的静电进行释放，提高了触摸屏1的抗静电能力。
可选地，请参考图3，静电保护结构14和腐蚀保护结构13均为锯齿状结构，静电保护结构14的第一侧面和腐蚀保护结构13的第一侧面均为锯齿面。这样一来，静电保护结构14的第一侧面上以及腐蚀保护结构13的第一侧面上具有较多的尖端，腐蚀保护结构13和静电保护结构14能够更好的对触摸屏1中的静电进行释放，进一步提高触摸屏1的抗静电能力。
可选地，请继续参考图3，走线层12包括n条接地线122，n条接地线122呈“口”字型围绕在金属走线121周围，且n条接地线122沿衬底基板11的不同边缘设置，n为大于或等于1的整数。触摸屏1包括与n条接地线12一一对应的n组保护结构(图3中未标出)，每组保护结构包括一个腐蚀保护结构13和一个静电保护结构14，在每组保护结构中：腐蚀保护结构13与相应的接地线122连接，静电保护结构14的第一侧面与腐蚀保护结构13的第一侧面相对。其中，腐蚀保护结构13与相应的接地线122连接也即是，腐蚀保护结构13与该腐蚀保护结构13所属的保护结构对应的接地线122连接。可选地，n＝2，也即是走线层12包括两条接地线122，如图3所示，两条接地线122沿衬底基板11的不同边缘围绕在金属走线121周围。
可选地，如图3所示，接地线122包括接地主线1221和分支线1222，分支线1222与接地主线1221连接，腐蚀保护结构13与分支线1222连接。在本申请实施例中，n条接地线122中的每条接地线122包括接地主线1221和分支线1222，在每条接地线122中：分支线1222与接地主线1221连接，每个腐蚀保护结构13与相应的接地线122的分支线1222连接。其中，n条接地线122的接地主线1221呈“口”字型围绕在金属走线121周围，每条分支线1222可以位于触摸屏的bonding区域中，且具体可以是位于bonding区域的空闲区域中，bonding区域位于触摸屏1的非显示区域中，触摸屏1的非显示区域也即是衬底基板11的非显示区域112在触摸屏1上的对应区域。
可选地，请结合图3和图4，该触摸屏1还包括：设置在衬底基板11与走线层12之间的第一上层覆盖层15，以及，设置在走线层12上的第二上层覆盖层16，第一上层覆盖层15上设置有第一腐蚀保护孔(图3和图4中均未标出)和第一静电保护孔(图3和图4中均未标出)，第二上层覆盖层16上设置有第二腐蚀保护孔(图3和图4中均未标出)和第二静电保护孔(图3和图4中均未标出)，第一腐蚀保护孔与第二腐蚀保护孔连通，第一静电保护孔与第二静电保护孔连通，腐蚀保护结构13设置在连通的第一腐蚀保护孔和第二腐蚀保护孔中，静电保护结构14设置在连通的第一静电保护孔和第二静电保护孔中。
在本申请实施例中，由于触摸屏1包括n组保护结构，每组保护结构包括一个腐蚀保护结构13和一个静电保护结构14，因此，第一上层覆盖层15上设置有n个第一腐蚀保护孔和n个第一静电保护孔，第二上层覆盖层16上设置有n个第二腐蚀保护孔和n个第二静电保护孔，n个第一腐蚀保护孔与n个第二腐蚀保护孔一一对应连通，n个第一静电保护孔与n个第二静电保护孔一一对应连通，n个腐蚀保护结构13一一对应设置在n组腐蚀保护孔中，n个静电保护结构14一一对应设置在n组静电保护孔中，每组腐蚀保护孔包括连通的一个第一腐蚀保护孔和一个第二腐蚀保护孔，每组静电保护孔包括连通的一个第一静电保护孔和一个第二静电保护孔。
可选地，请结合图3和图4，该触摸屏1还包括：依次设置在衬底基板11上的黑矩阵17和触摸电极层18，以及，设置在第二上层覆盖层16上的油墨层19，黑矩阵17可以位于衬底基板11的非显示区域112中，第一上层覆盖层15设置在触摸电极层18上，触摸电极层18包括位于衬底基板11的显示区域111中的第一触摸电极181和位于衬底基板11的非显示区域112中的第二触摸电极182，第一上层覆盖层15将第二触摸电极182部分覆盖，金属走线121与第一触摸电极181连接(图3和图4中均未示出)，接地线122通过第一腐蚀保护孔与第二触摸电极182连接。其中，触摸电极层18包括矩阵状排布的多个第一触摸电极181，多个第一触摸电极181可以包括触摸发射电极和触摸接收电极。第二触摸电极182可以不用于实现触摸功能，接地线122通过第一腐蚀保护孔与第二触摸电极182连接，可以使接地线122更牢靠的设置在触摸屏1中，降低接地线122脱落的概率。
可选地，请参考图3，触摸电极层18还包括位于衬底基板11的非显示区域112中的搭接电极183，搭接电极183与第一触摸电极181连接(图3中未示出)，金属走线121与搭接电极183连接，因此金属走线121通过搭接电极183与第一触摸电极181连接。在本申请实施例中，第一触摸电极181、第二触摸电极182和搭接电极183均可以是条状电极或板状电极，且第一触摸电极181、第二触摸电极182和搭接电极183的结构可以相同或不同，本申请实施例对此不做限定。
可选地，第一触摸电极181和第二触摸电极182均为金属电极，或者，第一触摸电极181和第二触摸电极182均为氧化物电极，氧化物电极具体可以是ITO电极或IZO电极。此外，搭接电极183也可以为金属电极或氧化物电极，第一触摸电极181、第二触摸电极182和搭接电极183可以通过同一次构图工艺形成。在本申请实施例中，当第一触摸电极181和第二触摸电极182均为金属电极时，触摸屏1为OGM触摸屏，当第一触摸电极181和第二触摸电极182均为氧化物电极时，触摸屏1为OGS触摸屏。其中，当第一触摸电极181和第二触摸电极182均为金属电极时，第二触摸电极182也可以认为是金属走线，金属走线121和第二触摸电极182均与腐蚀保护结构13有效搭接。
在本申请实施例中，触摸屏0还包括FPC(图3中未标出)，FPC分别与金属走线121和接地线122连接，接地线122通过FPC接地，FPC用于依次通过金属走线121和搭接电极122向第一触摸电极181(触摸发射电极和触摸接收电极)施加电信号，使触摸屏1实现触摸功能。
本申请实施例提供触摸屏1中，腐蚀保护结构13的形成材料的元素活泼性高于接地线122的形成材料的元素活泼性，腐蚀保护结构13与接地线122构成腐蚀电池，接地线122为腐蚀电池的阳极，当触摸屏1处于高温湿的空气环境中(例如对触摸屏1进行环境信赖性评价)时，腐蚀保护结构13的表面不断失去电子发生氧化反应，使腐蚀保护结构13的金属原子转化为正离子，接地线122的表面不断得到电子发生还原反应，使得腐蚀保护结构13将接地线122钝化，接地线122不会发生腐蚀，因此，腐蚀保护结构13可以保护接地线122不被腐蚀。此外，上层覆盖层也具有一定的水氧阻隔能力，避免接地线122被腐蚀。本申请实施例提供的触摸屏1可以通过上层覆盖层和腐蚀保护结构13共同来提高触摸屏1的抗腐蚀能力。此外，静电保护结构14的尖端与腐蚀保护结构13的尖端相对，且腐蚀保护结构13与接地线122连接，根据尖端放电原理，聚集在接地线122上的静电可以通过腐蚀保护结构13到达腐蚀保护结构13的尖端，在静电保护结构14的尖端的作用下，聚集在腐蚀保护结构13的尖端的静电电荷被释放，使聚集在接地线122上的静电被释放，提高触摸屏1的抗静电能力。
需要说明的是，本申请实施例提供的方案还可以应用于显示屏，具体来讲：可以采用本申请实施例提供的设置方式在显示屏中设置腐蚀保护结构和静电保护结构，以此来提高显示屏的抗腐蚀能力和抗静电能力。其中，显示屏可以是液晶显示器(英文：LiquidCrystal Display；简称：LCD)显示屏或有机发光二极管(英文：Organic Light-EmittingDiode；简称：OLED)显示屏。此外，在本申请实施例所描述的触摸屏中，显示区域可以是触摸区域，非显示区域可以是非触摸区域，本申请实施例对此不做限定。
综上所述，本申请实施例提供的触摸屏，由于走线层包括金属走线以及沿衬底基板的边缘围绕在金属走线周围的接地线，腐蚀保护结构位于衬底基板的侧面所在平面与接地线之间，腐蚀保护结构与接地线连接，腐蚀保护结构与接地线构成腐蚀电池，接地线为腐蚀电池的阳极，因此，腐蚀保护结构能够以阳极保护的方式对接地线进行保护，进而对金属走线进行保护，避免走线层的走线被腐蚀，解决了触摸屏的抗腐蚀能力较差的问题，提高了触摸屏的抗腐蚀能力。进一步地，通过腐蚀保护结构和静电保护结构对触摸屏中的静电进行释放，提高了触摸屏的抗静电能力。
本申请实施例提供的触摸屏可以应用于下文的方法，本申请实施例中触摸屏的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
请参考图5，其示出了本申请实施例提供的一种触摸屏的制造方法的方法流程图，该触摸屏的制造方法可以用于制造上述实施例提供的触摸屏1。参见图5，该方法包括：
步骤501、在衬底基板上形成走线层，走线层包括金属走线以及沿衬底基板的边缘围绕在金属走线周围的接地线。
步骤502、在形成有走线层的衬底基板上形成腐蚀保护结构，腐蚀保护结构位于衬底基板的侧面所在平面与接地线之间，腐蚀保护结构与接地线连接，腐蚀保护结构与接地线构成腐蚀电池，接地线为腐蚀电池的阳极。
综上所述，本申请实施例提供的触摸屏的制造方法，由于走线层包括金属走线以及沿衬底基板的边缘围绕在金属走线周围的接地线，腐蚀保护结构位于衬底基板的侧面所在平面与接地线之间，腐蚀保护结构与接地线连接，腐蚀保护结构与接地线构成腐蚀电池，接地线为腐蚀电池的阳极，因此，腐蚀保护结构能够以阳极保护的方式对接地线进行保护，进而对金属走线进行保护，避免走线层的走线被腐蚀，解决了触摸屏的抗腐蚀能力较差的问题，提高了触摸屏的抗腐蚀能力。
可选地，在步骤501之后，该方法还包括：在形成有走线层的衬底基板上形成静电保护结构，静电保护结构的第一侧面和腐蚀保护结构的第一侧面上均具有尖端，静电保护结构的第一侧面与腐蚀保护结构的第一侧面相对，静电保护结构的尖端与腐蚀保护结构的尖端相对。
可选地，在步骤501之前，该方法还包括：在衬底基板上形成第一上层覆盖层，第一上层覆盖层上设置有第一腐蚀保护孔和第一静电保护孔；
步骤501包括：在形成有第一上层覆盖层的衬底基板上形成走线层；
在形成有第一上层覆盖层的衬底基板上形成走线层之后，该方法还包括：在形成有走线层的衬底基板上形成第二上层覆盖层，第二上层覆盖层上设置有第二腐蚀保护孔和第二静电保护孔，第一腐蚀保护孔与第二腐蚀保护孔连通，第一静电保护孔与第二静电保护孔连通；
步骤502包括：在形成有第二上层覆盖层的衬底基板上形成腐蚀保护结构，腐蚀保护结构位于连通的第一腐蚀保护孔和第二腐蚀保护孔中；
在形成有走线层的衬底基板上形成静电保护结构，包括：在形成有第二上层覆盖层的衬底基板上形成静电保护结构，静电保护结构位于连通的第一静电保护孔和第二静电保护孔中。
可选地，在衬底基板上形成第一上层覆盖层之前，该方法还包括：在衬底基板上依次形成黑矩阵和触摸电极层，触摸电极层包括位于衬底基板的显示区域中的第一触摸电极和位于衬底基板的非显示区域中的第二触摸电极，第一触摸电极与金属走线连接；
在衬底基板上形成第一上层覆盖层，包括：在形成有触摸电极层的衬底基板上形成第一上层覆盖层，接地线通过第一腐蚀保护孔与第二触摸电极连接；
在形成有第二上层覆盖层的衬底基板上形成腐蚀保护结构之后，该方法还包括：在形成有腐蚀保护结构的衬底基板上形成油墨层。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本申请的可选实施例，在此不再一一赘述。
请参考图6，其示出了本申请实施例提供的另一种触摸屏的制造方法的方法流程图，本实施例以制造上述实施例提供的触摸屏1为例进行说明。参见图6，该方法包括：
步骤601、在衬底基板上形成黑矩阵。
请参考图7，其示出了本申请实施例提供的一种在衬底基板11上形成黑矩阵17后的示意图，参见图7，黑矩阵17位于衬底基板11的非显示区域(图7中未标出)中，黑矩阵17的形成材料可以为黑色树脂。
可选地，通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)等方法在衬底基板11上沉积一层黑色树脂，得到黑色树脂层，然后通过一次构图工艺对黑色树脂层进行处理得到黑矩阵17。
一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，因此，通过一次构图工艺对黑色树脂层进行处理得到黑矩阵17，包括：在黑色树脂层上涂覆一层光刻胶得到光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后通过显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对黑色树脂层上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，最后剥离非曝光区的光刻胶，衬底基板11上保留的黑色树脂结构即为黑矩阵17。需要说明的是，本申请实施例是以采用正性光刻胶形成黑矩阵17为例说明的，还可以采用负性光刻胶形成黑矩阵17，本申请实施例对此不做限定。
步骤602、在形成有黑矩阵的衬底基板上形成触摸电极层，触摸电极层包括位于衬底基板的显示区域中的第一触摸电极和位于衬底基板的非显示区域中的第二触摸电极。
请参考图8，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有黑矩阵17的衬底基板11上形成触摸电极层18后的示意图，结合图3和图8，触摸电极层18包括第一触摸电极181、第二触摸电极182和搭接电极183，第一触摸电极181位于衬底基板11的显示区域111中，第二触摸电极182和搭接电极183均位于衬底基板11的非显示区域112中，搭接电极183与第一触摸电极181连接(图3和图8中均未示出)。其中，触摸电极层18包括矩阵状排布的多个第一触摸电极181，多个第一触摸电极181可以包括触摸发射电极和触摸接收电极，触摸电极层18可以包括多个(例如n个)第二触摸电极182，第二触摸电极182可以不用于实现触摸功能。第一触摸电极181、第二触摸电极182和搭接电极183的结构可以相同或不同，本申请实施例对此不做限定。
在本申请实施例中，触摸电极层18的形成材料可以为金属或半导体氧化物，金属可以是金属Mo、金属Cu(中文：铜)、金属Al(中文：铝)及其合金材料，半导体氧化物可以是ITO或IZO。当触摸电极层18的形成材料为金属时，触摸屏为OGM触摸屏，当触摸电极层18的形成材料为半导体氧化物时，触摸屏为OGS触摸屏。
可选地，通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在形成有黑矩阵17的衬底基板11上沉积一层ITO，得到ITO材质层，然后通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理得到触摸电极层18。通过一次构图工艺对ITO材质层进行处理的过程可以参考步骤601中通过一次构图工艺对黑色树脂层进行处理的过程。此外，当触摸电极层18的形成材料为金属时，触摸电极层18的形成过程与此相同，本申请实施例在此不再赘述。
步骤603、在形成有触摸电极层的衬底基板上形成第一上层覆盖层，第一上层覆盖层上设置有第一腐蚀保护孔和第一静电保护孔，第二触摸电极部分位于第一腐蚀保护孔中。
请参考图9，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有触摸电极层18的衬底基板11上形成第一上层覆盖层15后的示意图，参见图9，第一上层覆盖层15上设置有第一腐蚀保护孔F1和第一静电保护孔G1，第一上层覆盖层15将第二触摸电极182部分覆盖，第二触摸电极182部分位于第一腐蚀保护孔F1中。
可选地，通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在形成有触摸电极层18的衬底基板11上沉积一层有机树脂，得到树脂材质层，然后通过一次构图工艺对树脂材质层进行处理，以在树脂材质层上形成第一腐蚀保护孔F1和第一静电保护孔G1，从而得到第一上层覆盖层15。通过一次构图工艺对树脂材质层进行处理的过程可以参考步骤601中通过一次构图工艺对黑色树脂层进行处理的过程，本申请实施例在此不再赘述。
步骤604、在形成有第一上层覆盖层的衬底基板上形成走线层，走线层包括金属走线以及沿衬底基板的边缘围绕在金属走线周围的接地线，接地线通过第一腐蚀保护孔与第二触摸电极连接。
请参考图10，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有第一上层覆盖层15的衬底基板11上形成走线层12后的示意图。结合图3和图10，走线层12包括金属走线121以及沿衬底基板11的边缘围绕在金属走线121周围的接地线122，金属走线121通过搭接电极183与第一触摸电极181连接，接地线122包括接地主线1221和与接地主线1221连接的分支线1222，接地线122的分支线1222通过第一腐蚀保护孔F1与第二触摸电极182连接。也即是，接地线122通过第一腐蚀保护孔F1与第二触摸电极182连接，这样一来，可以使接地线122更牢靠的设置在触摸屏1中，降低接地线122脱落的概率。
其中，走线层12的形成材料可以为金属，具体可以是金属Mo等金属材料。可选地，通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在形成有第一上层覆盖层15的衬底基板11上沉积一层金属，得到金属材质层，然后通过一次构图工艺对金属材质层进行处理，得到走线层12。通过一次构图工艺对金属材质层进行处理的过程可以参考步骤601中通过一次构图工艺对黑色树脂层进行处理的过程，本申请实施例在此不再赘述。
步骤605、在形成有走线层的衬底基板上形成第二上层覆盖层，第二上层覆盖层上设置有第二腐蚀保护孔和第二静电保护孔，第二腐蚀保护孔与第一腐蚀保护孔连通，第二静电保护孔与第一静电保护孔连通。
请参考图11，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有走线层12的衬底基板11上形成第二上层覆盖层16后的示意图，结合图9至图11，第二上层覆盖层16上设置有第二腐蚀保护孔(图9至图11中均未标出)和第二静电保护孔(图9至图11中均未标出)，第二腐蚀保护孔与第一腐蚀保护孔F1连通形成腐蚀保护孔F，第二静电保护孔与第一静电保护孔G1连通形成静电保护孔G。第二上层覆盖层16的形成过程可以参考第一上层覆盖层15的形成过程，本申请实施例在此不再赘述。
步骤606、在形成有第二上层覆盖层的衬底基板上形成腐蚀保护结构和静电保护结构，腐蚀保护结构位于连通的第一腐蚀保护孔和第二腐蚀保护孔中，静电保护结构位于连通的第一静电保护孔和第二静电保护孔中，腐蚀保护结构与接地线连接，静电保护结构的第一侧面和腐蚀保护结构的第一侧面上均具有尖端，静电保护结构的第一侧面与腐蚀保护结构的第一侧面相对，静电保护结构的尖端与腐蚀保护结构的尖端相对。
请参考图12，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有第二上层覆盖层16的衬底基板11上形成腐蚀保护结构13和静电保护结构14后的示意图，结合图3以及图9至图12，腐蚀保护结构13位于连通的第一腐蚀保护孔和第二腐蚀保护孔中(也即是腐蚀保护结构13位于腐蚀保护孔F中)，静电保护结构14位于连通的第一静电保护孔和第二静电保护孔中(也即是静电保护结构14位于静电保护孔G中)，腐蚀保护结构13与接地线122位于第一腐蚀保护孔F1中的部分接触，使得腐蚀保护结构13与接地线122连接，腐蚀保护结构13与接地线122构成腐蚀电池，接地线122为腐蚀电池的阳极。静电保护结构14的第一侧面(图3以及图9至图12中均未标出)和腐蚀保护结构13的第一侧面(图3以及图9至图12中均未标出)上均具有尖端，静电保护结构14的第一侧面与腐蚀保护结构13的第一侧面相对，静电保护结构14的尖端与腐蚀保护结构13的尖端相对。可选地，静电保护结构14和腐蚀保护结构13均为锯齿状结构，静电保护结构14的第一侧面和腐蚀保护结构13的第一侧面均为锯齿面。
其中，静电保护结构14和腐蚀保护结构13的形成材料均可以是合金浆料，且具体可是金属Mg和金属Zn的合金浆料，或者是金属Mg、非金属Si和金属Zn的合金浆料，静电保护结构14的形成材料与腐蚀保护结构13的形成材料可以相同或不同。
可选地，采用合金浆料，通过丝网印刷工艺在腐蚀保护孔F中形成腐蚀保护结构13，以及在静电保护孔G中形成静电保护结构14。当然，还可以通过其他工艺形成腐蚀保护结构13和静电保护结构14，本申请实施例在此不再赘述。
步骤607、在形成有腐蚀保护结构和静电保护结构的衬底基板上形成油墨层。
在形成有腐蚀保护结构13和静电保护结构14的衬底基板11上形成油墨层19后的示意图可以参考图4。油墨层19在衬底基板11上的正投影可以位于衬底基板11的非显示区域112中。在本申请实施例中，可以通过涂覆工艺或丝网印刷工艺形成油墨层19。
需要说明的是，本申请实施例提供的触摸屏的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行增减、拆分或合并，例如，上述步骤606可以拆分成两个步骤，使得形成腐蚀保护结构的步骤与形成静电保护结构的步骤分开执行，再例如，可以增加将PFC绑定在触摸屏上的步骤。任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的触摸屏的制造方法，由于走线层包括金属走线以及沿衬底基板的边缘围绕在金属走线周围的接地线，腐蚀保护结构位于衬底基板的侧面所在平面与接地线之间，腐蚀保护结构与接地线连接，腐蚀保护结构与接地线构成腐蚀电池，接地线为腐蚀电池的阳极，因此，腐蚀保护结构能够以阳极保护的方式对接地线进行保护，进而对金属走线进行保护，避免走线层的走线被腐蚀，解决了触摸屏的抗腐蚀能力较差的问题，提高了触摸屏的抗腐蚀能力。进一步地，通过腐蚀保护结构和静电保护结构对触摸屏中的静电进行释放，提高了触摸屏的抗静电能力。本申请实施例提供的触摸屏的制造方法的制造过程简单，相比于相关技术，无需增加mask(构图工艺)。
本申请实施例还提供了一种触摸显示装置，该触摸显示装置包括上述实施例提供的触摸屏，该触摸显示装置可以为智能手机、平板电脑、智能手环、智能手表、触屏显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有触摸显示功能的产品或部件。
本申请中术语“A和B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种触摸屏，其特征在于，所述触摸屏包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的走线层和腐蚀保护结构，所述走线层包括金属走线以及沿所述衬底基板的边缘围绕在所述金属走线周围的接地线，所述腐蚀保护结构位于所述衬底基板的侧面所在平面与所述接地线之间，所述腐蚀保护结构与所述接地线连接，所述腐蚀保护结构与所述接地线构成腐蚀电池，所述接地线为所述腐蚀电池的阳极。
2.根据权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏还包括：静电保护结构，所述静电保护结构的第一侧面上和所述腐蚀保护结构的第一侧面上均具有尖端，所述静电保护结构的第一侧面与所述腐蚀保护结构的第一侧面相对，所述静电保护结构的尖端与所述腐蚀保护结构的尖端相对，所述静电保护结构的尖端与所述腐蚀保护结构的尖端之间的距离小于预设距离。
3.根据权利要求2所述的触摸屏，其特征在于，所述静电保护结构和所述腐蚀保护结构均为锯齿状结构，所述静电保护结构的第一侧面和所述腐蚀保护结构的第一侧面均为锯齿面。
4.根据权利要求2所述的触摸屏，其特征在于，所述走线层包括n条接地线，所述n为大于或等于1的整数，所述触摸屏包括与所述n条接地线一一对应的n组保护结构，每组保护结构包括一个所述腐蚀保护结构和一个所述静电保护结构，在每组保护结构中：所述腐蚀保护结构与相应的接地线连接，所述静电保护结构的第一侧面与所述腐蚀保护结构的第一侧面相对。
5.根据权利要求1至4任一所述的触摸屏，其特征在于，所述腐蚀保护结构的形成材料为合金浆料，所述接地线的形成材料为金属，所述合金浆料的元素活泼性高于所述金属的元素活泼性。
6.根据权利要求2至4任一所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏还包括：设置在所述衬底基板与所述走线层之间的第一上层覆盖层，以及，设置在所述走线层上的第二上层覆盖层，所述第一上层覆盖层上设置有第一腐蚀保护孔和第一静电保护孔，所述第二上层覆盖层上设置有第二腐蚀保护孔和第二静电保护孔，所述第一腐蚀保护孔与所述第二腐蚀保护孔连通，所述第一静电保护孔与所述第二静电保护孔连通，所述腐蚀保护结构设置在连通的所述第一腐蚀保护孔和所述第二腐蚀保护孔中，所述静电保护结构设置在连通的所述第一静电保护孔和所述第二静电保护孔中。
7.根据权利要求6所述的触摸屏，其特征在于，所述触摸屏还包括：依次设置在所述衬底基板上的黑矩阵和触摸电极层，以及，设置在所述第二上层覆盖层上的油墨层，所述第一上层覆盖层设置在所述触摸电极层上，所述触摸电极层包括位于所述衬底基板的显示区域中的第一触摸电极和位于所述衬底基板的非显示区域中的第二触摸电极，所述金属走线与所述第一触摸电极连接，所述接地线通过所述第一腐蚀保护孔与所述第二触摸电极连接。
8.一种触摸屏的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成走线层，所述走线层包括金属走线以及沿所述衬底基板的边缘围绕在所述金属走线周围的接地线；
在形成有走线层的衬底基板上形成腐蚀保护结构，所述腐蚀保护结构位于所述衬底基板的侧面所在平面与所述接地线之间，所述腐蚀保护结构与所述接地线连接，所述腐蚀保护结构与所述接地线构成腐蚀电池，所述接地线为所述腐蚀电池的阳极。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成走线层之后，所述方法还包括：在形成有所述走线层的衬底基板上形成静电保护结构，所述静电保护结构的第一侧面上和所述腐蚀保护结构的第一侧面上均具有尖端，所述静电保护结构的第一侧面与所述腐蚀保护结构的第一侧面相对，所述静电保护结构的尖端与所述腐蚀保护结构的尖端相对，所述静电保护结构的尖端与所述腐蚀保护结构的尖端之间的距离小于预设距离。
10.一种触摸显示装置，其特征在于，所述触摸显示装置包括权利要求1至7任一所述的触摸屏。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811192233.0A CN109002228B (zh) | 2018-10-12 | 2018-10-12 | 触摸屏及其制造方法、触摸显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811192233.0A CN109002228B (zh) | 2018-10-12 | 2018-10-12 | 触摸屏及其制造方法、触摸显示装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| CN109002228A true CN109002228A (zh) | 2018-12-14 |
| CN109002228B CN109002228B (zh) | 2021-10-15 |
Family
ID=64590591
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811192233.0A Active CN109002228B (zh) | 2018-10-12 | 2018-10-12 | 触摸屏及其制造方法、触摸显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109002228B (zh) |
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| CN109002228B (zh) | 2021-10-15 |
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